CN109309029A - 加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种加工设备，加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。

Description

加工设备

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体技术，尤其涉及一种制造半导体装置的加工设备。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。

在半导体装置的制造期间，使用各种制造步骤在半导体晶圆上制造集成电路。一般来说，制造过程包含在半导体晶圆上方形成各种材料层。因为部件尺寸持续缩小，包含沉积工艺的制造过程持续变得越来越难以实施。因此，沉积有着均匀厚度的材料层是个挑战。

虽然已经发展了许多轮廓均匀性的改善方法，但是在各方面都不全令人满意。因此，希望提供一种解决方案以进一步改善使用沉积工艺形成的材料层的均匀性。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种加工设备，以解决上述至少一个问题。

在一些实施例中，提供一种加工设备，加工设备包含加热器及喷头。加热器位于腔体中；喷头位于加热器上方，其中喷头包含多个孔洞，多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，其中喷头的底表面面对加热器，且喷头的底表面具有第一区段和第二区段，其中底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。

在一些其他实施例中，提供一种加工设备，加工设备包含加热器、气体供应组件及喷头。加热器位于腔体中；气体供应组件连接至腔体；喷头位于气体供应组件与加热器之间，其中喷头具有第一表面面对加热器，且喷头包含多个孔洞，多个孔洞从第一表面延伸穿透喷头，其中喷头的第一表面具有第一区段、第二区段和第三区段，且其中第一区段的第一发射率不同于第二区段的第二发射率和第三区段的第三发射率。

在一些其他实施例中，提供一种加工设备，加工设备包含喷头，喷头位于加热器上方，其中喷头包含多个孔洞，多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，且喷头的底表面面对加热器，其中喷头的顶表面具有大致均匀的粗糙度，且喷头的底表面具有不均匀的粗糙度。

本发明实施例的有益效果在于，可微调喷头的各种区段的粗糙度，以确保沉积的材料层具有大致相同的厚度和较佳的均匀性。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件(feature)并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1为依据一些实施例的沉积装置结构的剖面示意图。

图2为依据一些实施例的喷头(shower head)的俯视图。

图3为依据一些实施例的加热器的俯视图。

图4为依据一些实施例的喷头的俯视图。

图5为依据一些实施例的喷头的俯视图。

附图标记如下：

100 沉积装置结构

110 腔体

200 喷头

200A 顶表面

200B 底表面

210、220、230 区段

215、225、235 边界

240 周边区域

250 螺丝

260 孔洞

300 加热器

301 半导体晶圆

302 材料层

310、320、330 温度区域

400 气体供应组件

410 反应气体

具体实施方式

要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化公开内容的说明。当然，这些仅为范例并非用以限定本发明。例如，以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例，亦包含了还可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间，而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。此外，公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字系为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。

再者，为了方便描述附图中一元件或部件与另一(多个)元件或(多个)部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语。除了附图所绘示的方位之外，空间相关用语也涵盖装置在使用或操作中的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。

以下的公开内容为有关于可达到均匀沉积的沉积装置结构，描述了本发明的一些实施例。可将额外的部件增加至沉积装置结构。在不同的实施例中，可取代以下描述的一些部件。虽然以特定布局的部件讨论一些实施例，这些部件可具有另一种布局。

图1为依据一些实施例的沉积装置结构的剖面示意图。沉积装置结构100显示于图1中。沉积装置结构100系用以实施化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)工艺或其他可应用的沉积工艺。如图1所示，沉积装置结构100包含在腔体110中的喷头200、在腔体110中的加热器300以及连接至腔体110的气体供应组件400。为了简洁和清楚起见，沉积装置结构100的其他元件未显示于图1中。沉积装置结构100的其他元件的范例可包含机械手臂的传输组件、清洁组件、真空帮浦等。

基底将通过机械手臂(未显示)传输至腔体110中并放置于加热器300上方，以实施沉积工艺。在一些实施例中，在沉积工艺期间，腔体110中的温度在从约200℃至约500℃的范围内。在一些实施例中，在沉积工艺期间，腔体110中的压力在从约2torr至约650torr的范围内。

图1所示的半导体晶圆301为基底的范例。加热器300被配置为在沉积工艺期间对半导体晶圆301提供热能，使得材料层302将沉积于半导体晶圆301上。材料层302的范例包含金属层(例如金属栅极层)、介电层和半导体层。为了更佳地理解沉积装置结构100的配置，以虚线显示半导体晶圆301和材料层302。

气体供应组件400被配置为提供反应气体410(或前驱气体)作为在沉积工艺期间沉积材料层302的源头。反应气体410将与半导体晶圆301的加热表面反应。因此，反应的产物在半导体晶圆301上沉积为材料层302。为了更佳地理解沉积装置结构100的配置，以虚线显示反应气体410。

喷头200为位于气体供应组件400与加热器300之间的气体分配组件。喷头200可被称为面板。喷头200被配置为在沉积工艺期间将反应气体410从气体供应组件400引入并分配至半导体晶圆301之上。

更具体来说，如图1所示，喷头200具有顶表面200A和底表面200B。顶表面200A面对气体供应组件400，底表面200B面对加热器300。在一些实施例中，喷头200包含多个孔洞260(或孔)，这在之后将更详细地描述。孔洞260从顶表面200A延伸至底表面200B。因此，每一孔洞260穿透喷头200。在沉积工艺期间，反应气体410将从气体供应组件400通过孔洞260流向半导体晶圆301。为了简洁起见，图1显示的顶表面200A和底表面200B为平坦表面，但本发明实施例不限于此。

在一些实施例中，喷头200具有内部区域以及邻接并围绕内部区域的周边区域240。依据一些实施例，喷头200的内部区域分为多个区段(或范围)。作为范例，图1显示之后将更详细描述的区段210、220和230。孔洞260在包含区段210、220和230的内部区域中穿透喷头200。多个螺丝250在周边区域240中喷头200。螺丝250用于将喷头200固定或安装在腔体110中。可以其他合适的扣件(fastener)取代螺丝250。

在一些实施例中，喷头200包含含金属材料或由含金属材料制成，例如铝(Al)、铝合金或其他合适的材料。在一些实施例中，包含区段210、220和230的喷头200的内部区域的直径在从约150mm至约490mm的范围内。在一些实施例中，喷头200的厚度在从约5mm至约40mm的范围内。本发明实施例可应用至由任何合适的材料制成且有着任何合适的几何形状和尺寸的喷头。在一些实施例中，喷头200与加热器300之间的距离D在从约100mils至约700mils的范围内。

图2为依据一些实施例的喷头200的俯视图。在一些实施例中，图2显示图1所示的喷头200的底表面200B。如上所述，依据一些实施例，如图2所示，喷头200在包含区段210、220和230的内部区域中包含多个孔洞260。孔洞260大致均匀地分布在喷头200的底表面200B上。举例来说，孔洞260被布置为以各种距离与中心间隔开的同心环。在两个相邻的同心环之间，同心环具有大致相同的间隔或间距。

然而，本发明实施例不限于此。在一些其他实施例中，孔洞260被布置为在两个相邻的同心环之间具有不同间隔的同心环。在一些其他实施例中，孔洞260不均匀地或不规则地布置于喷头200的底表面200B上。举例来说，孔洞260不布置成环或阵列。一些孔洞260可集中于喷头200的底表面200B的中央及/或边缘。

在一些实施例中，孔洞260的直径在从约0.1mm至约10mm的范围内。孔洞260可具有相同尺寸或不同尺寸。虽然图2显示孔洞260的俯视轮廓为相对圆形或环状，但本发明实施例不限于此。在一些其他实施例中，孔洞260为矩形、正方形或其他形状。孔洞260可具有相同形状或不同形状。

孔洞260的数量、尺寸、形状和位置可取决于反应气体410的期望量。举例来说，如果期望在喷头200的边缘有更多的反应气体，则在喷头200的边缘配置更多或更大的孔洞260。相反地，如果期望在喷头200的中央有更多的反应气体，则在喷头200的中央配置更多或更大的孔洞260。

依据一些实施例，如图1和图2所示，喷头200的底表面200B在内部区域分为多个区段。作为范例，图2显示区段210、220和230，但本发明实施例不限于此。区段210具有边界215，区段220具有边界225，且区段230具有边界235。边界215、225和235在图中以虚线显示，以显示喷头200的底表面200B的表面粗糙度轮廓/分布。边界215、225和235可从微观角度及/或巨观角度看到。然而，本发明实施例不限于此。边界215、225和235在沉积装置结构100中可并非实线，因此可能从微观角度及/或巨观角度不可见。

如图2所示，喷头200的周边区域240围绕区段210、区段220和区段230。在一些实施例中，一个或多个孔洞260与区段210、区段220和区段230的其中两者重叠。举例来说，其中一个孔洞260与区段210和区段220重叠，如图2所示。

在一些实施例中，区段210为相对圆形或环状。区段220和区段230为以不同距离与区段210间隔开的同心环。换言之，区段220和区段230围绕区段210。区段230围绕区段220。区段220夹在区段210与区段230之间。

依据一些实施例，喷头200的底表面200B具有与喷头200的顶表面200A不同的粗糙度(或表面粗糙度)。举例来说，喷头200的底表面200B比喷头200的顶表面200A粗糙。依据一些实施例，内部区域中的喷头200的底表面200B具有与周边区域240中的喷头200的底表面200B不同的粗糙度。举例来说，内部区域中的底表面200B比周边区域240中的底表面200B粗糙。

更具体来说，依据一些实施例，在内部区域中的底表面200B的区段210、区段220和区段230具有不同的粗糙度。换言之，喷头200的底表面200B具有不均匀的粗糙度。喷头200的底表面200B可被称为微观的不均匀表面。相反地，喷头200的顶表面200A具有大致均匀的粗糙度。喷头200的顶表面200A可被称为微观的均匀表面。

在一些实施例中，区段210、220和230的每一者比喷头200的顶表面200A粗糙。可对本发明实施例做许多变化及/或修改。在一些其他实施例中，区段210、220和230的其中之一具有与喷头200的顶表面200A大致相同的粗糙度，而区段210、220和230的其他部分比喷头200的顶表面200A粗糙。

在一些实施例中，区段210、220和230的每一者比周边区域240粗糙。可对本发明实施例做许多变化及/或修改。在一些其他实施例中，区段210、220和230的其中之一具有与周边区域240大致相同的粗糙度，而区段210、220和230的其他部分比周边区域240粗糙。

在一些实施例中，在内部区域中的喷头200的底表面200B的粗糙度从底表面200B的中心向周边区域240逐渐增加。举例来说，区段210可比区段220和区段230平滑。区段220可比区段230平滑。或者，喷头200的底表面200B的粗糙度从底表面200B的中心向底表面200B的边缘逐渐降低。举例来说，区段210可比区段220和区段230粗糙。区段220可比区段230粗糙，且区段230可比周边区域240粗糙。

可对本发明实施例做许多变化及/或修改。在一些其他实施例中，喷头200的底表面200B的粗糙度不逐渐改变。举例来说，在区段210与区段230之间的区段220可比区段210和区段230粗糙。

在一些实施例中，在包含区段210、220和230的内部区域中的喷头200的底表面200B具有在从约0.05μm至约15μm的范围内的粗糙度。在一些实施例中，在周边区域240中的喷头200的底表面200B具有在从约0.05μm至约15μm的范围内的粗糙度。

测量粗糙度(或表面粗糙度Rz)作为在预定区域中在纵向上最高表面部件与最低表面部件之间的差异。或者，测量粗糙度作为在预定长度的直线上多个高点的平均值与多个低点的平均值之间的差异。粗糙度可通过接触式表面粗糙度/轮廓测量仪器或非接触式表面粗糙度/轮廓测量仪器来测量。举例来说，接触式表面粗糙度/轮廓测量仪器可为原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)或其他合适的测量仪器。非接触式表面粗糙度/轮廓测量仪器可为白光干涉仪、3D雷射扫描显微镜或其他合适的光学测量仪器。

在一些实施例中，机械加工区段210、220和230以各自具有不同的粗糙度。因此，区段210、220和230分别变得亮面和光滑或粗糙和无光泽。举例来说，在区段210、区段220或区段230上可具有切割痕迹(或缺口)。切割痕迹可为微观的，且可能从巨观角度看不到。切割痕迹可通过使用光学或电子显微镜(例如原子力显微镜或其他合适的显微镜)观察。然而，本发明实施例不限于此。可能不会观察到切割痕迹，或者区段210、220和230可包含切割痕迹。

依据一些实施例，喷头200的区段210具有低粗糙度，因此喷头200的区段210具有高发射率。“发射率”的术语主要是指材料表面发射能量作为辐射的相对能力。发射率表示为在相同温度下材料的发射率与黑体(black body)(吸收所有入射电磁辐射的理想物体)发射辐射的比率。这意味着黑体可具有1的发射率值。另一个也被称为灰体(grey body)的物体可具有小于1的发射率值。

在沉积工艺期间，加热器300对加热器300上方的半导体晶圆301提供热能。在半导体晶圆301上方的喷头200也吸收来自加热器300的热能。由于喷头200的区段210具有高发射率，在沉积工艺期间，喷头200的区段210朝半导体晶圆301发射较多辐射。因此，将较多的热能提供至与喷头200的区段210重叠的半导体晶圆301的中心。半导体晶圆301从加热器300和喷头200吸收热能。半导体晶圆301吸收越多的热能，沉积的材料层302具有越大的厚度。换言之，随着喷头200的发射率改变，半导体晶圆301吸收的热能的总额(或半导体晶圆301的温度轮廓)改变。沉积的材料层302的厚度均匀性可取决于半导体晶圆301的温度轮廓/分布。因此，沉积的材料层302的厚度均匀性受喷头200的不同区段的粗糙度影响。

依据一些实施例，喷头200的底表面200B分为有着不同粗糙度的多个区段210、220和230，以控制或调节在不同区域中由半导体晶圆301吸收的热能。因此，在不同区域中沉积于半导体晶圆301上的材料层302的厚度变得可调整的。

举例来说，喷头200的区段210相较于喷头200的区段220具有较低的粗糙度和较高的发射率。在与喷头200的区段210对齐的区域中沉积于半导体晶圆301上的材料层302的一部分具有增加的厚度。在与喷头200的区段220对齐的区域中沉积于半导体晶圆301上的材料层302的另一部分具有降低的厚度。因此，由工艺差异引起的材料层302的不同部分之间的厚度差异可被补偿或平衡。工艺差异可包含热传导或热对流、反应气体的流量、反应气体的分布或其他因素的差异。

可微调喷头200的区段210、220和230的粗糙度，以修改在半导体晶圆301上沉积的材料层302的厚度均匀性。也可微调喷头200的底表面200B的各种区段的数量、尺寸、形状和位置。因此，图1显示的沉积装置结构100使沉积工艺还具有灵活性来满足任何需求。

更具体来说，可微调喷头200的区段210、220和230的粗糙度，以确保沉积的材料层302在不同区域中的半导体晶圆301上具有大致相同的厚度。因此，沉积的材料层302具有较好的均匀性。

图3为依据一些实施例的加热器的俯视图。在一些实施例中，图3显示图1显示的加热器300的俯视图。在一些实施例中，加热器300具有各种温度区域，因此加热器300能够改变不同区域中的温度。作为范例，图3显示温度区域310、温度区域320和温度区域330，但本发明实施例不限于此。在一些实施例中，温度区域310为相对圆形或环状。温度区域320和温度区域330为以不同距离与温度区域310间隔开的同心环。换言之，温度区域320和温度区域330围绕温度区域310，温度区域330围绕温度区域320。温度区域320夹在温度区域310与温度区域330之间。

在一些实施例中，加热器300的温度区域310与喷头200的区段210对齐或重叠。加热器300的温度区域320和330分别与喷头200的区段220和230对齐或重叠。换言之，加热器300分为对应于区段210、220和230的温度区域310、320和330。在一些实施例中，温度区域320不与区段210和230重叠。

举例来说，在一些实施例中，喷头200的区段210相较于喷头200的区段220具有较低的粗糙度和较高的发射率。在这些实施例中，在沉积工艺期间，加热器300的温度区域310可被设计相较于加热器300的温度区域320具有较高的温度且提供较多的热能。因此，在沉积工艺期间，喷头200的区段210朝加热器300上方的半导体晶圆301发射较多热能。通过具有较高发射率的区段210以及具有较高温度的温度区域310，可进一步缩小材料层302的不同部分之间的厚度差异。

可对本发明实施例做许多变化及/或修改。在一些其他实施例中，在沉积工艺期间，加热器300的温度区域310、320和330具有大致相同的温度。在一些其他实施例中，在沉积工艺期间，加热器300不具有多个温度区域，且具有大致相同的温度。在这些实施例中，材料层302的不同部分之间的厚度差异可由具有不同粗糙度的喷头200的区段210、220和230得到补偿。因此，沉积的材料层302的仍具有改善的均匀性。

虽然图2显示喷头200具有大致对称的粗糙度分布，但本发明实施例不限于此。在一些其他实施例中，喷头200具有不对称的粗糙度分布来满足其他需求。图4和图5为依据一些实施例的喷头200的俯视图。图4和图5显示的喷头200的布置及/或材料相同或相似于如上述实施例所示的图1和图2显示的喷头的布置及/或材料，因此不再重复。

如图4所示，相似于图2所示的实施例，喷头200的周边区域240围绕区段210、区段220和区段230，区段220夹在区段210与区段230之间。在一些实施例中，区段210与区段220之间的边界215为不规则的，且不同于区段230与周边区域240之间相对圆形或环状的边界235。区段220与区段230之间的边界225为不规则的，且不同于相对圆形的边界235。在一些实施例中，不规则的边界215不同于不规则的边界225。

如图5所示，相似于图2所示的实施例，喷头200的周边区域240围绕区段210、区段220和区段230，区段230围绕区段210和区段220，但是区段210和区段220彼此分开。换言之，区段230具有夹在区段210与区段230之间的部分。在一些实施例中，区段210相较于区段220具有较大的面积。然而，在一些其他实施例中，区段210和区段220具有大致相同的面积。

如图5所示，相似于图4所示的实施例，区段210的边界215为不规则的，且区段220的边界225为不规则的。然而，在一些其他实施例中，边界225和边界215的其中之一或两者具有规则形状，例如圆形、矩形或正方形。在一些实施例中，边界225具有与边界215不同的形状。然而，在一些其他实施例中，边界225和边界215具有大致相同的形状。

应当注意的是，图2、图4和图5所示的粗糙度分布或图案并非对本发明实施例的限制。喷头200的底表面200B的粗糙度可依据使用的沉积装置沉积的材料层来决定。举例来说，在一些情况中，沉积的材料层左侧比右侧厚。因此，将喷头200的底表面200B的左侧设计为比喷头200的底表面200B的右侧粗糙。因此，通过使用修改的沉积装置结构100沉积的材料层302变得在左侧和右侧大致相同的厚度。

本发明的一些实施例可应用至形成金属栅极层(例如钨(W)层)的沉积工艺，以达到较好的栅极高度。减少或消除在金属栅极层上方实施回蚀刻工艺之后，可能引起金属栅极层不好的均匀性的金属残留物。因此，上述实施例中的沉积装置结构能够达到均匀的沉积。使用沉积装置结构形成的半导体装置结构具有较佳的可靠性和良好的装置效能。

本发明实施例不受限，且可应用至任何合适技术世代的制造过程。各种技术世代包含10nm节点、7nm节点或其他合适的节点。再者，本发明实施例可应用至有着平面式场效晶体管(field-effect transistor，FET)及/或鳍式场效晶体管(fin field-effecttransistor，FinFET)的半导体装置。

本发明实施例提供能够达成均匀沉积的沉积装置结构。沉积装置结构包含喷头在加热器上方。喷头具有面对加热器的表面。喷头的表面具有不均匀的粗糙度。举例来说，表面的第一区段相较于表面的第二区段具有较低的粗糙度。第一区段相较于第二区段具有较高的发射率。因此，在沉积工艺期间，第一区段相较于第二区段朝加热器上方的基底发射较多辐射。将更多的热能提供给基底与喷头的第一区段重叠的部分。

基底吸收越多的热能，在沉积工艺期间，沉积于基底上的材料的厚度越大。因此，通过改变喷头的不同区段的粗糙度，可调整沉积的材料层的厚度均匀性。由工艺差异引起在沉积的材料层的各种部分之间的厚度差异可得到补偿或平衡。因此，本发明实施例提供能够在沉积工艺中还具有灵活性的沉积装置结构来满足任何需求。更具体来说，可微调喷头的各种区段的粗糙度，以确保沉积的材料层具有大致相同的厚度和较佳的均匀性。

依据一些实施例，提供沉积装置结构，沉积装置结构包含加热器位于腔体中。沉积装置结构也包含喷头位于加热器上方。喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面。喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面的第一区段和第二区段比喷头的顶表面粗糙。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面的第一区段的第一粗糙度小于喷头的底表面的第二区段的第二粗糙度，且其中第一粗糙度大致等于喷头的顶表面的第三粗糙度。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面的第一区段和第二区段为同心环。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面的第一区段和第二区段具有不规则边界。

在一些其他实施例中，其中加热器具有第一温度区域与底表面的第一区段大致对齐，且其中加热器还具有第二温度区域与底表面的第二区段大致对齐且不与底表面的第一区段重叠。

依据一些实施例，提供沉积装置结构，沉积装置结构包含加热器位于腔体中。沉积装置结构也包含气体供应组件连接至腔体。沉积装置结构还包含喷头位于气体供应组件与加热器之间，喷头具有第一表面面对加热器，喷头包含多个孔洞从第一表面延伸穿透喷头，喷头的第一表面具有第一区段、第二区段和第三区段，第一区段的第一发射率不同于第二区段的第二发射率和第三区段的第三发射率。

在一些其他实施例中，其中喷头具有第二表面面对气体供应组件，且其中第二表面的第四发射率大于第一发射率、第二发射率和第三发射率。

在一些其他实施例中，其中多个孔洞的其中一者与第一表面的第一区段和第二区段重叠。

在一些其他实施例中，其中第一表面的第一区段为大致圆形，且第一表面的第二区段和第三区段为环状。

在一些其他实施例中，其中第一表面的第一区段和第二区段具有不规则边界，且第一表面的第三区段围绕第一区段和第二区段。

在一些其他实施例中，其中加热器具有第一温度区域、第二温度区域和第三温度区域分别与第一表面的第一区段、第二区段和第三区段重叠，且其中第二温度区域位于第一温度区域与第三温度区域之间。

在一些其他实施例中，其中喷头的第一表面具有内部区域和围绕内部区域的周边区域，且沉积装置结构还包含螺丝在周边区域中的喷头中，其中第一区段、第二区段和第三区段在内部区域中，且其中周边区域中的第一表面具有不同于第一发射率的第五发射率。

在一些其他实施例中，其中喷头具有第二表面面对气体供应组件，且第二表面的第四发射率大致等于周边区域中的第五发射率，且其中第四发射率大于内部区域中的第二发射率和第三发射率。

依据一些实施例，提供化学气相沉积装置结构，化学气相沉积装置结构包含喷头，位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的顶表面具有大致均匀的粗糙度，喷头的底表面具有不均匀的粗糙度。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面的粗糙度从底表面的中心至底表面的边缘逐渐改变。

在一些其他实施例中，其中喷头包含含金属材料，且其中喷头的底表面的第一发射率小于喷头的顶表面的第二发射率。

在一些其他实施例中，其中喷头的底表面具有内部区域和围绕内部区域的周边区域，且化学气相沉积装置结构还包含扣件位于周边区域中的喷头中，且其中内部区域比周边区域粗糙。

在一些其他实施例中，其中内部区域分为第一区段和第二区段，且第二区段比第一区段和周边区域粗糙。

在一些其他实施例中，上述化学气相沉积装置结构还包含气体供应组件，其中喷头的顶表面面对气体供应组件，且其中喷头的底表面比喷头的顶表面粗糙。

前述内文概述了许多实施例的特征，使本领域技术人员可以从各个方面更佳地了解本发明实施例。本领域技术人员应可理解，且可轻易地以本发明实施例为基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本领域技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本发明的发明精神与范围。在不背离本发明的发明精神与范围的前提下，可对本发明进行各种改变、置换或修改。

Claims (1)

1.一种加工设备，包括:

一加热器，位于一腔体中；以及

一喷头，位于该加热器上方，其中该喷头包括多个孔洞，多个所述孔洞从该喷头的一顶表面延伸至该喷头的一底表面，

其中该喷头的该底表面面对该加热器，且该喷头的该底表面具有一第一区段和一第二区段，其中该底表面的该第二区段比该底表面的该第一区段粗糙。