CN115418625B - 晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆托盘包括至少一个放置晶圆的开口及多个顶针。所述开口的边缘设置有顶针限位槽及多个安装孔。所述多个顶针可拆卸地安装于所述多个安装孔。所述顶针的侧面设有承载台。所述承载台的下部连接所述顶针限位槽，而其上部用于承载所述晶圆。通过配置多个可拆卸的顶针，技术人员可以根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节晶圆各位置的安装高度，以调节对应位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

Description

晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法

技术领域

本发明涉及半导体薄膜制备技术，尤其涉及一种晶圆托盘、一种气相沉积设备，以及一种薄膜制备方法。

背景技术

在半导体薄膜沉积过程中，需将晶圆放置在反应腔中的晶圆承载台上进行气相沉积。现有技术提供了一种包括多个晶圆承载开口的晶圆托盘，能够在多个晶圆的表面同时进行气相沉积，从而提升半导体薄膜的制备效率。

然而，受开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素的影响，晶圆托盘上各开口之间以及同一开口的各位置之间，普遍存在薄膜厚度不均的现象，严重影响了半导体器件的性能参数及可靠性。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体薄膜的制备技术，通过提供灵活、便捷的调节机构，方便技术人员根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种晶圆托盘、一种气相沉积设备，以及一种薄膜制备方法，能够通过提供灵活、便捷的调节机构，方便技术人员根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

具体来说，根据本发明的第一方面提供的上述晶圆托盘包括至少一个放置晶圆的开口及多个顶针。所述开口的边缘设置有顶针限位槽及多个安装孔。所述多个顶针可拆卸地安装于所述多个安装孔。所述顶针的侧面设有承载台。所述承载台的下部连接所述顶针限位槽，而其上部用于承载所述晶圆。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述多个顶针的承载台具有相同的高度。或者，所述多个顶针的承载台具有不同的高度，其中，安装于反应气体流速较快的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，安装于反应气体流速较慢的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述晶圆托盘上设有多个所述开口，所述晶圆托盘的下方设有加热底座。安装于各所述开口远离所述晶圆托盘中心的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，以使晶圆远离所述晶圆托盘中心的第一位置靠近所述加热底座。安装于各所述开口靠近所述晶圆托盘中心的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度，以使所述晶圆靠近所述晶圆托盘中心的第一位置远离所述加热底座。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述顶针从所述晶圆托盘的上方安装到所述安装孔。所述顶针的所述承载台的下方及侧面设有泄压槽，用于调节所述安装孔内外的气压差。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述顶针的底部设有引导结构，用于引导所述顶针从所述晶圆托盘的上方落入所述安装孔的正确安装位置。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述顶针由绝缘材质制成，其顶部突出所述晶圆托盘的部分被设置为圆弧形，以防止打火。

此外，根据本发明的第二方面提供的上述气相沉积设备包括喷淋头、反应腔室、加热底座，以及本发明的第一方面提供的上述晶圆托盘。所述喷淋头、所述加热底座及所述晶圆托盘设于所述反应腔室内部。所述喷淋头从所述晶圆托盘的上方向所述晶圆托盘上放置的至少一个晶圆喷洒反应气体。所述加热底座设于所述晶圆托盘的下方，向所述晶圆托盘提供热量，以促进薄膜在晶圆表面的生长。

此外，根据本发明的第三方面提供的上述薄膜制备方法包括以下步骤：确定晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度；在所述开口的薄膜生长速度较小的第一安装孔，安装承载台高度较小的第一顶针；在所述开口的反应气体流速较大的第二安装孔，安装承载台高度较大的第二顶针；将待制备薄膜的晶圆放置于所述开口，并启动加热底座；以及向所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置输送反应气体，以在所述晶圆上生长薄膜。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述确定晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度的步骤包括：在所述晶圆托盘的所述至少一个开口的各所述安装孔位置安装高度相同的顶针；将至少一个晶圆样品放置于所述至少一个开口的各所述顶针的承载台上，并启动所述加热底座；向所述至少一个晶圆样品通入反应气体，以在所述至少一个晶圆样品上生长薄膜；以及根据所述至少一个晶圆样品上各位置生长的薄膜厚度，确定所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述根据所述至少一个晶圆样品上各位置生长的薄膜厚度，确定所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度的步骤包括：响应于所述晶圆样品的第一位置生长的薄膜厚度较小，确定所述第一位置的反应气体流速较小；以及响应于所述晶圆样品的第二位置生长的薄膜厚度较大，确定所述第二位置的反应气体流速较大。

附图说明

在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

图1示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆托盘的示意图。

图2示出了根据本发明的一些实施例提供的开口边缘的示意图。

图3示出了根据本发明的一些实施例提供的顶针的结构示意图。

图4示出了根据本发明的一些实施例提供的开口及顶针的剖面示意图。

图5示出了根据本发明的一些实施例提供的气相沉积设备的示意图。

图6示出了根据本发明的一些实施例提供的薄膜制备方法的流程示意图。

图7示出了根据本发明的一些实施例提供的平放晶圆的示意图。

图8示出了根据本发明的一些实施例提供的斜放晶圆的示意图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。

能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本发明一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。

如上所述，在半导体薄膜沉积过程中，需将晶圆放置在反应腔中的晶圆承载台上进行气相沉积。现有技术提供了一种包括多个晶圆承载开口的晶圆托盘，能够在多个晶圆的表面同时进行气相沉积，从而提升半导体薄膜的制备效率。然而，受开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素的影响，晶圆托盘上各开口之间以及同一开口的各位置之间，普遍存在薄膜厚度不均的现象，严重影响了半导体器件的性能参数及可靠性。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种晶圆托盘、一种气相沉积设备，以及一种薄膜制备方法，能够通过提供灵活、便捷的调节机构，方便技术人员根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

请结合参考图1～图4。图1示出了根据本发明的一些实施例提供的晶圆托盘的示意图。图2示出了根据本发明的一些实施例提供的开口边缘的示意图。图3示出了根据本发明的一些实施例提供的顶针的结构示意图。图4示出了根据本发明的一些实施例提供的开口及顶针的剖面示意图。

如图1所示，在本发明的一些实施例中，晶圆托盘10上可以设置至少一个放置晶圆的开口11，其数量优选为多个，以提升半导体薄膜的制备效率。如图2所示，这些开口11的边缘可以设置有顶针限位槽111及多个安装孔112。每一安装孔112中可拆卸地安装有一个顶针12。如图3所示，该顶针12的侧面设有承载台121。该承载台121的下部连接顶针限位槽111，以限制顶针12向下的自由度，而其上部可以用于承载待制备薄膜的晶圆。

如此，如图4所示，在制备半导体薄膜的过程中，技术人员即可将待制备薄膜的晶圆20放置于晶圆托盘10的各开口11的各顶针12的承载台121上，由各开口11的顶针限位槽111支撑各顶针12的承载台121的下部，并由各顶针12的承载台121的上部支撑晶圆20的对应位置，从而通过选择具有不同高度的承载台121的顶针12来调节晶圆20各位置的反应高度。通过该提供灵活、便捷的调节机构，本发明可以方便技术人员根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并提升晶圆托盘的利用率。

以下将结合一种气相沉积设备及一种薄膜制备方法的实施例来介绍上述晶圆托盘10的工作原理。本领域的技术人员可以理解，这些薄膜制备方法只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制该晶圆托盘10及该气相沉积设备的全部功能或全部工作方式。同样地，该气相沉积设备也只是本发明提供的一种非限制性的实施方式，既不对该晶圆托盘10适用的工艺、场景构成限制，也不对该薄膜制备方法中的各步骤的执行主体构成限制。

请参考图5，图5示出了根据本发明的一些实施例提供的气相沉积设备的示意图。

如图5所示，在本发明的一些实施例中，气相沉积设备50可以包括喷淋头(未绘示)、反应腔室51、加热底座(未绘示)，以及本发明的第一方面提供的上述晶圆托盘10。该反应腔室51可以优选为真空密封腔，仅由反应腔室51上方的气体入口及反应腔室51下方的气体出口联通外界。该喷淋头及晶圆托盘10设于反应腔室51内部，由喷淋头从晶圆托盘10的上方引入反应气体，以作为气体入口，并向晶圆托盘10上放置的至少一个晶圆20均匀喷洒反应气体，以进行气相沉积及薄膜的生长制程。该加热底座设于晶圆托盘10的下方，通过向晶圆托盘10提供热量，以促进薄膜在晶圆20表面的生长。

请参考图6，图6示出了根据本发明的一些实施例提供的薄膜制备方法的流程示意图。

如图6所示，在制备薄膜的过程中，技术人员可以首先确定晶圆托盘10上至少一个开口11的多个安装孔位置的薄膜生长速度。在此，针对图5所示的气相沉积设备50的实施例，各安装孔位置的薄膜生长速度相关于各安装孔位置的反应气体流速，以及加热底座在各安装孔位置的加热功率。

具体来说，在气相沉积的过程中，反应气体是从反应腔室51的上方流向晶圆托盘10，在晶圆托盘10的阻挡作用下由托盘内圈向托盘外圈扩散，并在托盘10的最外沿向下流入气最下方的体出口。由此，托盘10上各晶圆20表面之间以及同一晶圆20表面不同位置的反应气体流速皆不不同，呈现从中心到周围逐步加快的变化态势，从而造成内圈晶圆薄膜厚度大于外圈晶圆薄膜厚度，以及同一晶圆表面薄膜一侧厚一侧薄的缺陷。

此外，针对加热底座发热不均的问题，当加热底座的一部分位置发热效果较好，则对应位置的晶圆表面将因受热充分而获得更大的薄膜生长速度。反之，当加热底座的另一部分位置发热效果较差，则对应位置的晶圆表面将因受热不充分而获得更小的薄膜生长速度。由此，托盘10上各晶圆20表面之间以及同一晶圆20表面不同位置，也会因各位置受热不均而出现晶圆薄膜厚度不均，以及同一晶圆表面薄膜一侧厚一侧薄的缺陷。

请参考图7，图7示出了根据本发明的一些实施例提供的平放晶圆的示意图。

如图7所示，针对上述反应气体流速不均和/或晶圆托盘10各位置受热不均导致的薄膜生长速度不均的问题，技术人员可以首先在晶圆托盘10的至少一个开口11的各安装孔位置安装高度相同的顶针711～712，并将至少一个晶圆样品20’放置于该至少一个开口11的各顶针711～712的承载台上。

进一步地，在如图3及图4所示的实施例中，顶针121可以从晶圆托盘10的上方安装到对应的安装孔112。该顶针12的承载台121的下方及侧面可以优选地设有泄压槽31。如此，在向安装孔112装入顶针12的过程中，以及对反应腔室51抽真空的过程中，安装孔112内残余的气体可以经由该泄压槽31被快速排出，以调节安装孔112内外的气压差。此外，在拆卸顶针12的过程中，外部的气体也可以经由该泄压槽31快速进入安装孔112，以调节安装孔112内外的气压差，从而便于技术人员拆卸原有顶针12，并替换具有适宜承载台高度的新顶针12’。

此外，如图3及图4所示，该顶针121的底部还可以优选地设有倒角等引导结构31。如此，在从晶圆托盘10的上方向安装孔112安装顶针12时，顶针12的底部即可在该引导结构31的作用下，从晶圆托盘10的上方自主落入安装孔112的正确安装位置，以便于技术人员的安装操作。

此外，如图3及图4所示，针对涉及等离子体反应的气相沉积技术，该顶针12可以优选地由陶瓷等绝缘材质制成，而且其顶部突出晶圆托盘10的部分33可以被优选地设置为圆弧形，从而防止顶针12与晶圆20背面发生打火，并避免该打火现象对晶圆20的性能参数及可靠性造成不利影响。

如图5及图7所示，在向晶圆托盘10的至少一个开口11的各安装孔位置安装高度相同的顶针711～712，并将至少一个晶圆样品20’放置于该至少一个开口11的各顶针711～712的承载台上之后，操作人员即可启动加热底座30，并经由喷淋头向该至少一个晶圆样品20’通入反应气体，以在该至少一个晶圆样品20’上生长薄膜。此时，受到上述反应气体流速不均和/或晶圆托盘10各位置受热不均等干扰因素的影响，各晶圆样品20’上生长的薄膜可能出现多片晶圆样品20’之间薄膜厚度不均，和/或同一晶圆样品20’的不同位置的薄膜厚度不均的问题。技术人员可以分别测量该至少一个晶圆样品20’上各位置生长的薄膜厚度(mm)，并根据该至少一个晶圆样品20’上各位置生长的薄膜厚度，确定晶圆托盘10上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度(mm/h)。

例如，若晶圆样品20’的第一位置生长的薄膜厚度较小，则技术人员可以确定该第一位置的薄膜生长速度较小。反之，若晶圆样品20’的第二位置生长的薄膜厚度较大，则技术人员可以确定该第二位置的薄膜生长速度较大。

请继续参考图6及图8，图8示出了根据本发明的一些实施例提供的斜放晶圆的示意图。

如图6及图8所示，在确定晶圆托盘10上至少一个开口11的多个安装孔位置的薄膜生长速度之后，技术人员可以在开口11的薄膜生长速度较小的第一安装孔安装承载台高度较小的第一顶针811，在开口11的薄膜生长速度较大的第二安装孔安装承载台高度较大的第二顶针812，并将待制备薄膜的晶圆20放置于晶圆托盘10上各开口11的第一顶针811及第二顶针812的承载台上。

之后，如图5、图6及图8所示，技术人员可以启动加热底座30，并以相同的气相沉积设备50以相同的气体流速向晶圆托盘10上至少一个开口的多个安装孔位置输送反应气体，从而在各晶圆20上进行相同工艺参数的薄膜生长制程。此时，在薄膜生长速度较小的第一位置，由于第一顶针811的承载台高度较小，晶圆20离加热底座30的距离较近，薄膜将在高温环境下加速生长，从而获得更大的薄膜厚度。反之，在薄膜生长速度较大的第二位置，由于第二顶针812的承载台高度较大，晶圆20离加热底座30的距离较远，薄膜将在低温环境下减慢生长速度，从而获得更小的薄膜厚度。如此，本发明即可根据开口位置、反应气体均匀性、加热均匀性等干扰因素，或者实际制备的产品薄膜厚度，调节各位置的薄膜生长速率，从而提升产品薄膜厚度的均匀性，并使晶圆托盘10能够适用于各种流速分布、各种加热分布以及各种工艺反应条件的气相沉积设备，以提高其利用率。

尽管为使解释简单化将上述方法图示并描述为一系列动作，但是应理解并领会，这些方法不受动作的次序所限，因为根据一个或多个实施例，一些动作可按不同次序发生和/或与来自本文中图示和描述或本文中未图示和描述但本领域技术人员可以理解的其他动作并发地发生。

本领域技术人员将可理解，信息、信号和数据可使用各种不同技术和技艺中的任何技术和技艺来表示。例如，以上描述通篇引述的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光学粒子、或其任何组合来表示。

本领域技术人员将进一步领会，结合本文中所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑板块、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、计算机软件、或这两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、框、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (10)

1.一种晶圆托盘，其特征在于，所述晶圆托盘的下方设有加热底座，并包括：

至少一个放置晶圆的开口，其中，所述开口的边缘设置有顶针限位槽及多个安装孔；以及

多个顶针，可拆卸地安装于所述多个安装孔，其中，所述顶针的侧面设有承载台，所述承载台的下部连接所述顶针限位槽，而其上部用于在气相沉积的过程中承载所述晶圆，以调节所述晶圆到所述加热底座的距离。

2.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述多个顶针的承载台具有相同的高度，或者

所述多个顶针的承载台具有不同的高度，其中，安装于反应气体流速较快的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，安装于反应气体流速较慢的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度。

3.如权利要求2所述的晶圆托盘，其特征在于，所述晶圆托盘上设有多个所述开口，其中，

安装于各所述开口远离所述晶圆托盘中心的第一位置的第一顶针的承载台具有较小的第一高度，以使晶圆远离所述晶圆托盘中心的第一位置靠近所述加热底座，

安装于各所述开口靠近所述晶圆托盘中心的第二位置的第二顶针的承载台具有较大的第二高度，以使所述晶圆靠近所述晶圆托盘中心的第一位置远离所述加热底座。

4.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针从所述晶圆托盘的上方安装到所述安装孔，其中，所述顶针的所述承载台的下方及侧面设有泄压槽，用于调节所述安装孔内外的气压差。

5.如权利要求4所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针的底部设有引导结构，用于引导所述顶针从所述晶圆托盘的上方落入所述安装孔的正确安装位置。

6.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述顶针由绝缘材质制成，其顶部突出所述晶圆托盘的部分被设置为圆弧形，以防止打火。

7.一种气相沉积设备，其特征在于，包括喷淋头、反应腔室、加热底座，以及如权利要求1～6中任一项所述的晶圆托盘，其中，所述喷淋头、所述加热底座及所述晶圆托盘设于所述反应腔室内部，所述喷淋头从所述晶圆托盘的上方向所述晶圆托盘上放置的至少一个晶圆喷洒反应气体，所述加热底座设于所述晶圆托盘的下方，向所述晶圆托盘提供热量，以促进薄膜在晶圆表面的生长。

8.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

确定晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度；

在所述开口的薄膜生长速度较小的第一安装孔，安装承载台高度较小的第一顶针；

在所述开口的薄膜生长速度较大的第二安装孔，安装承载台高度较大的第二顶针；

将待制备薄膜的晶圆放置于所述开口，并启动加热底座；以及

向所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置输送反应气体，以在所述晶圆上生长薄膜。

9.如权利要求8所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述确定晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度的步骤包括：

在所述晶圆托盘的所述至少一个开口的各所述安装孔位置安装高度相同的顶针；

将至少一个晶圆样品放置于所述至少一个开口的各所述顶针的承载台上，并启动所述加热底座；

向所述至少一个晶圆样品通入反应气体，以在所述至少一个晶圆样品上生长薄膜；以及

根据所述至少一个晶圆样品上各位置生长的薄膜厚度，确定所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度。

10.如权利要求9所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述根据所述至少一个晶圆样品上各位置生长的薄膜厚度，确定所述晶圆托盘上至少一个开口的多个安装孔位置的薄膜生长速度的步骤包括：

响应于所述晶圆样品的第一位置生长的薄膜厚度较小，确定所述第一位置的薄膜生长速度较小；以及

响应于所述晶圆样品的第二位置生长的薄膜厚度较大，确定所述第二位置的薄膜生长速度较大。