TWI763336B - 一種磊晶基座以及磊晶設備 - Google Patents

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Abstract

本申請公開磊晶基座及磊晶設備。磊晶基座包括基座主體，其包括相對設置的第一表面和第二表面，在第一表面上設置用於承載磊晶基底的凹槽，凹槽外側的基座主體包括相互交替設置的第一區域和第二區域；其中，第一區域的第一表面呈粗糙表面，第二區域的第一表面呈平滑表面；和/或第一區域的厚度大於第二區域的厚度，以使第一區域和第二區域配置為具有不同的熱輻射。第一和第二區域具有不同的熱輻射，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終生成出的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。

Description

一種磊晶基座以及磊晶設備
本申請涉及磊晶生長領域，具體而言涉及一種磊晶基座以及磊晶設備。
在磊晶生長工藝中，磊晶的周邊一圈厚度不可避免的會受到晶圓周邊晶向的影響，進而導致周邊不同晶向處生長的磊晶厚度不同。所述現象直接導致了磊晶之後周邊一圈局部平整度(Site Front Quotient Range，簡稱SFQR)存在固定差異。
因此，需要對目前的技術方案進行改進，以消除上述問題。
針對現有技術中存在的問題，本申請提供了一種磊晶基座，所述磊晶基座包括基座主體，所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽，所述凹槽外側的所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域；其中，所述第一區域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二區域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一區域的厚度大於所述第二區域的厚度，以使所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射。
可選地，所述第一區域和所述第二區域的熱輻射係數的範圍為0.01~0.99。
可選地，在所述凹槽外側的所述基座主體的圓周上圓心角為0°~30°、60°~120°、150°~210°、240°~300°和330°~360°的區域中至少一個設置為所述第一區域。
可選地，所述基座主體上設置有多個所述第一區域，多個所述第一區域的熱輻射配置為相同或不同。
可選地，所述第一區域的所述第一表面的表面粗糙度為0.01μm~5mm。
可選地，所述第一區域的所述第一表面具有相鄰設置的波峰和波谷。
可選地，在所述第一區域的所述第二表面設置有輻射層，配置為使所述第一區域的厚度大於所述第二區域的厚度。
可選地，所述輻射層的厚度範圍為0.1μm~5mm。
可選地，所述基座主體上設置有多個所述第一區域，多個所述第一區域的輻射層的厚度配置為相同或不同。
本申請還提供了一種磊晶設備，所述磊晶設備包括前述的磊晶基座。
為了解決目前存在的技術問題，本申請提供了一種磊晶基座，所述磊晶基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域 和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射，進而達到周邊溫度在不同區域位置產生差異，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終生成出的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。
101:側牆
102:凹槽
本申請的下列附圖在此作為本申請的一部分用於理解本申請。附圖中示出了本申請的實施例及其描述，用來解釋本申請的裝置及原理。在附圖中：圖1為現有技術的磊晶基座的俯視示意圖；圖2為本申請一實施例中所述磊晶基座的俯視示意圖；圖3為本申請一實施例中所述磊晶基座沿A-A1方向的剖視示意圖；圖4為本申請一實施例中所述磊晶基座沿B-B1方向的剖視示意圖；圖5為本申請另一實施例中所述磊晶基座沿B-B1方向的剖視示意圖。
在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本申請更為徹底的理解。然而，對於本領域熟習該技術者而言顯而易見的是，本申請可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本申請發生混淆，對於本領域周知的一些技術特徵未進行描述。
應當理解的是，本申請能夠以不同形式實施，而不應當解釋為侷限於這裡提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，並且將本申請的範圍完全地傳遞給本領域熟習該技術者。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被誇大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。
應當明白，當元件或層被稱為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或層時，其可以直接地在其它元件或層上、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或層，或者可以存在居間的元件或層。相反，當元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或層時，則不存在居間的元件或層。應當明白，儘管可使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區、層和/或部分，這些元件、部件、區、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區、層或部分與另一個元件、部件、區、層或部分。因此，在不脫離本申請教導之下，下面討論的第一元件、部件、區、層或部分可表示為第二元件、部件、區、層或部分。
空間關係術語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這裡可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特徵與其它元件或特徵的關係。應當明白，除了圖中所示的取向以外，空間關係術語意圖還包括使用和操作中的元件的不同取向。例如，如果附圖中的元件翻轉，然後，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特徵將取向為在其它元件或特徵“上”。因 此，示例性術語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。元件可以另外地取向(旋轉90度或其它取向)並且在此使用的空間描述語相應地被解釋。
在此使用的術語的目的僅在於描述具體實施例並且不作為本申請的限制。在此使用時，單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括複數形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。
為了徹底理解本申請，將在下列的描述中提出詳細的結構，以便闡釋本申請提出的技術方案。本申請的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本申請還可以具有其他實施方式。
目前磊晶工藝中磊晶層的厚度存在波動，厚度均一性較差，針對該問題申請人對造成該問題的原因進行研究，通過大量磊晶實驗以及結合自身經驗發現磊晶基底周邊溫度的高低會直接影響到磊晶邊緣厚度，且相關性很強。因磊晶設備對晶圓周邊一圈加熱是均勻的，且磊晶基底例如晶圓在基座上是隨基座一起轉動的，如圖1所示，使周邊一圈溫度分佈更加均勻。而由於晶圓周邊晶向的差異是固定存在的，造成了周邊一圈的磊晶厚度在溫度均勻分佈的情況下會不同。
為了解決該問題，本申請提供了一種磊晶基座，所述磊晶基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包 括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射；由於所述第一區域和所述第二區域具有不同的熱輻射，進而達到周邊溫度在不同區域位置產生差異，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終形成的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。
具體地，為了將所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射可以通過對所述第一區域和所述第二區域設置為不同的結構，例如厚度和/或表面性能，以實現所述目的。
實施例一
為了更好的說明本申請的所述磊晶基座，下面結合附圖對所述磊晶基座進行詳細的說明，其中圖2為本申請一實施例中所述磊晶基座的俯視示意圖；圖3為本申請一實施例中所述磊晶基座沿A-A1方向的剖視示意圖；圖4為本申請一實施例中所述磊晶基座沿B-B1方向的剖視示意圖。
本申請中所述磊晶基座用於承載基底，以在所述基底上磊晶生長材料膜層。其中，所述基底通常為晶圓，晶圓是指矽半導體集成電路製作所用的矽晶片，其形狀為圓形。
磊晶生長為將載流氣體通過反應源的容器，將反應源的飽和蒸汽輸送至反應腔中與其它反應氣體混合，並借由加熱裝置控制待成長晶圓的加熱溫度，然後在待成長晶圓上面發生化學反應促成薄膜的成長。
一般來說，磊晶生長裝置包含磊晶腔室、與磊晶腔室適配的用於承載晶圓的磊晶基座以及用於使反應氣體流動至晶圓表面的管路。當需要對半導體晶圓磊晶時，首先將該晶圓嵌入磊晶基座內，之後將承載有晶圓的磊晶基 座放入磊晶腔室內，將晶圓加熱至適當的溫度，並經由管路將反應氣體導入至晶圓表面，借此在晶圓表面形成一層磊晶層。
本申請實施例的磊晶基座包括基座主體；該基座主體的形狀可以為圓柱體或長方體等，在此不做限定。
在本申請的一實施例中，所述基座主體為圓柱體。其中，該基座主體的一個端面上設置有凹槽102；該端面的橫截面形狀為圓形，如圖2所示，該凹槽102在水平面上的投影為圓形。其中，所述凹槽的尺寸小於所述基座主體表面的尺寸，在所述凹槽102的外側還形成有具有一定厚度的側牆101，如圖2所示，其中，所述側牆101為所述基座主體的一部分，其厚度可以根據實際需要進行設置，並不局限於某一數值範圍。其中，所述凹槽的深度小於所述基座主體的厚度，並不局限於某一數值範圍，能夠承載晶圓即可。在本申請中所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，即凹槽外側的所述側牆可以劃分為若干第一區域和若干第二區域。其中，在本申請中通過改變第一區域和/或第二區域的表面粗糙度來改變所述第一區域和第二區域之間的熱輻射差異。
在本申請的一實施例中，所述第一區域的所述第一表面呈粗糙表面，如圖4所示，所述第二區域的所述第一表面呈平滑表面，如圖3所示，即在所述凹槽外側所述基座主體上粗糙表面和平滑表面交互交替設置，由於所述第一區域和所述第二區域的表面微觀結構的不同，從而使所述第一區域和所述第二區域的熱輻射不同。
改進後所述第一區域和所述第二區域的熱輻射係數的範圍為0.01~0.99。
具體地，所述第一區域的表面為具有的較小間距和微小峰穀的不平度。其兩波峰或兩波谷之間的距離(波距)很小(在1mm以下)，屬於微觀幾何形狀誤差。
在本申請的一實施例中，所述第一區域的所述第一表面的表面粗糙度為0.01μm~5mm。
在本申請的一實施例中，所述第一區域的所述第一表面中波峰和波谷之間的距離為0.01μm~5mm。
在本申請中，所述凹槽外側所述基座主體圓柱環結構。在所述圓柱環結構的圓周上，在不同區域上設置不同表面粗糙度，使不同角度位置熱輻射產生差異，基座周邊熱輻射及熱傳導會產生不同，進而達到周邊溫度在不同角度位置產生差異，以此來補償因晶圓晶向不同帶來的厚度差異，以解決因晶圓周邊晶向差異造成的周邊厚度波動問題，進而提高產品的平坦度。
具體地，在本申請的一實施例中，在所述圓柱環結構的圓周上，在所述凹槽外側的所述基座主體的圓周上圓心角為0°~30°、60°~120°、150°~210°、240°~300°和330°~360°的區域中至少一個設置為所述第一區域，上述區域中的至少一個的第一表面為粗糙表面。其中，所述粗糙表面的截面圖可以波浪形或鋸齒形等，在此不做限定。在本申請的一實施例中，所述粗糙表面的截面圖呈鋸齒形，如圖4所示。其中，在本申請中所述基座主體上設置有多個所述第一區域，在所述第一區域內，加工後不同角度處的粗糙度可以不同也可以相同，最終所述第一區域內的熱輻射可以相同也可以不同。
本申請提供了一種磊晶基座，所述磊晶基座包括基座主體，所述磊晶基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表 面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域和所述第二區域的第一表面粗糙度不同，以使所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射，進而達到周邊溫度在不同區域位置產生差異，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終生成出的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。
實施例二
為了更好的說明本申請的所述磊晶基座，下面結合附圖對所述磊晶基座進行詳細的說明，其中圖2為本申請一實施例中所述磊晶基座的俯視示意圖；圖3為本申請一實施例中所述磊晶基座沿A-A1方向的剖視示意圖；圖5為本申請另一實施例中所述磊晶基座沿B-B1方向的剖視示意圖。
本申請中所述磊晶基座用於承載基底，以在所述基底上磊晶生長材料膜層。其中，所述基底通常為晶圓，晶圓是指矽半導體集成電路製作所用的矽晶片，其形狀為圓形。
磊晶生長為將載流氣體通過反應源的容器，將反應源的飽和蒸汽輸送至反應腔中與其它反應氣體混合，並借由加熱裝置控制待成長晶圓的加熱溫度，然後在待成長晶圓上面發生化學反應促成薄膜的成長。
一般來說，磊晶生長裝置包含磊晶腔室、與磊晶腔室適配的用於承載晶圓的磊晶基座以及用於使反應氣體流動至晶圓表面的管路。當需要對半導體晶圓磊晶沉積時，首先將該晶圓嵌入磊晶基座內，之後將承載有晶圓的磊晶基座放入磊晶腔室內，將晶圓加熱至適當的溫度，並經由管路將反應氣體導入至晶圓表面，借此在晶圓表面形成磊晶層。
本申請實施例的磊晶基座包括基座主體；該基座主體的形狀可以為圓柱體或長方體等，在此不做限定。
在本申請的一實施例中，所述基座主體為圓柱體。其中，該基座主體的一個端面上設置有凹槽102；該端面的橫截面形狀為圓形，如圖2所示，該凹槽102在水平面上的投影為圓形。其中，所述凹槽的尺寸小於所述基座主體表面的尺寸，在所述凹槽102的外側還形成有具有一定厚度的側牆101，如圖2所示，其中，所述側牆101為所述基座主體的一部分，其厚度可以根據實際需要進行設置，並不局限於某一數值範圍。其中，所述凹槽的深度小於所述基座主體的厚度，並不局限於某一數值範圍，能夠承載晶圓即可。
在本申請中所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，即凹槽外側的所述側牆可以劃分為若干第一區域和若干第二區域。其中，在本申請中通過改變第一區域和/或第二區域的厚度來改變所述第一區域和第二區域之間的熱輻射差異。
在本申請的一實施例中，所述第一區域的厚度大於所述第二區域的厚度如圖4和如圖3所示，即在所述凹槽外側所述基座主體上厚度較厚和較薄交互交替設置，由於所述第一區域和所述第二區域的厚度不同，從而使所述第一區域和所述第二區域的熱輻射不同。
改進後所述第一區域和所述第二區域的熱輻射係數的範圍為0.01~0.99。具體地，所述第一區域的厚度比所述第二區域的厚度厚0.1μm~5mm。
在本申請的一實施例中，在所述第一區域的所述第二表面設置有輻射層，配置用於使所述第一區域的厚度大於所述第二區域的厚度。
在本申請中，所述凹槽外側所述基座主體圓柱環結構。在所述圓柱環結構的圓周上，在不同區域上設置不同的厚度，使不同角度位置熱輻射產生差異，基座周邊熱輻射及熱傳導會產生不同，進而達到周邊溫度在不同角度位置產生差異，以此來補償因晶圓晶向不同帶來的厚度差異，以解決因晶圓周邊晶向差異造成的周邊厚度波動問題，進而提高產品的平坦度。
具體地，在本申請的一實施例中，在所述圓柱環結構的圓周上，在所述凹槽外側的所述基座主體的圓周上圓心角為0°~30°、60°~120°、150°~210°、240°~300°和330°~360°的區域中至少一個設置為所述第一區域，以在上述區域中的至少一個設置所述輻射層，以增加所述第一區域的厚度。其中，所述輻射層呈平整的膜層結構。其中，在本申請中所述基座主體上設置有多個所述第一區域，在所述第一區域內，加工後不同角度處的厚度可以不同也可以相同，最終所述第一區域內的熱輻射可以相同也可以不同。
本申請提供了一種磊晶基座，所述磊晶基座包括基座主體，所述磊晶基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域和所述第二區域的厚度不同，以使所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射，進而達到周邊溫度在不同區域位置產生差異，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終生成出的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。
實施例三
本申請還提供了一種磊晶設備，所述磊晶設備包括前文所述磊晶基座，包括：所述磊晶基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射；其中，在所述第一區域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二區域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一區域的厚度大於所述第二區域的厚度。
所述磊晶設備還可以進一步包含磊晶腔室、與磊晶腔室適配的用於承載晶圓的磊晶基座以及用於使反應氣體流動至晶圓表面的管路。當需要對半導體晶圓磊晶時，首先將該晶圓嵌入磊晶基座內，之後將承載有晶圓的磊晶基座放入磊晶腔室內，將晶圓加熱至適當的溫度，並經由管路將反應氣體導入至晶圓表面，借此在晶圓表面形成磊晶層。
所述磊晶設備由於採用了本申請所述磊晶基座，因此具有所述磊晶基座的所有優點，例如在所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽結構，所述凹槽外側所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域，所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射，進而達到周邊溫度在不同區域位置產生差異，使晶圓基座周邊溫度分佈產生不同來補償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達到最終生成出的磊晶層周邊厚度波動減小，使磊晶層的厚度更加均一。
儘管這裡已經參考附圖描述了示例實施例，應理解上述示例實施例僅僅是示例性的，並且不意圖將本申請的範圍限制於此。本領域熟悉該技術 者可以在其中進行各種改變和修改，而不偏離本申請的範圍和精神。所有這些改變和修改意在被包括在所附申請專利範圍所要求的本申請的範圍之內。
本領域熟悉該技術者可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬體、或者計算機軟件和電子硬體的結合來實現。這些功能究竟以硬體還是軟體方式來執行，取決於技術方案的特定應用和設計約束條件。專業技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本申請的範圍。
在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的設備和方法，可以通過其它的方式實現。例如，以上所描述的設備實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個設備，或一些特徵可以忽略，或不執行。
在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細節。然而，能夠理解，本申請的實施例可以在沒有這些具體細節的情況下實踐。在一些實例中，並未詳細示出周知的方法、結構和技術，以便不模糊對本說明書的理解。
類似地，應當理解，為了精簡本申請並幫助理解各個發明方面中的一個或多個，在對本申請的示例性實施例的描述中，本申請的各個特徵有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，並不應將該本申請的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本申請要求比在每個申請專利範圍中所明確記載的特徵更多的特徵。更確切地說，如相應的申請專利範圍書所反映的那樣，其發明點在於可以用少於某個公開的單個實施例的所有特徵的特徵來解決相應的技術問題。因此，遵循具體實施方式的申請專利範圍書由此明 確地併入該具體實施方式，其中每個申請專利範圍本身都作為本申請的單獨實施例。
本領域熟習該技術者可以理解，除了特徵之間相互排斥之外，可以採用任何組合對本說明書(包括伴隨的申請專利範圍、摘要和附圖)中公開的所有特徵以及如此公開的任何方法或者設備的所有過程或單元進行組合。除非另外明確陳述，本說明書(包括伴隨的申請專利範圍、摘要和附圖)中公開的每個特徵可以由提供相同、等同或相似目的替代特徵來代替。
此外，本領域熟習該技術者能夠理解，儘管在此所述的一些實施例包括其它實施例中所包括的某些特徵而不是其它特徵，但是不同實施例的特徵的組合意味著處於本申請的範圍之內並且形成不同的實施例。例如，在申請專利範圍中，所要求保護的實施例的任意之一都可以以任意的組合方式來使用。
應該注意的是上述實施例對本申請進行說明而不是對本申請進行限制，並且本領域熟習該技術者在不脫離所附申請專利範圍的情況下可設計出替換實施例。在申請專利範圍中，不應將位於括號之間的任何參考符號構造成對申請專利範圍的限制。本申請可以借助於包括有若干不同元件的硬體以及借助於適當程式化的計算機來實現。在列舉了若干裝置的單元申請專利範圍中，這些裝置中的若干個可以是通過同一個硬體項來具體體現。單詞第一、第二、以及第三等的使用不表示任何順序。可將這些字詞解釋為名稱。
101:側牆
102:凹槽

Claims (9)

  1. 一種磊晶基座，包括：一基座主體，該基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在該第一表面上設置有用於承載磊晶基底的凹槽，該凹槽外側的該基座主體包括相互交替設置的至少一個第一區域和至少一個第二區域；其中，該第一區域的該第一表面呈粗糙表面，該第二區域的該第一表面呈平滑表面；和/或該第一區域的厚度大於該第二區域的厚度，以使該第一區域和該第二區域配置為具有不同的熱輻射；其中，該第一區域和該第二區域的熱輻射係數的範圍為0.01~0.99。
  2. 如請求項1所述的磊晶基座，其中，在該凹槽外側的該基座主體的圓周上圓心角為0°~30°、60°~120°、150°~210°、240°~300°和330°~360°的區域中至少一個設置為該第一區域。
  3. 如請求項1所述的磊晶基座，其中，該基座主體上設置有多個該第一區域，多個該第一區域的熱輻射配置為相同或不同。
  4. 如請求項1-3之任一項所述的磊晶基座，其中，該第一區域的該第一表面的表面粗糙度為0.01μm~5mm。
  5. 如請求項4所述的磊晶基座，其中，該第一區域的該第一表面具有相鄰設置的波峰和波谷。
  6. 如請求項1-3之任一項所述的磊晶基座，其中，在該第一區域的該第二表面設置有輻射層，配置為使該第一區域的厚度大於該第二區域的厚度。
  7. 如請求項6所述的磊晶基座，其中，該輻射層的厚度範圍為0.1μm~5mm。
  8. 如請求項6所述的磊晶基座，其中，該基座主體上設置有多個該第一區域，多個該第一區域的輻射層的厚度配置為相同或不同。
  9. 一種磊晶設備，包括如請求項1-8之任一項所述的磊晶基座。
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