CN115132558A - 等离子体处理系统和环状部件的安装方法 - Google Patents

等离子体处理系统和环状部件的安装方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理系统和环状部件的安装方法。等离子体处理系统包括等离子体处理装置、减压输送装置和控制装置，基片支承台在支承部设置有多个插通孔，且具有升降器、升降机构和温度调节机构，在环状部件的底面形成有凹部，控制装置进行控制以执行：将支承部的温度调节为能够使环状部件的凹部各自的位置与对应的升降器和插通孔的位置一致的预定温度的步骤；将环状部件输送到支承部的上方，用从温度已被调节为预定温度的支承部的环状部件载置面突出的升降器，来接收环状部件，并将该环状部件载置在环状部件载置面上的步骤。根据本发明，在使用输送装置将环状部件安装到基片支承台上时，能够相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。

Description

等离子体处理系统和环状部件的安装方法
技术领域
本公开涉及等离子体处理系统和环状部件的安装方法。
背景技术
专利文献1公开了一种将基片配置在处理室内，并以包围该基片的周围的方式配置聚焦环，来对基片实施等离子体处理的基片处理装置。该基片处理装置包括具备承载器的载置台和多个定位销，承载器具有用于载置基片的基片载置面和用于载置聚焦环的聚焦环载置面。定位销由能够因加热而在径向上膨胀的材料构成为销状，在聚焦环上安装成从其下表面突出，并且被插入到形成于承载器的聚焦环载置面上的定位孔中，通过加热使其在径向上膨胀而嵌合，由此对聚焦环进行定位。另外，专利文献1公开的基片处理装置包括升降销和输送臂。升降销以相对于聚焦环载置面突出或没入的方式设置于载置台，将聚焦环连同定位销一起抬升而使之脱离聚焦环载置面。输送臂被设置在处理室的外侧，经由设于处理室的送入送出口，在输送臂与升降销之间，对聚焦环在安装有定位销的状态下进行交接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-54933号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本公开涉及的技术之目的是，在使用输送装置将环状部件安装到基片支承台上时，相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。
解决问题的技术手段
本发明的一个方面提供一种等离子体处理系统，其包括对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置、与所述等离子体处理装置连接的减压输送装置和控制装置，所述等离子体处理装置包括具有支承部的基片支承台，所述支承部具有用于载置基片的基片载置面和用于载置以包围基片的方式配置的环状部件的环状部件载置面，所述基片支承台在所述支承部设置有在所述环状部件载置面上开口的多个插通孔，并且具有：升降器，其对每个所述插通孔设置，能够以从所述环状部件载置面突出的方式升降；使所述升降器升降的升降机构；和调节所述支承部的温度的温度调节机构，所述减压输送装置包括相对于所述基片支承台输送所述环状部件的输送机构，在所述环状部件的底面形成有向上方凹陷的能够容纳所述升降器的上端部的凹部，所述控制装置控制所述升降机构、所述温度调节机构和所述输送机构，以执行以下步骤：将所述支承部的温度调节为能够使所述环状部件的所述凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致的预定的温度的步骤；和将所述环状部件输送到所述支承部的上方，用从温度已被调节为所述预定的温度的所述支承部的所述环状部件载置面突出的所述升降器，来接收所述环状部件，并将该环状部件载置在所述环状部件载置面上的步骤。
发明效果
采用本公开，在使用输送装置将环状部件安装到基片支承台上时，能够相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。
附图说明
图1是表示第一实施方式的等离子体处理系统的结构之概要的平面图。
图2是表示处理模块的结构之概要的纵截面图。
图3是图2的局部放大图。
图4是用于说明图1的等离子体处理系统1中将边缘环安装到晶片支承台上的安装处理之一例的流程图。
图5是表示上述安装处理中的等离子体处理腔室内的状态的图。
图6是用于说明图1的等离子体处理系统中将边缘环从晶片支承台拆除的拆除处理之一例的流程图。
图7是表示上述拆除处理中的等离子体处理腔室内的状态的图。
图8是表示边缘环的变形例的图。
图9是表示边缘环的变形例的图。
图10是表示输送模块所具有的输送机构的变形例的图。
图11是表示边缘环用升降器和供该升降器插通的插通孔的变形例的图。
图12是表示覆盖环之一例的图。
图13是表示作为第二实施方式的基片支承台的晶片支承台的结构之概要的局部放大截面图。
图14是表示将边缘环和覆盖环同时安装到图13的晶片支承台上的处理中的等离子体处理腔室内的状态的图。
图15是表示将边缘环和覆盖环同时安装到图13的晶片支承台上的处理中的等离子体处理腔室内的状态的图。
附图标记说明
1 等离子体处理系统
40 输送机构
50 输送模块
60 处理模块
80 控制装置
101 晶片支承台
101a 晶片支承台
103 下部电极
104 静电吸盘
104b 上表面
107 升降器
107a 升降器
108 流路
111 加热器
116 升降机构
116a 升降机构
119 插通孔
119a 插通孔
201 静电吸盘
202 下部电极
221 第一贯通孔
222 第二贯通孔
231 第一升降部件
232 第二升降部件
301 下部电极
302 静电吸盘
302a 上表面
303 支承体
303a 上表面
305 升降器
306 插通孔
C 覆盖环
C1 凹部
Ca 覆盖环
Ca3 凹部
E 边缘环
E1 凹部
Ea 边缘环
Ea1 凹部
Eb 边缘环
Eb1 凹部
Ec 边缘环
Ec2 凹部
Tt 目标载置时温度
W 晶片
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中，需要对半导体晶片(下称“晶片”)等基片使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理。等离子体处理在将基片载置于减压的处理容器内的基片支承台上的状态下进行。
并且，在进行等离子体处理时，有时会使用以包围基片支承台上的基片的方式配置的环状部件。例如，为了在基片的中央部和周缘部得到良好且均匀的等离子体处理结果，作为上述环状部件，有时会使用以与基片相邻的方式配置的边缘环。
为了通过使用边缘环来在基片周缘部得到周向上均匀的处理结果，需要相对于基片支承台高精度地对边缘环定位和安装。例如，专利文献1使用定位销进行边缘环的定位，其中，将定位销在边缘环上安装成从其下表面突出，并且插入到形成于边缘环载置面的定位孔中。
另外，边缘环会因暴露在等离子体中而被蚀刻，因此需要更换。边缘环发生消耗的情况下的更换通常是由作业人员进行的，但也可以考虑使用能够输送边缘环的输送装置来进行更换。
为此，本公开涉及的技术之目的是，在使用输送装置将边缘环等环状部件安装到基片支承台上时，相对于基片支承台恰当地对环状部件进行定位。
下面参照附图对本实施方式的等离子体处理系统和环状部件(下称“环部件”)的安装方法进行说明。在本说明书和附图中，对于实质上具有相同功能结构的要素，标注相同标记以省略重复的说明。
(第一实施方式)
＜等离子体处理系统＞
图1是表示第一实施方式的等离子体处理系统的结构之概要的平面图。
在图1的等离子体处理系统1中，使用等离子体对作为基片的晶片W进行例如蚀刻等的等离子体处理。
如图1所示，等离子体处理系统1包括大气部10和减压部11，该大气部10和减压部11经由装载互锁模块20、21连接为一体。大气部10包括在大气压气氛下对晶片W进行所要求的处理的大气模块。减压部11包括在减压气氛(真空气氛)下对晶片W进行所要求的处理的处理模块60。
装载互锁模块20、21被设置成，经由闸阀(未图示)将包含于大气部10的装载模块30与包含于减压部11的输送模块50连接。装载互锁模块20、21能够临时保持晶片W。另外，装载互锁模块20、21能够将内部切换为大气压气氛和减压气氛。
大气部10包括具备后述输送机构40的装载模块30和用于载置前开式晶片盒(FOUP)31的装载口32。前开式晶片盒31能够保管多个晶片W。另外，装载模块30也可以与用于调节晶片W在水平方向上的朝向的朝向调节模块(未图示)，和能够临时地存放多个晶片W的缓冲模块(未图示)等连接。
装载模块30具有俯视下呈矩形的壳体，壳体内部被维持为大气压气氛。在装载模块30的构成壳体的长边的一个侧面，并排设置有多个例如5个装载口32。在装载模块30的构成壳体的长边的另一个侧面，并排设置有装载互锁模块20、21。
在装载模块30的壳体的内部，设置有能够输送晶片W的输送机构40。输送机构40包括在输送晶片W时支承该晶片W的输送臂41，以可旋转的方式支承输送臂41的旋转台42，和搭载旋转台42的基座43。另外，在装载模块30的内部，设置有在装载模块30的长边方向上延伸的导轨44。基座43被设置在导轨44上，输送机构40能够沿导轨44移动。
减压部11包括输送模块50、处理模块60和收纳模块61，其中，输送模块50是用于输送晶片W和边缘环E的减压输送装置，处理模块60是对从输送模块50输送来的晶片W进行所要求的等离子体处理的等离子体处理装置，收纳模块61用于收纳边缘环E。输送模块50和处理模块60的内部(具体是后述减压输送室51和等离子体处理腔室100的内部)分别维持为减压气氛，收纳模块61的内部也维持为减压气氛。对于一个输送模块50，设置有多个例如6个处理模块60，收纳模块61也设置有多个，例如2个。另外，处理模块60的数量和配置并不限定于本实施方式，能够任意设定，只要设置有安装边缘环E所需的至少一个处理模块即可。此外，收纳模块61的数量和配置也不限定于本实施方式，能够任意设定，例如可以设置至少一个。
输送模块50包括减压输送室51，该减压输送室51具有俯视下呈多边形(图示例子中俯视下呈四边形)的壳体，并与装载互锁模块20、21连接。输送模块50将送入到装载互锁模块20的晶片W输送到一个处理模块60中，并将已在处理模块60中进行了所要求的等离子体处理的晶片W经由装载互锁模块21送出到大气部10。另外，输送模块50将收纳模块61内的边缘环E输送到一个处理模块60中。此外，输送模块50有时还将处理模块60内的边缘环E送出到收纳模块61。
处理模块60对晶片W进行例如蚀刻等的等离子体处理。处理模块60经由闸阀62与输送模块50连接。该处理模块60的具体结构后述。
收纳模块61用于收纳边缘环E。收纳模块61经由闸阀63与输送模块50连接。
在输送模块50的减压输送室51的内部，设置有能够输送晶片W和边缘环E的输送机构70。输送机构70与前述输送机构40同样地，包括在输送晶片W和边缘环E时对它们进行支承的输送支承部即输送臂71，以可旋转的方式支承输送臂71的旋转台72，和搭载旋转台72的基座73。另外，在输送模块50的减压输送室51的内部，设置有在输送模块50的长边方向上延伸的导轨74。基座73被设置在导轨74上，输送机构70能够沿导轨74移动。
在输送模块50中，由输送臂71接收保持在装载互锁模块20内的晶片W，将其送入处理模块60。并且，由输送臂71接收保持在处理模块60内的晶片W，将其送出到装载互锁模块21。
此外，在输送模块50中，由输送臂71接收收纳模块61内的边缘环E，将其送入处理模块60。并且，有时还由输送臂71接收保持在处理模块60内的边缘环E，将其送出到收纳模块61。
等离子体处理系统1还包括控制装置80。在一个实施方式中，控制装置80处理用于使等离子体处理系统1执行本公开中说明的各种工序的计算机可执行的命令。控制装置80可构成为，对等离子体处理系统1的其他要素分别进行控制，来执行此处说明的各种工序。在一个实施方式中，控制装置80的一部分或全部可以包含在等离子体处理系统1的其他要素中。控制装置80例如包括计算机90。计算机90例如可以包括处理部(CPU：CentralProcessing Unit)91、存储部92和通信接口93。处理部91基于保存在存储部92中的程序进行各种的控制动作。存储部92可以包括RAM(Random Access Memory)、ROM(Read OnlyMemory)、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)或它们的组合。通信接口93可以经由LAN(Local Area Network)等通信线路与等离子体处理系统1的其他要素进行通信。
＜等离子体处理系统1的晶片处理＞
接着说明使用以上结构的等离子体处理系统1进行的晶片处理。
首先，利用输送机构40从所要求的前开式晶片盒31取出晶片W送入到装载互锁模块20。之后将装载互锁模块20内密闭并减压。然后，使装载互锁模块20的内部与输送模块50的内部连通。
接着，利用输送机构70保持晶片W，将其从装载互锁模块20输送到输送模块50。
接着，打开闸阀62，利用输送机构70将晶片W送入所要求的处理模块60。然后，关闭闸阀62，在处理模块60中对晶片W进行所要求的处理。其中，该处理模块60中对晶片W进行的处理后述。
接着，打开闸阀62，利用输送机构70将晶片W从处理模块60送出。之后关闭闸阀62。
接着，利用输送机构70将晶片W送入装载互锁模块21。当晶片W被送入到装载互锁模块21后，将装载互锁模块21内密闭，并向大气开放。然后，使装载互锁模块21的内部与装载模块30的内部连通。
接着，利用输送机构40保持晶片W，使其从装载互锁模块21经由装载模块30返回并收纳在所要求的前开式晶片盒31中。由此，等离子体处理系统1中的一系列的晶片处理就结束了。
＜处理模块60＞
接着，使用图2和图3对处理模块60进行说明。图2是表示处理模块60的结构之概要的纵截面图。图3是图2的局部放大图。
如图2所示，处理模块60包括作为处理容器的等离子体处理腔室100、气体供给部130、RF(Radio Frequency：高频)电力供给部140和排气系统150。处理模块60还包括作为基片支承台的晶片支承台101和上部电极102。
晶片支承台101配置在可减压的等离子体处理腔室100内的等离子体处理空间100s的下部区域。上部电极102配置在晶片支承台101的上方，能够作为等离子体处理腔室100的顶板(ceiling)部的一部分发挥作用。
晶片支承台101构成为在等离子体处理空间100s中支承晶片W。在一个实施方式中，晶片支承台101包括下部电极103、静电吸盘104、绝缘体105、升降器106和升降器107。晶片支承台101包括用于将静电吸盘104等调节成目标温度的温度调节机构。温度调节机构例如包括加热器、流路或它们的组合。在流路中，有冷却介质、传热气体等调温流体在其中流动。
下部电极103例如由铝等导电性材料形成。一个实施方式中，在下部电极103的内部，形成有构成温度调节机构的一部分的、上述调温流体的流路108。对流路108例如从设置于等离子体处理腔室100外部的制冷单元(未图示)供给调温流体。供给到流路108的调温流体能够返回制冷单元。例如，通过使低温的盐水(brine)作为调温流体在流路108中循环，能够将静电吸盘104、载置在静电吸盘104上的晶片W或边缘环E冷却至目标温度。并且，例如通过使高温的盐水(brine)作为调温流体在流路108中循环，能够将静电吸盘104、载置在静电吸盘104上的晶片W或边缘环E加热至规定的温度。
静电吸盘104是能够利用静电力来吸附保持晶片W和边缘环E这两者的部件，其被设置在下部电极103上。在一个实施方式中，静电吸盘104的中央部的上表面形成得比周缘部的上表面高。静电吸盘104的中央部的上表面104a是用于载置晶片W的基片载置面，静电吸盘104的周缘部的上表面104b是用于载置作为环状部件(环部件)之一例的边缘环E的环状部件载置面(下称“环部件载置面”)。边缘环E是俯视下呈圆环状的部件，其被配置成将载置在静电吸盘104的中央部的上表面104a上的晶片W包围，并且与该晶片W相邻。
在静电吸盘104的中央部设置有用于通过静电吸附来保持晶片W的电极109，在静电吸盘104的周缘部设置有用于通过静电吸附来保持边缘环E的电极110。
对电极109施加来自直流电源(未图示)的直流电压。利用由此产生的静电力，将晶片W吸附保持在静电吸盘104的中央部的上表面104a。同样地，对电极110施加来自直流电源(未图示)的直流电压。利用由此产生的静电力，将边缘环E吸附保持在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。电极110如图3所示，是包含一对电极110a、110b的双极型电极。
本实施方式中，设置有用于吸附保持晶片W的电极109的静电吸盘104的中央部，与设置有用于吸附保持边缘环E的电极110的周缘部构成为一体，但该中央部和周缘部也可以分体构成。即，可以单独设置不与晶片W用静电吸盘构成为一体的边缘环E用静电吸盘。
另外，本实施方式中用于吸附保持边缘环E的电极110是双极型电极，但也可以采用单极型电极。
另外，静电吸盘104的中央部的直径例如形成为小于晶片W的直径，如图2所示，在晶片W被载置在静电吸盘104的中央部的上表面104a时，晶片W的周缘部从静电吸盘104的中央部突出。
另外，边缘环E在其上部形成有高低差，外周部的上表面形成得比内周部的上表面高。边缘环E的内周部形成为，钻入从静电吸盘104的中央部突出的晶片W的周缘部的下侧。即，边缘环E的内径形成得比晶片W的外径小。
在静电吸盘104的中央部的上表面104a，为了向载置于该上表面104a的晶片W的背面供给传热气体而形成有气体供给孔，不过此处省略了图示。对气体供给孔供给来自气体供给部(未图示)的传热气体。气体供给部包括一个或更多的气体源和一个或更多的压力控制器。在一个实施方式中，气体供给部例如将来自气体源的传热气体经由压力控制器供给到传热气体供给孔。
一个实施方式中，在静电吸盘104的内部，设置有构成温度调节机构的一部分的加热器(具体是电阻发热体)111。通过对加热器111通电，能够将静电吸盘104、载置在静电吸盘104上的晶片W或边缘环E加热至目标温度。
静电吸盘104的结构例如是，在由绝缘材料构成的绝缘部件之间夹着电极109、110，并且埋设了加热器111。
绝缘体105是由陶瓷等形成的圆筒状的部件，隔着下部电极103支承静电吸盘104。绝缘体105例如形成为，例如具有与下部电极103的外径同等的外径，对下部电极103的周缘部进行支承。
图2所示的升降器106是能够相对于静电吸盘104的中央部的上表面104a升降的部件，例如使用陶瓷作为材料形成为柱状。升降器106在上升时其上端从上述上表面104a突出，能够支承晶片W。利用该升降器106，能够在静电吸盘104与输送机构70的输送臂71之间交接晶片W。
另外，升降器106彼此隔开间隔设置有3个以上，并且被设置成在上下方向上延伸。
升降器106与用于使升降器106升降的升降机构(即致动器)112连接。升降机构112例如包括用于支承多个升降器106的支承部件113，和用于产生使支承部件113升降的驱动力并使多个升降器106升降的驱动部114。驱动部114例如具有电动机作为产生上述驱动力的驱动源(未图示)。
升降器106被插通于插通孔115中，该插通孔115的上端在静电吸盘104的中央部的上表面104a开口。插通孔115例如形成为，从静电吸盘104的中央部的上表面104a向下方延伸，直至下部电极103的底面。换言之，插通孔115形成为将静电吸盘104的中央部和下部电极103贯通。
升降器107是能够相对于静电吸盘104的周缘部的上表面104b升降的部件，例如由氧化铝、石英、SUS等材料形成为柱状。升降器107在上升时其上端从静电吸盘104的周缘部的上表面104b突出，能够支承边缘环E。利用该升降器107，能够在静电吸盘104与输送机构70的输送臂71之间交接边缘环E。
升降器107对后述的插通孔119分别设置。例如，升降器107在俯视下沿着静电吸盘104的周向方向，即沿着中央部的上表面104a和周缘部的上表面104b的周向方向，彼此隔开间隔设置有3个以上。另外，升降器107例如在俯视下沿着上述周向方向被等间隔地设置。进而，升降器107例如被设置成在上下方向上延伸。
升降器107与用于使升降器107升降的升降机构(即致动器)116连接。升降机构116例如按每个升降器107设置，具有以在水平方向上自由移动的方式支承升降器107的支承部件117。支承部件117为了将升降器107支承成在水平方向上自由移动，而具有例如推力轴承。另外，升降机构116包括用于产生使支承部件117升降的驱动力并使升降器107升降的驱动部118。驱动部118例如具有电动机作为产生上述驱动力的驱动源(未图示)。
升降器107被插通于插通孔119中，该插通孔119相对于静电吸盘104被定位，并且其上端在静电吸盘104的周缘部的上表面104b开口。因而，当静电吸盘104发生热膨胀或热收缩时，至少升降器107的上端部随该热膨胀或热收缩而相应移动。插通孔119例如形成为，从静电吸盘104的周缘部的上表面104b向下方延伸，直至下部电极103的底面。换言之，插通孔119形成为将静电吸盘104的周缘部和下部电极103贯通。
插通孔119在静电吸盘104上设置有多个。例如，插通孔119在俯视下沿着静电吸盘104的周向方向，即沿着中央部的上表面104a和周缘部的上表面104b的周向方向，彼此隔开间隔设置有3个以上。另外，插通孔119例如在俯视下沿着上述周向方向被等间隔地设置。如前述，对该插通孔119分别设置有升降器107。
升降器107的上端部在该升降器107上升时与边缘环E的底面抵接而支承边缘环E。在边缘环E的底面，按每个升降器107设置有容纳升降器107的上端部的定位用的凹部E1。
升降器107的上端部和边缘环E的凹部E1例如形成为下述形状。
即，该形状满足，在升降器107的上端部容纳于边缘环E的凹部E1内的状态下，即使在升降器107刚开始支承边缘环E后，升降器107和边缘环E不具有所要求的位置关系，升降器107也会因自重等在边缘环E的上端部上滑动，使得升降器107与边缘环E具有所要求的位置关系。具体而言，例如可以如图3所示，升降器107的上端部形成为上侧呈半球面的半球状，边缘环E的凹部E1形成为凹陷成上侧呈半球面的半球状。另外，升降器107的上端部和边缘环E的凹部E1的形状也可以不是半球状。
在本例中，包括前述基片载置面和环部件载置面的支承部由上述下部电极103和静电吸盘104构成。
返回图2的说明。上部电极102也能够作为对等离子体处理空间100s供给来自气体供给部130的一种或更多种处理气体的喷淋头发挥作用。在一个实施方式中，上部电极102包括气体入口102a、气体扩散室102b和多个气体出口102c。气体入口102a例如与气体供给部130和气体扩散室102b流体连通。多个气体出口102c与气体扩散室102b和等离子体处理空间100s流体连通。在一个实施方式中，上部电极102从气体入口102a经由气体扩散室102b和多个气体出口102c对等离子体处理空间100s供给一种或更多种处理气体。
气体供给部130包括一个或更多的气体源131和一个或更多的流量控制器132。在一个实施方式中，气体供给部130例如将一种或更多种处理气体(包括清洁用的气体)从分别对应的气体源131经由分别对应的流量控制器132供给到气体入口102a。各流量控制器132例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体供给部130还可以包括对一种或更多种处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的一个或更多的流量调制设备。
RF电力供给部140对一个或更多的电极，例如对下部电极103、上部电极102或下部电极103和上部电极102这两者，供给RF电力，例如供给一个或更多的RF信号。由此，能够从供给到等离子体处理空间100s的一种或更多种处理气体生成等离子体。于是，RF电力供给部140能够作为等离子体生成部的至少一部分发挥作用，其中，等离子体生成部用于在等离子体处理腔室内从一种或更多种处理气体生成等离子体。RF电力供给部140例如包括2个RF生成部141a、141b和2个匹配电路142a、142b。在一个实施方式中，RF电力供给部140从第一RF生成部141a经由第一匹配电路142a对下部电极103供给第一RF信号。例如，第一RF信号可以具有27MHz～100MHz范围内的频率。
另外，在一个实施方式中，RF电力供给部140从第二RF生成部141b经由第二匹配电路142b对下部电极103供给第二RF信号。例如，第二RF信号可以具有400kHz～13.56MHz范围内的频率。也可以代替第二RF信号供给RF以外的电压脉冲。电压脉冲也可以是负极性的直流电压。其他的例子下，电压脉冲也可以是三角波、冲激(impulse)。
另外，本公开还能够考虑其他实施方式，不过未给出图示。例如，在代替实施方式中可以是，RF电力供给部140从RF生成部对下部电极103供给第一RF信号，从其他RF生成部对下部电极103供给第二RF信号，并从另外的其他RF生成部对下部电极103供给第三RF信号。此外，在其他代替实施方式中，可以对上部电极102施加DC电压。
再者，在各实施方式中，可以使一个或更多的RF信号(即第一RF信号、第二RF信号等)的振幅脉冲化或对其进行调制。振幅调制包括使RF信号振幅在ON状态与OFF状态之间脉冲化，或在2个或更多的不同的ON状态之间脉冲化。
排气系统150例如能够与设置在等离子体处理腔室100的底部的排气口100e连接。排气系统150可以包括压力阀和真空泵。真空泵可以包括涡轮分子泵、粗抽泵或它们的组合。
＜处理模块60的晶片处理＞
接着说明使用处理模块60进行的晶片处理的一个例子。处理模块60对晶片W进行例如蚀刻处理等处理。
首先，利用输送机构70将晶片W送入等离子体处理腔室100的内部，通过升降器106的升降，将晶片W载置在静电吸盘104上。之后，对静电吸盘104的电极109施加直流电压，由此利用静电力将晶片W静电吸附在静电吸盘104上进行保持。并且，在晶片W送入后，利用排气系统150将等离子体处理腔室100的内部减压至规定的真空度。
接着，从气体供给部130经由上部电极102对等离子体处理空间100s供给处理气体。并且，从RF电力供给部140对下部电极103供给等离子体生成用的高频电力HF，由此激励处理气体，生成等离子体。此时，也可以从RF电力供给部140供给离子吸引用高频电力LF。于是，在生成的等离子体的作用下，对晶片W实施等离子体处理。
另外，在等离子体处理中，经由传热气体供给路径(未图示)向吸附保持在静电吸盘104上的晶片W和边缘环E的底面供给He气体、Ar气体等传热气体。
在结束等离子体处理时，停止从RF电力供给部140供给高频电力HF，并停止从气体供给部130供给处理气体。在等离子体处理中供给了高频电力LF的情况下，也停止该高频电力LF的供给。接着，停止静电吸盘104对晶片W的吸附保持。并且，也可以停止对晶片W的底面供给传热气体。
之后，利用升降器107使晶片W上升，使晶片W从静电吸盘104脱离。在该脱离时也可以进行晶片W的静电消除处理。然后，利用输送机构70将晶片W从等离子体处理腔室100送出，结束一系列的晶片处理。
＜安装处理＞
接着，使用图4和图5，对等离子体处理系统1中将边缘环E安装到晶片支承台101上的安装处理之一例进行说明。图4是用于说明上述安装处理之一例的流程图。图5是表示上述安装处理中的等离子体处理腔室100内的状态的图。以下处理是在控制装置80的控制下进行的。并且，以下处理是在边缘环E的安装对象处理模块60的晶片支承台101上不存在边缘环E的状态下开始的，即，在边缘环E已从上述处理模块60送出的状态下开始。
(步骤S1：边缘环E的送出和输送)
如图4所示，首先，将边缘环E从收纳模块61送出，并将该边缘环E输送到边缘环E的安装对象处理模块60所具有的静电吸盘104的周缘部的上方。
具体而言，例如将输送机构70的输送臂71插入收纳模块61内，在该输送臂71上保持一个边缘环E。接着，将保持了边缘环E的输送臂71从收纳模块61中抽出。然后，经由送入送出口(未图示)，将保持了边缘环E的输送臂71插入到上述安装对象处理模块60所具有的、已减压的等离子体处理腔室100内。并且，将保持于输送臂71的边缘环E输送到静电吸盘104的周缘部的上方。而且，边缘环E在其周向方向上的朝向经过调整后保持于输送臂71。
(步骤S2：静电吸盘104的温度调节)
在边缘环E的安装对象处理模块60中，将晶片支承台101上载置边缘环E的部分的温度调节成预定的温度(下称“目标载置时温度”)Tt，其中，该预定的温度能够使边缘环E的凹部E1各自的位置与对应的升降器107和插通孔119的位置一致。
具体而言，例如在边缘环E的安装对象处理模块60中，利用包含流路108的温度调节机构或包含加热器111的温度调节机构中的至少一者，将静电吸盘104的温度调节成目标载置时温度Tt。该静电吸盘104的温度调节，例如在输送机构70开始将边缘环E从收纳模块61送出的动作后开始，并且在保持了边缘环E的输送臂71被插入到等离子体处理腔室100内之前完成。
目标载置时温度Tt在例如40℃～80℃的范围内设定。
另外，目标载置时温度Tt例如可以以预定的等离子体处理开始时的静电吸盘104的温度(下称“等离子体处理开始时温度”)Ts为基准，在±10℃的范围内设定。换而言之，可以按照目标载置时温度Tt满足以下条件的方式，形成边缘环E的凹部E1。Ts－10≤Tt≤Ts+10
(步骤S3：边缘环E的接收和载置)
接着，利用从温度已调节成目标载置时温度Tt的静电吸盘104的周缘部的上表面104b突出的升降器107，接收边缘环E，将该边缘环E载置在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。
具体而言，进行所有升降器107的上升，使各升降器107从已调节成目标载置时温度Tt的静电吸盘104的周缘部的上表面104b突出，且各升降器107的上端部与保持于输送臂71的边缘环E的底面抵接。
在此，考虑不同于本实施方式，不进行步骤S2的静电吸盘104的温度调节的情况。该情况下，取决于安装处理开始时的静电吸盘104的温度，在使所有升降器107上升的时间点，由于静电吸盘104的热膨胀或热收缩，边缘环E的凹部E1各自的位置可能与对应的插通孔119的位置不一致。即，在使插通于插通孔119的升降器107上升时，升降器107的上端部可能不会容纳于边缘环E的凹部E1。
对此，在本实施方式中，在该步骤S3中使所有升降器107上升的时间点，如上所述静电吸盘104已被温度调节成目标载置时温度Tt，边缘环E的凹部E1各自的位置与对应的插通孔119的位置是一致的。因此，在使插通于插通孔119的升降器107上升时，升降器107的上端部将容纳于边缘环E的凹部E1。
在升降器107的上端部与边缘环E的底面抵接之后，升降器107也继续上升，如图5所示，边缘环E被交接给升降器107由其保持。即使在该交接刚结束后，边缘环E相对于升降器107从所要求的位置偏离，边缘环E也能够利用自重等在升降器107的上端部上滑动，从而相对于升降器107定位。例如，边缘环E被定位在这样的位置，该位置处，凹部E1的最深部与升降器107的上端部的顶部在俯视时一致。
另外，在边缘环E被升降器107接收后，为了促进用于进行上述定位的移动，可以使升降器107各自细微地上下运动，也可以使每个升降器107以不同的速度下降、或高速下降。
在边缘环E被升降器107接收后，将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出。并且，在边缘环E相对于升降器107定位后，进行所有升降器107的下降，由此将边缘环E载置在静电吸盘104的周缘部的上表面104b上。
由于升降器107相对于静电吸盘104已定位，因此边缘环E如上所述相对于升降器107定位，即意味着边缘环E相对于插通孔119已定位。进而，还意味着边缘环E相对于设置有插通孔119的静电吸盘104(的中心)已定位。因而，在该步骤S3中，边缘环E以相对于静电吸盘104(的中心)已定位的状态下，被载置在上述上表面104b上。
(步骤S4：边缘环E的吸附保持)
接着，将边缘环E吸附并保持于晶片支承台101。
具体而言，例如对设置于静电吸盘104的周缘部的电极110施加来自直流电源(未图示)的直流电压，利用由此产生的静电力，将边缘环E吸附保持在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。更具体而言，对电极110a和电极110b施加彼此不同的电压，利用由此产生的与电位差对应的静电力，将边缘环E吸附保持在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。另外，在单独设置不与晶片W用静电吸盘构成为一体的边缘环E用静电吸盘的情况下，对设置于该单独的边缘环E用静电吸盘的电极施加来自直流电源的直流电压，利用由此产生的静电力来吸附保持边缘环E。
通过像该步骤S4那样进行吸附，能够将相对于静电吸盘104已定位并载置于静电吸盘104的边缘环E固定在静电吸盘104上。
(步骤S5：静电吸盘104的温度调节)
之后，将载置有边缘环E的静电吸盘104温度调节成上述安装对象处理模块60中的等离子体处理开始时温度Ts。
具体而言，例如在上述安装对象处理模块60中，利用包含流路108的温度调节机构或包含加热器111的温度调节机构中的至少一者，将静电吸盘104的温度调节成等离子体处理开始时温度Ts。
由此，一系列的边缘环E的安装处理就完成了。
在安装处理后，在已安装了边缘环E的处理模块60中开始晶片处理即等离子体处理。
另外，在等离子体处理开始前也可以进行多次假片处理(dummy run)。即，一系列的安装处理可以包括多次假片处理。假片处理指的是，对假片晶片(dummy wafer)进行实际要对晶片W进行的等离子体处理。
＜拆除处理＞
接着，使用图6和图7，对等离子体处理系统1中将边缘环E从晶片支承台101拆除的拆除处理之一例进行说明。图6是用于说明上述拆除处理之一例的流程图。图7是表示上述拆除处理中的等离子体处理腔室100内的状态的图。以下处理是在控制装置80的控制下进行的，并且，是在静电吸盘104上不存在晶片W的状态下进行的。
(步骤S11：清洁)
在边缘环E到达寿命时(具体而言，例如在边缘环E安装后进行了预定次数的等离子体处理时)，如图6所示，进行用于除去等离子体处理时附着在边缘环E上的反应生成物的清洁即除去处理。
具体而言，例如，首先停止对设置于静电吸盘104的周缘部的电极110施加直流电压，解除边缘环E在静电吸盘104上的吸附保持。接着，使所有升降器107上升，如图7所示，边缘环E被从静电吸盘104交接给升降器107并上升。边缘环E的上升例如进行至边缘环E的底面相比静电吸盘104的中央部的上表面104a靠上方。
之后，从气体供给部130经由上部电极102对等离子体处理空间100s供给清洁用的气体。并且，从RF电力供给部140对下部电极103供给等离子体生成用的高频电力HF，由此激励清洁用的气体，生成等离子体。此时，也可以从RF电力供给部140供给离子吸引用高频电力LF。于是，在生成的等离子体的作用下，除去了例如附着在边缘环E内侧的侧端面上的反应生成物P1。另外，此时也可以除去附着在静电吸盘104的中央部的侧端面上的反应生成物P2。
在结束除去处理时，停止从RF电力供给部140供给高频电力HF，并停止从气体供给部130供给清洁用的气体。在除去处理中供给了高频电力LF的情况下，也停止该高频电力LF的供给。
(步骤S12：边缘环E的冷却)
接着，由于边缘环E因步骤S11中进行的除去处理而变得高温，故进行边缘环E的冷却。
具体而言，例如首先使所有升降器107下降，再次将边缘环E从升降器107载置在静电吸盘104的周缘部的上表面104b上。接着，对设置于静电吸盘104的周缘部的电极110施加来自直流电源(未图示)的直流电压，利用由此产生的静电力，将边缘环E吸附保持在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。然后，利用包含流路108的温度调节机构使静电吸盘104冷却，由此使吸附保持在该静电吸盘104上的边缘环E也冷却。边缘环E的冷却例如进行至到达如下温度，其中，该温度下，在保持冷却后的边缘环E时输送臂71不会受到损伤(具体是例如200℃以下)。
(步骤S13)
冷却后将边缘环E送出，使其返回收纳模块61。
具体而言，例如，首先停止对设置于静电吸盘104的周缘部的电极110施加直流电压，解除边缘环E在静电吸盘104上的吸附保持。接着，使所有升降器107上升，边缘环E被从静电吸盘104交接给升降器107并上升。然后，经由送入送出口(未图示)将输送臂71插入到等离子体处理腔室100内。接着，使输送臂71在静电吸盘104的周缘部的上表面104b与支承于升降器107的边缘环E之间移动。之后，进行所有升降器107的下降，将边缘环E从升降器107交接给输送臂71。然后将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出，将边缘环E送出到处理模块60外。接着，将保持了边缘环E的输送臂71插入收纳模块61内，使边缘环E从输送臂71交接到收纳模块61内的支承部(未图示)。之后，将输送臂71从收纳模块61中抽出。
由此，一系列的边缘环E的拆除处理就完成了。
＜效果等＞
如上所述，在本实施方式中，在使用升降器107支承由输送模块50的输送机构70输送来的边缘环E时，利用升降器107的上端部和设于边缘环E底面的凹部E1，来使边缘环E相对于升降器107定位。并且，升降器107相对于静电吸盘104已定位。因此，在使支承着边缘环E的升降器107下降时，边缘环E相对于静电吸盘104被定位，并被载置在该静电吸盘104的周缘部的上表面104b。即，采用本实施方式，在使用输送模块50将边缘环E安装到晶片支承台101上时，能够相对于晶片支承台101恰当地对边缘环进行定位。
另外，在本实施方式中，在将边缘环E从输送模块50的输送机构70交接给升降器107的时间点，静电吸盘104的温度已调节为目标载置时温度Tt。因此，无论边缘环E的安装处理开始时的静电吸盘104的温度如何，都能够将在静电吸盘104的周缘部的上表面104b上开口的插通孔119中插通的升降器107的上端部，容纳在设于边缘环E底面的凹部E1内。从而，无论边缘环E的安装处理开始时的静电吸盘104的温度如何，在利用升降器107支承边缘环E时，都能够相对于升降器107对边缘环E进行定位。从而，无论边缘环E的安装处理开始时的静电吸盘104的温度如何，都能够相对于静电吸盘104恰当地对边缘环E定位，并将边缘环E载置在静电吸盘104的周缘部的上表面104b。另外，边缘环E的安装处理开始时的静电吸盘104的温度例如基于以下条件(A)、(B)中的任一个而不同。
(A)边缘环E的安装处理的前一个处理结束时的静电吸盘104的温度
(B)上述前一个处理结束后、边缘环E的安装处理开始为止经过的时间
另外，在本实施方式中，如上所述，目标载置时温度Tt可以以等离子体处理开始时温度Ts为基准，在±10℃的范围内设定。通过这样设定目标载置时温度Tt，能够缩短从将边缘环E载置在静电吸盘104上至等离子体处理开始所需的时间。
另外，在本实施方式中，在边缘环E送出前进行清洁，除去附着在边缘环E上的反应生成物P1。从而，能抑制例如在边缘环E的送出过程中从该边缘环E剥离的反应生成物P1对等离子体处理造成不良影响。此外，能够抑制反应生成物P1被带入输送模块50的减压输送室51。
＜边缘环和升降器的变形例＞
图8和图9是表示边缘环的变形例的图。
以上例子中，边缘环E的定位用的凹部E1形成为凹陷成上侧呈半球面的半球状。但边缘环的凹部的形状不限于以上例子，只要在对应的边缘环用的升降器的上端部分别容纳于边缘环的各凹部时，边缘环能够因自重等而相对于升降器定位即可。
例如，可以如图8所示，边缘环Ea的定位用的凹部Ea1形成为凹陷成上侧具有顶点的锥状。另外，也可以如图9所示，边缘环Eb的凹部Eb1在截面视图下形成为半长孔状，其在上下方向具有短轴且下侧比上侧短。
另外，同样地，升降器107的上端部也可以形成为上侧具有顶点的锥状等。
也可以是，在收纳模块61中收纳：在与高温的静电吸盘104的插通孔119一致的位置上形成有定位用的凹部的边缘环，和在与低温的静电吸盘104的插通孔119一致的位置上形成有定位用的凹部的边缘环。即，针对多个温度段分别准备在恰当的位置形成有定位用的凹部的边缘环，将它们收纳在收纳模块61中。然后，以等离子体处理开始时温度Ts为基准决定目标载置时温度Tt，并使用与所决定的目标载置时温度Tt对应的边缘环。
＜输送机构的变形例＞
图10是表示输送模块50所具有的输送机构的变形例的图。输送模块50所具有的输送机构可以包括温度调节机构，用于将该输送机构所支承的边缘环调节成目标温度。该温度调节机构例如包括加热器、流路或它们的组合。在流路中，有冷却介质、传热气体等调温流体在其中流动。
图10的输送机构70a设置有加热器200，其构成调节边缘环E的温度的温度调节机构的一部分。加热器200例如被设置于输送臂71a。
在这样设置了加热器200的情况下，例如，在上述步骤S3中，能够将利用加热器200调节成与目标载置时温度Tt对应的温度的边缘环E载置在静电吸盘104上。通过进行这样的温度调节，能够更可靠地使对应的升降器107的上端部容纳在边缘环E的凹部E1内。
＜升降器和供该升降器插通的插通孔的变形例＞
图11是表示边缘环E用升降器和供该升降器插通的插通孔的变形例的图。
在图11的例子中，静电吸盘201是设置有第一面211和作为该第一面211的背面的第二面212，并且形成有贯通第一面211和第二面212的第一贯通孔221的第一部件，其中，第一面211是用于载置边缘环E的环部件载置面。第一贯通孔221与升降器107a的配置位置对应地形成有多个。
另外，下部电极202是以与静电吸盘201的第二面212一侧重叠的方式配置的第二部件，其设置有与第二面212接触的第三面213和作为该第三面213的背面的第四面214，并且形成有与第一贯通孔221的位置对应地贯通第三面213和第四面214并与第一贯通孔221连通的第二贯通孔222。
在本例中，供升降器107a插通的插通孔119a由第一贯通孔221和第二贯通孔222构成。另外，升降器107a被分割为第一升降部件231和第二升降部件232。第一升降部件231和第二升降部件232分别形成为规定半径的棒状。
第一升降部件231收纳于第一贯通孔221，能够在第一贯通孔221的轴向即上下方向上移动。
第二升降部件232收纳于第二贯通孔222，能够在第一贯通孔221的轴向即上下方向上移动。另外，第二升降部件232的第三面213一侧的端部以能够滑动的状态与第一升降部件231接触。
进而，在本例中，边缘环E用的升降器107a的升降机构116a使第二升降部件232升降。升降机构116a具有产生使第二升降部件232升降的驱动力，并通过第二升降部件232的升降而使第一升降部件231升降的驱动部118a。驱动部118a例如具有电动机作为产生上述驱动力的驱动源(未图示)。
在使用升降器107a和插通孔119a的情况下，例如，第一贯通孔221在第二面212一侧形成得比第一面211一侧大。
在本例中，在因静电吸盘201与下部电极202的温度差、热膨胀系数的不同等，导致第一贯通孔221与第二贯通孔222偏离(错位)的情况下，第一升降部件231与第一贯通孔221一起移动。因此，能够抑制在第一贯通孔221与第二贯通孔222偏离的情况下导致升降器107a破损。
另外，在本例中，为了在即使第一贯通孔221与第二贯通孔222偏离的情况下，也能够随着第二升降部件232的升降相应地使第一升降部件231升降，不是将第一贯通孔221整体形成得较大，而是仅将第一贯通孔221的第二面212一侧形成得(比第一面211一侧)较大。因此，由于第一贯通孔221的第一面211一侧与升降器107a之间的间隙较小，因此能够抑制在执行等离子体处理时在该间隙发生异常放电。
另外，通过代替将第一贯通孔221的第二面212一侧形成得比第一面211一侧大，或者在此基础上，将第二贯通孔222的第三面213一侧形成得比第四面214一侧大，也能够得到以上效果。
即，在使用升降器107a和插通孔119a的情况下，对于第一贯通孔221和第二贯通孔222中的至少一者，将第一贯通孔221的第二面212一侧形成得比第一面211一侧大，将第二贯通孔222的第三面213一侧形成得比第四面214一侧大。
在上述的从输送机构70向升降器交接边缘环的时间点将静电吸盘104调节成目标载置时温度Tt的结构中，通过使用本例的升降器107a和插通孔119a，能够更可靠地使对应的升降器107的上端部容纳于边缘环E的凹部E1内。
<环部件的另一例>
在以上的例子中，边缘环是更换对象，但也可以将覆盖环作为更换对象。覆盖环是覆盖边缘环的周向外侧面的俯视下呈环状的部件。在将覆盖环也作为更换对象，应用上述的边缘环即环部件的安装处理和拆除处理的情况下，如图12所示，在覆盖环C的底面形成有例如与凹部E1相同形状的定位用的凹部C1。
另外，也可以仅将覆盖环C作为更换对象，应用上述的环部件的安装处理和拆除处理。
另外，在将覆盖环C作为更换对象，应用上述的环部件的拆除处理的情况下，在上述的步骤S12中对覆盖环C进行冷却时，既可以不将覆盖环C载置在晶片支承台101上而是在利用覆盖环C用升降器支承的状态下，通过散热进行冷却，也可以将覆盖环C载置在晶片支承台101上，利用来自晶片支承台101的吸热来辅助覆盖环C的冷却。
(第二实施方式)
图13是表示作为第二实施方式的基片支承台的晶片支承台101a的结构之概要的局部放大截面图。
在本实施方式中，使用边缘环和覆盖环双方。另外，在本实施方式中，能够同时更换边缘环和覆盖环，并且能够仅更换边缘环或者仅更换覆盖环。
图13的晶片支承台101A包括下部电极301、静电吸盘302、支承体303、绝缘体304、升降器305。
支承体303例如是使用石英等形成为俯视下呈环状的部件，其支承下部电极301并支承覆盖环Ca。另外，支承体303以其上部向内周侧突出并与下部电极301重叠的方式设置。
绝缘体304是由陶瓷等形成的圆筒状的部件，对支承体303进行支承。绝缘体304例如形成为具有与支承体303的外径同等的外径，对支承体303的周缘部进行支承。
在图2等所示的例子中，供升降器107插通的插通孔119以贯通下部电极103和静电吸盘104的方式设置。与此相对，在图13的例子中，供升降器305插通的插通孔306被设置成，贯通下部电极301，但不贯通静电吸盘302，取而代之将支承体303的上部的内周部贯通。插通孔306形成为，从静电吸盘302的周缘部的上表面302a向下方延伸，直至下部电极301的底面。另外，插通孔306也可以与图3的例子同样，以贯通下部电极301和静电吸盘302的方式设置。
静电吸盘302可以设置有用于利用静电力吸附保持边缘环Ec的电极110。电极110例如是在俯视时与边缘环Ec重叠的部分，设置于在俯视时不与覆盖环Ca重叠的部分。此外，电极110可以设置在静电吸盘302中，也可以设置在与静电吸盘302分体的电介质中。
静电吸盘302的中央部的上表面104a是载置晶片W的基片载置面，静电吸盘302的周缘部的上表面302a与支承体303的上表面303a是载置边缘环Ec和覆盖环Ca的环部件载置面。
在本实施方式中，覆盖环Ca构成为能够支承边缘环Ec，并且形成为，在与边缘环Ec同心时，在俯视下至少一部分与该边缘环Ec重叠。在一个实施方式中，覆盖环Ca的最内周部的直径比边缘环Ec的最外周部的直径小，在以覆盖环Ca和边缘环Ec在整周上重叠的方式配置时，在俯视下，覆盖环Ca的内周部与边缘环Ec的外周部至少部分重叠。例如，在一个实施方式中，边缘环Ec在底部的外周部具有向径向内侧凹陷的凹部Ec1，覆盖环Ca在其底部具有向径向内侧突出的凸部Ca1，通过凸部Ca1与凹部Ec1的卡合，对边缘环Ec进行支承。
在边缘环Ec的外周部的底面，按每个升降器305设置有容纳升降器305的上端部的定位用的凹部Ec2。凹部Ec2设置于在俯视时与覆盖环Ca的内周部(具体例如是凸部Ca1)重叠的部分。
覆盖环Ca按每个升降器305形成有供升降器305插通的、到达边缘环Ec的凹部Ec2的贯通孔Ca2。贯通孔Ca2设置于在俯视时与边缘环Ec的外周部重叠的覆盖环Ca的内周部(具体例如是凸部Ca1)。
升降器305相对于支承体303的内周部的上表面303a升降。升降器305在上升时，其上端从支承体303的内周部的上表面303a突出，具体而言，从上述上表面303a中俯视下与边缘环Ec和覆盖环Ca重叠的位置突出。供升降器305插通的插通孔306形成在俯视时与边缘环Ec和覆盖环Ca重叠的位置。
升降器305与图2等所示的升降器107同样，沿着静电吸盘302的周向方向彼此隔开间隔设置有3个以上。
升降器305的上端部构成与边缘环Ec的底面抵接并支承该边缘环Ec的边缘环支承部。升降器305构成为，在上升时其上端部穿过覆盖环Ca的贯通孔Ca2与边缘环Ec的底面抵接，由此从底面支承边缘环Ec。
在本实施方式中，边缘环Ec的凹部Ec2和升降器305的上端部也形成为，在对应的升降器305的上端部分别容纳于边缘环Ec的各凹部Ec2时，通过边缘环Ec的自重等，使得边缘环Ec相对于升降器305被定位。
另外，升降器305在构成边缘环支承部的上端部的下方具有支承覆盖环Ca的覆盖环支承部310。覆盖环支承部310构成为，不能穿过覆盖环Ca的贯通孔Ca2而是与覆盖环Ca的底面抵接，由此从底面支承覆盖环Ca。
另外，覆盖环Ca的贯通孔Ca2的下端部构成容纳升降器305的覆盖环支承部310的定位用的凹部Ca3。
覆盖环支承部310和凹部Ca3形成为，在对应的升降器305的覆盖环支承部310分别容纳于覆盖环Ca的各凹部Ca3时，通过覆盖环Ca的自重等，使得覆盖环Ca相对于升降器305被定位。具体而言，例如，可以在覆盖环Ca的贯通孔Ca2的下部周围实施倒角加工而形成凹部Ca3，并将覆盖环支承部310的上端部形成为与上述倒角加工对应的锥形状。通过覆盖环支承部310和凹部Ca3，例如能够将覆盖环Ca相对于升降器305定位于下述位置，在该位置处，贯通孔Ca2的中心与覆盖环支承部310的中心在俯视时是一致的。
另外，在本实施方式中，包括前述基片载置面和环部件载置面的支承部由上述下部电极301、静电吸盘302和支承体303构成。
接着说明安装处理的一个例子，其中，在图1的等离子体处理系统1的处理模块60具有晶片支承台101a，在收纳模块61收纳了支承有边缘环Ec的覆盖环Ca，在安装处理中向晶片支承台101a同时安装边缘环Ec和覆盖环Ca。图14和图15是表示上述安装处理中的等离子体处理腔室100内的状态的图。以下处理是在控制装置80的控制下进行的。
(步骤S21：边缘环Ec和覆盖环Ca的送出和输送)
首先，将支承有边缘环Ec的覆盖环Ca从收纳模块61送出，将该覆盖环Ca输送到边缘环Ec和覆盖环Ca的安装对象处理模块60所具有的晶片支承台101a的前述环部件载置面的上方。
具体而言，例如将输送机构70的输送臂71插入收纳模块61内，在该输送臂71上保持支承有边缘环Ec的覆盖环Ca。接着，将保持了支承有边缘环Ec的覆盖环Ca的输送臂71从收纳模块61中抽出。然后，经由送入送出口(未图示)，将保持了支承有边缘环Ec的覆盖环Ca的输送臂71插入到上述安装对象处理模块60所具有的、已减压的等离子体处理腔室100内。而且，利用输送臂71将支承有边缘环Ec的覆盖环Ca输送至晶片支承台101a的前述环部件载置面(具体是静电吸盘302的周缘部的上表面302a和支承体303的上表面303a)的上方。
(步骤S22：静电吸盘302的温度调节)
在边缘环Ec和覆盖环Ca的安装对象处理模块60中，将静电吸盘302的温度调节为预定的目标载置时温度Tta。目标载置时温度Tta是这样的温度：在该温度下，边缘环Ec的凹部Ec2各自的位置与对应的升降器305(的上端部)以及插通孔306的位置一致，且覆盖环Ca的凹部Ca3各自的位置与对应的升降器305(的覆盖环支承部310)以及插通孔306的位置一致。
在该步骤S22中，具体而言，例如在上述安装对象处理模块60中，利用包含流路108的温度调节机构或包含加热器111的温度调节机构中的至少一者，将静电吸盘104的温度调节成目标载置时温度Tta。
目标载置时温度Tta与前述的目标载置时温度Tt同样地设定。
(步骤S23：边缘环Ec和覆盖环Ca的接收和载置)
接着，利用从具有温度已调节为目标载置时温度Tta的静电吸盘302的晶片支承台101的环部件载置面突出的升降器305，接收支承了边缘环Ec的覆盖环Ca，将该支承有边缘环Ec的覆盖环Ca载置在晶片支承台101a的环部件载置面上。
具体而言，进行所有升降器305的上升，使各升降器305从具有已调节为目标载置时温度Tta的静电吸盘302的晶片支承台101的环部件载置面突出。由此，各升降器305的上端部穿过保持于输送臂71的覆盖环Ca的贯通孔Ca2而与边缘环Ec的底面抵接。此时，由于在步骤S21中进行了静电吸盘302的温度调节，因此升降器305的上端部能够容纳于边缘环Ec的凹部Ec2。
之后，所有升降器305继续上升，如图14所示，边缘环Ec被从保持于输送臂71的覆盖环Ca上交接到升降器305的上端部。此时，利用边缘环Ec的凹部Ec2和升降器305的上端部的形状，边缘环Ec相对于升降器305被定位。
而且，之后所有升降器305也继续上升，如图15所示，覆盖环Ca被从输送臂71交接到升降器305的覆盖环支承部310。此时，由于在步骤S21中进行了静电吸盘302的温度调节，因此升降器305的覆盖环支承部310可靠地容纳于覆盖环Ca的凹部Ca3。另外，由于这样容纳，因此能够利用覆盖环Ca的凹部Ca3和升降器305的覆盖环支承部310的形状，使得覆盖环Ca相对于升降器305被定位。
在覆盖环Ca被升降器305接收后，将输送臂71从等离子体处理腔室100抽出。并且，进行所有升降器305的下降，由此，边缘环Ec和覆盖环Ca被载置在晶片支承台101a的环部件载置面上。
(步骤S24：边缘环Ec的吸附保持)
接着，将边缘环Ec吸附保持在静电吸盘302的周缘部的上表面302a。
具体而言，对设置于静电吸盘302的周缘部的电极110施加来自直流电源(未图示)的直流电压，利用由此产生的静电力，将边缘环Ec吸附保持在静电吸盘302的周缘部的上表面302a。
(步骤S25：静电吸盘302的温度调节)
之后，将载置有边缘环Ec和覆盖环Ca的晶片支承台101a的静电吸盘302温度调节成上述安装对象处理模块60中的等离子体处理开始时温度Ts。
具体而言，例如在上述安装对象处理模块60中，利用包含流路108的温度调节机构或包含加热器111的温度调节机构中的至少一者，将静电吸盘302的温度调节成等离子体处理开始时温度Ts。
由此，一系列的边缘环Ec和覆盖环Ca的同时安装处理就完成了。另外，同时拆除边缘环Ec和覆盖环Ca的处理以与上述安装处理相反的顺序进行。
采用上述安装处理，无论边缘环Ec和覆盖环Ca的同时安装处理开始时的静电吸盘302和支承体303的温度如何，都能够在利用升降器305支承边缘环Ec和覆盖环Ca时，将边缘环Ec和覆盖环Ca相对于升降器305定位。因此，无论边缘环Ec和覆盖环Ca的同时安装处理开始时的静电吸盘302和支承体303的温度如何，都能够将边缘环Ec和覆盖环Ca同时相对于静电吸盘302恰当地定位，并将它们载置在晶片支承台101a的环部件载置面。
另外，虽然省略了说明，但通过采用晶片支承台101a，能够更换单个边缘环Ec或单个覆盖环Ca，另外，在该更换过程中进行安装时，能够相对于晶片支承台101a恰当地定位并载置单个边缘环Ec或单个覆盖环Ca。
在以上各实施方式中，边缘环被静电吸附于晶片支承台，但也可以不被静电吸附。
以上对各种例示的实施方式进行了说明，但并不限定于上述例示的实施方式，也可以进行各种追加、省略、置换、以及变更。另外，能够将不同的实施方式中的要素组合而形成其他的实施方式。

Claims (14)

1.一种等离子体处理系统，其特征在于：
包括对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置、与所述等离子体处理装置连接的减压输送装置和控制装置，
所述等离子体处理装置包括具有支承部的基片支承台，所述支承部具有用于载置基片的基片载置面和用于载置以包围基片的方式配置的环状部件的环状部件载置面，
所述基片支承台在所述支承部设置有在所述环状部件载置面上开口的多个插通孔，并且具有：
升降器，其对每个所述插通孔设置，能够以从所述环状部件载置面突出的方式升降；
使所述升降器升降的升降机构；和
调节所述支承部的温度的温度调节机构，
所述减压输送装置包括相对于所述基片支承台输送所述环状部件的输送机构，
在所述环状部件的底面形成有向上方凹陷的能够容纳所述升降器的上端部的凹部，
所述控制装置控制所述升降机构、所述温度调节机构和所述输送机构，以执行以下步骤：
将所述支承部的温度调节为能够使所述环状部件的所述凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致的预定的温度的步骤；和
将所述环状部件输送到所述支承部的上方，用从温度已被调节为所述预定的温度的所述支承部的所述环状部件载置面突出的所述升降器，来接收所述环状部件，并将该环状部件载置在所述环状部件载置面上的步骤。
2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述控制装置在所述环状部件被载置于所述环状部件载置面之后且所述等离子体处理开始之前，控制所述温度调节机构，以执行将所述支承部的温度调节为预定的所述等离子体处理开始时的温度的步骤。
3.如权利要求2所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述基片支承台具有用于利用静电力将所述环状部件吸附并保持于所述支承部的电极，
所述控制装置在将所述支承部的温度调节为所述预定的所述等离子体处理开始时的温度的步骤之前，控制施加于所述电极的电压，以执行将所述环状部件吸附并保持于所述支承部的步骤。
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述控制装置控制所述升降机构和所述输送机构，以执行将所述环状部件从所述环状部件载置面拆除，并从所述等离子体处理装置送出的步骤。
5.如权利要求4所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述等离子体处理装置构成为能够进行除去在所述等离子体处理时附着于所述环状部件的反应生成物的除去处理，
所述控制装置控制所述等离子体处理装置，以在所述送出的步骤之前执行进行所述除去处理的步骤。
6.如权利要求5所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述控制装置控制所述温度调节机构，以在进行所述除去处理的步骤之后且所述送出的步骤之前，执行将所述环状部件冷却的步骤。
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述预定的温度在40℃～80℃的范围内设定。
8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述预定的温度以预定的所述等离子体处理开始时的温度为基准，在±10℃的范围内设定。
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述输送机构具有调节所述环状部件的温度的其他的温度调节机构，
所述控制装置在将所述环状部件载置于所述环状部件载置面的步骤中，控制所述其他的温度调节机构，以将被调节为与所述预定的温度相对应的温度的所述环状部件载置于所述环状部件载置面。
10.如权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述支承部包括：
第一部件，其设置有作为所述环状部件载置面的第一面和作为该第一面的背面的第二面，并且形成有贯通所述第一面和所述第二面的第一贯通孔；和
第二部件，其重叠地配置在所述第一部件的所述第二面一侧，设置有与所述第二面接触的第三面和作为该第三面的背面的第四面，并且形成有与所述第一贯通孔的位置对应地贯通所述第三面和所述第四面并与所述第一贯通孔连通的第二贯通孔，
所述插通孔由所述第一贯通孔和所述第二贯通孔构成，
所述升降器包括：
第一升降部件，其被收纳于所述第一贯通孔，能够在所述第一贯通孔的轴向上移动；和
第二升降部件，其被收纳于所述第二贯通孔，能够在所述轴向上移动，并且所述第三面一侧的端部以能够滑动的状态与所述第一升降部件接触，
所述升降机构使所述第二升降部件升降，
关于所述第一贯通孔和所述第二贯通孔中的至少一者，所述第一贯通孔在所述第二面一侧形成得比所述第一面一侧大，所述第二贯通孔在所述第三面一侧形成得比所述第四面一侧大。
11.如权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述环状部件是与载置在所述基片载置面上的基片相邻地配置的边缘环和覆盖所述边缘环的外侧面的覆盖环之中的至少一者。
12.如权利要求11所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述环状部件是所述边缘环和所述覆盖环这两者，
在所述边缘环和所述覆盖环中，所述边缘环的底面形成有所述凹部，
所述覆盖环形成有供所述升降器插通的、到达所述边缘环的所述凹部的贯通孔，
所述升降器在上端部具有能够与所述边缘环的所述凹部卡合来支承所述边缘环的边缘环支承部，并在所述边缘环支承部的下方具有能够支承所述覆盖环的覆盖环支承部，
所述贯通孔的下端部构成用于容纳所述边缘环支承部的其他的凹部。
13.权利要求12所述的等离子体处理系统，其特征在于：
所述预定的温度是使所述边缘环的所述凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致，且所述覆盖环的所述其他的凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致的温度。
14.一种环状部件的安装方法，其是在等离子体处理装置内安装环状部件的方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括具有支承部的基片支承台，所述支承部具有用于载置基片的基片载置面和用于载置以包围基片的方式配置的环状部件的环状部件载置面，
所述基片支承台在所述支承部设置有在所述环状部件载置面上开口的多个插通孔，并且具有对每个所述插通孔设置的能够以从所述环状部件载置面突出的方式升降的升降器，
在所述环状部件的底面形成有向上方凹陷的能够容纳所述升降器的上端部的凹部，
所述环状部件的安装方法包括：
将所述支承部的温度调节为能够使所述环状部件的所述凹部各自的位置与对应的所述升降器和所述插通孔的位置一致的预定的温度的步骤；
用输送机构将所述环状部件输送到所述支承部的上方的步骤；和
用从温度已调节为所述预定的温度的所述支承部的所述环状部件载置面突出的所述升降器，来接收所述环状部件，并将该环状部件载置在所述环状部件载置面上的步骤。
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