JP2003347386A - 基材搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプレイ装置、及び電子機器 - Google Patents

基材搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプレイ装置、及び電子機器

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JP2003347386A
JP2003347386A JP2002151381A JP2002151381A JP2003347386A JP 2003347386 A JP2003347386 A JP 2003347386A JP 2002151381 A JP2002151381 A JP 2002151381A JP 2002151381 A JP2002151381 A JP 2002151381A JP 2003347386 A JP2003347386 A JP 2003347386A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、処理室間の基板1の搬送に際し、
基板1の温度の均一性を損なうことなく、スループット
を向上させることができると共に、製品の特性を安定さ
せて歩留まりを向上させることができる半導体装置の製
造方法を提供を提供することを課題とする。 【解決手段】 搬送アーム12の先端部に設けられた基
板1を保持する基板接触部13と、基板接触部13を加
熱する加熱部14と、基板接触部13の温度を検出する
温度センサ15と、温度センサ15から温度情報に基づ
いて加熱部14をオン/オフして基板接触部13の温度
を制御する温度制御部16とを有し、搬送ロボット11
によって基板1を搬送するに際し、搬送ロボット11の
基板1を保持する基板接触部13を加熱し、基板接触部
13の温度を各処理室の処理温度付近まで高めた状態で
基板1を保持して搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基材を搬送する基
材搬送方法、及び半導体装置の製造方法に関する。ま
た、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装
置、電気泳動表示装置等のディスプレイ装置、又は集積
回路等に好適に利用できる半導体装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来の基板を搬送する半導体ア
ームの基板接触部の構成を示す図であり、(a)は、上
面図であり、(b)は、断面図である。従来、下地保護
膜成膜処理、半導体膜成膜処理、結晶化処理、水素化処
理、ゲート絶縁膜成膜処理等の処理を行うそれぞれ処理
室間の基板1の搬送を行う搬送ロボットは、図4に示す
ように、搬送アーム12の先端部に設けられた基板接触
部13で基板1を保持して搬送する構成となっている。
また、搬送アーム12および基板接触部13は、通常A
l等の金属によって構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、処理室間の基板1の搬送に際し、基板1の温度
が基板接触部13と接触する部分と接触しない部分とで
異なってしまい、基板1の温度が不均一な状態で搬送先
の処理室で処理を行うと製品の特性がばらついてしま
う。また、搬送先の処理室で基板1全体が均一な所望の
処理温度に達するまで待ってから処理を行う場合には、
処理スピードが遅くなり、スループットが低下してしま
うという問題点があった。
【0004】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、処理室間の基材の
搬送に際し、基材の温度の均一性を損なうことなく、ス
ループットを向上させることができると共に、製品の特
性を安定させて歩留まりを向上させることができる基材
搬送方法、半導体装置の製造方法、集積回路、ディスプ
レイ装置、及び電子機器を提供する点にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本発明に係る基材搬送方法は、処理室内に
基材を搬送する基材搬送方法において、前記処理室内部
の雰囲気を所定温度にする工程と、前記基材を搬送する
搬送器の温度を調整する工程と、前記搬送器に設置され
た状態で前記基材を前記処理室内部に搬入する工程とを
備えたことを特徴とする。
【0006】本発明によれば、処理室内に基材を搬送す
るに際し、基材と搬送器との接触によって基材の温度の
均一性が損なわれず、基材全体を均一に処理温度に素速
く到達させることができるため、スループットが向上
し、製品の特性を安定させて歩留まりが向上する。
【0007】また本発明に係る基材搬送方法は、前記搬
送器の前記基材との接触部分の温度が、前記所定温度の
±10%以内の温度となるように温度調整することが望
ましい。これにより、基材を搬送先の処理室の処理温度
に素速く到達させる。
【0008】また本発明に係る基材搬送方法は、第1の
処理室から第2の処理室に基材を搬送する基材の搬送方
法において、前記基材を搬送する搬送器の温度を調整す
る工程と、搬送器に設置された状態で前記基材を第1の
処理室から第2の処理室に基材を搬送する工程とを具備
することを特徴とする。
【0009】本発明によれば、第1の処理室から第2の
処理室に基材を搬送するに際し、基材の温度の均一性を
損なうことなく搬送し、基材全体を均一に第2の処理室
の処理温度に素速く到達させることができるため、スル
ープットが向上し、製品の特性を安定させて歩留まりが
向上する。
【0010】また本発明に係る基材搬送方法は、前記搬
送器の前記基材との接触部分の温度が、前記第2の処理
室内の温度の±10%以内の温度となるように温度調整
することが望ましい。これにより、これにより、基材を
搬送先の第2の処理室の処理温度に素速く到達させる。
【0011】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、第1の成膜室内にて基材上に半導体膜を成膜する半
導体装置の製造方法において、前記成膜室内部を成膜温
度に加熱する工程と、前記基材を搬送する搬送器の温度
を調整する工程と、前記搬送器の温度を調整した後、前
記基材を、前記成膜温度に加熱された前記成膜室内部に
搬入する工程とを備えたことを特徴とする。
【0012】本発明によれば、基材を成膜温度に加熱さ
れた成膜室内部に搬入するに際し、基材の温度の均一性
を損なうことなく搬送し、基材全体を均一に成膜温度に
素速く到達させることができるため、スループットが向
上し、製品の特性を安定させて歩留まりが向上する。
【0013】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記成膜温度は350℃以上550℃以下であり、
前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記成膜
温度の±10%以内となるように前記搬送器の温度を調
整することが望ましい。これにより、基材を成膜温度に
素速く到達させる。
【0014】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記第1の温度に調整する工程は、第1の予備加熱
室内で行われ、前記成膜温度は350℃以上550℃以
下であり、前記第1の予備加熱室の温度が、前記成膜温
度以上前記成膜温度より10%高い温度以下となるよう
に温度調整することが望ましい。
【0015】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記半導体膜を結晶化室内で結晶化させる工程と、
前記結晶化室内の温度を結晶化処理温度に加熱する工程
と、前記基材を搬送する搬送器の温度を第2の温度に調
整する工程と、前記搬送器に設置された状態で前記基材
を、前記結晶化処理温度に加熱された前記結晶化室内に
搬入する工程とを備えることを特徴とする。これによ
り、基材を結晶化室に搬入するに際し、基材の温度の均
一性を損なうことなく搬送し、基材全体を均一に結晶化
処理温度に素速く到達させることができるため、スルー
プットが向上し、製品の特性を安定させて歩留まりが向
上する。
【0016】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記結晶化処理温度は0℃以上450℃以下であ
り、前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記
結晶化処理温度の±10%以内となるように前記搬送器
の温度を調整することが望ましい。これにより、基材を
結晶化処理温度に素速く到達させる。
【0017】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記搬送器の温度を調整する工程は、第2の予備加
熱室内で行われ、前記結晶化処理温度は0℃以上450
℃以下であり、前記第2の予備加熱室の温度が、前記結
晶化処理温度以上結晶化処理温度より10%高い温度以
下となるように温度調整することが望ましい。
【0018】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、絶縁膜形成室内にて前記半導体膜上に絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜形成室内を絶縁膜形成温度に調
整する工程と、前記基材を搬送する搬送器の温度を第3
の温度に調整する工程と、前記搬送器に設置された状態
で前記基材を、絶縁膜形成温度に加熱された前記成膜室
内部に搬入する工程とを備えることを特徴とする。これ
により、基材を絶縁膜形成室に搬入するに際し、基材の
温度の均一性を損なうことなく搬送し、基材全体を均一
に絶縁膜形成温度に素速く到達させることができるた
め、スループットが向上し、製品の特性を安定させて歩
留まりが向上する。
【0019】また本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記絶縁膜形成温度は0℃以上350℃以下であ
り、前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記
絶縁膜形成温度の±10%以内となるように前記第3の
温度を調整することが望ましい。これにより、基材を絶
縁膜形成温度に素速く到達させる。
【0020】また本発明に係る集積回路は、上記半導体
装置の製造方法により製造された半導体装置を含むこと
を特徴とする。
【0021】また本発明に係るディスプレイ装置は、上
記半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を
含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子により
制御される電気光学層とを含むことを特徴とする。
【0022】また本発明に係る電子機器は、上記半導体
装置の製造方法により製造された半導体装置を含むスイ
ッチング素子を有するディスプレイ装置を表示部として
搭載したことを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【0024】図1は、本発明に係る半導体装置の製造方
法の実施の形態が用いられる薄膜トランジスタ製造装置
の構成を示す構成図である。
【0025】本実施の形態が用いられるTFT製造装置
の概略構成は、図1を参照すると、基板1を搬送アーム
12で搬送する搬送ロボット11が配置された搬送室1
0が構成され、搬送室10の周りに基板1の搬入出を行
うロードロック室20と、基板1を加熱する予備加熱室
30と、CVD法やPVD法により半導体膜の形成を行
う半導体成膜室40と、レーザ照射によって結晶化を行
う結晶化室50と、不対電子対を水素終端するプラズマ
処理室60と、シリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)の形成
を行う酸化膜成膜室70とが構成されている。搬送室1
0とロードロック室20とは、シャッタS2を介して接
続され、搬送室10と半導体成膜室40は、シャッタS
3を介して接続され、搬送室10と結晶化室50とは、
シャッタS4を介して接続され、搬送室10とプラズマ
処理室60とは、シャッタS5を介して接続され、搬送
室10と酸化膜成膜室70とは、シャッタS6を介して
接続されている。ロードロック室20にはシャッタS1
によって開閉される基板搬入出口が構成されている。
【0026】搬送室10、予備加熱室30、半導体成膜
室40、結晶化室50、プラズマ処理室60および酸化
膜成膜室70は、外気から遮断されており、ロードロッ
ク室20に搬入された基板1は、搬送ロボット11によ
り外気から遮断された状態で各処理室に搬入され、外気
から遮断された状態で、下地保護膜および半導体膜成膜
処理と、結晶化処理と、水素化処理と、ゲート絶縁膜成
膜処理とが行われる。
【0027】(第1の実施の形態)図2は、図1に示す
搬送アームの基板接触部の第1の実施の形態の構成を示
す図であり、(a)は、上面図であり、(b)は、断面
図である。
【0028】第1の実施の形態で用いられる搬送ロボッ
ト11は、図2を参照すると、搬送アーム12の先端部
に設けられた基板1を保持する基板接触部13と、基板
接触部13を加熱する加熱部14と、基板接触部13の
温度を検出する温度センサ15と、温度センサ15から
温度情報に基づいて加熱部14をオン/オフして基板接
触部13の温度を制御する温度制御部16とを有し、搬
送ロボット11によって基板1を搬送するに際し、搬送
ロボット11の基板1を保持する基板接触部13を加熱
し、基板接触部13の温度を各処理室の処理温度付近ま
で高めた状態で基板1を保持して搬送する。
【0029】加熱部14は、ニクロム線等の発熱部材で
あり、図2(a)に示すように、基板接触部13をムラ
なく加熱できるように基板接触部13の全面にわたって
満遍なく配置されている。また、温度センサ15として
は、熱電対、赤外線センサ等が用いられる。
【0030】次に、第1の実施の形態の温度制御部16
による基板接触部13の温度制御例について図3を参照
して詳細に説明する。図3は、本発明に係る半導体装置
の製造方法の第1の実施の形態による温度制御例を説明
するための工程図である。
【0031】まず、ロードロック室20に搬入された基
板1を搬送アーム12の基板接触部13で保持してロー
ドロック室20から搬送室10を介して予備加熱室30
に搬入し(搬送)、予備加熱室30で基板1を450
℃程度に予備加熱する。
【0032】次に、450℃程度に予備加熱された基板
1を搬送アーム12の基板接触部13で保持して予備加
熱室30から搬送室10を介して半導体成膜室40に搬
入する(搬送)。半導体成膜室40では、基板温度が
430℃程度の温度条件下で、基板1の全面に厚さが2
00nm程度のシリコン酸化膜からなる下地保護膜と、
基板1の全面に厚さが60nm程度のアモルファスシリ
コン膜からなる半導体膜とをプラズマCVD法により形
成する。搬送において、基板接触部13の温度は、温
度制御部16によって搬送先である半導体成膜室40の
成膜温度である430℃程度に制御される。なお、半導
体成膜室40での成膜温度は、350℃以上550℃以
下であることが望ましく、半導体成膜室40に基板1を
搬入する際の予備加熱室30での予備加熱で基板1の温
度を半導体成膜室40の成膜温度以上成膜温度より10
%高い温度以下とすることが望ましい。また、半導体成
膜室40に搬入する際の基板接触部13の温度は、半導
体成膜室40の成膜温度の±10%以内になるように制
御することが望ましい。
【0033】次に、基板1を搬送アーム12の基板接触
部13で保持して半導体成膜室40から搬送室10を介
して予備加熱室30に搬入し(搬送)、予備加熱室3
0で基板1を490℃程度に予備加熱する。搬送にお
いて、基板接触部13の温度は、温度制御部16によっ
て搬送先である予備加熱室30の処理温度である490
℃程度に制御される。
【0034】次に、490℃程度に予備加熱された基板
1を搬送アーム12の基板接触部13で保持して予備加
熱室30から搬送室10を介して結晶化室50に搬入す
る(搬送)。結晶化室50では、基板温度が400℃
程度の温度条件下で、基板1に形成された半導体膜の少
なくとも表面層を、エネルギー光(レーザー光やRTA
光)によって真空中(減圧下)の非酸化性雰囲気中にお
いて溶融結晶化する。搬送において、基板接触部13
の温度は、温度制御部16によって搬送先である結晶化
室50の結晶化処理温度である400℃程度に制御され
る。なお、結晶化室50での結晶化処理温度は、0℃以
上450℃以下であることが望ましく、結晶化室50に
基板1を搬入する際の予備加熱室30での予備加熱で基
板1の温度を結晶化室50の結晶化処理温度以上結晶化
処理温度より10%高い温度以下とすることが望まし
い。また、結晶化室50に搬入する際の基板接触部13
の温度は、結晶化室50の結晶化処理温度の±10%以
内になるように制御することが望ましい。
【0035】次に、基板1を搬送アーム12の基板接触
部13で保持して結晶化室50から搬送室10を介して
プラズマ処理室60に搬入する(搬送)。プラズマ処
理室60では、基板温度が350℃程度の温度条件下
で、基板1を減圧下に保持した状態で、40.68MH
zの酸素プラズマを照射し、引き続いて水素プラズマを
照射して、半導体膜中に成在するシリコン膜の不対結合
を終端化し、溶融結晶化した半導体膜に存在する欠陥を
低減する。搬送において、基板接触部13の温度は、
温度制御部16によって搬送先であるプラズマ処理室6
0の処理温度である350℃程度に制御される。
【0036】次に、基板1を搬送アーム12の基板接触
部13で保持してプラズマ処理室60から搬送室10を
介して酸化膜成膜室70に搬入する(搬送)。酸化膜
成膜室70では、基板温度が350℃程度の温度条件下
で、基板1の全面に厚さ10nm〜50nmのシリコン
酸化膜からなるゲート絶縁膜をプラズマCVD法により
形成する。搬送において、基板接触部13の温度は、
温度制御部16によって搬送先である酸化膜成膜室70
の処理温度である350℃程度に制御される。なお、酸
化膜成膜室70での絶縁膜形成温度は、0℃以上350
℃以下であることが望ましく、酸化膜成膜室70に搬入
する際の基板接触部13の温度は、酸化膜成膜室70の
絶縁膜形成温度の±10%以内になるように制御するこ
とが望ましい。
【0037】次に、基板1を搬送アーム12の基板接触
部13で保持して酸化膜成膜室70から搬送室10を介
してロードロック室20に搬入し(搬送)、ロードロ
ック室20に搬入された基板1を装置外に搬出する。
【0038】なお、搬送〜において、基板接触部1
3の温度を搬送先の処理室の処理温度に制御したが、基
板接触部13の温度を常温以上にすることにより、基板
1を温度分布が略均一な状態で次の処理室に搬送する効
果が期待でき、基板接触部13の温度は、搬送ロボット
11による基板1の搬送時間、搬送前の処理室での基板
1の処理温度、搬送先の処理室での基板1の処理温度、
搬送室10の温度等によって適宜設定すると良い。ま
た、基板1を温度分布が略均一な状態で次の処理室に搬
送するためには、基板接触部13の温度を搬送前の処理
室の温度と、搬送先の処理室の温度との間の温度に設定
するのが好適である。
【0039】また、第1の実施の形態では、搬送〜
において、基板接触部13の温度をそれぞれ異なる温度
に制御を行うように構成したが、常に同じ温度に基板接
触部13を制御するようにしても良い。この場合の基板
接触部13の温度は、各処理室の処理温度のもっとも高
い温度ともっとも低い温度との間に設定すると良く、好
ましくは、各処理室の処理温度の平均値程度(第1の実
施の形態では、400℃程度)に設定する。
【0040】(第2の実施の形態)第1の実施の形態で
は、搬送アーム12の基板接触部13を加熱部14によ
って加熱するように構成したが、第2の実施の形態で
は、予備加熱室30によって搬送アーム12の基板接触
部13を加熱する。
【0041】すなわち、各処理室での処理時間は、1〜
5分程度であるのに対し、搬送〜の搬送時間は、2
0秒程度であり、搬送ロボット11は、常に動作してい
るわけではなく、搬送アーム12が停止している状態が
存在し、この搬送アーム12が停止している状態で、搬
送アーム12の基板接触部13を予備加熱室30に挿入
して加熱する。予備加熱室30により基板接触部13の
加熱は、基板接触部13に基板1が保持されていない状
態で行われる。
【0042】予備加熱室30による加熱により、搬送ア
ーム12の基板接触部13の温度は、常温よりも高くす
ることができ、基板接触部13の温度が常温よりも高い
状態で基板1を搬送することができる。
【0043】(ディスプレイ装置)図5は、ディスプレ
イ装置の構成を示すブロック図であり、図6は、ディス
プレイ装置の構成を示す図であり、図5および図6に、
本発明に係る第1乃至3の実施の形態によって製造した
半導体装置であるTFTを適用したディスプレイ装置の
概要を示す。
【0044】ディスプレイ装置は、液晶表示装置であ
り、図5を参照すると、アクティブマトリクス部(画素
部)100と、データ線ドライバ101と、走査線ドラ
イバ102とからなるアクティブマトリックス基板94
0を、タイミングコントローラ103と、映像信号増幅
回路104と、映像信号発生装置105とによって駆動
する構成となっている。アクティブマトリクス部10
0、データ線ドライバ101および走査線ドライバ10
2に、本発明に係る第1乃至3の実施の形態によって製
造した半導体装置であるTFTが用いられる。
【0045】またディスプレイ装置は、図6を参照する
と、アクティブマトリクス基板940上に、アクティブ
マトリクス部100、データ線ドライバ101および走
査線ドライバ102を構成するTFTを同一の製造プロ
セスで形成する。つまり、ドライバ搭載型のアクティブ
マトリクス基板940を用いて液晶表示装置を構成し、
バックライト900と、偏光板920と、アクティブマ
トリクス基板940と、液晶950と、カラーフィルタ
基板(対向基板)960と、偏光板970とからなる。
【0046】(電子機器)図7は、電子機器の構成を示
す図であり、図7に、上述のディスプレイ装置を用いて
構成される電子機器の概要を示す。
【0047】電子機器は、図7を参照すると、表示情報
出力源1000と、表示情報処理回路1001と、表示
駆動回路1002と、上述のディスプレイ装置である液
晶パネル1003と、タイミングジェネレータ1004
と、電源回路1005とを含んで構成される。表示情報
出力源1000は、ROM、RAMなどのメモリ、テレ
ビ信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成さ
れ、タイミングジェネレータ1004からのクロックに
基づいて、ビデオ信号などの表示情報を出力する。表示
情報処理回路1001は、タイミングジェネレータ10
04からのクロックに基づいて表示情報を処理して出力
する。この表示情報処理回路1001は、例えば増幅・
極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガン
マ補正回路あるいはクランプ回路等を含むことができ
る。表示駆動回路1002は、走査側駆動回路及びデー
タ側駆動回路を含んで構成され、液晶パネル1003を
表示駆動する。電源回路1005は、上述の各回路に電
力を供給する。
【0048】このような構成の電子機器として、液晶プ
ロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュ
ータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーショ
ン(EWS)、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプ
ロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視
型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算
機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネ
ルを備えた装置等を挙げることができる。
【0049】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、搬送アーム12の基板接触部13を加熱し、搬送ア
ーム12の基板接触部13の温度を常温よりも高くする
ことにより、処理室間の基板1の搬送に際し、基板1の
温度の均一性を損なうことなく、スループットを向上さ
せることができると共に、製品の特性を安定させて歩留
まりを向上させることができるという効果を奏する。
【0050】さらに、本実施の形態によれば、搬送アー
ム12の基板接触部13を加熱し、搬送アーム12の基
板接触部13の温度を搬送先の処理室の処理温度程度に
制御することにより、処理室間の基板1の搬送に際し、
基板1の温度の均一性を損なうことがないと共に、基板
1を搬送先の処理室の処理温度に素速く到達されること
ができ、スループットを向上させることができると共
に、製品の特性を安定させて歩留まりを向上させること
ができるという効果を奏する。
【0051】さらに、本実施の形態によれば、搬送アー
ム12の基板接触部13の加熱に予備加熱室30を用い
るため、加熱のための装置を追加することなく搬送アー
ム12の基板接触部13の温度を常温よりも高くするこ
とができ、処理室間の基板1の搬送に際し、基板1の温
度の均一性を損なうことなく、スループットを向上させ
ることができると共に、製品の特性を安定させて歩留ま
りを向上させることができるという効果を奏する。
【0052】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記
構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定さ
れず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に
することができる。なお、各図において、同一構成要素
には同一符号を付している。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、搬送アームの基板接触
部を加熱し、搬送アームの基板接触部の温度を常温より
も高くすることにより、処理室間の基材の搬送に際し、
基材の温度の均一性を損なうことなく、スループットを
向上させることができると共に、製品の特性を安定させ
て歩留まりを向上させることができるという効果を奏す
る。
【0054】さらに、本発明によれば、搬送アームの基
板接触部を加熱し、搬送アームの基板接触部の温度を搬
送先の処理室の処理温度程度に制御することにより、処
理室間の基材の搬送に際し、基材の温度の均一性を損な
うことがないと共に、基材を搬送先の処理室の処理温度
に素速く到達されることができ、スループットを向上さ
せることができると共に、製品の特性を安定させて歩留
まりを向上させることができるという効果を奏する。
【0055】さらに、本発明によれば、搬送アームの基
板接触部の加熱に予備加熱室を用いるため、加熱のため
の装置を追加することなく搬送アームの基板接触部の温
度を常温よりも高くすることができ、処理室間の基材の
搬送に際し、基材の温度の均一性を損なうことなく、ス
ループットを向上させることができると共に、製品の特
性を安定させて歩留まりを向上させることができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の製造方法の実施の形
態が用いられる薄膜トランジスタ製造装置の構成を示す
構成図である。
【図2】図1に示す搬送アームの基板接触部の第1の実
施の形態の構成を示す図であり、(a)は、上面図であ
り、(b)は、断面図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の製造方法の第1の実
施の形態による温度制御例を説明するための工程図であ
る。
【図4】従来の基板を搬送する半導体アームの基板接触
部の構成を示す図であり、(a)は、上面図であり、
(b)は、断面図である。
【図5】ディスプレイ装置の構成を示すブロック図であ
る。
【図6】ディスプレイ装置の構成を示す図である。
【図7】電子機器の構成を示す図である。
【符号の説明】
10 搬送室 11 搬送ロボット 12 搬送アーム 13 基板接触部 14 加熱部 15 温度センサ 16 温度制御部 20 ロードロック室 30 予備加熱室 40 半導体成膜室 50 結晶化室 60 プラズマ処理室 70 酸化膜成膜室 S1〜6 シャッタ

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理室内に基材を搬送する基材搬送方法
    において、 前記処理室内部の雰囲気を所定温度にする工程と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を前記処理室内
    部に搬入する工程と、を備えたことを特徴とする基材の
    基材搬送方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基材搬送方法におい
    て、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記所定
    温度の±10%以内の温度となるように温度調整するこ
    とを特徴とする基材搬送方法。
  3. 【請求項3】 第1の処理室から第2の処理室に基材を
    搬送する基材搬送方法において、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 搬送器に設置された状態で前記基材を第1の処理室から
    第2の処理室に基材を搬送する工程と、を具備すること
    を特徴とする基材搬送方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の基材搬送方法におい
    て、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記第2
    の処理室内の温度の±10%以内の温度となるように温
    度調整することを特徴とする基材搬送方法。
  5. 【請求項5】 第1の成膜室内にて基材上に半導体膜を
    成膜する半導体装置の製造方法において、 前記成膜室内部を成膜温度に加熱する工程と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を調整する工程と、 前記搬送器の温度を調整した後、前記基材を、前記成膜
    温度に加熱された前記成膜室内部に搬入する工程と、を
    備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記成膜温度は350℃以上550℃以下であり、前記
    搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記成膜温度
    の±10%以内となるように前記搬送器の温度を調整す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項5又は請求項6に記載の半導体装
    置の製造方法において、 前記第1の温度に調整する工程は、第1の予備加熱室内
    で行われ、 前記成膜温度は350℃以上550℃以下であり、前記
    第1の予備加熱室の温度が、前記成膜温度以上前記成膜
    温度より10%高い温度以下となるように温度調整する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項5乃至請求項7のうちいずれかに
    記載の半導体装置の製造方法において、 前記半導体膜を結晶化室内で結晶化させる工程と、 前記結晶化室内の温度を結晶化処理温度に加熱する工程
    と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を第2の温度に調整す
    る工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を、前記結晶化
    処理温度に加熱された前記結晶化室内に搬入する工程
    と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の半導体装置の製造方法
    において、 前記結晶化処理温度は0℃以上450℃以下であり、前
    記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記結晶化
    処理温度の±10%以内となるように前記搬送器の温度
    を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項8又は請求項9に記載の半導体
    装置の製造方法において、 前記搬送器の温度を調整する工程は、第2の予備加熱室
    内で行われ、 前記結晶化処理温度は0℃以上450℃以下であり、前
    記第2の予備加熱室の温度が、前記結晶化処理温度以上
    前記結晶化処理温度より10%高い温度以下となるよう
    に温度調整することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項5乃至請求項10のうちいずれ
    かに記載の半導体装置の製造方法において、 絶縁膜形成室内にて前記半導体膜上に絶縁膜を形成する
    工程と、 前記絶縁膜形成室内を絶縁膜形成温度に調整する工程
    と、 前記基材を搬送する搬送器の温度を第3の温度に調整す
    る工程と、 前記搬送器に設置された状態で前記基材を、絶縁膜形成
    温度に加熱された前記成膜室内部に搬入する工程と、を
    備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の半導体装置の製造
    方法において、 前記絶縁膜形成温度は0℃以上350℃以下であり、 前記搬送器の前記基材との接触部分の温度が、前記絶縁
    膜形成温度の±10%以内となるように前記第3の温度
    を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項13】 請求5乃至請求項12のうちいずれか
    に記載の方法によって製造された半導体装置を含むこと
    を特徴とする集積回路。
  14. 【請求項14】 スイッチング素子と、前記スイッチン
    グ素子により制御される電気光学層と、を含むディスプ
    レイ装置において、 前記スイッチング素子は、請求項5乃至請求項13のう
    ちいずれかに記載の方法により製造される半導体装置を
    含むことを特徴とするディスプレイ装置。
  15. 【請求項15】 表示部としてディスプレイ装置を含む
    電子機器において、 前記表示部として請求項14に記載のディスプレイ装置
    を搭載したことを特徴とする電子機器。
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