JP2003347386A - 基材搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプレイ装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、処理室間の基板１の搬送に際し、
基板１の温度の均一性を損なうことなく、スループット
を向上させることができると共に、製品の特性を安定さ
せて歩留まりを向上させることができる半導体装置の製
造方法を提供を提供することを課題とする。 【解決手段】 搬送アーム１２の先端部に設けられた基
板１を保持する基板接触部１３と、基板接触部１３を加
熱する加熱部１４と、基板接触部１３の温度を検出する
温度センサ１５と、温度センサ１５から温度情報に基づ
いて加熱部１４をオン／オフして基板接触部１３の温度
を制御する温度制御部１６とを有し、搬送ロボット１１
によって基板１を搬送するに際し、搬送ロボット１１の
基板１を保持する基板接触部１３を加熱し、基板接触部
１３の温度を各処理室の処理温度付近まで高めた状態で
基板１を保持して搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基材を搬送する基
材搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。ま
た、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装
置、電気泳動表示装置等のディスプレイ装置、又は集積
回路等に好適に利用できる半導体装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来の基板を搬送する半導体ア
ームの基板接触部の構成を示す図であり、（ａ）は、上
面図であり、（ｂ）は、断面図である。従来、下地保護
膜成膜処理、半導体膜成膜処理、結晶化処理、水素化処
理、ゲート絶縁膜成膜処理等の処理を行うそれぞれ処理
室間の基板１の搬送を行う搬送ロボットは、図４に示す
ように、搬送アーム１２の先端部に設けられた基板接触
部１３で基板１を保持して搬送する構成となっている。
また、搬送アーム１２および基板接触部１３は、通常Ａ
ｌ等の金属によって構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、処理室間の基板１の搬送に際し、基板１の温度
が基板接触部１３と接触する部分と接触しない部分とで
異なってしまい、基板１の温度が不均一な状態で搬送先
の処理室で処理を行うと製品の特性がばらついてしま
う。また、搬送先の処理室で基板１全体が均一な所望の
処理温度に達するまで待ってから処理を行う場合には、
処理スピードが遅くなり、スループットが低下してしま
うという問題点があった。

【０００４】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、処理室間の基材の
搬送に際し、基材の温度の均一性を損なうことなく、ス
ループットを向上させることができると共に、製品の特
性を安定させて歩留まりを向上させることができる基材
搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプ
レイ装置、及び電子機器を提供する点にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本発明に係る基材搬送方法は、処理室内に
基材を搬送する基材搬送方法において、前記処理室内部
の雰囲気を所定温度にする工程と、前記基材を搬送する
搬送器の温度を調整する工程と、前記搬送器に設置され
た状態で前記基材を前記処理室内部に搬入する工程とを
備えたことを特徴とする。

【０００６】本発明によれば、処理室内に基材を搬送す
るに際し、基材と搬送器との接触によって基材の温度の
均一性が損なわれず、基材全体を均一に処理温度に素速
く到達させることができるため、スループットが向上
し、製品の特性を安定させて歩留まりが向上する。

【０００７】また本発明に係る基材搬送方法は、前記搬
送器の前記基材との接触部分の温度が、前記所定温度の
±１０％以内の温度となるように温度調整することが望
ましい。これにより、基材を搬送先の処理室の処理温度
に素速く到達させる。

【０００８】また本発明に係る基材搬送方法は、第１の
処理室から第２の処理室に基材を搬送する基材の搬送方
法において、前記基材を搬送する搬送器の温度を調整す
る工程と、搬送器に設置された状態で前記基材を第１の
処理室から第２の処理室に基材を搬送する工程とを具備
することを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、第１の処理室から第２の
処理室に基材を搬送するに際し、基材の温度の均一性を
損なうことなく搬送し、基材全体を均一に第２の処理室
の処理温度に素速く到達させることができるため、スル
ープットが向上し、製品の特性を安定させて歩留まりが
向上する。

【００１０】また本発明に係る基材搬送方法は、前記搬
送器の前記基材との接触部分の温度が、前記第２の処理
室内の温度の±１０％以内の温度となるように温度調整
することが望ましい。これにより、これにより、基材を
搬送先の第２の処理室の処理温度に素速く到達させる。

【００１１】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、第１の成膜室内にて基材上に半導体膜を成膜する半
導体装置の製造方法において、前記成膜室内部を成膜温
度に加熱する工程と、前記基材を搬送する搬送器の温度
を調整する工程と、前記搬送器の温度を調整した後、前
記基材を、前記成膜温度に加熱された前記成膜室内部に
搬入する工程とを備えたことを特徴とする。

【００１２】本発明によれば、基材を成膜温度に加熱さ
れた成膜室内部に搬入するに際し、基材の温度の均一性
を損なうことなく搬送し、基材全体を均一に成膜温度に
素速く到達させることができるため、スループットが向
上し、製品の特性を安定させて歩留まりが向上する。

【００１３】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記成膜温度は３５０℃以上５５０℃以下であり、
前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記成膜
温度の±１０％以内となるように前記搬送器の温度を調
整することが望ましい。これにより、基材を成膜温度に
素速く到達させる。

【００１４】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記第１の温度に調整する工程は、第１の予備加熱
室内で行われ、前記成膜温度は３５０℃以上５５０℃以
下であり、前記第１の予備加熱室の温度が、前記成膜温
度以上前記成膜温度より１０％高い温度以下となるよう
に温度調整することが望ましい。

【００１５】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記半導体膜を結晶化室内で結晶化させる工程と、
前記結晶化室内の温度を結晶化処理温度に加熱する工程
と、前記基材を搬送する搬送器の温度を第２の温度に調
整する工程と、前記搬送器に設置された状態で前記基材
を、前記結晶化処理温度に加熱された前記結晶化室内に
搬入する工程とを備えることを特徴とする。これによ
り、基材を結晶化室に搬入するに際し、基材の温度の均
一性を損なうことなく搬送し、基材全体を均一に結晶化
処理温度に素速く到達させることができるため、スルー
プットが向上し、製品の特性を安定させて歩留まりが向
上する。

【００１６】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記結晶化処理温度は０℃以上４５０℃以下であ
り、前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記
結晶化処理温度の±１０％以内となるように前記搬送器
の温度を調整することが望ましい。これにより、基材を
結晶化処理温度に素速く到達させる。

【００１７】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記搬送器の温度を調整する工程は、第２の予備加
熱室内で行われ、前記結晶化処理温度は０℃以上４５０
℃以下であり、前記第２の予備加熱室の温度が、前記結
晶化処理温度以上結晶化処理温度より１０％高い温度以
下となるように温度調整することが望ましい。

【００１８】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、絶縁膜形成室内にて前記半導体膜上に絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜形成室内を絶縁膜形成温度に調
整する工程と、前記基材を搬送する搬送器の温度を第３
の温度に調整する工程と、前記搬送器に設置された状態
で前記基材を、絶縁膜形成温度に加熱された前記成膜室
内部に搬入する工程とを備えることを特徴とする。これ
により、基材を絶縁膜形成室に搬入するに際し、基材の
温度の均一性を損なうことなく搬送し、基材全体を均一
に絶縁膜形成温度に素速く到達させることができるた
め、スループットが向上し、製品の特性を安定させて歩
留まりが向上する。

【００１９】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記絶縁膜形成温度は０℃以上３５０℃以下であ
り、前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記
絶縁膜形成温度の±１０％以内となるように前記第３の
温度を調整することが望ましい。これにより、基材を絶
縁膜形成温度に素速く到達させる。

【００２０】また本発明に係る集積回路は、上記半導体
装置の製造方法により製造された半導体装置を含むこと
を特徴とする。

【００２１】また本発明に係るディスプレイ装置は、上
記半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を
含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子により
制御される電気光学層とを含むことを特徴とする。

【００２２】また本発明に係る電子機器は、上記半導体
装置の製造方法により製造された半導体装置を含むスイ
ッチング素子を有するディスプレイ装置を表示部として
搭載したことを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２４】図１は、本発明に係る半導体装置の製造方
法の実施の形態が用いられる薄膜トランジスタ製造装置
の構成を示す構成図である。

【００２５】本実施の形態が用いられるＴＦＴ製造装置
の概略構成は、図１を参照すると、基板１を搬送アーム
１２で搬送する搬送ロボット１１が配置された搬送室１
０が構成され、搬送室１０の周りに基板１の搬入出を行
うロードロック室２０と、基板１を加熱する予備加熱室
３０と、ＣＶＤ法やＰＶＤ法により半導体膜の形成を行
う半導体成膜室４０と、レーザ照射によって結晶化を行
う結晶化室５０と、不対電子対を水素終端するプラズマ
処理室６０と、シリコン酸化膜（ゲート絶縁膜）の形成
を行う酸化膜成膜室７０とが構成されている。搬送室１
０とロードロック室２０とは、シャッタＳ２を介して接
続され、搬送室１０と半導体成膜室４０は、シャッタＳ
３を介して接続され、搬送室１０と結晶化室５０とは、
シャッタＳ４を介して接続され、搬送室１０とプラズマ
処理室６０とは、シャッタＳ５を介して接続され、搬送
室１０と酸化膜成膜室７０とは、シャッタＳ６を介して
接続されている。ロードロック室２０にはシャッタＳ１
によって開閉される基板搬入出口が構成されている。

【００２６】搬送室１０、予備加熱室３０、半導体成膜
室４０、結晶化室５０、プラズマ処理室６０および酸化
膜成膜室７０は、外気から遮断されており、ロードロッ
ク室２０に搬入された基板１は、搬送ロボット１１によ
り外気から遮断された状態で各処理室に搬入され、外気
から遮断された状態で、下地保護膜および半導体膜成膜
処理と、結晶化処理と、水素化処理と、ゲート絶縁膜成
膜処理とが行われる。

【００２７】（第１の実施の形態）図２は、図１に示す
搬送アームの基板接触部の第１の実施の形態の構成を示
す図であり、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、断面
図である。

【００２８】第１の実施の形態で用いられる搬送ロボッ
ト１１は、図２を参照すると、搬送アーム１２の先端部
に設けられた基板１を保持する基板接触部１３と、基板
接触部１３を加熱する加熱部１４と、基板接触部１３の
温度を検出する温度センサ１５と、温度センサ１５から
温度情報に基づいて加熱部１４をオン／オフして基板接
触部１３の温度を制御する温度制御部１６とを有し、搬
送ロボット１１によって基板１を搬送するに際し、搬送
ロボット１１の基板１を保持する基板接触部１３を加熱
し、基板接触部１３の温度を各処理室の処理温度付近ま
で高めた状態で基板１を保持して搬送する。

【００２９】加熱部１４は、ニクロム線等の発熱部材で
あり、図２（ａ）に示すように、基板接触部１３をムラ
なく加熱できるように基板接触部１３の全面にわたって
満遍なく配置されている。また、温度センサ１５として
は、熱電対、赤外線センサ等が用いられる。

【００３０】次に、第１の実施の形態の温度制御部１６
による基板接触部１３の温度制御例について図３を参照
して詳細に説明する。図３は、本発明に係る半導体装置
の製造方法の第１の実施の形態による温度制御例を説明
するための工程図である。

【００３１】まず、ロードロック室２０に搬入された基
板１を搬送アーム１２の基板接触部１３で保持してロー
ドロック室２０から搬送室１０を介して予備加熱室３０
に搬入し（搬送）、予備加熱室３０で基板１を４５０
℃程度に予備加熱する。

【００３２】次に、４５０℃程度に予備加熱された基板
１を搬送アーム１２の基板接触部１３で保持して予備加
熱室３０から搬送室１０を介して半導体成膜室４０に搬
入する（搬送）。半導体成膜室４０では、基板温度が
４３０℃程度の温度条件下で、基板１の全面に厚さが２
００ｎｍ程度のシリコン酸化膜からなる下地保護膜と、
基板１の全面に厚さが６０ｎｍ程度のアモルファスシリ
コン膜からなる半導体膜とをプラズマＣＶＤ法により形
成する。搬送において、基板接触部１３の温度は、温
度制御部１６によって搬送先である半導体成膜室４０の
成膜温度である４３０℃程度に制御される。なお、半導
体成膜室４０での成膜温度は、３５０℃以上５５０℃以
下であることが望ましく、半導体成膜室４０に基板１を
搬入する際の予備加熱室３０での予備加熱で基板１の温
度を半導体成膜室４０の成膜温度以上成膜温度より１０
％高い温度以下とすることが望ましい。また、半導体成
膜室４０に搬入する際の基板接触部１３の温度は、半導
体成膜室４０の成膜温度の±１０％以内になるように制
御することが望ましい。

【００３３】次に、基板１を搬送アーム１２の基板接触
部１３で保持して半導体成膜室４０から搬送室１０を介
して予備加熱室３０に搬入し（搬送）、予備加熱室３
０で基板１を４９０℃程度に予備加熱する。搬送にお
いて、基板接触部１３の温度は、温度制御部１６によっ
て搬送先である予備加熱室３０の処理温度である４９０
℃程度に制御される。

【００３４】次に、４９０℃程度に予備加熱された基板
１を搬送アーム１２の基板接触部１３で保持して予備加
熱室３０から搬送室１０を介して結晶化室５０に搬入す
る（搬送）。結晶化室５０では、基板温度が４００℃
程度の温度条件下で、基板１に形成された半導体膜の少
なくとも表面層を、エネルギー光（レーザー光やＲＴＡ
光）によって真空中（減圧下）の非酸化性雰囲気中にお
いて溶融結晶化する。搬送において、基板接触部１３
の温度は、温度制御部１６によって搬送先である結晶化
室５０の結晶化処理温度である４００℃程度に制御され
る。なお、結晶化室５０での結晶化処理温度は、０℃以
上４５０℃以下であることが望ましく、結晶化室５０に
基板１を搬入する際の予備加熱室３０での予備加熱で基
板１の温度を結晶化室５０の結晶化処理温度以上結晶化
処理温度より１０％高い温度以下とすることが望まし
い。また、結晶化室５０に搬入する際の基板接触部１３
の温度は、結晶化室５０の結晶化処理温度の±１０％以
内になるように制御することが望ましい。

【００３５】次に、基板１を搬送アーム１２の基板接触
部１３で保持して結晶化室５０から搬送室１０を介して
プラズマ処理室６０に搬入する（搬送）。プラズマ処
理室６０では、基板温度が３５０℃程度の温度条件下
で、基板１を減圧下に保持した状態で、４０．６８ＭＨ
ｚの酸素プラズマを照射し、引き続いて水素プラズマを
照射して、半導体膜中に成在するシリコン膜の不対結合
を終端化し、溶融結晶化した半導体膜に存在する欠陥を
低減する。搬送において、基板接触部１３の温度は、
温度制御部１６によって搬送先であるプラズマ処理室６
０の処理温度である３５０℃程度に制御される。

【００３６】次に、基板１を搬送アーム１２の基板接触
部１３で保持してプラズマ処理室６０から搬送室１０を
介して酸化膜成膜室７０に搬入する（搬送）。酸化膜
成膜室７０では、基板温度が３５０℃程度の温度条件下
で、基板１の全面に厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍのシリコン
酸化膜からなるゲート絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により
形成する。搬送において、基板接触部１３の温度は、
温度制御部１６によって搬送先である酸化膜成膜室７０
の処理温度である３５０℃程度に制御される。なお、酸
化膜成膜室７０での絶縁膜形成温度は、０℃以上３５０
℃以下であることが望ましく、酸化膜成膜室７０に搬入
する際の基板接触部１３の温度は、酸化膜成膜室７０の
絶縁膜形成温度の±１０％以内になるように制御するこ
とが望ましい。

【００３７】次に、基板１を搬送アーム１２の基板接触
部１３で保持して酸化膜成膜室７０から搬送室１０を介
してロードロック室２０に搬入し（搬送）、ロードロ
ック室２０に搬入された基板１を装置外に搬出する。

【００３８】なお、搬送〜において、基板接触部１
３の温度を搬送先の処理室の処理温度に制御したが、基
板接触部１３の温度を常温以上にすることにより、基板
１を温度分布が略均一な状態で次の処理室に搬送する効
果が期待でき、基板接触部１３の温度は、搬送ロボット
１１による基板１の搬送時間、搬送前の処理室での基板
１の処理温度、搬送先の処理室での基板１の処理温度、
搬送室１０の温度等によって適宜設定すると良い。ま
た、基板１を温度分布が略均一な状態で次の処理室に搬
送するためには、基板接触部１３の温度を搬送前の処理
室の温度と、搬送先の処理室の温度との間の温度に設定
するのが好適である。

【００３９】また、第１の実施の形態では、搬送〜
において、基板接触部１３の温度をそれぞれ異なる温度
に制御を行うように構成したが、常に同じ温度に基板接
触部１３を制御するようにしても良い。この場合の基板
接触部１３の温度は、各処理室の処理温度のもっとも高
い温度ともっとも低い温度との間に設定すると良く、好
ましくは、各処理室の処理温度の平均値程度（第１の実
施の形態では、４００℃程度）に設定する。

【００４０】（第２の実施の形態）第１の実施の形態で
は、搬送アーム１２の基板接触部１３を加熱部１４によ
って加熱するように構成したが、第２の実施の形態で
は、予備加熱室３０によって搬送アーム１２の基板接触
部１３を加熱する。

【００４１】すなわち、各処理室での処理時間は、１〜
５分程度であるのに対し、搬送〜の搬送時間は、２
０秒程度であり、搬送ロボット１１は、常に動作してい
るわけではなく、搬送アーム１２が停止している状態が
存在し、この搬送アーム１２が停止している状態で、搬
送アーム１２の基板接触部１３を予備加熱室３０に挿入
して加熱する。予備加熱室３０により基板接触部１３の
加熱は、基板接触部１３に基板１が保持されていない状
態で行われる。

【００４２】予備加熱室３０による加熱により、搬送ア
ーム１２の基板接触部１３の温度は、常温よりも高くす
ることができ、基板接触部１３の温度が常温よりも高い
状態で基板１を搬送することができる。

【００４３】（ディスプレイ装置）図５は、ディスプレ
イ装置の構成を示すブロック図であり、図６は、ディス
プレイ装置の構成を示す図であり、図５および図６に、
本発明に係る第１乃至３の実施の形態によって製造した
半導体装置であるＴＦＴを適用したディスプレイ装置の
概要を示す。

【００４４】ディスプレイ装置は、液晶表示装置であ
り、図５を参照すると、アクティブマトリクス部（画素
部）１００と、データ線ドライバ１０１と、走査線ドラ
イバ１０２とからなるアクティブマトリックス基板９４
０を、タイミングコントローラ１０３と、映像信号増幅
回路１０４と、映像信号発生装置１０５とによって駆動
する構成となっている。アクティブマトリクス部１０
０、データ線ドライバ１０１および走査線ドライバ１０
２に、本発明に係る第１乃至３の実施の形態によって製
造した半導体装置であるＴＦＴが用いられる。

【００４５】またディスプレイ装置は、図６を参照する
と、アクティブマトリクス基板９４０上に、アクティブ
マトリクス部１００、データ線ドライバ１０１および走
査線ドライバ１０２を構成するＴＦＴを同一の製造プロ
セスで形成する。つまり、ドライバ搭載型のアクティブ
マトリクス基板９４０を用いて液晶表示装置を構成し、
バックライト９００と、偏光板９２０と、アクティブマ
トリクス基板９４０と、液晶９５０と、カラーフィルタ
基板（対向基板）９６０と、偏光板９７０とからなる。

【００４６】（電子機器）図７は、電子機器の構成を示
す図であり、図７に、上述のディスプレイ装置を用いて
構成される電子機器の概要を示す。

【００４７】電子機器は、図７を参照すると、表示情報
出力源１０００と、表示情報処理回路１００１と、表示
駆動回路１００２と、上述のディスプレイ装置である液
晶パネル１００３と、タイミングジェネレータ１００４
と、電源回路１００５とを含んで構成される。表示情報
出力源１０００は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどのメモリ、テレ
ビ信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成さ
れ、タイミングジェネレータ１００４からのクロックに
基づいて、ビデオ信号などの表示情報を出力する。表示
情報処理回路１００１は、タイミングジェネレータ１０
０４からのクロックに基づいて表示情報を処理して出力
する。この表示情報処理回路１００１は、例えば増幅・
極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガン
マ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができ
る。表示駆動回路１００２は、走査側駆動回路及びデー
タ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル１００３を
表示駆動する。電源回路１００５は、上述の各回路に電
力を供給する。

【００４８】このような構成の電子機器として、液晶プ
ロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーショ
ン（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプ
ロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視
型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算
機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた装置等を挙げることができる。

【００４９】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、搬送アーム１２の基板接触部１３を加熱し、搬送ア
ーム１２の基板接触部１３の温度を常温よりも高くする
ことにより、処理室間の基板１の搬送に際し、基板１の
温度の均一性を損なうことなく、スループットを向上さ
せることができると共に、製品の特性を安定させて歩留
まりを向上させることができるという効果を奏する。

【００５０】さらに、本実施の形態によれば、搬送アー
ム１２の基板接触部１３を加熱し、搬送アーム１２の基
板接触部１３の温度を搬送先の処理室の処理温度程度に
制御することにより、処理室間の基板１の搬送に際し、
基板１の温度の均一性を損なうことがないと共に、基板
１を搬送先の処理室の処理温度に素速く到達されること
ができ、スループットを向上させることができると共
に、製品の特性を安定させて歩留まりを向上させること
ができるという効果を奏する。

【００５１】さらに、本実施の形態によれば、搬送アー
ム１２の基板接触部１３の加熱に予備加熱室３０を用い
るため、加熱のための装置を追加することなく搬送アー
ム１２の基板接触部１３の温度を常温よりも高くするこ
とができ、処理室間の基板１の搬送に際し、基板１の温
度の均一性を損なうことなく、スループットを向上させ
ることができると共に、製品の特性を安定させて歩留ま
りを向上させることができるという効果を奏する。

【００５２】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記
構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定さ
れず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に
することができる。なお、各図において、同一構成要素
には同一符号を付している。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、搬送アームの基板接触
部を加熱し、搬送アームの基板接触部の温度を常温より
も高くすることにより、処理室間の基材の搬送に際し、
基材の温度の均一性を損なうことなく、スループットを
向上させることができると共に、製品の特性を安定させ
て歩留まりを向上させることができるという効果を奏す
る。

【００５４】さらに、本発明によれば、搬送アームの基
板接触部を加熱し、搬送アームの基板接触部の温度を搬
送先の処理室の処理温度程度に制御することにより、処
理室間の基材の搬送に際し、基材の温度の均一性を損な
うことがないと共に、基材を搬送先の処理室の処理温度
に素速く到達されることができ、スループットを向上さ
せることができると共に、製品の特性を安定させて歩留
まりを向上させることができるという効果を奏する。

【００５５】さらに、本発明によれば、搬送アームの基
板接触部の加熱に予備加熱室を用いるため、加熱のため
の装置を追加することなく搬送アームの基板接触部の温
度を常温よりも高くすることができ、処理室間の基材の
搬送に際し、基材の温度の均一性を損なうことなく、ス
ループットを向上させることができると共に、製品の特
性を安定させて歩留まりを向上させることができるとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の実施の形
態が用いられる薄膜トランジスタ製造装置の構成を示す
構成図である。

【図２】図１に示す搬送アームの基板接触部の第１の実
施の形態の構成を示す図であり、（ａ）は、上面図であ
り、（ｂ）は、断面図である。

【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施の形態による温度制御例を説明するための工程図であ
る。

【図４】従来の基板を搬送する半導体アームの基板接触
部の構成を示す図であり、（ａ）は、上面図であり、
（ｂ）は、断面図である。

【図５】ディスプレイ装置の構成を示すブロック図であ
る。

【図６】ディスプレイ装置の構成を示す図である。

【図７】電子機器の構成を示す図である。

【符号の説明】

１０ 搬送室 １１ 搬送ロボット １２ 搬送アーム １３ 基板接触部 １４ 加熱部 １５ 温度センサ １６ 温度制御部 ２０ ロードロック室 ３０ 予備加熱室 ４０ 半導体成膜室 ５０ 結晶化室 ６０ プラズマ処理室 ７０ 酸化膜成膜室 Ｓ１〜６ シャッタ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室内に基材を搬送する基材搬送方法
   において、 前記処理室内部の雰囲気を所定温度にする工程と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を前記処理室内
   部に搬入する工程と、を備えたことを特徴とする基材の
   基材搬送方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基材搬送方法におい
   て、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記所定
   温度の±１０％以内の温度となるように温度調整するこ
   とを特徴とする基材搬送方法。
3. 【請求項３】 第１の処理室から第２の処理室に基材を
   搬送する基材搬送方法において、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 搬送器に設置された状態で前記基材を第１の処理室から
   第２の処理室に基材を搬送する工程と、を具備すること
   を特徴とする基材搬送方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基材搬送方法におい
   て、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記第２
   の処理室内の温度の±１０％以内の温度となるように温
   度調整することを特徴とする基材搬送方法。
5. 【請求項５】 第１の成膜室内にて基材上に半導体膜を
   成膜する半導体装置の製造方法において、 前記成膜室内部を成膜温度に加熱する工程と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 前記搬送器の温度を調整した後、前記基材を、前記成膜
   温度に加熱された前記成膜室内部に搬入する工程と、を
   備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置の製造方法
   において、 前記成膜温度は３５０℃以上５５０℃以下であり、前記
   搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記成膜温度
   の±１０％以内となるように前記搬送器の温度を調整す
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５又は請求項６に記載の半導体装
   置の製造方法において、 前記第１の温度に調整する工程は、第１の予備加熱室内
   で行われ、 前記成膜温度は３５０℃以上５５０℃以下であり、前記
   第１の予備加熱室の温度が、前記成膜温度以上前記成膜
   温度より１０％高い温度以下となるように温度調整する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項５乃至請求項７のうちいずれかに
   記載の半導体装置の製造方法において、 前記半導体膜を結晶化室内で結晶化させる工程と、 前記結晶化室内の温度を結晶化処理温度に加熱する工程
   と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を第２の温度に調整す
   る工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を、前記結晶化
   処理温度に加熱された前記結晶化室内に搬入する工程
   と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体装置の製造方法
   において、 前記結晶化処理温度は０℃以上４５０℃以下であり、前
   記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記結晶化
   処理温度の±１０％以内となるように前記搬送器の温度
   を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項８又は請求項９に記載の半導体
    装置の製造方法において、 前記搬送器の温度を調整する工程は、第２の予備加熱室
    内で行われ、 前記結晶化処理温度は０℃以上４５０℃以下であり、前
    記第２の予備加熱室の温度が、前記結晶化処理温度以上
    前記結晶化処理温度より１０％高い温度以下となるよう
    に温度調整することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 請求項５乃至請求項１０のうちいずれ
    かに記載の半導体装置の製造方法において、 絶縁膜形成室内にて前記半導体膜上に絶縁膜を形成する
    工程と、 前記絶縁膜形成室内を絶縁膜形成温度に調整する工程
    と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を第３の温度に調整す
    る工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を、絶縁膜形成
    温度に加熱された前記成膜室内部に搬入する工程と、を
    備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の半導体装置の製造
    方法において、 前記絶縁膜形成温度は０℃以上３５０℃以下であり、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記絶縁
    膜形成温度の±１０％以内となるように前記第３の温度
    を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求５乃至請求項１２のうちいずれか
    に記載の方法によって製造された半導体装置を含むこと
    を特徴とする集積回路。
14. 【請求項１４】 スイッチング素子と、前記スイッチン
    グ素子により制御される電気光学層と、を含むディスプ
    レイ装置において、 前記スイッチング素子は、請求項５乃至請求項１３のう
    ちいずれかに記載の方法により製造される半導体装置を
    含むことを特徴とするディスプレイ装置。
15. 【請求項１５】 表示部としてディスプレイ装置を含む
    電子機器において、 前記表示部として請求項１４に記載のディスプレイ装置
    を搭載したことを特徴とする電子機器。