TW201310521A - 用於邊緣輪廓控制之具有邊緣氣體偏轉板的底座 - Google Patents

用於邊緣輪廓控制之具有邊緣氣體偏轉板的底座 Download PDF

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TW201310521A
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Panya Wongsenakhum
Gary Lind
Prashanth Kothnur
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract

一種基板處理系統，包含一底座，該底座包括一基板支撐面，其直徑大於即將由基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，在實質垂直於該基板支撐面的方向上於基板支撐面上延伸一第一距離，該第一距離大於或等於基板厚度的一半，一縫隙形成在該第一表面與基板的外徑之間；一第二表面，與該第一表面形成一角度，自該第一表面延伸一第二距離，該角度大於零度且小於九十度；一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。

Description

用於邊緣輪廓控制之具有邊緣氣體偏轉板的底座
本發明涉及基板處理系統的底座及方法。
此處所提供的背景技術說明係以對本發明的內容作一般性說明為目的。依目前發明人於此背景技術中描述所涉及的範圍以及申請時可能不被認屬先前技術之各方面的描述，既不能明示也不能隱含地被認為係本發明的先前技術
基板如半導體晶片，在基板層的沉積及蝕刻期間，通常置於基板處理室內的底座上。現參見第1圖和第2圖，基板處理系統100包括具有噴頭114的處理室110。底座120排列在噴頭114下面。基板126置於底座120上。具有電源連接132的加熱元件130可用於控制基板126的溫度。RF偏置電路140可用於提供RF偏壓至基板126及/或噴頭114。
底座120一般形成有腔142，該腔142具有約等於基板126厚度的深度。腔124通常大於基板126以容納基板126的大小。當基板126置於腔142內時，基板126的表面與腔142周圍的區域處於大約相同的高度。
藉由導入三氟化氮(NF3)於遠端電漿源內至基板126之上，可產生如氟原子和氟分子的蝕刻劑。該電漿可流經噴頭114，其中噴頭114通常平行於基板126排列。該蝕刻劑在底座邊緣136處排出(通常通過真空泵)。結果，在接觸到基板126後，蝕刻劑向外徑流。該設計在基板126邊緣附近產生高蝕刻速率並可導致高蝕刻不均一性。
本部分提供本發明簡要的陳述，並非其所有特徵的全部範圍的全部揭露。
一種基板處理系統，包含一底座，該底座包括一基板支撐面，其直徑大於即將由基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，在實質垂直於該基板支撐面的方向上於基板支撐面上延伸一第一距離，該第一距離大於 或等於基板厚度的一半，一縫隙形成在該第一表面與基板的外徑之間；一第二表面，與該第一表面形成一角度，自該第一表面延伸一第二距離，該角度大於零度且小於九十度；一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
另一方面，該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。該第一距離大於或等於該基板的厚度。該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。
一種化學氣相沉積系統，包含一處理室，該處理室內設置有一前述之基板處理系統。該基板處理系統之該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
一種基板處理系統，包含一底座，該底座包括一基板支撐面，其直徑大於即將由基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，在實質垂直於該基板支撐面的方向上於基板支撐面下延伸一第一距離，該第一距離大於或等於基板厚度的一半，一縫隙形成在該第一表面與基板的外徑之間；一第二表面，與該第一表面形成一角度，自該第一表面延伸一第二距離，該角度大於零度且小於九十度；一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
再一方面，該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。該第一距離大於或等於該基板的厚度。該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。
一種化學氣相沉積系統，包含一處理室，該處理室內設置有一前述之基板處理系統。該基板處理系統之該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
一種基板處理系統，包含一底座，該底座包括一基板支撐面；一第一表面，與該基板支撐面形成一第一角度，自該基板支撐面延伸至該基板支撐面之下一第一距離；一第二表面，自該第一表面延伸一第二距離。該第二表面平行於該基板支撐面；一第三表面，自該第二表面延伸至一第一位置，該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度 的一半處；一第四表面，自該第三表面延伸，並且該第四表面實質平行該基板支撐面和第二表面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
又一方面，該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度的四分之三處。該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度處。一第五表面，在朝向包括該基板支撐面的平面方向上延伸。該基板支撐面、該第一表面、該第二表面、該第三表面以及第四表面為平面。該基板支撐面的直徑可大於即將在基板支撐面上處理的基板的直徑。該基板支撐面的直徑可小於即將在基板支撐面上處理的基板的直徑。
一種化學氣相沉積系統，包含一處理室，該處理室內設置有一前述之基板處理系統。該基板處理系統之該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
一種基板處理系統，包含一底座，該底座包括一基板支撐面，其直徑大於即將由基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，與該基板支撐面形成一第一角度，自該基板支撐面上延伸一第一距離，一縫隙形成在該第一表面與基板的外徑之間；一第二表面，與該基板支撐面形成一第二角度，自該第一表面延伸一第二距離；一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面，該第一角度和第二角度大於零度且小於九十度；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
另一方面，該第一距離大於或等於該基板厚度的一半。該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。該第一距離大於或等於該基板的厚度。該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。該第一角度大於45度且小於90度，以及其中該第二角度大於0度且小於45度。該第二角度大於45度且小於90度，以及其中該第一角度大於0度且小於45度。
一種化學氣相沉積系統，包含一處理室，該處理室內設置有一前述之基板處理系統。該基板處理系統之該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
其他應用領域將自此處提供的描述是顯而易見的。本陳述內的描述及 具體實施例僅為說明之目的並不旨在限制本公開的範圍。
以下說明僅為示例性說明並不旨在限制本公開，其應用或使用。為了清楚起見，附圖中使用相同的元件符號將表示相似的元件。這裏所使用的用語「A、B和C中的至少一個」應該解釋為以「或(or)」為邏輯運算子的邏輯關係，亦即為「A或B或C」。應理解的是，在不改變本發明原則的情況下，方法內的步驟可以不同順序執行。
本發明描述了一種具有邊緣氣體偏轉板部分的底座。當對基板執行回蝕步驟時，該底座用於提高基板處理室內回蝕均勻性。該底座形成有一腔，其具有中央部分以容納基板以及邊緣氣體偏轉板部分，具有袋狀區域或縫隙以及上升的或下降的邊緣。該袋狀區域或縫隙形成於基板的外邊緣和該腔的上升邊緣之間。
藉由調節該縫隙的大小，上升邊緣的高度以及上升邊緣的形狀(如上升邊緣的角度)，可控制基板邊緣處的蝕刻速率。這提高了蝕刻均勻性或者期望的邊緣輪廓。如果需要，藉由導入邊緣清除氣體以調節蝕刻物種的濃度，可進一步調節基板邊緣處的蝕刻速率。具體過程如此處所述，然而本發明亦可用其他過程和反應氣體，及/或其他基板處理工具。
現參見第3圖和第4圖，顯示了根據本發明實施例的底座。在第3圖中，基板處理系統200包括處理室210，該處理室210具有噴頭214。底座220形成有腔242以及邊緣氣體偏轉板部分244。底座220排列在噴頭214之下。基板226排列在底座220之腔242的中央部分中。
底座220包括加熱元件230，由電源連接232提供，加熱元件230可用於控制基板226的溫度。RF偏置電路240可用於提供RF偏置至底座220以及基板226。腔242通常大於基板226以容納基板226的大小。
在一些實施例中，邊緣氣體偏轉板部分244形成了縫隙g，並有一距離d1和距離d2。該縫隙g形成於基板226的外邊緣與邊緣氣體偏轉板部分244的上升邊緣的第一表面之間。上升邊緣的第一表面自底座表面延伸距離d1，其可以通常垂直於底座的上水平表面延伸(或通常平行於基板的邊緣)。上升邊緣的第二表面以角度θ延伸距離d2。角度θ可大於0°而小於 90°，儘管可使用其他角度。同時第一表面和第二表面通常為平面，也可使用一個或多個曲面。
藉由導入三氟化氮(NF3)於遠端電漿源內至基板226之上或利用任何其他合適的方法，可產生如氟原子和氟分子的蝕刻劑。該電漿可流經噴頭214，其中噴頭214通常平行於基板226排列。該蝕刻劑在底座邊緣236處排出。結果，在接觸到基板226後，蝕刻劑向外徑流。
如第4圖所示，具有邊緣氣體偏轉板部分244的底座220可藉由偏轉基板邊緣區域周圍的氣流，以降低蝕刻不均勻性。因此，沿著基板邊緣流動的氣體的邊界層/流產生變化並引起基板邊緣周圍氟原子的質量分數變化。
更具體地，在第4圖的實施例中，底座220包括基板支撐面260，該基板支撐面260直徑大於基板262的直徑。在實質垂直於基板支撐面260的方向上，第一表面264在基板支撐面260之上延伸第一距離d1。第一表面264定義了第一表面264與基板262的外徑之間的縫隙g。在一些實施例中，第一距離d1大於或等於基板262的厚度的一半。
第二表面268與第一表面264形成角度θ，自第一表面264延伸一第二距離d2。在一些實施例中，該角度θ大於0度且小於90度。第三表面272自第二表面268延伸並實質平行於基板支撐面260。
在一些實施例中，第一距離d1大於或等於基板262厚度的四分之三。在其他實施例中，第一距離d1大於或等於基板262的厚度。在另一些實施例中，第一距離d1大於基板的厚度。在一些實施例中，第一表面、第二表面以及第三表面為平面。或者，第一表面、第二表面以及第三表面的一個或多個可為非平面。
在一些實施例中，縫隙g為0.5 mm至4 mm，儘管可使用其他值。在其他實施例中，縫隙g為1 mm至3 mm，儘管可使用其他值。在一些實施例中，距離d1為0.5 mm至8 mm，儘管可使用其他值。在其他實施例中，距離d1為1 mm至3 mm，儘管可使用其他值。在一些實施例中，距離d2為0.5 mm至6 mm，儘管可使用其他值。在其他實施例中，距離d2為1 mm至4 mm，儘管可使用其他值。在一些實施例中，θ在30至60度之間，儘管可使用其他值。
現參見第5圖和第6圖，顯示了具有不同g、h1、h2及/或θ值的袋狀區域的底座的其他實施例。可以理解的是，藉由改變g、h1、h2及/或θ，可實現蝕刻輪廓的變化。
邊緣氣體偏轉板部分可自底座拆卸。例如，第5圖中的邊緣氣體偏轉板部分273可拆卸。邊緣氣體偏轉板部分273的邊緣275沿著底座220的表面。一個或多個緊固件277可用於可拆卸地固定邊緣氣體偏轉板部分273至底座220。在一些實施例中，緊固件277可包括一組或多組定位銷。
現參見第7圖，為了比較目的，顯示了平面底座的氟的質量分數。
現參見第8圖，圖表顯示了氟原子的質量分數(正規化)與自各種底座的基板中心的徑向距離的函數關係。相對於以平面底座(第7圖)或傳統底座(第1圖)方式，結合第3圖至第6圖，上述具有縫隙和上升邊緣的邊緣氣體偏轉板部分244的底座(見實施例1和2)顯示了隨著徑向距離增加蝕刻種的更均勻濃度。結果，利用該等底座蝕刻基板的蝕刻均勻性將會更為均勻。
此外，邊緣清除氣體可導至基板邊緣周圍以結合上述偏轉形狀，從而進一步降低蝕刻種的濃度。
在第9圖中，底座300的邊緣相對於第4圖至第6圖所示，係反向設置。底座300包括基板支撐面310，該基板支撐面310直徑大於基板312的直徑。在實質垂直於基板支撐面310的方向上，第一表面314在基板支撐面310之下延伸第一距離d1。縫隙g形成於基板支撐面310的徑向外緣與基板312的外徑之間。在一些實施例中，第一距離d1大於或等於基板312的厚度的一半。第二表面316與第一表面314形成角度θ，自第一表面延伸第二距離d2。例如，該角度θ大於0度且小於90度。第三表面318自第二表面延伸並實質平行於基板支撐面。
現參見第10A圖至第10E圖，顯示了根據本發明的底座的其他實施例。
在第10A圖中，距離d1可大於、小於或等於基板的高度。角度θ可大於0度且小於90度。
在第10B圖中，基板支撐面的直徑大於基板直徑。底座400可具有低於支撐基板的底座的表面的下傾部分(距離d1)。距離d2可大於、小於或等於基板的高度。角度θ可大於0度且小於90度。
更具體地，底座400包括基板支撐面410。第一表面414自基板支撐面410延伸至該基板支撐面410之下第一距離。第二表面416自第一表面414延伸。在一些實施例中，第二表面416平行於基板支撐面410。第三表面418自第二表面416延伸至基板支撐面410之上第二距離，其中該第二距離大於或等於基板厚度的一半。第四表面420自第三表面418延伸並基本上平行於基板支撐面410以及第二表面416。
在第10C圖中，基板支撐面具有小於基板直徑的直徑。底座404具有最初低於支撐基板的底座表面距離d1的下傾部分。該下傾部分可開始於基板其徑向外部邊緣徑向內縮的距離d4上。距離d2+d3可大於、小於或等於基板的高度。距離d3可大於、小於或等於距離d2+d3。角度θ1-θ3可大於0度且小於90度。
此外，底座404包括第五表面422，在朝向含基板支撐面410的平面方向上，第五表面422自第四表面420延伸。在平行於基板支撐面410的平面中，第六表面424延伸自第五表面。
在第10D圖中，角度θ2可大於角度θ1。θ1和θ2可大於0度且小於90度。在第10E圖中，角度θ1可大於角度θ2。θ1和θ2可大於0度且小於90度。
在第10D圖和第10E圖中，底座500和502分別包括基板支撐面510。相對於基板支撐面510，第一表面512以第一角度θ1，於基板支撐面510之上延伸第一距離d1。相對於基板支撐面510，第二表面514以第二角度θ2，自第一表面512延伸第二距離d2。第三表面516延伸自第二表面514且實質平行於基板支撐面510。在第10D圖中，第一角度θ1大於45度且小於90度，以及第二角度θ2大於0度且小於45度。在第10E圖中，第二角度θ2大於45度且小於90度，以及第一角度θ1大於0度且小於45度。
可以理解的是，一個或多個曲線段可用於代替第10A圖至第10E圖所示的線段。
本發明的廣泛啟示可以各種形式實施。因此，雖然本發明舉出特定實施例用以說明，但本發明的真實範圍不應受限，因為自圖式、說明書及所附申請專利範圍對於熟悉本領域的人員來說其他修飾是顯而易見的。
本申請案主張在2011年7月1日提交的美國臨時申請第61/503,959號 的權益，通過引用將其全部結合到本申請中。
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧處理室
114‧‧‧噴頭
120‧‧‧底座
126‧‧‧基板
130‧‧‧加熱元件
132‧‧‧電源連接
136‧‧‧底座邊緣
140‧‧‧RF偏置電路
142‧‧‧腔
200‧‧‧基板處理系統
210‧‧‧處理室
214‧‧‧噴頭
220‧‧‧底座
226‧‧‧基板
230‧‧‧加熱元件
232‧‧‧電源連接
236‧‧‧底座邊緣
240‧‧‧RF偏置電路
242‧‧‧腔
244‧‧‧邊緣氣體偏轉板部分
260‧‧‧基板支撐面
262‧‧‧基板
264‧‧‧第一表面
268‧‧‧第二表面
272‧‧‧第三表面
300‧‧‧底座
310‧‧‧基板支撐面
312‧‧‧基板
314‧‧‧第一表面
316‧‧‧第二表面
318‧‧‧第三表面
400‧‧‧底座
404‧‧‧底座
410‧‧‧基板支撐面
414‧‧‧第一表面
416‧‧‧第二表面
418‧‧‧第三表面
420‧‧‧第四表面
422‧‧‧第五表面
424‧‧‧第六表面
500‧‧‧底座
502‧‧‧底座
510‧‧‧基板支撐面
512‧‧‧第一表面
514‧‧‧第二表面
516‧‧‧第三表面
自詳細描述及所附圖式，將更全面地理解本發明，其中：第1圖為根據現有技術包括噴頭和底座的基板處理室的示意圖；第2圖顯示了第1圖的底座基板邊緣周圍氟原子的質量分數的模擬結果圖；第3圖為根據本發明實施例包括噴頭和底座的基板處理室的示意圖；第4圖至第6圖顯示了根據本發明實施例各種其他底座的基板邊緣周圍氟原子的質量分數的模擬結果圖；第7圖顯示了平面底座的基板邊緣周圍氟原子的質量分數的模擬結果圖；第8圖為對比各種底座氟原子的質量分數的比較圖；以及第9圖及第10A圖至第10E圖顯示了根據本發明底座的實施例。
200‧‧‧基板處理系統
210‧‧‧處理室
214‧‧‧噴頭
220‧‧‧底座
226‧‧‧基板
230‧‧‧加熱元件
232‧‧‧電源連接
236‧‧‧底座邊緣
242‧‧‧腔
244‧‧‧邊緣氣體偏轉板部分

Claims (30)

  1. 一種基板處理系統，包括：一底座，包含：一基板支撐面，其直徑大於即將由該基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，在實質垂直於該基板支撐面的方向上於該基板支撐面上延伸一第一距離，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的一半，以及在該第一表面與該基板的外徑之間形成有一縫隙；一第二表面，與該第一表面形成一角度，自該第一表面延伸一第二距離，其中該角度大於零度且小於九十度；以及一第三表面，自該第二表面延伸，且該第三表面係實質平行於該基板支撐面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板的厚度。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。
  5. 一種化學氣相沉積系統，包括：一處理室；以及如申請專利範圍第1項所述的基板處理系統，設置在該處理室內，其中該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述之化學氣相沉積系統，其中蝕刻劑流經 該噴頭至該基板上。
  7. 一種基板處理系統，包括：一底座，包含：一基板支撐面，其直徑大於即將由該基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，在實質垂直於該基板支撐面的方向上於該基板支撐面下延伸一第一距離，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的一半，以及在該第一表面與該基板的外徑之間形成有一縫隙；一第二表面，與該第一表面形成一角度，自該第一表面延伸一第二距離，其中該角度大於零度且小於九十度；以及一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。
  9. 依據申請專利範圍第7項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板的厚度。
  10. 依據申請專利範圍第7項所述之基板處理系統，其中該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。
  11. 一種化學氣相沉積系統，包含：一處理室；以及如申請專利範圍第7項所述的基板處理系統，設置在該處理室內，其中該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之化學氣相沉積系統，其中蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
  13. 一種基板處理系統，包括：一底座，包含：一基板支撐面；一第一表面，與該基板支撐面形成一第一角度，自該基板支撐面之下延伸一第一距離；一第二表面，自該第一表面延伸一第二距離，其中該第二表面平行於該基板支撐面；一第三表面，自該第二表面延伸至一第一位置，該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度的一半處；以及一第四表面，自該第三表面延伸，並且該第四表面實質平行該基板支撐面和該第二表面；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
  14. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，其中該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度的四分之三處。
  15. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，其中該第一位置位於包括該基板支撐面的平面之上大於或等於該基板厚度處。
  16. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，進一步包含一第五表面，在朝向包括該基板支撐面的平面方向上延伸。
  17. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，其中該基板支撐面、該第一表面、該第二表面、該第三表面以及第四表面為平面。
  18. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，其中該基板支撐 面的直徑大於即將在該基板支撐面上處理的基板的直徑。
  19. 依據申請專利範圍第13項所述之基板處理系統，其中該基板支撐面的直徑小於即將在該基板支撐面上處理的基板的直徑。
  20. 一種化學氣相沉積系統，包括：一處理室；以及如申請專利範圍第13項所述的基板處理系統，設置在該處理室內，其中該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。
  21. 依據申請專利範圍第20項所述之化學氣相沉積系統，其中蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
  22. 一種基板處理系統，包括：一底座，包含：一基板支撐面，其直徑大於即將由該基板處理系統處理的基板的直徑；一第一表面，與該基板支撐面形成一第一角度，自該基板支撐面上延伸一第一距離，其中在該第一表面與基板的外徑之間形成有一縫隙；一第二表面，與該基板支撐面形成一第二角度，自該第一表面延伸一第二距離；以及一第三表面，自該第二表面延伸，並且該第三表面實質平行於該基板支撐面，其中該第一角度和第二角度大於零度且小於九十度；以及一蝕刻劑源，其將蝕刻劑導向該基板上以蝕刻該基板。
  23. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的一半。
  24. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板厚度的四分之三。
  25. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該第一距離大於或等於該基板的厚度。
  26. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該基板支撐面、該第一表面、該第二表面以及該第三表面為平面。
  27. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該第一角度大於45度且小於90度，以及其中該第二角度大於0度且小於45度。
  28. 依據申請專利範圍第22項所述之基板處理系統，其中該第二角度大於45度且小於90度，以及其中該第一角度大於0度且小於45度。
  29. 一種化學氣相沉積系統，包括：一處理室；以及如申請專利範圍第22項所述的基板處理系統，設置在該處理室內，其中該蝕刻劑源包括一噴頭，該噴頭鄰近該底座設置。
  30. 依據申請專利範圍第29項所述之化學氣相沉積系統，其中蝕刻劑流經該噴頭至該基板上。
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