CN115360129B - 侧抽真空蚀刻机台 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种侧抽真空蚀刻机台，涉及半导体技术领域。侧抽真空蚀刻机台包括反应腔、副腔和进气分气块，反应腔的内壁设有过滤衬套，过滤衬套上设有排气孔；排气孔包括第一通孔和第二通孔；副腔与反应腔设有过滤衬套的一侧连通；副腔用于连接分子泵；进气分气块设于反应腔内，进气分气块上设有多个进气孔，进气孔包括第三通孔和第四通孔，第四通孔的孔径与第一通孔的孔径的比值为1：8至1：12；第三通孔的孔径与第二通孔的孔径的比值为1：8至1：12。有利于实现气体在反应腔内的均匀分布，提高蚀刻质量。并且，有利于减少对分子泵以及副腔的腐蚀和冲击破坏，延长机台的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种侧抽真空蚀刻机台。
背景技术
现有的真空蚀刻机台，反应腔需要在真空环境下作业，蚀刻过程中会不断向反应腔内通入特殊的工艺气体，也会通过分子泵将蚀刻产生的尾气及时排放。分子泵通常安装在反应腔的正下方或侧边，若安装在反应腔的正下方会使得反应腔整体尺寸较大，结构复杂，不利于工艺气体在反应腔的均匀分布。若分子泵安装在侧边，需要在反应腔侧边设置副腔，分子泵通过副腔与反应腔相连，这样设置虽然减小了反应腔的体积，但也容易带来工艺气体分布不均的问题，从而影响蚀刻质量。
发明内容
本发明的目的包括，例如，提供了一种侧抽真空蚀刻机台，其能够使得反应腔的进气和排气更加合理，气体在反应腔中分布更加均匀，有利于提高蚀刻质量。同时避免尾气沉积黏附在副腔内壁和分子泵中，也能起到屏蔽磁场的作用，减少对副腔以及分子泵的损坏，延长机台的使用寿命。
本发明的实施例可以这样实现：
第一方面，本发明提供一种侧抽真空蚀刻机台，包括：
反应腔，所述反应腔的内壁设有过滤衬套，所述过滤衬套上设有排气孔；所述排气孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔设于所述过滤衬套的中部，所述第二通孔设于所述过滤衬套的两侧，所述第一通孔的孔径小于所述第二通孔的孔径；所述第一通孔的孔径为3~5mm；
副腔，所述副腔与所述反应腔设有所述过滤衬套的一侧连通；所述副腔用于连接分子泵；
进气分气块，设于所述反应腔内，所述进气分气块上设有多个进气孔，所述进气孔包括第三通孔和第四通孔，所述第三通孔的孔径大于所述第四通孔的孔径，所述第三通孔设于所述进气分气块朝向所述过滤衬套的一侧，所述第四通孔位于所述进气分气块远离所述过滤衬套的一侧；
所述第四通孔的孔径与所述第一通孔的孔径的比值为1：8至1：12；所述第三通孔的孔径与所述第二通孔的孔径的比值为1：8至1：12。
在可选的实施方式中，所述第一通孔的分布密度小于所述第二通孔的分布密度。
在可选的实施方式中，所述第二通孔的孔径为6~8mm。
在可选的实施方式中，所述进气分气块的轴线与所述反应腔的轴线位于同一直线上；所述第三通孔的轴线与所述进气分气块的轴线形成第一夹角，所述第四通孔的轴线与所述进气分气块的轴线形成第二夹角，所述第一夹角小于所述第二夹角。
在可选的实施方式中，所述第一夹角为30至45度；所述第二夹角的角度为45度至60度。
在可选的实施方式中，所述第三通孔的直径为0.6mm至0.8mm，所述第四通孔的直径为0.3mm至0.5mm。
在可选的实施方式中，所述第三通孔的分布密度大于所述第四通孔的分布密度。
在可选的实施方式中，所述第三通孔和所述第四通孔的出口端分别设有倒角。
在可选的实施方式中，所述反应腔的内壁设有第一衬套，所述第一衬套和所述过滤衬套组成完整的柱形壁体，共同覆盖所述反应腔的内壁。
在可选的实施方式中，所述过滤衬套的面积与所述第一衬套的面积之比为1：3至1：5。
在可选的实施方式中，所述副腔靠近所述反应腔的一侧内壁设有第一滤网，所述第一滤网与所述过滤衬套相对设置；
和/或，所述分子泵与所述副腔连接处设有第二滤网。
本发明实施例的有益效果包括，例如：
本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台，在反应腔和副腔的连接处设有过滤衬套，过滤衬套上的排气孔作为反应腔抽真空的通道。过滤衬套能够起到过滤聚合物和屏蔽磁场的作用，减少尾气颗粒附着在副腔内壁以及分子泵中而对副腔和分子泵造成的腐蚀破坏，减少工艺气体如等离子体等对副腔和分子泵的冲击，有利于减少对机台的维护次数，提高机台使用寿命。通过采用进气孔和排气孔的合理孔径比例设计，提高反应腔内气体分布的均匀性，改善气体分布不均的问题，有利于提高蚀刻质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的过滤衬套的安装结构示意图；
图3为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的过滤衬套的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的过滤衬套上排气孔的另一种分布结构示意图；
图5为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的进气分气块的第一视角的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的进气分气块的第二视角的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的进气分气块的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的另一种结构的示意图；
图9为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的第一滤网的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台的第二滤网的结构示意图。
图标：100-侧抽真空蚀刻机台；110-反应腔；111-第一衬套；120-副腔；130-进气分气块；131-进气孔；133-第三通孔；135-第四通孔；137-倒角；140-过滤衬套；141-排气孔；143-第一通孔；145-第二通孔；150-分子泵；160-第二衬套；165-第一滤网；166-第一过滤孔；170-第二滤网；171-第二过滤孔。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
请参考图1至图7，本实施例提供了一种侧抽真空蚀刻机台100，用于完成半导体晶圆的蚀刻工艺，有利于提高蚀刻质量。
该侧抽真空蚀刻机台100包括反应腔110、副腔120和进气分气块130，反应腔110的内壁设有过滤衬套140，过滤衬套140上设有排气孔141；排气孔141包括第一通孔143和第二通孔145，第一通孔143设于过滤衬套140的中部，第二通孔145设于过滤衬套140的两侧，第一通孔143的孔径小于第二通孔145的孔径。第一通孔143的孔径为3~5mm。副腔120与反应腔110设有过滤衬套140的一侧连通；副腔120用于连接分子泵150；进气分气块130设于反应腔110内，进气分气块130上设有多个进气孔131，进气孔131包括第三通孔133和第四通孔135，第三通孔133的孔径大于第四通孔135的孔径，第三通孔133设于进气分气块130朝向过滤衬套140的一侧，第四通孔135位于进气分气块130远离过滤衬套140的一侧。
第四通孔135的孔径与第一通孔143的孔径的比值为1：8至1：12；第三通孔133的孔径与第二通孔145的孔径的比值为1：8至1：12。过滤衬套140的设置，可减小分子泵150的抽吸速度，防止反应腔110内靠近和远离分子泵150两端的压力差较大，使反应腔110内气体分布更加均匀、等离子体分布更加均匀，提高蚀刻质量。排气孔141作为对反应腔110抽真空的通道。抽真空过程中，通道中部的抽吸力相对较大，两侧的抽吸力相对较小，第一通孔143和第二通孔145的合理布设，将小孔径的第一通孔143设于中部，大孔径的第二通孔145设于两侧，有利于气体均匀被抽走，从而使得反应腔110内的气体以及等离子体始终保持良好的分布均匀性。并且抽真空过程中，由于进气分气块130靠近排气孔141的一端（即靠近分子泵150的一端）抽吸力更大，远离分子泵150的另一端抽吸力相对较小。因此在设计进气孔131时，第三通孔133的孔径大于第四通孔135的孔径，靠近排气孔141的一侧进气量更大，在远离排气孔141的一端进气量更小，可以实现反应腔110内气体分布更加均匀。本实施例中，第四通孔135的孔径与第一通孔143的孔径的比值为1：8至1：12；第三通孔133的孔径与第二通孔145的孔径的比值为1：8至1：12；既有利于维持反应腔110的真空状态，又有利于实现气体在反应腔110内的均匀分布，提高蚀刻质量。并且，设置过滤衬套140后，排气孔141的孔径较小，具有过滤聚合物的作用，防止聚合物随气流进入并粘附在副腔120和分子泵150中。还可以减少等离子体和特殊工艺气体逃逸出反应腔110，提高等离子体在反应腔110中的浓度以及均匀性。同时，排气孔141的孔径较小，还具有屏蔽磁场的作用，使得磁场只存在于反应腔110中，这样，即使有少量的等离子体窜出至副腔120和分子泵150，等离子体在无磁场的环境下，也不会对副腔120和分子泵150造成较大的冲击破坏。
因此，该侧抽真空蚀刻机台100既能实现气体的均匀分布，又能屏蔽磁场，还能减少聚合物粘附在副腔120、分子泵150以及真空管道上，有利于减少对分子泵150以及副腔120等的腐蚀和冲击破坏，延长机台的使用寿命，可降低对机台的维护频次。
可以理解，该侧抽真空蚀刻机台100，由于采用侧抽方式在反应腔110形成真空，反应腔110的体积尺寸较小，结构更加紧凑。机台生产过程中反应腔110所需要的材料要求更高，成本更高，本实施例还有利于减少反应腔110材料的使用，节约生产成本。
结合图3和图4，排气孔141的数量为多个，间隔分布在过滤衬套140上，作为对反应腔110抽真空的通道。过滤衬套140的设置，能防止分子泵150以较大的抽吸速度抽出反应腔110中的气体，降低抽吸速度有利于减小反应腔110中靠近分子泵150一端和远离分子泵150一端的压力差，从而实现反应腔110内的工艺气体和等离子体分布更加均匀。并且过滤衬套140还能有效阻止聚合物随气流进入到副腔120、分子泵150以及真空管道中，减少对副腔120和分子泵150等的腐蚀和破坏。
本实施例中，第一通孔143的数量为多个，第二通孔145的数量为多个。多个第一通孔143可以均匀分布，也可以非均匀分布，可以按照行列矩阵规整排布，也可以行与行之间或列与列之间错位分布，各个第一通孔143的形状和大小可以相同，也可以不同。类似地，多个第二通孔145可以均匀分布，也可以非均匀分布，可以按照行列矩阵规整排布，也可以行与行之间或列与列之间错位分布。各个第二通孔145的形状和大小可以相同，也可以不同（如图4），两侧的第二通孔145的分布密度可以相同，也可以不同。容易理解，抽真空过程中，通道中部的抽吸力相对较大，两侧的抽吸力相对较小，将小孔径的第一通孔143设于中部，大孔径的第二通孔145设于两侧，有利于气体均匀被抽走，从而使得反应腔110内的气体始终保持良好的分布均匀性。
进一步的，第一通孔143的分布密度小于第二通孔145的分布密度。由于两侧的抽吸力相对较小，将第二通孔145的数量设计更多，分布更密集，这样，同样可以使得反应腔110中的气体被均匀的抽走，实现反应腔110中气体分布的均匀性。
可选的，在其它实施方式中，考虑到通道中部的抽吸力更大，边缘抽吸力相对较小。也可以将第一通孔143分布在过滤衬套140的中部，将第二通孔145分布在第一通孔143的外周边缘，可以是环形、矩形或椭圆形等形状围住第一通孔143。这样设置，也能使得反应腔110中气体分布更加均匀。
可选的，第一通孔143的孔径为3~5mm，如3.2mm、3.5mm、3.8mm、4mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm或4.8mm等。第二通孔145的孔径为6~8mm，如6.2mm、6.5mm、6.8mm、7mm、7.2mm、7.4mm、7.6mm或7.8mm等。本实施例中，第一通孔143的孔径为4mm，第二通孔145的孔径为6mm。采用小孔径的排气孔141，具有良好的过滤作用和磁场屏蔽作用。过滤作用体现在阻挡了部分尾气中的聚合物颗粒或其它杂质进入副腔120和分子泵150中，减少聚合物物附着在副腔120内壁、分子泵150中以及与分子泵150连通的真空管道中，进而减少聚合物对副腔120、分子泵150和真空管道等的腐蚀破坏。此外，还可以减少等离子体和特殊工艺气体逃逸出反应腔110，提高等离子体在反应腔110中的浓度以及均匀性。过滤衬套140也具有屏蔽磁场的作用，使得磁场只存在于反应腔110中，这样，即使有少量的等离子体窜出至副腔120和分子泵150，在无磁场的环境下，也不会对副腔120和分子泵150造成较大的冲击破坏。
需要说明的是，第一通孔143和第二通孔145的横向截面分别可以为圆形、椭圆形或多边形，或其它需要的任意形状。第一通孔143和第二通孔145在轴向上可以为直孔、台阶孔、锥孔等任意需要的结构。第一通孔143和第二通孔145的形状可以相同，也可以不同，这里不作具体限定。
本实施例中，第一通孔143和第二通孔145的出口端分别设有倒角。通过设置倒角，有利于防止聚合物堵塞排气孔141，排气更加顺畅。
结合图5至图7，可选的，进气孔131的数量为多个，多个进气孔131间隔分布在进气分气块130上。由于进气分气块130靠近排气孔141的一端（即靠近分子泵150的一端）抽吸力更大，远离分子泵150的另一端抽吸力相对较小。因此在设计进气孔131时，靠近排气孔141的一侧进气量更大，在远离排气孔141的一端进气量更小，可以实现反应腔110内气体分布更加均匀。本实施例中，第三通孔133的孔径大于第四通孔135的孔径，有利于第三通孔133进气更多更快，实现气体在反应腔110内的均匀分布。
进一步的，进气分气块130的轴线与反应腔110的轴线位于同一直线上。本实施例中，进气分气块130为柱状结构，伸入反应腔110内，位于反应腔110室的正中央。进气分气块130的底部距离反应腔110的底部有一段距离，该距离可以根据实际实际情况灵活设定，比如该距离大于等于反应腔110高度的四分之一，且小于等于反应腔110高度的四分之三。本实施例中，进气分气块130的底端与过滤衬套140的中心大致位于同一高度。这样设置，有利于实现反应腔110内气体的均匀分布。
本实施例中，第三通孔133的轴线与进气分气块130的轴线形成第一夹角a，第四通孔135的轴线与进气分气块130的轴线形成第二夹角，第一夹角小于第二夹角。可选的，第一夹角为30至45度；第二夹角的角度为45度至60度。本实施例中，第一夹角约为30度，第二夹角约为50度。容易理解，第一夹角越小，流速相对较快，弯道损失能量更少，有利于增加进气速率，提高进气量。从而使得在靠近分子泵150的一端进气量更大。
可选的，第三通孔133的直径为0.6mm至0.8mm，如0.65mm、0.7mm或0.75mm等，第四通孔135的直径为0.3mm至0.5mm；如0.35mm、0.4mm或0.45mm等。本实施例中，第三通孔133的直径为0.6mm，第四通孔135的孔径为0.4mm。进一步的，第三通孔133的分布密度大于第四通孔135的分布密度。比如在进气分气块130靠近分子泵150的一侧，第三通孔133的数量大于位于进气分气块130另一侧的第四通孔135的数量。本实施例中，第三通孔133的数量为五个，第四通孔135的数量为三个。当然，并不仅限于此，第三通孔133和第四通孔135的数量和分布可以根据实际情况灵活设定。
在其它一些实施方式中，第三通孔133间隔均匀分布在进气分气块130的一侧，且沿进气分气块130的周向布设。第四通孔135沿周向均匀间隔分布在进气分气块130的另一侧。其中，相邻两个第三通孔133之间形成的第一圆心角小于相邻两个第四通孔135之间形成的第二圆心角。比如第一圆心角为20~30度，第二圆心角为35~45度。
本实施例中，第三通孔133和第四通孔135的出口端分别设有倒角137。通过设置倒角137，有利于防止聚合物堵塞进气孔131，进气更加顺畅。
可选地，进气孔131的截面形状为圆形，当然，其截面形状也可以是椭圆形、方形、平行四边形、多边形或其它任意形状，这里不作具体限定。
结合图2、图8至图10，可选的，反应腔110的内壁设有第一衬套111，第一衬套111和过滤衬套140组成完整的柱形壁体，共同覆盖反应腔110的内壁。换言之，第一衬套111和过滤衬套140组成完整的环形壁体，贴附在反应腔110的整个内壁上。本实施例中，第一衬套111的截面形状和过滤衬套140的截面形状组成完整的圆形。第一衬套111和过滤衬套140的连接处光滑过渡，有利于反应腔110内气体以及等离子体的均匀分布。并且，第一衬套111和过滤衬套140能够实现对反应腔110本体结构的保护，防止具有腐蚀性的气体以及等离子体等对反应腔110本体结构的破坏和冲击。需要说明的是，这里的内壁包括反应腔110的内部侧壁和内部底壁。本实施例中，过滤衬套140设置在内部侧壁上，第一衬套111分别设置在内部侧壁和内部底壁上。本实施例中，过滤衬套140的长度约为240mm至260mm，如250mm；宽度约为120mm至140mm，如130mm。过滤衬套140的高度小于等于反应腔110的高度。容易理解，若高度小于反应腔110的高度，过滤衬套140靠近反应腔110的中部或中下部设置，这样有利于避免蚀刻产生的尾气沉积，能及时将产生的尾气排出。进一步的，过滤衬套140的面积与第一衬套111的面积之比为1：3至1：5，这样既有利于实现排气的顺畅性，也能保证过滤衬套140充分发挥过滤和磁场屏蔽作用，进而提高反应腔110中气体分布的均匀性，可降低对分子泵150、真空管道以及副腔120的维护频次，延长分子泵150和副腔120的使用寿命。
副腔120的内壁设有第二衬套160，第二衬套160贴附在副腔120的内壁，对副腔120起到保护作用。可选地，副腔120的内壁靠近反应腔110的一侧设有第一滤网165，第一滤网165与过滤衬套140对应设置，第一滤网165上设有多个第一过滤孔166，多个第一过滤孔166与多个排气孔141相对设置或错位设置。多个第一过滤孔166的形状大小可以与排气孔141的形状大小相对应，也可以设置为互不相同，这里不作具体限定。第一滤网165与过滤衬套140的作用相似，能够进一步起到阻挡聚合物和屏蔽磁场的作用，并且可减小抽吸速度，防止反应腔110内靠近和远离分子泵150两端的压力差较大，使气体分布更加均匀。此外，还能使通道中部和边缘的气体均匀被抽走，进一步提高反应腔110内气体的均匀性，进而改善蚀刻效果。
可选地，分子泵150与副腔120连接处设有第二滤网170，第二滤网170的尺寸与分子泵150的进口口径相适应，可与安装分子泵150的法兰固定连接。第二滤网170上设有多个第二过滤孔171，中部的第二过滤孔171的孔径小于两侧的第二过滤孔171的孔径。当然，在其它实施方式中，还可以设置为中部的第二过滤孔171的孔径小于边缘的第二过滤孔171的孔径，若以第二滤网170呈圆形为例，这里的中部可以理解为靠近圆心的位置，边缘可以理解为远离圆心的位置。第二滤网170的作用与过滤衬套140的作用相似，能够进一步起到阻挡聚合物和屏蔽磁场的作用，并且可减小抽吸速度，防止反应腔110内靠近和远离分子泵150两端的压力差较大，使气体分布更加均匀。此外，还能使通道中部和边缘的气体均匀被抽走，进一步提高反应腔110内气体的均匀性，进而改善蚀刻效果。
第一滤网165和第二滤网170可以选择性地设置一个，或者两者都设置，这里不作具体限定。
本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台100，反应腔110、副腔120和分子泵150形成密封空间，分子泵150工作，将反应腔110内的尾气经副腔120抽走，在反应腔110内形成真空环境。具体地，反应腔110内的尾气经过过滤衬套140、副腔120、分子泵150和真空管道被排出。过滤衬套140对尾气具有过滤作用，可减少尾气聚合物黏附在副腔120和分子泵150上，防止聚合物腐蚀副腔120、分子泵150以及真空管道；也能减少等离子体逃逸出反应腔110。过滤衬套140还能屏蔽磁场，防止少量窜出的等离子体在磁场环境中破坏副腔120和分子泵150。通过过滤衬套140上排气孔141的设计以及进气分气块130上进气孔131的设计，有利于提高反应腔110内气体分布的均匀性，提高蚀刻质量。
综上所述，本发明实施例的侧抽真空蚀刻机台100，具有以下几个方面的有益效果：
本发明实施例提供的侧抽真空蚀刻机台100，在反应腔110和副腔120的连接处设有过滤衬套140，过滤衬套140上的排气孔141作为反应腔110抽真空的通道。过滤衬套140能够起到过滤和屏蔽磁场的作用，减少尾气中的聚合物颗粒附着在副腔120内壁以及分子泵150中而对副腔120和分子泵150造成的腐蚀破坏，减少工艺特殊气体和等离子体等对副腔120和分子泵150的冲击，有利于减少对机台的维护次数，提高机台使用寿命。通过采用进气孔131和排气孔141的合理孔径比例设计，提高反应腔110内气体分布的均匀性，改善气体分布不均的问题，有利于提高蚀刻质量，改善蚀刻效果。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，包括：
反应腔，所述反应腔的内壁设有过滤衬套，所述过滤衬套上设有排气孔；所述排气孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔设于所述过滤衬套的中部，所述第二通孔设于所述过滤衬套的两侧，所述第一通孔的孔径小于所述第二通孔的孔径；所述第一通孔的孔径为3~5mm；
副腔，所述副腔与所述反应腔设有所述过滤衬套的一侧连通；所述副腔用于连接分子泵；所述副腔的内壁靠近所述反应腔的一侧设有第一滤网，所述第一滤网与所述过滤衬套对应设置，所述第一滤网上设有多个第一过滤孔，多个所述第一过滤孔与多个所述排气孔相对设置或错位设置；
进气分气块，设于所述反应腔内，所述进气分气块上设有多个进气孔，所述进气孔包括第三通孔和第四通孔，所述第三通孔的孔径大于所述第四通孔的孔径，所述第三通孔设于所述进气分气块朝向所述过滤衬套的一侧，所述第四通孔位于所述进气分气块远离所述过滤衬套的一侧；
所述第四通孔的孔径与所述第一通孔的孔径的比值为1：8至1：12；所述第三通孔的孔径与所述第二通孔的孔径的比值为1：8至1：12。
2.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第一通孔的分布密度小于所述第二通孔的分布密度。
3.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第二通孔的孔径为6~8mm。
4.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述进气分气块的轴线与所述反应腔的轴线位于同一直线上；所述第三通孔的轴线与所述进气分气块的轴线形成第一夹角，所述第四通孔的轴线与所述进气分气块的轴线形成第二夹角，所述第一夹角小于所述第二夹角。
5.根据权利要求4所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第一夹角为30至45度；所述第二夹角的角度为45度至60度。
6.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第三通孔的直径为0.6mm至0.8mm，所述第四通孔的直径为0.3mm至0.5mm。
7.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第三通孔的分布密度大于所述第四通孔的分布密度。
8.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述第三通孔和所述第四通孔的出口端分别设有倒角。
9.根据权利要求1所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述分子泵与所述副腔连接处设有第二滤网。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述反应腔的内壁设有第一衬套，所述第一衬套和所述过滤衬套组成完整的柱形壁体，共同覆盖所述反应腔的内壁。
11.根据权利要求10所述的侧抽真空蚀刻机台，其特征在于，所述过滤衬套的面积与所述第一衬套的面积之比为1：3至1：5。
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