TW201911377A - 加工設備 - Google Patents

Abstract

提供沉積裝置結構，沉積裝置結構包含加熱器位於腔體中。沉積裝置結構也包含噴頭位於加熱器上方，噴頭包含複數個孔洞從噴頭的頂表面延伸至噴頭的底表面，噴頭的底表面面對加熱器，噴頭的底表面具有第一區段和第二區段，底表面的第二區段比底表面的第一區段粗糙。

Description

加工設備

本發明實施例係有關於半導體技術，且特別是有關於製造半導體裝置的加工設備。

半導體積體電路(integrated circuit，IC)工業已經歷了快速成長。在積體電路材料和設計上的技術進步產生了數代積體電路，每一代都比前一代具有更小且更複雜的電路。在積體電路的發展史中，功能密度(即每一晶片區互連的裝置數目)增加，同時幾何尺寸(即製造過程中所產生的最小的組件(或線路))縮小。此元件尺寸微縮化的製程一般來說具有增加生產效率與降低相關費用的益處。

在半導體裝置的製造期間，使用各種製造步驟在半導體晶圓上製造積體電路。一般來說，製造過程包含在半導體晶圓上方形成各種材料層。因為部件尺寸持續縮小，包含沉積製程的製造過程持續變得越來越難以實施。因此，沉積有著均勻厚度的材料層是個挑戰。

雖然已經發展了許多輪廓均勻性的改善方法，但是在各方面都不全令人滿意。因此，希望提供一種解決方案以進一步改善使用沉積製程形成之材料層的均勻性。

在一些實施例中，提供一種加工設備，加工設備包含加熱器，位於腔體中；以及噴頭，位於加熱器上方，其中噴頭包含複數個孔洞，複數個孔洞從噴頭的頂表面延伸至噴頭的底表面，其中噴頭的底表面面對加熱器，且噴頭的底表面具有第一區段和第二區段，其中底表面的第二區段比底表面的第一區段粗糙。

在一些其他實施例中，提供一種加工設備，加工設備包含加熱器，位於腔體中；氣體供應組件，連接至腔體；以及噴頭，位於氣體供應組件與加熱器之間，其中噴頭具有第一表面面對加熱器，且噴頭包含複數個孔洞，複數個孔洞從第一表面延伸穿透噴頭，其中噴頭的第一表面具有第一區段、第二區段和第三區段，且其中第一區段的第一發射率不同於第二區段的第二發射率和第三區段的第三發射率。

在一些其他實施例中，提供一種加工設備，加工設備包含噴頭，位於加熱器上方，其中噴頭包含複數個孔洞，複數個孔洞從噴頭的頂表面延伸至噴頭的底表面，且噴頭的底表面面對加熱器，其中噴頭的頂表面具有大致均勻的粗糙度，且噴頭的底表面具有不均勻的粗糙度。

100‧‧‧沉積裝置結構

110‧‧‧腔體

200‧‧‧噴頭

200A‧‧‧頂表面

200B‧‧‧底表面

210、220、230‧‧‧區段

215、225、235‧‧‧邊界

240‧‧‧周邊區域

250‧‧‧螺絲

260‧‧‧孔洞

300‧‧‧加熱器

301‧‧‧半導體晶圓

302‧‧‧材料層

310、320、330‧‧‧溫度區域

400‧‧‧氣體供應組件

410‧‧‧反應氣體

根據以下的詳細說明並配合所附圖式可以更加理解本發明實施例。應注意的是，根據本產業的標準慣例，圖示中的各種部件(feature)並未必按照比例繪製。事實 上，可能任意的放大或縮小各種部件的尺寸，以做清楚的說明。

第1圖為依據一些實施例之沉積裝置結構的剖面示意圖。

第2圖為依據一些實施例之噴頭(shower head)的上視圖。

第3圖為依據一些實施例之加熱器的上視圖。

第4圖為依據一些實施例之噴頭的上視圖。

第5圖為依據一些實施例之噴頭的上視圖。

要瞭解的是以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例，以實施提供之主體的不同部件。以下敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以求簡化揭露內容的說明。當然，這些僅為範例並非用以限定本發明。例如，以下的揭露內容敘述了將一第一部件形成於一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件與上述第二部件是直接接觸的實施例，亦包含了尚可將附加的部件形成於上述第一部件與上述第二部件之間，而使上述第一部件與上述第二部件可能未直接接觸的實施例。此外，揭露內容中不同範例可能使用重複的參考符號及/或用字。這些重複符號或用字係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定各個實施例及/或所述外觀結構之間的關係。

再者，為了方便描述圖式中一元件或部件與另一(複數)元件或(複數)部件的關係，可使用空間相關用語， 例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似的用語。除了圖式所繪示的方位之外，空間相關用語也涵蓋裝置在使用或操作中的不同方位。所述裝置也可被另外定位(例如，旋轉90度或者位於其他方位)，並對應地解讀所使用的空間相關用語的描述。

以下的揭露內容為有關於可達到均勻沉積的沉積裝置結構，描述了本發明的一些實施例。可將額外的部件增加至沉積裝置結構。在不同的實施例中，可取代以下描述的一些部件。雖然以特定佈局的部件討論一些實施例，這些部件可具有另一種佈局。

第1圖為依據一些實施例之沉積裝置結構的剖面示意圖。沉積裝置結構100顯示於第1圖中。沉積裝置結構100係用以實施化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)製程或其他可應用的沉積製程。如第1圖所示，沉積裝置結構100包含在腔體110中的噴頭200、在腔體110中的加熱器300以及連接至腔體110的氣體供應組件400。為了簡潔和清楚起見，沉積裝置結構100的其他元件未顯示於第1圖中。沉積裝置結構100的其他元件的範例可包含機械手臂的傳輸組件、清潔組件、真空幫浦等。

基底將透過機械手臂(未顯示)傳輸至腔體110中並放置於加熱器300上方，以實施沉積製程。在一些實施例中，在沉積製程期間，腔體110中的溫度在從約200℃至約500℃的範圍內。在一些實施例中，在沉積製程期間，腔體110中的壓力在從約2torr至約650torr的範圍內。

第1圖所示的半導體晶圓301為基底的範例。加熱器300被配置為在沉積製程期間對半導體晶圓301提供熱能，使得材料層302將沉積於半導體晶圓301上。材料層302的範例包含金屬層(例如金屬閘極層)、介電層和半導體層。為了更佳地理解沉積裝置結構100的配置，以虛線顯示半導體晶圓301和材料層302。

氣體供應組件400被配置為提供反應氣體410(或前驅氣體)作為在沉積製程期間沉積材料層302的源頭。反應氣體410將與半導體晶圓301的加熱表面反應。因此，反應的產物在半導體晶圓301上沉積為材料層302。為了更佳地理解沉積裝置結構100的配置，以虛線顯示反應氣體410。

噴頭200為位於氣體供應組件400與加熱器300之間的氣體分配組件。噴頭200可被稱為面板。噴頭200被配置為在沉積製程期間將反應氣體410從氣體供應組件400引入並分配至半導體晶圓301之上。

更具體來說，如第1圖所示，噴頭200具有頂表面200A和底表面200B。頂表面200A面對氣體供應組件400，底表面200B面對加熱器300。在一些實施例中，噴頭200包含多個孔洞260(或孔)，這在之後將更詳細地描述。孔洞260從頂表面200A延伸至底表面200B。因此，每一孔洞260穿透噴頭200。在沉積製程期間，反應氣體410將從氣體供應組件400通過孔洞260流向半導體晶圓301。為了簡潔起見，第1圖顯示的頂表面200A和底表面200B為平坦表 面，但本發明實施例不限於此。

在一些實施例中，噴頭200具有內部區域以及鄰接並圍繞內部區域的周邊區域240。依據一些實施例，噴頭200的內部區域分為多個區段(或範圍)。作為範例，第1圖顯示之後將更詳細描述的區段210、220和230。孔洞260在包含區段210、220和230的內部區域中穿透噴頭200。多個螺絲250在周邊區域240中噴頭200。螺絲250用於將噴頭200固定或安裝在腔體110中。可以其他合適的扣件(fastener)取代螺絲250。

在一些實施例中，噴頭200包含含金屬材料或由含金屬材料製成，例如鋁(Al)、鋁合金或其他合適的材料。在一些實施例中，包含區段210、220和230之噴頭200的內部區域的直徑在從約150mm至約490mm的範圍內。在一些實施例中，噴頭200的厚度在從約5mm至約40mm的範圍內。本發明實施例可應用至由任何合適的材料製成且有著任何合適的幾何形狀和尺寸的噴頭。在一些實施例中，噴頭200與加熱器300之間的距離D在從約100mils至約700mils的範圍內。

第2圖為依據一些實施例之噴頭200的上視圖。在一些實施例中，第2圖顯示第1圖所示的噴頭200的底表面200B。如上所述，依據一些實施例，如第2圖所示，噴頭200在包含區段210、220和230的內部區域中包含多個孔洞260。孔洞260大致均勻地分布在噴頭200的底表面200B上。舉例來說，孔洞260被布置為以各種距離與中心間隔開 的同心環。在兩個相鄰的同心環之間，同心環具有大致相同的間隔或間距。

然而，本發明實施例不限於此。在一些其他實施例中，孔洞260被布置為在兩個相鄰的同心環之間具有不同間隔的同心環。在一些其他實施例中，孔洞260不均勻地或不規則地布置於噴頭200的底表面200B上。舉例來說，孔洞260不布置成環或陣列。一些孔洞260可集中於噴頭200的底表面200B的中央及/或邊緣。

在一些實施例中，孔洞260的直徑在從約0.1mm至約10mm的範圍內。孔洞260可具有相同尺寸或不同尺寸。雖然第2圖顯示孔洞260的上視輪廓為相對圓形或環狀，但本發明實施例不限於此。在一些其他實施例中，孔洞260為矩形、正方形或其他形狀。孔洞260可具有相同形狀或不同形狀。

孔洞260的數量、尺寸、形狀和位置可取決於反應氣體410的期望量。舉例來說，如果期望在噴頭200的邊緣有更多的反應氣體，則在噴頭200的邊緣配置更多或更大的孔洞260。相反地，如果期望在噴頭200的中央有更多的反應氣體，則在噴頭200的中央配置更多或更大的孔洞260。

依據一些實施例，如第1圖和第2圖所示，噴頭200的底表面200B在內部區域分為多個區段。作為範例，第2圖顯示區段210、220和230，但本發明實施例不限於此。區段210具有邊界215，區段220具有邊界225，且區段230 具有邊界235。邊界215、225和235在圖中以虛線顯示，以顯示噴頭200的底表面200B的表面粗糙度輪廓/分布。邊界215、225和235可從微觀角度及/或巨觀角度看到。然而，本發明實施例不限於此。邊界215、225和235在沉積裝置結構100中可並非實線，因此可能從微觀角度及/或巨觀角度不可見。

如第2圖所示，噴頭200的周邊區域240圍繞區段210、區段220和區段230。在一些實施例中，一個或多個孔洞260與區段210、區段220和區段230的其中兩者重疊。舉例來說，其中一個孔洞260與區段210和區段220重疊，如第2圖所示。

在一些實施例中，區段210為相對圓形或環狀。區段220和區段230為以不同距離與區段210間隔開的同心環。換言之，區段220和區段230圍繞區段210。區段230圍繞區段220。區段220夾在區段210與區段230之間。

依據一些實施例，噴頭200的底表面200B具有與噴頭200的頂表面200A不同的粗糙度(或表面粗糙度)。舉例來說，噴頭200的底表面200B比噴頭200的頂表面200A粗糙。依據一些實施例，內部區域中的噴頭200的底表面200B具有與周邊區域240中的噴頭200的底表面200B不同的粗糙度。舉例來說，內部區域中的底表面200B比周邊區域240中的底表面200B粗糙。

更具體來說，依據一些實施例，在內部區域中的底表面200B的區段210、區段220和區段230具有不同的粗 糙度。換言之，噴頭200的底表面200B具有不均勻的粗糙度。噴頭200的底表面200B可被稱為微觀的不均勻表面。相反地，噴頭200的頂表面200A具有大致均勻的粗糙度。噴頭200的頂表面200A可被稱為微觀的均勻表面。

在一些實施例中，區段210、220和230的每一者比噴頭200的頂表面200A粗糙。可對本發明實施例做許多變化及/或修改。在一些其他實施例中，區段210、220和230的其中之一具有與噴頭200的頂表面200A大致相同的粗糙度，而區段210、220和230的其他部分比噴頭200的頂表面200A粗糙。

在一些實施例中，區段210、220和230的每一者比周邊區域240粗糙。可對本發明實施例做許多變化及/或修改。在一些其他實施例中，區段210、220和230的其中之一具有與周邊區域240大致相同的粗糙度，而區段210、220和230的其他部分比周邊區域240粗糙。

在一些實施例中，在內部區域中的噴頭200的底表面200B的粗糙度從底表面200B的中心向周邊區域240逐漸增加。舉例來說，區段210可比區段220和區段230平滑。區段220可比區段230平滑。或者，噴頭200的底表面200B的粗糙度從底表面200B的中心向底表面200B的邊緣逐漸降低。舉例來說，區段210可比區段220和區段230粗糙。區段220可比區段230粗糙，且區段230可比周邊區域240粗糙。

可對本發明實施例做許多變化及/或修改。在一些其他實施例中，噴頭200的底表面200B的粗糙度不逐漸改 變。舉例來說，在區段210與區段230之間的區段220可比區段210和區段230粗糙。

在一些實施例中，在包含區段210、220和230的內部區域中之噴頭200的底表面200B具有在從約0.05μm至約15μm的範圍內的粗糙度。在一些實施例中，在周邊區域240中之噴頭200的底表面200B具有在從約0.05μm至約15μm的範圍內的粗糙度。

測量粗糙度(或表面粗糙度Rz)作為在預定區域中在縱向上最高表面部件與最低表面部件之間的差異。或者，測量粗糙度作為在預定長度的直線上多個高點的平均值與多個低點的平均值之間的差異。粗糙度可透過接觸式表面粗糙度/輪廓測量儀器或非接觸式表面粗糙度/輪廓測量儀器來測量。舉例來說，接觸式表面粗糙度/輪廓測量儀器可為原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)或其他合適的測量儀器。非接觸式表面粗糙度/輪廓測量儀器可為白光干涉儀、3D雷射掃描顯微鏡或其他合適的光學測量儀器。

在一些實施例中，機械加工區段210、220和230以各自具有不同的粗糙度。因此，區段210、220和230分別變得亮面和光滑或粗糙和無光澤。舉例來說，在區段210、區段220或區段230上可具有切割痕跡(或缺口)。切割痕跡可為微觀的，且可能從巨觀角度看不到。切割痕跡可透過使用光學或電子顯微鏡(例如原子力顯微鏡或其他合適的顯微鏡)觀察。然而，本發明實施例不限於此。可能不會觀 察到切割痕跡，或者區段210、220和230可包含切割痕跡。

依據一些實施例，噴頭200的區段210具有低粗糙度，因此噴頭200的區段210具有高發射率。“發射率”的術語主要是指材料表面發射能量作為輻射的相對能力。發射率表示為在相同溫度下材料的發射率與黑體(black body)(吸收所有入射電磁輻射的理想物體)發射輻射的比率。這意味著黑體可具有1的發射率值。另一個也被稱為灰體(grey body)的物體可具有小於1的發射率值。

在沉積製程期間，加熱器300對加熱器300上方的半導體晶圓301提供熱能。在半導體晶圓301上方的噴頭200也吸收來自加熱器300的熱能。由於噴頭200的區段210具有高發射率，在沉積製程期間，噴頭200的區段210朝半導體晶圓301發射較多輻射。因此，將較多的熱能提供至與噴頭200的區段210重疊之半導體晶圓301的中心。半導體晶圓301從加熱器300和噴頭200吸收熱能。半導體晶圓301吸收越多的熱能，沉積的材料層302具有越大的厚度。換言之，隨著噴頭200的發射率改變，半導體晶圓301吸收的熱能的總額(或半導體晶圓301的溫度輪廓)改變。沉積的材料層302的厚度均勻性可取決於半導體晶圓301的溫度輪廓/分布。因此，沉積的材料層302的厚度均勻性受噴頭200的不同區段的粗糙度影響。

依據一些實施例，噴頭200的底表面200B分為有著不同粗糙度的多個區段210、220和230，以控制或調節在不同區域中由半導體晶圓301吸收的熱能。因此，在不同 區域中沉積於半導體晶圓301上之材料層302的厚度變得可調整的。

舉例來說，噴頭200的區段210相較於噴頭200的區段220具有較低的粗糙度和較高的發射率。在與噴頭200的區段210對齊的區域中沉積於半導體晶圓301上的材料層302的一部分具有增加的厚度。在與噴頭200的區段220對齊的區域中沉積於半導體晶圓301上的材料層302的另一部分具有降低的厚度。因此，由製程差異引起之材料層302的不同部分之間的厚度差異可被補償或平衡。製程差異可包含熱傳導或熱對流、反應氣體的流量、反應氣體的分布或其他因素的差異。

可微調噴頭200的區段210、220和230的粗糙度，以修改在半導體晶圓301上沉積的材料層302的厚度均勻性。也可微調噴頭200的底表面200B的各種區段的數量、尺寸、形狀和位置。因此，第1圖顯示的沉積裝置結構100使沉積製程更具有靈活性來滿足任何需求。

更具體來說，可微調噴頭200的區段210、220和230的粗糙度，以確保沉積的材料層302在不同區域中的半導體晶圓301上具有大致相同的厚度。因此，沉積的材料層302具有較好的均勻性。

第3圖為依據一些實施例之加熱器的上視圖。在一些實施例中，第3圖顯示第1圖顯示的加熱器300的上視圖。在一些實施例中，加熱器300具有各種溫度區域，因此加熱器300能夠改變不同區域中的溫度。作為範例，第3圖 顯示溫度區域310、溫度區域320和溫度區域330，但本發明實施例不限於此。在一些實施例中，溫度區域310為相對圓形或環狀。溫度區域320和溫度區域330為以不同距離與溫度區域310間隔開的同心環。換言之，溫度區域320和溫度區域330圍繞溫度區域310，溫度區域330圍繞溫度區域320。溫度區域320夾在溫度區域310與溫度區域330之間。

在一些實施例中，加熱器300的溫度區域310與噴頭200的區段210對齊或重疊。加熱器300的溫度區域320和330分別與噴頭200的區段220和230對齊或重疊。換言之，加熱器300分為對應於區段210、220和230的溫度區域310、320和330。在一些實施例中，溫度區域320不與區段210和230重疊。

舉例來說，在一些實施例中，噴頭200的區段210相較於噴頭200的區段220具有較低的粗糙度和較高的發射率。在這些實施例中，在沉積製程期間，加熱器300的溫度區域310可被設計相較於加熱器300的溫度區域320具有較高的溫度且提供較多的熱能。因此，在沉積製程期間，噴頭200的區段210朝加熱器300上方的半導體晶圓301發射較多熱能。透過具有較高發射率的區段210以及具有較高溫度的溫度區域310，可進一步縮小材料層302的不同部分之間的厚度差異。

可對本發明實施例做許多變化及/或修改。在一些其他實施例中，在沉積製程期間，加熱器300的溫度區域310、320和330具有大致相同的溫度。在一些其他實施例 中，在沉積製程期間，加熱器300不具有多個溫度區域，且具有大致相同的溫度。在這些實施例中，材料層302的不同部分之間的厚度差異可由具有不同粗糙度的噴頭200的區段210、220和230得到補償。因此，沉積的材料層302的仍具有改善的均勻性。

雖然第2圖顯示噴頭200具有大致對稱的粗糙度分布，但本發明實施例不限於此。在一些其他實施例中，噴頭200具有不對稱的粗糙度分布來滿足其他需求。第4圖和第5圖為依據一些實施例之噴頭200的上視圖。第4圖和第5圖顯示之噴頭200的布置及/或材料相同或相似於如上述實施例所示之第1圖和第2圖顯示之噴頭的布置及/或材料，因此不再重複。

如第4圖所示，相似於第2圖所示的實施例，噴頭200的周邊區域240圍繞區段210、區段220和區段230，區段220夾在區段210與區段230之間。在一些實施例中，區段210與區段220之間的邊界215為不規則的，且不同於區段230與周邊區域240之間相對圓形或環狀的邊界235。區段220與區段230之間的邊界225為不規則的，且不同於相對圓形的邊界235。在一些實施例中，不規則的邊界215不同於不規則的邊界225。

如第5圖所示，相似於第2圖所示的實施例，噴頭200的周邊區域240圍繞區段210、區段220和區段230，區段230圍繞區段210和區段220，但是區段210和區段220彼此分開。換言之，區段230具有夾在區段210與區段230之間的 部分。在一些實施例中，區段210相較於區段220具有較大的面積。然而，在一些其他實施例中，區段210和區段220具有大致相同的面積。

如第5圖所示，相似於第4圖所示的實施例，區段210的邊界215為不規則的，且區段220的邊界225為不規則的。然而，在一些其他實施例中，邊界225和邊界215的其中之一或兩者具有規則形狀，例如圓形、矩形或正方形。在一些實施例中，邊界225具有與邊界215不同的形狀。然而，在一些其他實施例中，邊界225和邊界215具有大致相同的形狀。

應當注意的是，第2圖、第4圖和第5圖所示的粗糙度分布或圖案並非對本發明實施例的限制。噴頭200的底表面200B的粗糙度可依據使用的沉積裝置沉積的材料層來決定。舉例來說，在一些情況中，沉積的材料層左側比右側厚。因此，將噴頭200的底表面200B的左側設計為比噴頭200的底表面200B的右側粗糙。因此，透過使用修改的沉積裝置結構100沉積的材料層302變得在左側和右側大致相同的厚度。

本發明的一些實施例可應用至形成金屬閘極層(例如鎢(W)層)的沉積製程，以達到較好的閘極高度。減少或消除在金屬閘極層上方實施回蝕刻製程之後，可能引起金屬閘極層之不好的均勻性的金屬殘留物。因此，上述實施例中的沉積裝置結構能夠達到均勻的沉積。使用沉積裝置結構形成的半導體裝置結構具有較佳的可靠性和良好 的裝置效能。

本發明實施例不受限，且可應用至任何合適技術世代的製造過程。各種技術世代包含10nm節點、7nm節點或其他合適的節點。再者，本發明實施例可應用至有著平面式場效電晶體(field-effect transistor，FET)及/或鰭式場效電晶體(fin field-effect transistor，FinFET)的半導體裝置。

本發明實施例提供能夠達成均勻沉積的沉積裝置結構。沉積裝置結構包含噴頭在加熱器上方。噴頭具有面對加熱器的表面。噴頭的表面具有不均勻的粗糙度。舉例來說，表面的第一區段相較於表面的第二區段具有較低的粗糙度。第一區段相較於第二區段具有較高的發射率。因此，在沉積製程期間，第一區段相較於第二區段朝加熱器上方的基底發射較多輻射。將更多的熱能提供給基底與噴頭的第一區段重疊的部分。

基底吸收越多的熱能，在沉積製程期間，沉積於基底上的材料的厚度越大。因此，透過改變噴頭的不同區段的粗糙度，可調整沉積的材料層的厚度均勻性。由製程差異引起之在沉積的材料層的各種部分之間的厚度差異可得到補償或平衡。因此，本發明實施例提供能夠在沉積製程中更具有靈活性的沉積裝置結構來滿足任何需求。更具體來說，可微調噴頭的各種區段的粗糙度，以確保沉積的材料層具有大致相同的厚度和較佳的均勻性。

依據一些實施例，提供沉積裝置結構，沉積裝 置結構包含加熱器位於腔體中。沉積裝置結構也包含噴頭位於加熱器上方。噴頭包含複數個孔洞從噴頭的頂表面延伸至噴頭的底表面。噴頭的底表面面對加熱器，噴頭的底表面具有第一區段和第二區段，底表面的第二區段比底表面的第一區段粗糙。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面的第一區段和第二區段比噴頭的頂表面粗糙。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面的第一區段的第一粗糙度小於噴頭的底表面的第二區段的第二粗糙度，且其中第一粗糙度大致等於噴頭的頂表面的第三粗糙度。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面的第一區段和第二區段為同心環。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面的第一區段和第二區段具有不規則邊界。

在一些其他實施例中，其中加熱器具有第一溫度區域與底表面的第一區段大致對齊，且其中加熱器更具有第二溫度區域與底表面的第二區段大致對齊且不與底表面的第一區段重疊。

依據一些實施例，提供沉積裝置結構，沉積裝置結構包含加熱器位於腔體中。沉積裝置結構也包含氣體供應組件連接至腔體。沉積裝置結構更包含噴頭位於氣體供應組件與加熱器之間，噴頭具有第一表面面對加熱器，噴頭包含複數個孔洞從第一表面延伸穿透噴頭，噴頭的第 一表面具有第一區段、第二區段和第三區段，第一區段的第一發射率不同於第二區段的第二發射率和第三區段的第三發射率。

在一些其他實施例中，其中噴頭具有第二表面面對氣體供應組件，且其中第二表面的第四發射率大於第一發射率、第二發射率和第三發射率。

在一些其他實施例中，其中複數個孔洞的其中一者與第一表面的第一區段和第二區段重疊。

在一些其他實施例中，其中第一表面的第一區段為大致圓形，且第一表面的第二區段和第三區段為環狀。

在一些其他實施例中，其中第一表面的第一區段和第二區段具有不規則邊界，且第一表面的第三區段圍繞第一區段和第二區段。

在一些其他實施例中，其中加熱器具有第一溫度區域、第二溫度區域和第三溫度區域分別與第一表面的第一區段、第二區段和第三區段重疊，且其中第二溫度區域位於第一溫度區域與第三溫度區域之間。

在一些其他實施例中，其中噴頭的第一表面具有內部區域和圍繞內部區域的周邊區域，且沉積裝置結構更包含螺絲在周邊區域中的噴頭中，其中第一區段、第二區段和第三區段在內部區域中，且其中周邊區域中的第一表面具有不同於第一發射率的第五發射率。

在一些其他實施例中，其中噴頭具有第二表面面對氣體供應組件，且第二表面的第四發射率大致等於周 邊區域中的第五發射率，且其中第四發射率大於內部區域中的第二發射率和第三發射率。

依據一些實施例，提供化學氣相沉積裝置結構，化學氣相沉積裝置結構包含噴頭，位於加熱器上方，噴頭包含複數個孔洞從噴頭的頂表面延伸至噴頭的底表面，噴頭的底表面面對加熱器，噴頭的頂表面具有大致均勻的粗糙度，噴頭的底表面具有不均勻的粗糙度。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面的粗糙度從底表面的中心至底表面的邊緣逐漸改變。

在一些其他實施例中，其中噴頭包含含金屬材料，且其中噴頭的底表面的第一發射率小於噴頭的頂表面的第二發射率。

在一些其他實施例中，其中噴頭的底表面具有內部區域和圍繞內部區域的周邊區域，且化學氣相沉積裝置結構更包含扣件位於周邊區域中的噴頭中，且其中內部區域比周邊區域粗糙。

在一些其他實施例中，其中內部區域分為第一區段和第二區段，且第二區段比第一區段和周邊區域粗糙。

在一些其他實施例中，上述化學氣相沉積裝置結構更包含氣體供應組件，其中噴頭的頂表面面對氣體供應組件，且其中噴頭的底表面比噴頭的頂表面粗糙。

前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本發明實施例。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕 易地以本發明實施例為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本發明的發明精神與範圍。在不背離本發明的發明精神與範圍之前提下，可對本發明進行各種改變、置換或修改。

Claims (1)

1. 一種加工設備，包括：一加熱器，位於一腔體中；以及一噴頭，位於該加熱器上方，其中該噴頭包括複數個孔洞，該複數個孔洞從該噴頭的一頂表面延伸至該噴頭的一底表面，其中該噴頭的該底表面面對該加熱器，且該噴頭的該底表面具有一第一區段和一第二區段，其中該底表面的該第二區段比該底表面的該第一區段粗糙。