CN218621038U - 半导体抽气系统及半导体设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种半导体抽气系统及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。半导体抽气系统包括镀膜腔壳体和抽气泵；镀膜腔壳体内具有至少一个镀膜腔体，镀膜腔壳体内设置有抽气通道，每个镀膜腔体内均具有喷淋头和用于托举晶圆的承托件，抽气通道与抽气泵连接；每个镀膜腔壳体的侧壁开设有第一抽气孔和第二抽气孔，第一抽气孔和第二抽气孔均与抽气通道连通，第一抽气孔位于喷淋头与承托件之间，第二抽气孔位于承托件的下方。半导体设备包括半导体抽气系统。达到了提高抽气效率的技术效果。

Description

半导体抽气系统及半导体设备

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及半导体抽气系统及半导体设备。

背景技术

在一般半导体或薄膜制程中，必须在一较高真空度的环境下进行，通常先让沉积腔体内的真空度达到一定程度，才能继续进行后续薄膜沉积制程。

但是在现有技术中，仅在镀膜腔上设置有一个抽气孔，并且半导体设备上的多个镀膜腔均有各自的抽真空设备进行抽真空，导致抽真空效率低。

因此，提供一种抽真空效率高的半导体抽气系统及半导体设备成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体抽气系统及半导体设备，以缓解现有技术中抽气效率低的技术问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种半导体抽气系统，包括镀膜腔壳体和抽气泵；

所述镀膜腔壳体内具有至少一个镀膜腔体，所述镀膜腔壳体内设置有抽气通道，每个所述镀膜腔体内均具有喷淋头和用于托举晶圆的承托件，所述抽气通道与所述抽气泵连接；

每个所述镀膜腔壳体的侧壁开设有第一抽气孔和第二抽气孔，所述第一抽气孔和所述第二抽气孔均与所述抽气通道连通，所述第一抽气孔位于所述喷淋头与所述承托件之间，所述第二抽气孔位于所述承托件的下方。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述镀膜腔体的数量为多个，且多个所述镀膜腔体均与所述抽气通道连通。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述镀膜腔体的数量为四个。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述半导体抽气系统还包括第一抽气环，所述第一抽气环设置在所述喷淋头与所述承托件之间；

所述第一抽气环上开设有多个抽气口，且所述第一抽气环的排气口与所述第一抽气孔连接。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述半导体抽气系统还包括第二抽气环，所述第二抽气环设置在所述承托件的下方；

所述第二抽气环上开设有多个抽气口，且所述第二抽气环的排气口与所述第二抽气孔连接。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述抽气口的横截面呈圆形或椭圆形。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述抽气口的横截面呈长方形。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述半导体抽气系统还包括用于平衡气压的第二辅助抽气孔，所述第二辅助抽气孔开设在所述镀膜腔壳体的侧壁上，且所述第二辅助抽气孔位于承托件的下方；

所述第二辅助抽气孔和所述第二抽气孔相对布置。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述镀膜腔壳体的侧壁内开设有连通气道，所述第二辅助抽气孔通过所述连通气道与所述第二抽气孔连通。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种半导体设备，包括所述半导体抽气系统。

有益效果：

本实用新型实施例提供了一种半导体抽气系统，包括镀膜腔壳体和抽气泵；镀膜腔壳体内具有至少一个镀膜腔体，镀膜腔壳体内设置有抽气通道，每个镀膜腔体内均具有喷淋头和用于托举晶圆的承托件，抽气通道与抽气泵连接；每个镀膜腔壳体的侧壁开设有第一抽气孔和第二抽气孔，第一抽气孔和第二抽气孔均与抽气通道连通，第一抽气孔位于喷淋头与承托件之间，第二抽气孔位于承托件的下方。

具体的，在晶圆能够被传送至镀膜腔体内的承托件上，然后进行镀膜工作，在镀膜前后会进行抽气工作，在进行抽气工作时，抽气泵开启，通过第一抽气孔和第二抽气孔对镀膜腔体内进行抽真空工作，并且第一抽气孔和第二抽气孔分别设置在承托件的上下，既能保证镀膜腔体内的气压平衡，避免镀膜腔体内气流扰动，又能够提高抽气效率。

本实用新型提供了一种半导体设备，包括半导体抽气系统。半导体设备与现有技术相比具有上述的优势，此处不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的半导体抽气系统的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的半导体抽气系统的剖视图；

图3为本实用新型实施例提供的半导体抽气系统中镀膜腔体的一种实施方式示意图。

图标：

100-镀膜腔壳体；110-镀膜腔体；120-抽气通道；130-喷淋头；140-承托件；

210-第一抽气孔；220-第一抽气环；

310-第二抽气孔；320-第二抽气环；330-第二辅助抽气孔。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下面通过具体的实施例并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述。

参见图1、图2和图3所示，本实用新型实施例提供了一种半导体抽气系统，包括镀膜腔壳体100和抽气泵；镀膜腔壳体100内具有至少一个镀膜腔体110，镀膜腔壳体100内设置有抽气通道120，每个镀膜腔体110内均具有喷淋头130和用于托举晶圆的承托件140，抽气通道120与抽气泵连接；每个镀膜腔壳体100的侧壁开设有第一抽气孔210和第二抽气孔310，第一抽气孔210和第二抽气孔310均与抽气通道120连通，第一抽气孔210位于喷淋头130与承托件140之间，第二抽气孔310位于承托件140的下方。

具体的，在晶圆能够被传送至镀膜腔体110内的承托件140上，然后进行镀膜工作，在镀膜前后会进行抽气工作，在进行抽气工作时，抽气泵开启，通过第一抽气孔210和第二抽气孔310对镀膜腔体110内进行抽真空工作，并且第一抽气孔210和第二抽气孔310分别设置在承托件140的上下，既能保证镀膜腔体110内的气压平衡，避免镀膜腔体110内气流扰动，又能够提高抽气效率。

其中，镀膜腔体110的数量可以为多个，并且多个镀膜腔体110均与抽气通道120连通。通过这的设置，使得一个抽气泵能够对多个镀膜腔体110进行抽真空工作，减小抽气设备的占地空间，而且通过一个抽气通道120对多个镀膜腔体110进行抽真空，能够保证多个镀膜腔体110的真空均匀性。

其中，镀膜腔体110的数量可以为四个。

参见图2所示，本实施例的可选方案中，半导体抽气系统还包括第一抽气环220，第一抽气环220设置在喷淋头130与承托件140之间；第一抽气环220上开设有多个抽气口，且第一抽气环220的排气口与第一抽气孔210连接。

具体的，可以在喷淋头130与承托件140之间设置第一抽气环220，并且第一抽气换上开设有多个抽气口，能够使得镀膜腔体110的四周均能够同时进行抽真空工作，提高位于承托件140上方的空间的抽气效率。

其中，第一抽气环220内具有气路，多个抽气孔通过气路与第一抽气孔210连接。

参见图2所示，本实施例的可选方案中，半导体抽气系统还包括第二抽气环320，第二抽气环320设置在承托件140的下方；第二抽气环320上开设有多个抽气口，且第二抽气环320的排气口与第二抽气孔310连接。

具体的，还可以在镀膜腔体110内设置第二抽气环320，并且第二抽气换上开设有多个抽气口，第二抽气环320设置在承托件140的下方，通过第二抽气换能够使得镀膜腔体110的四周均能够同时进行抽真空工作，提高位于承托件140下方的空间的抽气效率。

其中，抽气口的横截面可以设置成圆形，或者，抽气口的横截面可以设置成椭圆形，或者，抽气口的横截面可以设置成长方形，或者，抽气口的横截面可以设置成正方形。具体的，在抽气口的横截面为圆形时，抽气口的直径可以设置为0.2mm。在抽气口的横截面为椭圆形时，抽气口的长直径可以设置为0.8mm，段直径可以设置为0.2mm。在抽气口的横截面为正方形时，抽气孔的尺寸设置为0.8mm。在抽气口的横截面为长方形时，抽气孔的尺寸为0.2x0.8mm。

其中，第一抽气环220和第二抽气环320可以搭配使用，提高抽效率。

参见图3所示，本实施例的可选方案中，半导体抽气系统还包括用于平衡气压的第二辅助抽气孔330，第二辅助抽气孔330开设在镀膜腔壳体100的侧壁上，且第二辅助抽气孔330位于承托件140的下方；第二辅助抽气孔330和第二抽气孔310相对布置。

具体的，还可以在镀膜腔壳体100的侧壁上开设第二辅助抽气孔330，第二辅助抽气孔330位于承托件140的下方，并且第二辅助抽气孔330和第二抽气孔310相对布置，以平衡承托件140的下方的空间抽真空时的气压。并且在镀膜腔壳体100的侧壁内开设有连通气道，第二辅助抽气孔330通过连通气道与第二抽气孔310连通。

其中，第二抽气孔310和第二辅助抽气孔330两者可以搭配第一抽气孔210和第一抽气环220使用。

本实施例提供了一种半导体设备，包括半导体抽气系统。

具体的，本实施例提供的半导体设备与现有技术相比具有上述半导体抽气系统的优势，在此不再进行赘述。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种半导体抽气系统，其特征在于，包括：镀膜腔壳体(100)和抽气泵；

所述镀膜腔壳体(100)内具有至少一个镀膜腔体(110)，所述镀膜腔壳体(100)内设置有抽气通道(120)，每个所述镀膜腔体(110)内均具有喷淋头(130)和用于托举晶圆的承托件(140)，所述抽气通道(120)与所述抽气泵连接；

每个所述镀膜腔壳体(100)的侧壁开设有第一抽气孔(210)和第二抽气孔(310)，所述第一抽气孔(210)和所述第二抽气孔(310)均与所述抽气通道(120)连通，所述第一抽气孔(210)位于所述喷淋头(130)与所述承托件(140)之间，所述第二抽气孔(310)位于所述承托件(140)的下方。

2.根据权利要求1所述的半导体抽气系统，其特征在于，所述镀膜腔体(110)的数量为多个，且多个所述镀膜腔体(110)均与所述抽气通道(120)连通。

3.根据权利要求2所述的半导体抽气系统，其特征在于，所述镀膜腔体(110)的数量为四个。

4.根据权利要求1所述的半导体抽气系统，其特征在于，还包括第一抽气环(220)，所述第一抽气环(220)设置在所述喷淋头(130)与所述承托件(140)之间；

所述第一抽气环(220)上开设有多个抽气口，且所述第一抽气环(220)的排气口与所述第一抽气孔(210)连接。

5.根据权利要求4所述的半导体抽气系统，其特征在于，还包括第二抽气环(320)，所述第二抽气环(320)设置在所述承托件(140)的下方；

所述第二抽气环(320)上开设有多个抽气口，且所述第二抽气环(320)的排气口与所述第二抽气孔(310)连接。

6.根据权利要求5所述的半导体抽气系统，其特征在于，所述抽气口的横截面呈圆形或椭圆形。

7.根据权利要求5所述的半导体抽气系统，其特征在于，所述抽气口的横截面呈长方形。

8.根据权利要求4所述的半导体抽气系统，其特征在于，还包括用于平衡气压的第二辅助抽气孔(330)，所述第二辅助抽气孔(330)开设在所述镀膜腔壳体(100)的侧壁上，且所述第二辅助抽气孔(330)位于承托件(140)的下方；

所述第二辅助抽气孔(330)和所述第二抽气孔(310)相对布置。

9.根据权利要求8所述的半导体抽气系统，其特征在于，所述镀膜腔壳体(100)的侧壁内开设有连通气道，所述第二辅助抽气孔(330)通过所述连通气道与所述第二抽气孔(310)连通。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体抽气系统。

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