TWI814912B - 真空排氣系統的排氣方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種真空排氣系統，其在對內部存在大氣壓的氣體的處理腔室進行抽真空時，能夠抑制其他處理腔室中的壓力上升。真空排氣系統(1)能夠用於從處理腔室(PC1、PC2、PC3)排出處理氣體。真空排氣系統(1)具備複數個第一真空泵(BP1、BP2、BP3)、分別與複數個第一真空泵(BP1、BP2、BP3)連結的複數個緩衝罐(T1、T2、T3)、第二真空泵(MP)、使複數個第一真空泵(BP1、BP2、BP3)與第二真空泵(MP)連通的集合管(20)。

Description

真空排氣系統的排氣方法
本發明關於用於從在半導體元件製造裝置等之中使用的複數個處理腔室排出處理氣體的真空排氣系統。
一般的半導體元件製造裝置具有用於處理晶圓的複數個處理腔室。在這些處理腔室內，對複數個晶圓進行化學蒸鍍(CVD)、乾式蝕刻等處理。晶圓的處理中使用原料氣體或蝕刻氣體等處理氣體，處理氣體藉由真空排氣系統從處理腔室排出。
第9圖是習知的真空排氣系統的示意圖。如第9圖所示，半導體元件製造裝置100具備複數個處理腔室101及複數個渦輪分子泵102。複數個處理腔室101分別與渦輪分子泵102連接。真空排氣系統110與半導體元件製造裝置100連結。
真空排氣系統110具備分別與渦輪分子泵102連結的複數個增壓泵111、與這些增壓泵111連結的集合管113以及與集合管113連結的主泵112。增壓泵111與集合管113的入口連接，主泵112與集合管113的出口連結。半導體元件製造裝置100有時也不具備渦輪分子泵102，在該情況下，增壓泵111與複數個處理腔室101直接連結。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-227618號公報
專利文獻2：日本特開2016-183576號公報
在內部使用處理氣體的處理腔室101需要定期或不定期的維護。在對某個處理腔室101進行維護時，關閉配置在該處理腔室101的下游側的閥103，將處理腔室101從半導體元件製造裝置100分開。然後，執行處理腔室101的維護。在其他的處理腔室101內，繼續進行晶圓的處理，增壓泵111及主泵112從其他的處理腔室101排出處理氣體。
當維護結束後，將處理腔室101與半導體元件製造裝置100連接，打開閥103。存在於實施了維護的處理腔室101內的大氣壓的氣體(通常為清潔空氣)由配置在該處理腔室101的下游側的增壓泵111加壓後，流入集合管113。因此，集合管113內的壓力上升。
增壓泵111是在其進氣側與排氣側之間產生差壓的設備。因此，若集合管113內的壓力、亦即增壓泵111的排氣側的壓力上升，則從處理腔室101排出處理氣體的增壓泵111的進氣側的壓力也上升。結果，晶圓處理中的處理腔室101內的壓力上升，半導體元件製造裝置100檢測到壓力異常而停止其運轉。
因此，本發明提供一種真空排氣系統，該真空排氣系統在對內部存在大氣壓的氣體的處理腔室進行抽真空時能夠抑制其他處理腔室中的壓力上升。
在一個形態中，提供一種用於從複數個處理腔室排出氣體的真空排氣系統，該真空排氣系統具備複數個第一真空泵、分別與前述複數個第一真空泵連結的複數個緩衝罐、第二真空泵、以及使前述複數個第一真空泵與前述第二真空泵連通的集合管。
在一個形態中，前述真空排氣系統具備複數個基座，前述複數個第一真空泵分別固定於前述複數個基座，前述複數個緩衝罐分別固定於前述複數個基座，前述複數個第一真空泵、前述複數個緩衝罐以及前述複數個基座構成複數個泵單元。
在一個形態中，前述複數個緩衝罐分別配置於前述複數個第一真空泵的下游側。
在一個形態中，前述複數個緩衝罐分別配置於前述複數個第一真空泵的下方。
在一個形態中，前述複數個緩衝罐分別配置於前述複數個第一真空泵的上游側。
在一個形態中，前述複數個緩衝罐分別配置於前述複數個第一真空泵的上方。
根據本發明，從複數個處理腔室中的一個處理腔室排出大氣壓的氣體(例如清潔空氣)時的在真空排氣系統內的壓力上升(例如在集合管內的壓力上升)，係藉由形成於複數個緩衝罐中的至少一個的真空進行緩和。其結果是，能夠防止其他處理腔室內的壓力上升。而且，由於複數個緩衝罐分別與複數個第一真空泵連結，因此能夠防止在維護複數個 第一真空泵中的一個第一真空泵之後與真空排氣系統連接時的在處理腔室內的壓力上升。
1:真空排氣系統
2:半導體元件製造裝置
5:渦輪分子泵
6:旁通管
7:旁通閥
8:連結管
11:連結閥
15:移送管
19:基座
20:集合管
20A:入口管
20B:橫拉管
20C:出口管
22:腳輪
25:第一開口部
26:第二開口部
31:排氣口
32:吸氣口
BP1、BP2、BP3、BP4、BP5、BP6:第一真空泵
MP、MP1、MP2:第二真空泵
PC1、PC2、PC3、PC4、PC5、PC6:處理腔室
T1、T2、T3、T4、T5、T6:緩衝罐
U1、U2、U3、U4、U5、U6:泵單元
V1、V2、V3、V4、V5、V6:截止閥
第1圖是示出真空排氣系統的一個實施方式的示意圖。
第2圖是示出第1圖所示的泵單元的一個實施方式的示意圖。
第3圖是從箭頭A所示的方向觀察第2圖所示的泵單元的圖。
第4圖是示出泵單元的另一個實施方式的示意圖。
第5圖是示出真空排氣系統的另一個實施方式的示意圖。
第6圖是示出真空排氣系統的又一個實施方式的示意圖。
第7圖是示出第6圖所示的泵單元的一個實施方式的示意圖。
第8圖是示出第6圖所示的泵單元的另一個實施方式的示意圖。
第9圖是示出習知的真空排氣系統的一例的示意圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。
第1圖是示出真空排氣系統的一個實施方式的示意圖。本實施方式的真空排氣系統1用於從半導體元件製造裝置2的複數個處理腔室PC1、PC2、PC3排出處理氣體。真空排氣系統1藉由複數個連結管8與半導體元件製造裝置2連結。在處理腔室PC1~PC3內，對複數個晶圓進行化學蒸鍍(CVD)、乾式蝕刻等處理。晶圓的處理使用原料氣體或蝕刻氣體等處理氣體。處理腔室PC1~PC3內的處理氣體藉由真空排氣系統1排氣。
在處理腔室PC1~PC3的排氣側分別連結有渦輪分子泵5。複數個處理腔室PC1~PC3分別與複數個旁通管6連接。旁通管6繞過渦輪分子泵5而延伸。亦即，旁通管6的一端與處理腔室PC1~PC3連接，旁通管6的另一端與連結管8連接。在複數個旁通管6上分別安裝有複數個旁通閥7。這些旁通閥7在從處理腔室PC1~PC3排出處理氣體的期間被關閉。
真空排氣系統1具備複數個第一真空泵BP1、BP2、BP3、分別與第一真空泵BP1、BP2、BP3連結的複數個緩衝罐T1、T2、T3、第二真空泵MP、以及使複數個第一真空泵BP1、BP2、BP3與第二真空泵MP連通的集合管20。第一真空泵BP1~BP3的數量與處理腔室PC1~PC3的數量相同。因此，第一真空泵BP1~BP3分別與半導體元件製造裝置2的複數個處理腔室PC1~PC3連結。
在本實施方式中，第一真空泵BP1~BP3經由連結管8及渦輪分子泵5分別與處理腔室PC1~PC3連結。半導體元件製造裝置2有時也不具備渦輪分子泵5、旁通管6、旁通閥7。在這樣的結構中，第一真空泵BP1~BP3經由連結管8與複數個處理腔室PC1~PC3連結。在連結管8上分別安裝有連結閥11。在從處理腔室PC1~PC3排出處理氣體時，這些連結閥11被打開。
第二真空泵MP配置於第一真空泵BP1~BP3及緩衝罐T1~T3的下游側。第一真空泵BP1~BP3是機械增壓泵。在本實施方式中，第一真空泵BP1~BP3使用單級容積式真空泵。作為單級容積式真空泵的具體例，可列舉羅茨型真空泵、爪型真空泵、螺旋型真空泵。在一個實施方式中，第一真空泵BP1~BP3也可以是多級容積式真空泵。第二真空泵MP是多級容積式真空泵。作為多級容積式真空泵的具體例，可列舉 羅茨型真空泵、爪型真空泵、螺旋型真空泵、或者將它們組合而成的複合型泵。
複數個緩衝罐T1~T3分別與複數個第一真空泵BP1~BP3的排氣側連結。各緩衝罐T1~T3的內部為中空。第一真空泵BP1~BP3和對應的緩衝罐T1~T3被單元化，構成複數個泵單元U1、U2、U3。亦即，泵單元U1至少具備第一真空泵BP1和對應的緩衝罐T1，泵單元U2至少具備第一真空泵BP2和對應的緩衝罐T2，泵單元U3至少具備第一真空泵BP3和對應的緩衝罐T3。
集合管20具備複數個入口管20A、與這些入口管20A連接的一個橫拉管20B以及與橫拉管20B連接的一個出口管20C。複數個入口管20A分別與緩衝罐T1~T3連接，出口管20C與第二真空泵MP的吸氣口連接。第二真空泵MP的排氣口與移送管15連接。在複數個入口管20A上分別安裝有複數個截止閥V1、V2、V3。在真空排氣系統1的通常運轉時，這些截止閥V1、V2、V3打開。
真空排氣系統1如以下那樣運轉。打開旁通閥7，關閉連結閥11。接著，啟動第二真空泵MP，接著啟動複數個第一真空泵BP1~BP3。處理腔室PC1~PC3內的大氣壓的氣體(通常為清潔空氣)通過旁通管6而藉由真空排氣系統1的第一真空泵BP1~BP3及第二真空泵MP排氣。當處理腔室PC1~PC3內的壓力降低至規定的第一壓力時，關閉旁通閥7，打開連結閥11，然後起動渦輪分子泵5。當處理腔室PC1~PC3內的壓力降低至規定的第二壓力時，處理氣體被導入處理腔室PC1~PC3內。處理氣體藉由渦輪分子泵5、第一真空泵BP1~BP3及第二真空泵MP從處理腔室PC1~PC3排氣。如上所述，有時也不設置渦輪分子泵 5。在這樣的情況下，處理氣體藉由第一真空泵BP1~BP3及第二真空泵MP從處理腔室PC1~PC3排出。
處理腔室PC1~PC3需要定期或不定期地進行維護。例如，在要進行處理腔室PC1的維護時，關閉位於處理腔室PC1的下游側的連結閥11，停止與該處理腔室PC1連結的渦輪分子泵5以及第一真空泵BP1的運轉。將處理腔室PC1從半導體元件製造裝置2拆下，進行處理腔室PC1的維護。其他的第一真空泵BP2、BP3以及第二真空泵MP保持繼續運轉，在其他處理腔室PC2、PC3內繼續進行晶圓的處理。
在維護結束後，將處理腔室PC1連接於半導體元件製造裝置2。在實施了維護的處理腔室PC1內存在大氣壓的氣體(通常為清潔空氣)。因此，首先，從處理腔室PC1排出大氣壓的氣體。具體而言，啟動第一真空泵BP1，打開與處理腔室PC1連結的旁通閥7。大氣壓的氣體(清潔空氣)藉由第一真空泵BP1從處理腔室PC1排出，通過緩衝罐T1流入集合管20。此時，由於在與集合管20連結的其他緩衝罐T2、T3已經形成有真空，因此集合管20內的壓力上升得到緩和。由於第二真空泵MP處於運轉中，因此集合管20內的壓力迅速下降至原來的壓力。
根據本實施方式，藉由其他緩衝罐T2、T3內的真空來緩和集合管20內的壓力上升。因此，在從處理腔室PC1排出大氣壓的氣體時，能夠防止其他處理腔室PC2、PC3內的壓力上升。半導體元件製造裝置2能夠在其他處理腔室PC2、PC3內繼續化學蒸鍍(CVD)、乾式蝕刻等晶圓處理。進行處理腔室PC2或處理腔室PC3的維護時以及維護結束後的動作與上述的動作相同，因此省略其重複的說明。
複數個緩衝罐T1、T2、T3與複數個第一真空泵BP1、BP2、BP3對應地設置。亦即，緩衝罐T1~T3的數量與第一真空泵BP1 ~BP3的數量相等。而且，緩衝罐T1~T3分佈於集合管20的整體。根據這樣的配置，在從複數個處理腔室PC1~PC3中的某一個排出大氣壓的氣體時，無論該處理腔室的位置如何，都能夠迅速地緩和集合管20內的壓力上升。
如上所述，真空排氣系統1具備包含複數個第一真空泵BP1~BP3以及複數個緩衝罐T1~T3的複數個泵單元U1~U3。由於這些泵單元U1~U3具有相同的結構，因此以下參照第2圖及第3圖說明具有第一真空泵BP1及緩衝罐T1的泵單元U1。
第2圖是示出包含第一真空泵BP1及緩衝罐T1的泵單元U1的一個實施方式的示意圖，第3圖是從箭頭A所示的方向觀察第2圖所示的泵單元U1的圖。泵單元U1具備一個第一真空泵BP1、一個緩衝罐T1、共用的基座19。在本實施方式中，基座19由框架構成。第一真空泵BP1固定於基座19的上部，緩衝罐T1固定於基座19的下部。在基座19的底部固定有能夠使泵單元U1的整體移動的腳輪22。
緩衝罐T1配置在第一真空泵BP1的下方。緩衝罐T1位於第一真空泵BP1的下游側。緩衝罐T1在其上部具有第一開口部25，並且在其側部具有第二開口部26。第二開口部26也可以設置於緩衝罐T1的下部。緩衝罐T1的第一開口部25與第一真空泵BP1的排氣口31連接，緩衝罐T1的第二開口部26與集合管20的入口管20A連接。第一真空泵BP1的吸氣口32與連結管8連接。緩衝罐T1的第一開口部25也可以與第一真空泵BP1的排氣口31直接連接，或者也可以經由撓性管或接頭管等配管與第一真空泵BP1的排氣口31連接。
緩衝罐T1的容量基於處理腔室PC1及集合管20內的容量、處理腔室PC1的目標真空壓力等各要素來決定。在本實施方式中， 緩衝罐T1的容量比第一真空泵BP1的容量大，但在一個實施方式中，緩衝罐T1~T3的容量有時也比第一真空泵BP1~BP3的容量小。
根據本實施方式，緩衝罐T1配置在第一真空泵BP1的下方，因此不需要用於緩衝罐T1的設置面積，能夠減小真空排氣系統1的整體所需的設置面積。如果設置有泵單元U1的地板面積足夠大，則緩衝罐T1也可以配置在第一真空泵BP1的旁邊。
在一個實施方式中，如第4圖所示，緩衝罐T1也可以配置在第一真空泵BP1的上方。緩衝罐T1固定於基座19的上部，第一真空泵BP1固定於基座19的下部。第4圖所示的實施方式在緩衝罐T1配置於第一真空泵BP1的下游側(排氣側)這一點上與第2圖及第3圖所示的實施方式相同，但在緩衝罐T1配置於第一真空泵BP1的上方這一點不同。第4圖所示的實施方式與第2圖及第3圖所示的實施方式相同，具有能夠減小真空排氣系統1的設置面積這樣的優點。
在本實施方式中，利用真空排氣系統1從處理腔室PC1~PC3排出用於晶圓的處理的原料氣體、蝕刻氣體等處理氣體。在利用真空排氣系統1對處理氣體進行排氣時，從處理氣體產生的副產物固化，固化後的副產物逐漸堆積在第一真空泵BP1~BP3內。固化後的副產物也有可能侵入緩衝罐T1~T3內。因此，第一真空泵BP1~BP3及緩衝罐T1~T3需要定期或不定期地進行維護。
在本實施方式中，複數個第一真空泵BP1~BP3、複數個緩衝罐T1~T3以及複數個基座19(參照第2圖至第4圖)構成複數個泵單元U1~U3。根據這樣的結構，在進行了這些泵單元U1~U3中的任一個的維護之後，能夠從該泵單元排出大氣壓的氣體，並且另一方面在不使其他處理腔室內的壓力上升的情況下繼續其他泵單元的運轉。
例如，在進行泵單元U1的維護時，首先，關閉配置在該泵單元U1的下游側的截止閥V1。之後，將泵單元U1從真空排氣系統1拆下。其他泵單元U2、U3保持繼續運轉，在處理腔室PC2、PC3內繼續晶圓的處理。實施泵單元U1的維護，之後，使泵單元U1與真空排氣系統1連接。而且，打開截止閥V1。此時，泵單元U1的第一真空泵BP1及緩衝罐T1內的大氣壓的氣體(通常為清潔空氣)流入集合管20，集合管20內的壓力上升。此時，由於在與集合管20連結的其他緩衝罐T2、T3已經形成有真空，因此集合管20內的壓力上升得到緩和。由於第二真空泵MP處於運轉中，因此集合管20內的壓力迅速下降至原來的壓力。
這樣，根據本實施方式，能夠防止將實施了維護的泵單元U1與真空排氣系統1連接時的在與其他泵單元U2、U3連結的處理腔室PC2、PC3內的壓力上升。進行泵單元U2或泵單元U3的維護時以及維護結束後的動作與上述的動作相同，因此省略其重複的說明。
在第1圖所示的實施方式中，真空排氣系統1具有三個第一真空泵BP1~BP3以及一個第二真空泵MP，但本發明並不限定於該實施方式。第一真空泵BP1~BP3設置與半導體元件製造裝置2的處理腔室PC1~PC3的數量對應的數量。也可以設置複數個第二真空泵MP。
例如，如第5圖所示，真空排氣系統1具備與六個處理腔室PC1~PC6對應的六個第一真空泵BP1~BP6以及六個緩衝罐T1~T6(亦即，六個泵單元U1~U6)、和配置於第一真空泵BP1~BP6及緩衝罐T1~T6的下游側的兩個第二真空泵MP1~MP2。集合管20具備經由緩衝罐T1~T6分別與第一真空泵BP1~BP6連結的六個入口管20A、與六個入口管20A連接的一個橫拉管20B以及與橫拉管20B連接的兩個出口管20C。兩個第二真空泵MP1、MP2分別與兩個出口管20C連結。第 二真空泵MP1~MP2的數量少於第一真空泵BP1~BP6的數量，出口管20C的數量少於入口管20A的數量。沒有特別說明的本實施方式的結構及動作與參照第1圖至第4圖說明的實施方式相同，因此省略其重複的說明。
第6圖是示出真空排氣系統1的又一個實施方式的示意圖。沒有特別說明的本實施方式的結構及動作與參照第1圖說明的實施方式相同，因此省略其重複的說明。在本實施方式中，緩衝罐T1~T3分別配置於第一真空泵BP1~BP3的上游側。連結管8分別與緩衝罐T1~T3連結。因此，在本實施方式中，第一真空泵BP1~BP3經由緩衝罐T1~T3、連結管8以及渦輪分子泵5分別與處理腔室PC1~PC3連接。有時也不設置渦輪分子泵5。
本實施方式的真空排氣系統1也能夠一邊從複數個處理腔室PC1~PC3中的任一個排出大氣壓的氣體(例如清潔空氣)，一邊防止其他處理腔室中的壓力上升。例如，當利用第一真空泵BP1從處理腔室PC1排出大氣壓的氣體時，集合管20內的壓力上升。隨著該壓力上升，其他第一真空泵BP2、BP3的進氣側的壓力上升。由於在緩衝罐T2、T3內已經形成有真空，因此第一真空泵BP2、BP3的進氣側的壓力上升由這些緩衝罐T2、T3內的真空緩和。其結果是，能夠防止位於緩衝罐T2、T3的上游側的處理腔室PC2、PC3內的壓力上升。
根據本實施方式，藉由其他緩衝罐T2、T3內的真空來緩和集合管20內的壓力上升。因此，在從處理腔室PC1排出大氣壓的氣體時，能夠防止其他處理腔室PC2、PC3內的壓力上升。半導體元件製造裝置2能夠在其他處理腔室PC2、PC3內繼續化學蒸鍍(CVD)、乾式蝕刻等晶圓處理。
第7圖是示出第6圖所示的泵單元U1的一個實施方式的示意圖。沒有特別說明的本實施方式的結構及動作與第2圖及第3圖所示的實施方式相同，因此省略其重複的說明。泵單元U2、U3具有與泵單元U1相同的結構。如第7圖所示，緩衝罐T1固定於基座19的上部，第一真空泵BP1固定於基座19的下部。
第一真空泵BP1配置在緩衝罐T1的下方。緩衝罐T1位於第一真空泵BP1的上游側。緩衝罐T1在其上部具有第一開口部25，並且在其下部具有第二開口部26。緩衝罐T1的第一開口部25與連結管8連接，緩衝罐T1的第二開口部26與第一真空泵BP1的吸氣口32連接。第一真空泵BP1的排氣口31與集合管20的入口管20A連接。緩衝罐T1的第二開口部26可以與第一真空泵BP1的吸氣口32直接連接，或者也可以經由撓性管或接頭管等配管與第一真空泵BP1的吸氣口32連接。
根據本實施方式，緩衝罐T1配置在第一真空泵BP1的上方，因此不需要用於設置緩衝罐T1的佔用空間(footprint)，能夠減小真空排氣系統1的整體的設置面積。如果泵單元U1的設置面積足夠寬，則緩衝罐T1也可以配置在第一真空泵BP1的旁邊。
在一個實施方式中，如第8圖所示，緩衝罐T1也可以配置在第一真空泵BP1的下方。緩衝罐T1固定於基座19的下部，第一真空泵BP1固定於基座19的上部。第8圖所示的實施方式在緩衝罐T1配置於第一真空泵BP1的上游側這一點上與第7圖所示的實施方式相同，但在緩衝罐T1配置於第一真空泵BP1的下方這一點不同。第8圖所示的實施方式與第7圖所示的實施方式相同，具有能夠減小真空排氣系統1的設置面積這樣的優點。
在本實施方式中，複數個第一真空泵BP1~BP3、複數個緩衝罐T1~T3、以及複數個基座19(參照第7圖及第8圖)也構成複數個泵單元U1~U3。根據這樣的結構，在進行了這些泵單元U1~U3中的任一個的維護之後，能夠從該泵單元排出大氣壓的氣體，並且另一方面，能夠在不使其他處理腔室內的壓力上升的情況下繼續其他泵單元的運轉。
在第6圖所示的實施方式中，真空排氣系統1具有三個第一真空泵BP1~BP3以及一個第二真空泵MP，但本發明並不限定於該實施方式。第5圖所示的實施方式也能夠應用於第6圖所示的實施方式。
上述實施方式是以具有本發明所屬的技術領域中的通常知識的人能夠實施本發明為目的而記載的。上述實施方式的各種變形例只要是本領域技術人員就當然能夠進行，本發明的技術思想也能夠應用於其他實施方式。因此，本發明並不限定於所記載的實施方式，而應被解釋為遵循由請求保護的範圍所定義的技術思想的最寬的範圍。
1:真空排氣系統
2:半導體元件製造裝置
5:渦輪分子泵
6:旁通管
7:旁通閥
8:連結管
11:連結閥
15:移送管
20:集合管
20A:入口管
20B:橫拉管
20C:出口管
MP:第二真空泵
BP1、BP2、BP3:第一真空泵
PC1、PC2、PC3:處理腔室
T1、T2、T3:緩衝罐
U1、U2、U3:泵單元
V1、V2、V3:截止閥

Claims (4)

  1. 一種排氣方法，係使用於從並排設置的複數個處理腔室排出氣體的真空排氣系統；該真空排氣系統係具備：複數個泵單元，係由複數個第一真空泵與複數個緩衝罐個別地連結而構成；並排設置的渦輪分子泵及旁通管，係分別設於複數個前述處理腔室與複數個前述泵單元之間；以及第二真空泵，係經由集合管與複數個前述泵單元連通；該排氣方法係包含下述步驟：藉由前述泵單元及前述第二真空泵將複數個前述處理腔室內的大氣壓的氣體通過前述旁通管排氣；前述處理腔室內的壓力降至規定的第一壓力時，關閉前述旁通管並起動前述渦輪分子泵；前述處理腔室內的壓力降至規定的第二壓力時，將處理氣體導入前述處理腔室內，並藉由前述渦輪分子泵、前述泵單元、及前述第二真空泵從前述處理腔室將前述處理氣體排氣；要使複數個前述處理腔室中的某處理腔室停止運轉時，不停止其他的處理腔室的運轉，而使連接於要停止的該處理腔室的前述渦輪分子泵及前述泵單元停止；要使停止中的該處理腔室再運轉時，將連接於該處理腔室的前述旁通管開啟且起動前述泵單元，將該處理腔室內的大氣壓的氣體排氣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的排氣方法，其中， 前述泵單元中，前述緩衝罐配置於前述第一真空泵的上游側。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的排氣方法，其中，前述泵單元中，前述緩衝罐配置於前述第一真空泵的下游側。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述的排氣方法，其中，前述緩衝罐與前述第一真空泵係以上下方向配置。
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