CN101276777B - 基板载置台以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板载置台，能够防止设置在层叠多个板构成的载置台上的升降销的破损以及电极的破损，该基板载置台包括：升降销(242)，其升降自由地设置在贯通配置在最上部的电极板(210)的销插通孔(214)中；和用于对升降销(242)的升降进行引导的升降导向体(300)，升降导向体(300)被配置成通过层叠在电极板(210)的下侧的温度调整用板(220)的通孔(226)，并且通过定位销(350)被位置限定为相对于电极板(210)不能水平移动。

Description

基板载置台以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于载置液晶显示器(Liquid Crystal Display)、有机电致发光显示器(Electro-Luminescence Display)等平板显示器(Flat PanelDisplay)用基板的基板载置台以及基板处理装置。
背景技术
在单片处理这种基板的基板处理装置中，有必要利用搬送臂等将未处理的基板逐个地搬入设置在处理室内的载置台上，并将处理后的基板从搬送室搬出。因此，为了协助相对于处理室的载置台进行的装载以及卸载，一般多使用升降销机构，用于利用升降销将基板提升至载置台的载置面的更上方。
作为这种现有技术的升降销机构，例如，如专利文献1所示，公知有下述升降销机构，即，在由单片电极板构成的载置台中，为了防止因电极板的热膨胀所引起的升降销孔和升降销的位置偏移，而在电极板的下侧安装有升降销机构的升降导向体。此外，如专利文献2所示，使升降销插通通过层叠上板和下板所构成的电极，并且在处理室的底部安装有升降销的升降导向体(支撑机构)。
专利文献1：日本特开平10-102259号公报
专利文献2：日本特开2001-185606号公报
然而，在专利文献2所记载的载置台中，对于具有层叠多个板构成的电极的载置台而言，因为例如对电极的温度进行调整、产生等离子体等情况均会导致各板温度的上升，因此都会引起热膨胀。此时，因为配置在最上部的板其上侧的表面从处理室内露出，因此更容易受到随着等离子体生成所带来的影响以及处理室内温度的影响等，所以，在最上部的板与其下侧的板之间产生温度差。因此，这些板的热膨胀量具有差别，所以，在最上部的板与其下侧的板之间产生水平方向的位置偏移。
因此，在这种具有层叠多个板构成的电极的载置台中，与专利文献1、2的情况相同，若在贯通电极即各板的销插通孔中配置升降销，则在最上部的板的销插通孔与其下侧的板的销插通孔之间产生水平方向的位置偏移，插通在其中的升降销有可能受到剪切力的作用。若在升降销上产生有该剪切力的状态下使升降销进行升降，则升降销有可能破损，板有可能破损。
特别是，近年来基板的尺寸也变得越来越大型化，用于载置其的载置台的各板的尺寸也变得大型化。构成该载置台的板的尺寸越大，其热膨胀量也变得越大，因此，无法忽视最上部的板与其下侧的板的水平方向的位置偏移的程度变大，在升降销中更容易产生剪切力。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板载置台等，能够防止设置在具有层叠多个板而构成的电极的载置台上的升降销的破损以及电极的破损。
为了解决上述问题，本发明一方面提供一种基板载置台，具有上下层叠多个板构成的电极，其特征在于，包括：升降销，其升降自由地设置在贯通上述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和用于引导上述升降销的升降的升降导向体，上述升降导向体被配置成通过层叠在上述最上部板的下侧的下侧板的通孔，并且被位置限定为相对于上述最上部板不能在水平方向移动。
为了解决上述问题，本发明另一方面提供一种基板处理装置，用于对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：构成为能够抽真空的处理室；向上述处理室供给处理气体的气体供给单元；配置在上述处理室内的上方，将来自上述气体供给单元的气体向上述载置台上的基板进行导入的气体导入单元；和配置在上述处理室内的下方的基板载置台，上述基板载置台包括：上下层叠多个板构成的电极；升降销，其升降自由地设置在贯通上述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和升降导向体，其用于引导上述升降销的升降，并且被位置限定为相对于上述最上部板不能在水平方向移动。
在本发明所述的基板载置台中，即便因为最上部板的热膨胀比下侧板的热膨胀大而在它们之间产生水平方向的相对位置偏移，也会因为升降导向体在水平方向被位置限定，使其跟随最上部板移动。因此，利用升降导向体进行升降的升降销和最上部板的销插通孔能够始终保持一定的间隙。由此，能够防止因最上部板相对于下侧板产生位置偏移而引起的升降销的折断(破损)以及电极板的破损。
此外，上述升降导向体例如通过嵌插到在升降导向体上面和上述最上部板的下面所形成的定位孔内的定位部件(例如定位销)而被位置限定。通过使用该定位部件，能够简单地对升降导向体相对于最上部板的下面在水平方向的位置进行限制。
此外，上述下侧板的通孔的内径形成为比上述升降导向体的外径大，优选上述内径和上述外径之差根据上述最上部板相对于上述下侧板的最大偏移量决定。由此，当根据处理条件(例如设定温度、处理室内压力、施加在下部电极上的高频电力)的不同而最上部板的热膨胀量不同时，能够与在任意处理条件下进行基板处理的情况相对应。
此外，也可以是上述升降导向体以能够沿着水平方向移动的方式安装在上述下侧板上。由此，通过将升降导向体安装在下侧板上，而能够容易地进行组装。
此外，上述最上部板例如为构成上述电极主体的电极板，上述下侧板例如为用于调整上述电极板的温度的温度调整用板。温度调整用板通常保持在一定温度，与此相对，因为电极板位于最上部，因此易于受到等离子体以及周围温度的影响，所以在电极板与温度调整用板之间特别容易产热膨胀量，从而很容易产生电极板相对于温度调整用板的位置偏移。因此，将本发明应用于这种结构的载置台中效果较大。
为了解决上述问题，本发明其他方面提供一种基板载置台，具有上下层叠多个板构成的电极，其特征在于，包括：升降销，其升降自由地设置在贯通上述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和用于引导上述升降销的升降的升降导向体，上述升降导向体通过将其上部嵌插固定在形成于上述最上部板的下面的定位孔中而被位置限定为不能沿水平方向移动，并且被配置成通过层叠在上述最上部板的下侧的下侧板的通孔。
为了解决上述问题，本发明另一方面提供一种基板处理装置，用于对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：构成为能够抽真空的处理室；向上述处理室供给处理气体的气体供给单元；配置在上述处理室内的上方，将来自上述气体供给单元的气体向上述载置台上的基板进行导入的气体导入单元；和配置在上述处理室内的下方的基板载置台，上述基板载置台包括：上下层叠多个板构成的电极；升降销，其升降自由地设置在贯通上述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和升降导向体，其用于引导上述升降销的升降，上述升降导向体通过将其上部嵌插固定在形成于上述最上部板的下面的定位孔中而被位置限定为不能沿水平方向移动，并且被配置成通过层叠在上述最上部板的下侧的下侧板的通孔。
在本发明所述的基板载置台中，即便因为最上部板的热膨胀比下侧板的热膨胀大而在它们之间产生水平方向的相对位置偏移，也会因为升降导向体被定位在最上部板上的同时被固定，而在水平方向被位置限定，从而其跟随最上部板移动。因此，利用升降导向体进行升降的升降销和最上部板的销插通孔能够始终保持一定的间隙。由此，能够防止因最上部板相对于下侧板产生位置偏移而引起的升降销的折断(破损)以及电极板的破损。
此外，仅通过将升降导向体的上部嵌入并固定在最上部板的定位孔中，便能够很容易地将升降导向体定位在最上部板。由此，例如在将升降销安装在下侧板上的同时，将升降导向体安装在最上部板上，使升降销插入升降导向体内，而能够将最上部板安装在下侧板上，由此，能够很容易地进行组装。
根据本发明，当将升降销配置在具有由多个板构成的载置台上时，能够防止例如因热膨胀引起最上部板相对于下侧板产生位置偏移而导致的升降销的折断(破损)以及电极板的破损。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理装置的结构的截面图。
图2是表示从上侧观察图1所示的载置台的图。
图3A是用于与本实施方式的情况相比较的升降销和升降导向体的配置例的图。
图3B是用于说明在图3A的情况下电极板相对于温度调整用板产生错位时的作用的说明图。
图4A是表示本实施方式的升降销和升降导向体的配置例的图。
图4B是用于说明在图4A的情况下电极板相对于温度调整用板产生错位时的作用的说明图。
图5是表示本实施方式的升降导向体的结构例的截面图。
图6是表示本实施方式的升降导向体的其他结构例的截面图。
标号说明
100：等离子体处理装置；102：处理室；104：基板搬入搬出口；106：门阀；108：排气管；109：排气装置；110：喷淋头；114：匹配器；116：高频电源；122：缓冲室；124：喷出孔；126：气体导入口；128：气体导入管；130：开闭阀；132：质量流量控制器(MFC)；134：处理气体供给源；200：载置台；202：外框部；210：电极板；212：载置面；214、224：销插通孔；216：锪孔；220：温度调整用板；222：流路；226：通孔；228：凸缘插入孔；230：基体部件；242：升降销(中央部升降销、周边部升降销)；243：支撑体；244：销主体；246：支撑棒；248：基部；250：滑动板；252：滑动导向体；254：马达；300：升降导向体；302：导向本体；304：安装部件；306：O环；312：插通孔；314：销孔；316：定心(定位)孔；320：定心用升降套筒；322：波纹管；324：凸缘；330：凸缘部；332：螺栓孔(bolt hole)；340：螺栓；342：衬垫(washer)；344：螺栓；350：定位销；352：定位孔；362、364：O环；366、368：O环；369：O环；G：基板
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。其中，在本说明书以及附图中，对实质上具有同一功能结构的构成要素标注同一符号并省略重复的说明。
(基板处理装置)
首先，参照附图对能够适用于本发明所涉及的基板载置台的基板处理装置的实施方式进行说明。此处，作为基板处理装置，以对载置在基板载置台上的FPD用基板(以下简称为“基板”)G实施蚀刻、成膜等的等离子体处理的等离子体处理装置为例进行说明。图1是表示本实施方式所涉及的基板处理装置的简要结构的纵截面图。图2是从上方观察载置台的图，图1所示载置台的截面图相当于图2所示的P-P’线的截面图。
如图1所示，等离子体处理装置100包括处理室(腔室)102。处理室102通过由例如表面经阳极氧化处理(铝氧化处理(alumite))的铝形成的大致呈角筒形状的处理容器所构成。处理室102接地。在处理室102内的底部配设有用作下部电极的载置台200。载置台200被用作载置矩形基板G的基板载置台。如图2所示，载置台200形成为矩形形状。该载置台200的形状由基板G的形状所决定。该载置台200的具体构成将在下面进行详细说明。
在载置台200的上方，以与其平行相对的方式相对设置有作为上部电极起作用的被用作气体导入单元的喷淋头110。喷淋头110被支撑在处理室102的上部，其内部具有缓冲室122并且在与载置台200相对的下面形成有多个用于喷出处理气体的喷出孔124。作为上部电极的喷淋头110接地，与作为下部电极的载置台200一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头110的上面设置有气体导入口126，气体导入口126与气体导入管128连接。气体导入管128经由开闭阀130、质量流量控制器(MFC)132与由处理气体供给源134构成的气体供给单元连接。
来自于处理气体供给源134的处理气体由质量流量控制器(MFC)132而被控制在规定流量，通过气体导入口126被导入到喷淋头110的缓冲室122。作为处理气体(蚀刻气体)，例如可以使用CF4气体等卤素类气体、O2气体、Ar气体等本领域中通常所使用的气体。
在处理室102的侧壁设置有用于开闭基板搬入搬出口104的门阀106。此外，在处理室102的侧壁的下方设置有排气口，排气口通过排气管108与包括真空泵(图未示出)的排气装置109连接。通过利用该排气装置109对处理室102的室内进行排气，而能够在等离子体处理中将处理室102内维持在规定的真空氛围(例如10mTorr＝大约1.33Pa)
(载置台的构成)
接着，对本实施方式所涉及的载置台200的具体结构进行说明。载置台200通过上下层叠多个(此处为两个)板而构成。具体而言，载置台200由配置在其最上部的作为最上部板的电极板210以及层叠在其下侧的作为下侧板的温度调节用板220所构成。其中，电极板210为构成下部电极的主体的板，温度调节用板220为用于调节电极板210的温度的板。这些电极板210和温度调节用板220以紧密接触(密接)的方式安装。
电极板210通过例如由陶瓷或者石英等绝缘部件构成的基体部件230而被安装在处理室102内的底部。此外，以构成载置台200的外框并且包围电极板210、温度调节用板220、基体部件230的周围的方式设置有例如由陶瓷或者石英等绝缘部件构成的矩形框状的外框部202。
电极板210例如由板状的铝构成，基板G的载置面212所形成的表面经过铝氧化处理。电极板210经由匹配器114与高频电源116的输出端子电气连接。高频电源116的输出频率选择为较高的频率，例如13.56MHz。通过将来自于高频电源116的高频电力施加在电极板210上，而能够在载置于200的载置面212上的基板G之上生成处理气体的等离子体，在基板G上实施规定的等离子体蚀刻处理。
温度调整用板220由与电极板210相同的部件例如板状的铝构成，其内部形成有用于温度调节用介质流动的流路222。通过从图未示出的介质供给源使被调节至规定温度的温度调节用介质在流路222中流动，而能够将电极板210的温度调整为规定的温度。其中，温度调整用板220并不局限于上述结构，例如也可以在内部设置加热器对电极板210进行加热。
在载置台200的多处，为了辅助基板G相对于载置面212进行装载和卸载而设置有用抬升基板G的多个升降销(提升销)242。例如，如图2所示，在载置台200的载置面212的中央部设置有一个升降销(中央部升降销)242，并且在载置面212的周边部沿着各个边并隔开规定间隔设置有10个升降销(周边部升降销)242。在图2所示的例子中，周边部升降销242沿着在载置台212的长度方向互相平行的两条边隔开间隔分别设置有3个，沿着另外两条平行的边隔开间隔分别设置有2个。其中，升降销242的个数并不局限于此，优选结合基板G的尺寸决定。
各升降销242同时从载置面212突出退回(突没)，协同作用以提供用于水平支撑基板G的支撑水平(level)。例如，当利用图未示出的搬送臂相对于载置面212进行基板G的装载以及卸载时，如图1所示那样，基板G在从载置面212浮起的状态下被支撑在升降销242上。
各升降销242构成为能够在上下贯通图1所示的电极板210所形成的销插通孔214内进行自由升降。在各升降销242的中间部设置有用于引导升降销242的升降的升降导向体300。该升降导向体300的具体例子在后面进行说明。各升降销242的下端部经由构成为能够沿着水平方向滑动自如地移动的支撑体243而被支撑在滑动板250上。由此，如后所述，即便升降销242其每个升降导向体300随着电极板210水平移动，支撑体243沿着水平方向滑动，因此，升降销242的升降导向体300的下方也能够始终保持铅直。
滑动板250构成为能够沿着在处理室102的底部下侧针对各升降销242设置的滑动导向体252进行升降。在处理室102的底部下侧安装有用于升降驱动滑动板250的马达254。马达254与控制等离子体处理装置的图未示出的控制部连接。利用来自于控制部的指令驱动马达254使滑动板250进行升降，与此相伴，各升降销242进行升降，各升降销242的前端能够从载置面212突出退回。
(升降销和升降导向体的配置位置)
如本实施方式的载置台200那种，在具有上下层叠电极板210和温度调节用板220的下部电极的载置台中，根据升降销242和升降导向体300的配置位置而有可能如后述那样引起升降销242的破损等，因此，在本实施方式的载置台200中，以不导致上述问题的方式来设置升降销242和升降导向体300。
此处，对于本实施方式的升降销242和升降导向体300的配置位置，在与比较例进行比较的同时进行说明。图3A、图3B表示的是用于与本实施方式的情况进行比较的升降销和升降导向体的配置例及其作用的图，图4A、图4B表示的是本实施方式的升降销和升降导向体的配置例及其作用的图。
图3A表示的下述情况，即，升降销242被配置在分别贯通电极板210和温度调节用板220的销插通孔214、224中，并且升降导向体300被位置限定为相对于下侧的温度调节用板220不能沿水平方向移动。此时，例如将升降导向体300固定在温度调节用板220的下侧从而沿水平方向进行位置限定。其中，也可以在升降导向体300的上面和温度调节用板220的下面设置定位销从而沿水平方向进行位置限定。
如果假设如图3A所示那样配置升降销242和升降导向体300，则产生下述问题。以下，对该问题点进行说明。若使温度调解用介质在载置台200的温度调整用板220的流路222中流通进行温度调整，产生等离子体，则电极板210和温度调整用板220的温度上升，这些均产生热膨胀。
此时，因为在温度调整用板220的流路222中流通被调整至规定温度的温度调解用介质，所以保持在一定的温度。与其相对，对于电极板210而言，因为其上侧的表面从处理室内露出，所以很容易受到随着等离子体的生成所带来的影响以及处理室内温度的影响。因此，电极板210与温度调整用板220之间产生温差，热膨胀量产生差别的必然性高。
例如，当生成等离子体，电极板210产生温度上升的情况时，电极板210一方的温度比温度调整用板220的温度高，所以，电极板210一方的热膨胀量也比温度调整用板220的热膨胀量大。
因该热膨胀量的不同，所以，如图3B所示，在电极板210和温度调整用板220的接触面上沿水平方向产生相对的位置偏移，因此，在电极板210的销插通孔214和温度调整用板220的销插通孔224之间产生位置偏移。
近年来，基板的尺寸变得日益大型化，用于载置其的载置台200的各板的尺寸也变得大型化。构成这种载置台200的电极板210和温度调整用板220的尺寸变得越大，其热膨胀量也变得越大，因此，不能忽视电极板210和温度调整用板220在水平方向上的位置偏移的程度也变大。
这样，随着电极板210和温度调整用板220的位置偏移变大，电极板210的销插通孔214和升降销242之间的空隙(clearance)消失。接着，电极板210的销插通孔214的壁与升降销242接触，形成为电极板210沿着水平方向对升降销242进行按压，由此，升降销242主体如图3B的箭头所示那样而产生有剪切力。
因此，如图3B的虚线所示那样，升降销242有可能弯曲。此外，若在此基础上位置偏移进一步增大，则升降销242有可能破损。此外，在升降销242如上述那样产生有剪切力的状态下，若使升降销242进行升降，则升降销242有可能破损，或者电极板210有可能破损。
因此，在本实施方式中，如图4A所示，将升降销242配置在贯通电极板210的销插通孔214内，并且在温度调整用板220上形成具有直径比升降导向体300的直径大的通孔226，使升降导向体300通过该通孔226，并且被位置限定为不能相对于上侧的电极板210进行水平移动。例如，通过在升降导向体300的上面和电极板210的下面设置定位销来进行水平方向的位置限定。此外，也可以将升降导向体300固定在电极板210的下侧来进行水平方向的位置限定。
由此，即便在电极板210和温度调整用板220的接触面产生水平方向的相对位置偏移，如图4B所示，因为升降导向体300与电极板210一起移动，所以电极板210的销插通孔214与升降销242之间保持有间隙。因此，升降销242不会倾斜，此外，在升降销242上也不会产生剪切力，所以，即便升降销242进行升降，升降销242也不会发生破损，并且电极板210也不会发生破损。
(升降导向体的具体结构例)
参照附图对本实施方式所涉及的升降导向体300的具体结构进行说明。图5是表示本实施方式中的升降导向体的结构例的截面图。此处，以升降导向体300被配置成相对于温度调整用板220能够沿水平方向移动并且被位置限制为相对于电极板210不能沿水平方向移动的情况为具体例子进行说明。
首先，对升降导向体300的内部结构进行说明。图5所示的升降导向体300具有大致呈圆筒状的导向本体302，在其内部插设有升降销242。如图5所示的升降销242具有配置在前端的销主体244以及支撑该销主体244的下端部的支撑棒246。销主体244的前端因为与基板G的背侧接触而形成为例如球面状。支撑棒246形成为其直径比销主体244的直径稍大，在其下端设置有直径被扩大的基部248。在基部248的下端进一步设置有辅助棒249。
在导向本体302内形成有上述销主体244和支撑棒246能够上下插通的插通孔312。该插通孔312的上部的销孔314构成为与电极板210的销插通孔214具有相同直径(或比其稍大的直径)，插通孔312的下部的定心孔(定位孔)316与上部的销插通孔214相比其直径进一步被扩大。具体而言，插通孔312的上部的销孔314以销主体244能够游离配合(松散嵌合\松散配合)的直径构成，插通孔312的下部的定心孔316以支撑棒246能够游离嵌合的直径构成。
在定心孔316上配置有被支撑棒246所嵌插(嵌合插入)的定心用升降套筒320。该定心用升降套筒320用于使升降销242的中心与电极板210的销插通孔214的中心相一致(吻合)。
然而，升降销242的下方(升降导向体300的下方)通常暴露于大气压氛围(常压氛围)，与其相对，升降销242的上方(电极板210的上方)的处理室102处于真空氛围，因此，有必要隔断它们之间的连通。因此，在导向本体302的下端和支撑棒246的基部248之间以包围支撑棒246的方式配置有例如金属制成的能够伸缩的波纹管322。具体而言，波纹管322的底部被固定在支撑棒246的基部248上，另一方面，在波纹管322的顶部配置有凸缘324。凸缘324被安装在导向本体302的下端。
根据该升降导向体300内的结构，升降销242能够以利用升降导向体300内的定心用升降套筒320而通过电极板210的销插通孔214的中心的方式进行升降。
接着，对升降导向体300的配置例进行说明。升降导向体300，以其上面与电极板210的下面密接(紧密接触)的方式，在游离嵌合于温度调整用板220的通孔226内的状态下而被安装在温度调整用板220的上面。
具体而言，在升降导向体300的上部形成有凸缘部330，开口于温度调整用板220的上侧表面的通孔226的上部被扩径(扩大直径)至凸缘部330能够游离配合的程度。凸缘部330插入该直径被扩大的凸缘插入孔228内，并且利用螺栓340被安装在温度调整用板220的形成有凸缘插入孔228的表面上。
该螺栓340通过表面经过易滑加工(slippery)的衬垫(washer)342而被安装在形成于凸缘部330上的螺栓孔332的底面。由此，凸缘部330通过螺栓340被固定在温度调整用板220上，因为存在于螺栓340和凸缘部330之间的衬垫342的表面经过易滑加工处理，所以升降导向体300能够相对于温度调整用板220沿着水平方向移动。
此外，升降导向体300的上面，以升降导向体300的销孔314的中心与电极板210的销插通孔214的中心相一致的方式，被位置限定为不能沿水平方向移动。具体而言，通过插入在升降导向体300的上面和电极板210的下面所形成的定位孔352中的作为定位部件的一个例子的定位销350而被位置限定为不能沿水平方向移动。
通过使用这种定位部件，而能够简单地限制升降导向体300相对于电极板210的下面在水平方向的位置。其中，定位销350优选沿着销孔314的周围设置有多个(此处为两个)。
定位孔352的直径形成为定位销350能够嵌入固定，定位孔352形成为其深度比定位销350的长度稍深。由此，在使定位销350不能沿水平方向移动的同时，还因为在定位销350的长度方向具有空间，所以，即使定位销350产生热膨胀，也不会在定位孔352的内部产生内部应力。
其中，在升降导向体300及其附近，为了保持大气压氛围和真空压力氛围的气密性(气体密封性)，并防止等离子体的侵入而安装有多个气密保持部件例如O环。
具体而言，例如在升降导向体300的销孔314上，在与销主体244之间存在有O环362。此外，在升降导向体300的上面，在与电极板210的下面之间以包围销孔314的方式存在有O环364。这些O环362、364主要防止来自于销插通孔214的等离子体的侵入而设置。
此外，在升降导向体300的上面，在与电极板210的下面之间，以包围定位销350的更外侧的方式存在有O环366。在温度调整用板220的上面，在与电极板210的下面之间，以包围升降导向体300的凸缘部330的周围的方式存在有O环368。这些O环366、368主要为了保持升降销242的下方(升降导向体300的下方)的大气压氛围(常压氛围)和升降销242的上方(电极板210的上方)的处理室102之间的气密性而设置。
在这样构成的升降导向体300中，如上所述，即便因为电极板210的热膨胀比温度调整用板220的热膨胀大而在它们的接触面产生沿水平方向的相对位置偏移，由于升降导向体300通过定位销350在水平方向被位置限定，所以其随着电极板210移动。因此，因为电极板210的销插通孔214和升降导向体300的销孔314不发生位置偏移，所以在该状态下使升降销242升降，升降销242也不会破损，并且电极板210也不会破损。这样，根据本实施方式的载置台200，能够防止因电极板210相对于温度调整用板220产生的位置偏移而发生的升降销242的破损以及电极板210的破损。
其中，升降导向体300插通的通孔226的大小优选根据电极板210和温度调整用板220在水平方向发生相对位置偏移时假定的最大位置偏移量来决定。例如，若电极板210相对于温度调整用板220的最大位置偏移量为L，则只要升降导向体300的外径比通孔226的内径至少大2L以上即可。由此，例如当根据处理条件(例如设定温度、处理室内压力、施加在下部电极上的高频电力)的不同而电极板210的热膨胀量不同时，能够与在任意处理条件下进行基板处理的情况相对应。
图5所示的升降导向体300，因为被安装在温度调整用板220上，所以，例如能够在将升降导向体300安装在温度调整用板220上之后，在其上安装电极板210，从而能够使组装容易。
其中，图5中的升降导向体300被安装在温度调整用板220一方，但是，也可以如图6所示那样，例如利用螺栓344等将升降导向体300固定在电极板210一方。此时，也可以取代在电极板210的下方设置定位销，而是在电极板210的下面设置作为定位孔的锪孔216，并使凸缘部330的上部嵌插在该锪孔216内。由此，升降导向体300被定位于电极板210的下面，并且在水平方向被位置限定。
此外，升降导向体300也可以如图6所示那样，分别独立设置凸缘部330和导向本体302并通过螺栓等将它们连接起来而构成为一体。
此外，对于波纹管322而言，也可以取代将其凸缘324安装在升降导向体300上，而是将其凸缘324安装在设置于温度调整用板220的下面的安装部件304上。该安装部件304形成为从温度调整用板220向下方突出并且与导向本体302隔开间隔将其覆盖的形状(例如杯(cup)状)，被设置成包围通孔226的下侧的开口。此外，以升降销242的支撑棒246贯通形成于安装部件304的下面的贯通孔的方式而被安装在温度调整用板220上。波纹管322的凸缘324以包围形成于安装部件304下面的贯通孔的方式而被安装。
其中，优选在温度调整用板220和安装部件304之间设置有密封用的O环306。此外，定心用升降套筒320优选如图6所示那样分离开而设置有多个(例如两个)。由此，能够进一步提高升降销242的定心(定位)精度。
在这样构成的升降导向体300中，如上所述，即便因为电极板210的热膨胀比温度调整用板220的热膨胀大而在它们的接触面产生沿水平方向的相对位置偏移，由于升降导向体300被固定在电极板210上，并且通过锪孔216在水平方向被位置限定，所以其随着电极板210移动。因此，因为电极板210的销插通孔214和升降导向体300的销孔314不发生位置偏移，所以即便在该状态下使升降销242升降，升降销242也不会破损，并且电极板210也不会破损。
此外，只需将凸缘部330的上部嵌入电极板210的锪孔216中并通过螺栓344固定，便能够很容易地将升降导向体300定位在电极板210上。因此，在将升降导向体300安装在电极板210上的同时，通过波纹管322将升降销242安装在温度调整用板220上，并将升降销242插入升降导向体300内，便能够将电极板210安装在温度调整用板220上，由此能够容易地进行组装。
在设置于上述载置台200上的多个升降销242中，所有的升降销242均可以采用图4A、图5、图6所示的结构，此外，也可以是对于配置在因热膨胀引起的电极板210相对于温度调整用板220的位置偏移量大的可能性高的位置处的升降销242，采用图4A、图5、图6所示的结构。
例如，在如图2所示那样配置的多个升降销242中，对于配置在载置台200的载置面212的中央部位置的升降销242，几乎不发生因热膨胀引起的电极板210的位置偏移，与其相对，距离中央部越远，电极板210的位置偏移越大，具有这样的倾向。这是因为电极板210的热膨胀是从其中央部向周边部呈放射状膨胀的原因。
因此，可以只对电极板210的位置偏移大的、配置在载置面212的周边部的周边部升降销242采用图4A、图5、图6所示的结构。此时，配置在载置面212的中央部的中央部升降销242可以采用例如图3A所示的结构。
以上，参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明并不局限于上述例子。对于本领域技术人员而言，在权利要求记载的范围内能够想到的各种变形例或者修改例是不言而喻的，应该得知这些也属于本发明的技术范围之内。
本发明能够适用于载置液晶显示器用基板等基板的载置台以及基板处理装置。

Claims (8)

1.一种基板载置台，具有上下层叠多个板而构成的电极，其特征在于，包括：
升降销，其升降自由地设置在贯通所述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和
用于引导所述升降销的升降的升降导向体，
所述升降导向体被配置成通过层叠在所述最上部板的下侧的下侧板的通孔，并且被位置限定为相对于所述最上部板不能在水平方向移动、相对于所述下侧板能够沿着水平方向移动。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述升降导向体通过嵌插到在其上部和所述最上部板的下部所形成的定位孔内的定位部件而被位置限定。
3.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述下侧板的通孔的内径形成为比所述升降导向体的外径大，所述内径和所述外径之差根据所述最上部板相对于所述下侧板的最大偏移量决定。
4.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述升降导向体以能够沿着水平方向移动的方式安装在所述下侧板上。
5.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于：
所述最上部板为构成所述电极的主体的电极板，所述下侧板为用于调整所述电极板的温度的温度调整用板。
6.一种基板处理装置，用于对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：
构成为能够抽真空的处理室；
向所述处理室供给处理气体的气体供给单元；
配置在所述处理室内的下方的基板载置台；和
配置在所述处理室内的上方，将来自所述气体供给单元的气体向所述基板载置台上的基板进行导入的气体导入单元；
所述基板载置台包括：上下层叠多个板而构成的电极；升降销，其升降自由地设置在贯通所述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和升降导向体，其用于引导所述升降销的升降，并且被位置限定为相对于所述最上部板不能在水平方向移动，
所述升降导向体被安装成相对于层叠在所述最上部板的下侧的下侧板能够沿着水平方向移动。
7.一种基板载置台，具有上下层叠多个板而构成的电极，其特征在于，包括：
升降销，其升降自由地设置在贯通所述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和
用于引导所述升降销的升降的升降导向体，
所述升降导向体通过将其上部嵌插固定在形成于所述最上部板的下部的定位孔中而被位置限定为相对于所述最上部板不能沿水平方向移动，并且被配置成通过层叠在所述最上部板的下侧的下侧板的通孔，而且所述升降导向体被安装成相对于所述下侧板能够沿着水平方向移动。
8.一种基板处理装置，用于对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：
构成为能够抽真空的处理室；
向所述处理室供给处理气体的气体供给单元；
配置在所述处理室内的下方的基板载置台；和
配置在所述处理室内的上方，将来自所述气体供给单元的气体向所述基板载置台上的基板进行导入的气体导入单元，
所述基板载置台包括：上下层叠多个板而构成的电极；升降销，其升降自由地设置在贯通所述多个板中的配置在最上部的最上部板的销插通孔中；和升降导向体，其用于引导所述升降销的升降，
所述升降导向体通过将其上部嵌插固定在形成于所述最上部板的下部的定位孔中而被位置限定为相对于所述最上部板不能沿水平方向移动，并且被配置成通过层叠在所述最上部板的下侧的下侧板的通孔，而且所述升降导向体被安装成相对于所述下侧板能够沿着水平方向移动。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101591771B (zh) * 2008-05-30 2011-03-16 财团法人工业技术研究院 真空设备的基座定位支撑装置
US20090314211A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Big foot lift pin
US9011602B2 (en) * 2009-01-29 2015-04-21 Lam Research Corporation Pin lifting system
JP6180510B2 (ja) * 2012-04-26 2017-08-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｅｓｃの接着剤の浸食を防止するための方法及び装置
KR101594928B1 (ko) * 2014-03-06 2016-02-17 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101748252B1 (ko) * 2015-06-10 2017-06-19 에이피티씨 주식회사 리프트핀을 갖는 반도체 제조설비 및 반도체 제조설비의 조립방법
CN107851600A (zh) * 2015-07-29 2018-03-27 堺显示器制品株式会社 支承销和成膜装置
CN108475658B (zh) * 2016-01-19 2023-12-22 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
CN106582914A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种用于超净台的电极探入装置
CN106582915A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种超净台自动电极探入装置
JP6863784B2 (ja) * 2017-03-16 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102445612B1 (ko) * 2017-05-25 2022-09-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼용 서셉터
JP6615153B2 (ja) * 2017-06-16 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法
JP2019052914A (ja) * 2017-09-14 2019-04-04 日本電産サンキョー株式会社 検査装置
JP7122212B2 (ja) * 2018-02-15 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11121010B2 (en) * 2018-02-15 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN110289242B (zh) * 2018-03-19 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 基座调节装置、腔室及半导体加工设备
KR102492991B1 (ko) * 2018-03-27 2023-01-30 배트 홀딩 아게 지지 핀을 수용하고 해제하기 위한 커플링을 갖는 핀 리프팅 장치
DE102018007307A1 (de) * 2018-09-17 2020-03-19 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung
US20220028719A1 (en) * 2018-11-30 2022-01-27 Kyocera Corporation Sample holder
US11901162B2 (en) 2019-01-07 2024-02-13 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus and method of cleaning vacuum processing apparatus
JP7445386B2 (ja) * 2019-02-19 2024-03-07 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材および基板保持機構
JP7198694B2 (ja) * 2019-03-18 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板リフト機構、基板支持器、及び基板処理装置
CN110610895A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体
DE102019008104A1 (de) * 2019-11-21 2021-05-27 Vat Holding Ag Verfahren zur Überwachung, Positionsbestimmung und Positionierung eines Stiffthubsystems
CN113035682B (zh) * 2019-12-25 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及其等离子体处理装置
KR102372101B1 (ko) * 2021-06-08 2022-03-10 주식회사 기가레인 리프트 구동 어셈블리
CN113421812B (zh) * 2021-06-23 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其承载装置
CN115418625B (zh) * 2022-08-02 2023-09-29 拓荆科技股份有限公司 晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191229U (ja) * 1983-06-06 1984-12-19 豊興工業株式会社 位置決め装置
JP2514005Y2 (ja) * 1990-04-13 1996-10-16 富士重工業株式会社 塵芥収集車の投入口ドア開閉装置
JP2961997B2 (ja) * 1991-10-25 1999-10-12 株式会社ニコン 静電吸着装置
JPH06224287A (ja) * 1993-01-28 1994-08-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 静電チャックの製造方法
US5783492A (en) * 1994-03-04 1998-07-21 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
JP3940190B2 (ja) * 1996-09-30 2007-07-04 松下電器産業株式会社 真空処理装置
JP4563568B2 (ja) * 1999-10-13 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置
JP2002313700A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Canon Inc 加熱装置及び冷却装置
JP4153296B2 (ja) * 2002-12-27 2008-09-24 株式会社アルバック 基板処理装置
KR100694780B1 (ko) * 2005-08-16 2007-03-14 주식회사 제우스 Ｌｃｄ 글라스 기판용 오븐챔버의 리프트 핀 유닛

Also Published As

Publication number Publication date
TW200904732A (en) 2009-02-01
KR100978962B1 (ko) 2010-08-30
JP4951536B2 (ja) 2012-06-13
TWI437659B (zh) 2014-05-11
JP2008270721A (ja) 2008-11-06
KR20080087746A (ko) 2008-10-01
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