CN115637420A - 用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供了用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备。排气管路包括真空泵排气管路,具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路。前级抽气管路连接双腔室和真空泵的进口,后级抽气管路连接真空泵的出口和废气处理装置。前级抽气管路上设置有第一阀门,将前级抽气管路分为第一段和第二段。第一段位于第一阀门与双腔室之间,第二段位于第一阀门与真空泵之间。第一分子泵排气管路包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道。第一分子泵进气管道连接前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口。第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近第一阀门。第一分子泵排气管道连接第一分子泵的出口与前级抽气管路的第二段。
Description
技术领域
本发明涉及带有分子泵的双腔半导体设备,尤其涉及排气管路设计。
背景技术
在化学气相沉积的过程中,引入真空条件会带来许多好处,比如真空下的气体可以被更精确地控制、反应氛围更为洁净等。
某些特殊的工艺需要更低的压力,比如金属栅工艺中的部分薄膜需要较高的真空度以防止薄膜被氧化。此时压力需要达到10-5Torr甚至更低,因此需要干式真空泵与涡轮分子泵组成多级抽气管路已达到目标工作压力。
此外,现在的装有分子泵的半导体设备均为单腔,生产效率较低,使用双腔结构可以提高洁净间空间的利用率,从而达到降本增效的目的。但,若仍然使用现有的排气管路对双腔结构进行抽真空,那么会存在整个设备空间不够用的问题,且容易形成返流问题。
因此,亟需一种新型的用于双腔半导体设备的排气管路。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本发明提供了一种用于双腔半导体设备的排气管路,该排气管路包括:
真空泵排气管路,具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路;其中,该前级抽气管路连接该双腔半导体设备的双腔室和真空泵的进口,该后级抽气管路连接该真空泵的出口和废气处理装置;该前级抽气管路上设置有第一阀门,该第一阀门将该前级抽气管路分为第一段和第二段,第一段位于该第一阀门与该双腔室之间,第二段位于该第一阀门与该真空泵之间;以及
第一分子泵排气管路,包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道;其中,该第一分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口,该第一分子泵进气管道上具有第二阀门,该第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;该第一分子泵排气管道连接该第一分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第一分子泵排气管道上具有第三阀门。
在一个实施例中,该第一分子泵排气管路还包括:第二分子泵进气管道,连接该双腔室中的第一腔室和该第一分子泵的进口,该第二分子泵进气管道上具有第四阀门。
在一个实施例中,该第一分子泵排气管路还包括:第五分子泵进气管道,连接该双腔室中的第二腔室和该第一分子泵的进口,该第五分子泵进气管道上具有第五阀门。
在一个实施例中,该排气管路还包括:第二分子泵排气管路,包括第三分子泵进气管道、第四分子泵进气管道、第二分子泵以及第二分子泵排气管道。其中:该第三分子泵进气管道连接该双腔室中的第二腔室和该第二分子泵的进口,该第三分子泵进气管道上具有第六阀门;该第四分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与该第二分子泵的进口,该第四分子泵进气管道上具有第七阀门;该第四分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;该第二分子泵排气管道连接该第二分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第二分子泵排气管道上具有第八阀门。
在一个实施例中,所述排气管路还包括:第一真空规和第二真空规。
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道的压力,并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道上的所有阀门。
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道上的所有阀门。
在一个实施例中,该真空泵的开启压力高于第一分子泵和第二分子泵的开启压力;其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路以及第二分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵和第二分子泵进行隔离,但该第一分子泵和第二分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵和第二分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门、第四阀门、第六阀门、第七阀门和第八阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
在一个实施例中,所述排气管路还包括第一真空规和第二真空规。
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第五分子泵进气管道,并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第五分子泵进气管道上的所有阀门。
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道上的所有阀门。
在一个实施例中,该真空泵的开启压力高于第一分子泵的开启压力;其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵进行隔离,但该第一分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门、第四阀门、第五阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
在一个实施例中,所述排气管路还包括第一真空规和第二真空规。
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道,并控制第一分子泵进气管道上的所有阀门。
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道上的所有阀门。
在一个实施例中,该真空泵的开启压力高于第一分子泵的开启压力;其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵进行隔离,但该第一分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
在一个实施例中,所述真空泵为干式真空泵。
本发明还提供了一种双腔半导体设备,具有双腔室和如上所述的用于双腔半导体设备的排气管路。
本发明的半导体设备采用双腔结构,提高了洁净间空间的利用率,降低了成本;针对双腔结构,本发明设计了特有的排气结构,不但节省了设备空间,还解决了返流问题。
附图说明
本发明的以上发明内容以及下面的具体实施方式在结合附图阅读时会得到更好的理解。需要说明的是,附图仅作为所请求保护的发明的示例。在附图中,相同的附图标记代表相同或类似的元素。
图1示出根据本发明第一实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的结构示意图;
图2示出根据本发明第一实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图;
图3示出根据本发明第二实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的结构示意图;
图4示出根据本发明第二实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图;
图5示出根据本发明第三实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的结构示意图;
图6示出根据本发明第三实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍,但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反,结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解,以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外,为了避免混乱或模糊本发明的重点,有些具体细节将在描述中被省略。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外,在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用,其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作,因此不应理解为对本发明的限制。
能理解的是,虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种管道、通道、组件、区域、层和/或部分,这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定,且这些用语仅是用来区别不同的管道、通道、组件、区域、层和/或部分。
图1示出根据本发明一实施例的带有分子泵的双腔半导体设备。该双腔半导体设备包括双腔室和排气管路。
该双腔室2用于对基板进行薄膜沉积。该双腔室2包括第一腔室、第二腔室以及位于各腔室内的抽气环1。
该排气管路具有第一分子泵排气管路、第二分子泵排气管路、真空泵排气管路、第一真空规11a以及第二真空规11b。在本实施例中,第一分子泵排气管路与第二分子泵排气管路具有对称结构。
该真空泵排气管路具有前级抽气管路7、真空泵8以及后级抽气管路9。该前级抽气管路7连接该双腔室和真空泵8的进口。该后级抽气管路9连接该真空泵8的出口和废气处理装置10。
在一个示例中,真空泵8可以是干式真空泵。
该前级抽气管路7上设置有第一阀门12。该第一阀门12将前级抽气管路7分为第一段和第二段。第一段位于该第一阀门12与该双腔室之间。第二段位于该第一阀门12与真空泵8之间。
第一分子泵排气管路具有第一分子泵进气管道13a、第二分子泵进气管道4a、第一分子泵5a以及第一分子泵排气管道6a。
第一分子泵进气管道13a连接该前级抽气管路7的第一段与第一分子泵5a的进口。阀门3b(第二阀门)位于该第一分子泵进气管道13a上。
第二分子泵进气管道4a连接第一腔室和第一分子泵5a的进口。阀门3a(第四阀门)位于该第二分子泵进气管道4a上。
该第一分子泵排气管道6a连接第一分子泵5a的出口与该前级抽气管路7的第二段。阀门3c(第三阀门)位于该第一分子泵排气管道6a上。
第二分子泵排气管路具有第三分子泵进气管道4b、第四分子泵进气管道13b、第二分子泵5b以及第二分子泵排气管道6b。
第三分子泵进气管道4b连接第二腔室和第二分子泵5b的进口。阀门3d(第六阀门)位于该第三分子泵进气管道4b上。
第四分子泵进气管道13b连接该前级抽气管路7的第一段与第二分子泵5b的进口。阀门3e(第七阀门)位于该第四分子泵进气管道13b上。
该第二分子泵排气管道6b连接第二分子泵5的出口与该前级抽气管路7的第二段。阀门3f(第八阀门)位于该第二分子泵排气管道6b上。
第一真空规11a连接至该前级抽气管路7的第一段。第一真空规11a带有继电器。第一真空规11a用于检测第一分子泵进气管道13a、第二分子泵进气管道4a、第三分子泵进气管道4b、第四分子泵进气管道13b的压力,并控制第一分子泵进气管道13a、第二分子泵进气管道4a、第三分子泵进气管道4b、第四分子泵进气管道13b上的所有阀门,即阀门3a、3b、3d、3e。
第二真空规11b连接至该前级抽气管路7的第二段。第二真空规11b带有继电器。第二真空规11b用于检测第一分子泵排气管道6a和第二分子泵排气管道6b的压力,并控制第一分子泵排气管道6a和第二分子泵排气管道6b上的所有阀门,即阀门3c、3f。
在一个示例中,阀门3a、3b、3d、3e、3c、3f为角式截止阀。
图2示出根据本发明第一实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图。该带有分子泵的双腔半导体设备的排气管路的运行方式如下:
通常,干式真空泵的开启压力要高于分子泵的开启压力。
首先,开启第一阀门12,真空泵8对双腔室进行抽真空,同时,关闭第一分子泵排气管路以及第二分子泵排气管路上的角阀,以便将分子泵5a和5b进行隔离,此时应注意分子泵5a和5b保持低速运行状态,以避免分子泵启停造成的时间的损耗。气体的流向如灰色线所示。
接着,当真空泵8将双腔室2内的压力降低至分子泵5a和5b的开启压力时,即当真空规检测到腔体压力满足分子泵5a和5b的开启条件时,则真空规通过其附带的继电器控制角阀3a、3b、3d、3e、3c、3f的开启,同时关闭第一阀门12,气体的流向如黑色线所示。此时,真空泵8并未停止工作。
本发明的带有分子泵的双腔半导体设备能解决分子泵工作时产生的返流问题。返流问题是由于当分子泵5a,5b开启且第一阀门12关闭后,由于分子泵的工作,会使得前级抽气管路7的第一段内的气体被分子泵返抽回来,进入双腔室,造成污染。而本发明提供了第一分子泵进气管道13a以及第四分子泵进气管道13b,可以有效防止返流的发生。第一分子泵进气管道13a、第四分子泵进气管道13b与前级抽气管路7的第一段的交汇点均应尽可能的靠近第一阀门12,以保证气体流向的唯一性,从而更彻底地将该第一段内的空气抽出。
图3示出根据本发明第二实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的结构示意图。
该双腔室2用于对基板进行薄膜沉积。该双腔室2包括第一腔室、第二腔室以及位于各腔室内的抽气环1。
该排气管路具有第一分子泵排气管路、真空泵排气管路、第一真空规11a以及第二真空规11b。
该真空泵排气管路具有前级抽气管路7、真空泵8以及后级抽气管路9。该前级抽气管路7连接该双腔室和真空泵8的进口。该后级抽气管路9连接该真空泵8的出口和废气处理装置10。
在一个示例中,真空泵8可以是干式真空泵。
该前级抽气管路7上设置有第一阀门12。该第一阀门12将前级抽气管路7分为第一段和第二段。第一段位于该第一阀门12与该双腔室之间。第二段位于该第一阀门12与真空泵8之间。
第一分子泵排气管路具有第一分子泵进气管道13、第二分子泵进气管道4、第五分子泵进气管道15、第一分子泵5以及第一分子泵排气管道6。
第一分子泵进气管道13连接该前级抽气管路7的第一段与第一分子泵5的进口。阀门3b(第二阀门)位于该第一分子泵进气管道13上。
第二分子泵进气管道4连接第一腔室和第一分子泵5的进口。阀门3a(第四阀门)位于该第二分子泵进气管道4上。
第五分子泵进气管道15连接第二腔室和第一分子泵5的进口。阀门3d(第五阀门)位于该第五分子泵进气管道15上。
第一分子泵排气管道6连接第一分子泵5的出口与该前级抽气管路7的第二段。阀门3c(第三阀门)位于该第一分子泵排气管道6上。
第一真空规11a连接至该前级抽气管路7的第一段。第一真空规11a带有继电器。第一真空规11a用于检测第一分子泵进气管道13、第二分子泵进气管道4、第五分子泵进气管道15的压力,并控制第一分子泵进气管道13、第二分子泵进气管道4、第五分子泵进气管道15上的所有阀门,即阀门3a、3b、3d。
第二真空规11b连接至该前级抽气管路7的第二段。第二真空规11b带有继电器。第二真空规11b用于检测第一分子泵排气管道6的压力,并控制第一分子泵排气管道6上的阀门,即阀门3c。
在一个示例中,阀门3a、3b、3c、3d为角式截止阀。
图4示出根据本发明第二实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图。该带有分子泵的双腔半导体设备的排气管路的运行方式如下:
通常,干式真空泵的开启压力要高于分子泵的开启压力。
首先,开启第一阀门12,真空泵8对双腔室进行抽真空;同时,关闭分子泵排气管路上的角阀,以便将第一分子泵5进行隔离,此时应注意第一分子泵5保持低速运行状态,以避免分子泵启停造成的时间的损耗。气体的流向如灰色线所示。
接着,当真空泵8将双腔室2内的压力降低至第一分子泵5的开启压力时,即当真空规检测到腔体压力满足第一分子泵5的开启条件时,则真空规通过其附带的继电器控制角阀3a、3b、3d、3c的开启,同时关闭第一阀门12,气体的流向如黑色线所示。此时,真空泵8并未停止工作。
第二实施例与第一实施例的区别在于,第二实施例中仅采用了一个分子泵(即,第一分子泵),排气管路的结构更为简单。在设备空间受限无法采用第一实施例时,可采用第二实施例的结构来实现。设置第二分子泵进气管道4、第五分子泵进气管道15的目的是为了分子泵在抽气时可绕过抽气环1,避免因抽气环1过大的流阻降低抽气效率。
此外,第一分子泵进气管道13的设计是为了防止返流问题的发生,其与前级抽气管路7的第一段的交汇点应尽可能的靠近第一阀门12,以保证气体流向的唯一性,从而更彻底地防止返流。
图5示出根据本发明第三实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的结构示意图。
该双腔室2用于对基板进行薄膜沉积。该双腔室2包括第一腔室、第二腔室以及位于各腔室内的抽气环1。
该排气管路具有第一分子泵排气管路、真空泵排气管路、第一真空规11a以及第二真空规11b。在本实施例中,只有一个分子泵5(即第一分子泵)。
该真空泵排气管路具有前级抽气管路7、真空泵8以及后级抽气管路9。该前级抽气管路7连接该双腔室和真空泵8的进口。该后级抽气管路9连接该真空泵8的出口和废气处理装置10。
在一个示例中,真空泵8可以是干式真空泵。
该前级抽气管路7上设置有第一阀门12。该第一阀门12将前级抽气管路7分为第一段和第二段。第一段位于该第一阀门12与该双腔室之间。第二段位于该第一阀门12与真空泵8之间。
第一分子泵排气管路具有第一分子泵进气管道16、第一分子泵5以及第一分子泵排气管道6。
第一分子泵进气管道16连接该前级抽气管路7的第一段与第一分子泵5的进口。阀门3b(第二阀门)位于该第一分子泵进气管道16上。该第一分子泵进气管道16与前级抽气管路7的第一段的交汇点应尽可能的靠近第一阀门12,以保证气体流向的唯一性,从而更彻底地将该第一段内的空气抽出,解决返流问题。
第一分子泵排气管道6连接第一分子泵5的出口与该前级抽气管路7的第二段。阀门3c(第三阀门)位于该分子泵排气管道6上。
第一真空规11a连接至该前级抽气管路7的第一段。第一真空规11a带有继电器。第一真空规11a用于检测第一分子泵进气管道16的压力,并控制第一分子泵进气管道16上的阀门,即阀门3b。
第二真空规11b连接至该前级抽气管路7的第二段。第二真空规11b带有继电器。第二真空规11b用于检测第一分子泵排气管道6的压力,并控制第一分子泵排气管道6上的阀门,即阀门3c。
在一个示例中,阀门3b、3c为角式截止阀。
图6示出根据本发明第三实施例的带有分子泵的双腔半导体设备的气体流向示意图。该带有分子泵的双腔半导体设备的排气管路的运行方式如下:
通常,干式真空泵的开启压力要高于分子泵的开启压力。
首先,开启第一阀门12,真空泵8对双腔室进行抽真空;同时,关闭第一分子泵排气管路上的所有角阀,以便将第一分子泵5进行隔离,此时应注意第一分子泵5保持低速运行状态,以避免分子泵启停造成的时间的损耗。气体的流向如灰色线所示。
接着,当真空泵8将双腔室2内的压力降低至第一分子泵5的开启压力时,即当真空规检测到腔体压力满足第一分子泵5的开启条件时,则真空规通过其附带的继电器控制角阀3b、3c的开启,同时关闭第一阀门12,气体的流向如黑色线所示。此时,真空泵8并未停止工作。
在下列两种情况中,可考虑采用第三实施例:
例如,抽气环1的流阻较小,对分子泵的抽气性能造成的影响可以忽略;或者
又例如,第一实施例中的第二、第三分子泵进气管道的流阻与抽气环1的流阻大小相近,甚至大于抽气环的流阻。因为此时增加第二、第三分子泵进气管道不会提升分子泵的抽气性能。
这里采用的术语和表述方式只是用于描述,本发明并不应局限于这些术语和表述。使用这些术语和表述并不意味着排除任何示意和描述(或其中部分)的等效特征,应认识到可能存在的各种修改也应包含在权利要求范围内。其他修改、变化和替换也可能存在。相应的,权利要求应视为覆盖所有这些等效物。
同样,需要指出的是,虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述,但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本发明,在没有脱离本发明精神的情况下还可做出各种等效的变化或替换,因此,只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。
Claims (12)
1.一种用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该排气管路包括:
真空泵排气管路,具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路;其中,该前级抽气管路连接该双腔半导体设备的双腔室和真空泵的进口,该后级抽气管路连接该真空泵的出口和废气处理装置;该前级抽气管路上设置有第一阀门,该第一阀门将该前级抽气管路分为第一段和第二段,第一段位于该第一阀门与该双腔室之间,第二段位于该第一阀门与该真空泵之间;以及
第一分子泵排气管路,包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道;其中,该第一分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口,该第一分子泵进气管道上具有第二阀门,该第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;该第一分子泵排气管道连接该第一分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第一分子泵排气管道上具有第三阀门。
2.如权利要求1所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该第一分子泵排气管路还包括:
第二分子泵进气管道,连接该双腔室中的第一腔室和该第一分子泵的进口,该第二分子泵进气管道上具有第四阀门。
3.如权利要求2所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该第一分子泵排气管路还包括:
第五分子泵进气管道,连接该双腔室中的第二腔室和该第一分子泵的进口,该第五分子泵进气管道上具有第五阀门。
4.如权利要求2所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该排气管路还包括:
第二分子泵排气管路,包括第三分子泵进气管道、第四分子泵进气管道、第二分子泵以及第二分子泵排气管道;
其中:
该第三分子泵进气管道连接该双腔室中的第二腔室和该第二分子泵的进口,该第三分子泵进气管道上具有第六阀门;
该第四分子泵进气管道连接该前级抽气管路的第一段与该第二分子泵的进口,该第四分子泵进气管道上具有第七阀门;该第四分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近该第一阀门;
该第二分子泵排气管道连接该第二分子泵的出口与该前级抽气管路的第二段,该第二分子泵排气管道上具有第八阀门。
5.如权利要求4所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,所述排气管路还包括:
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;
其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道的压力,并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第三分子泵进气管道以及第四分子泵进气管道上的所有阀门;以及
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;
其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道和该第二分子泵排气管道上的所有阀门。
6.如权利要求4所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该真空泵的开启压力高于第一分子泵和第二分子泵的开启压力;
其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路以及第二分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵和第二分子泵进行隔离,但该第一分子泵和第二分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵和第二分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门、第四阀门、第六阀门、第七阀门和第八阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
7.如权利要求3所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,所述排气管路还包括:
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;
其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第五分子泵进气管道,并控制第一分子泵进气管道、第二分子泵进气管道、第五分子泵进气管道上的所有阀门;以及
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;
其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道上的所有阀门。
8.如权利要求3所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该真空泵的开启压力高于第一分子泵的开启压力;
其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵进行隔离,但该第一分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门、第四阀门、第五阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
9.如权利要求1所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,所述排气管路还包括:
第一真空规,连接至该前级抽气管路的第一段;该第一真空规带有继电器;
其中,该第一真空规用于检测第一分子泵进气管道,并控制第一分子泵进气管道上的所有阀门;以及
第二真空规,连接至该前级抽气管路的第二段,该第二真空规带有继电器;
其中,该第二真空规用于检测该第一分子泵排气管道的压力,并控制该第一分子泵排气管道上的所有阀门。
10.如权利要求1所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,该真空泵的开启压力高于第一分子泵的开启压力;
其中,第一阀门被开启后,该真空泵对该双腔室进行抽真空,同时,第一分子泵排气管路上的所有阀门被关闭,以便将第一分子泵进行隔离,但该第一分子泵仍保持低速运行状态,以避免启停造成的时间损耗;当该真空泵将该双腔室内的压力降低至第一分子泵的开启压力时,则第二阀门、第三阀门被开启,第一阀门被关闭,该真空泵不停止工作。
11.如权利要求1所述的用于双腔半导体设备的排气管路,其特征在于,所述真空泵为干式真空泵。
12.一种双腔半导体设备,具有双腔室和如权利要求1至11中任一项所述的用于双腔半导体设备的排气管路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211310438.0A CN115637420A (zh) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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CN115637420A true CN115637420A (zh) | 2023-01-24 |
Family
ID=84947368
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202211310438.0A Pending CN115637420A (zh) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115637420A (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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