CN100536104C - 基板载置机构以及基板交接方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板载置机构及基板交接方法。该基板载置机构，即便被处理基板是大型基板，也能用升降销可靠地支承被处理基板，并有效地抑制被处理基板的变形。其包括：作为对具有可挠性的基板(G)进行载置的载置台的基座(4)；相对于基座(4)的载置面可自如突出没入地设置，并且分别支承基板(G)的周边部以及中央部，使该基板在基座(4)上方的进行交接的交接位置与基座(4)上的载置位置之间升降的升降销(8a、8b)；和使升降销(8a、8b)驱动的作为驱动机构的驱动部(9a、9b)，驱动部(9a、9b)在使基板(G)升降时，使升降销(8a)比升降销(8b)突出得高，基板(G)在向下挠曲成凸状的状态下被升降销(8a、8b)稳定地支承。

Description

基板载置机构以及基板交接方法
技术领域
本发明涉及基板载置机构以及基板交接方法，该基板载置机构以及基板交接方法通过相对载置台的载置面突出没入的升降销来支承平板显示器(FPD)用玻璃基板等具有可挠性的被处理基板，并使其在载置台上方的进行基板的交接的交接位置与被载置在载置台上的载置位置之间进行升降。
背景技术
在FPD的制造工艺过程中，对作为被处理基板的FPD用的玻璃基板实施干蚀刻、溅射、或CVD(化学气相生长)等各种处理。这种处理通常是在将玻璃基板载置于在腔室内所设置的载置台上的状态下进行的，基板相对于载置台的装载以及卸载，一般是通过以能够突出没入载置台的载置面的方式而设置的多个升降销来进行的。在装载基板时，使升降销上升并从载置台的载置面突出，在将被搬送臂等搬送部件所搬送的基板转移到升降销上之后，使升降销下降并没入载置台的载置面。在卸载基板时，使升降销上升并从载置台的载置面突出，使基板从载置台离开之后，将升降销上的基板转移到搬送部件上。
考虑到对处理质量的影响，升降销最好设在玻璃基板的周边部位置，但是，近来，FPD朝着大型化的方向发展，甚至也出现了一边超过2m的巨大玻璃基板，如果仅仅使用周边部位置的升降销，则难以支承这种大型的玻璃基板。
因此，在玻璃基板是大型基板的情况下，为了能够可靠地支承玻璃基板也在中央部位置设置升降销(例如参照专利文献1)，如前所述，如果考虑对处理质量的影响，则设在玻璃基板的中央部位置的升降销必须限制为少数几个。结果，如图9(a)所示，如果玻璃基板A被周边部位置以及中央部位置的升降销B、C所支承，则玻璃基板A以升降销B、C间的部分凹陷的方式挠曲，以中央部隆起的方式发生变形，如图9(b)所示，在玻璃基板A被载置在载置台D上时，变形后的玻璃基板A的中央部有可能从载置台D浮起。载置台多数都具有用来调整处理时的玻璃基板的温度的调温功能，例如，在等离子体蚀刻装置中，载置台具有冷却等离子体蚀刻处理时的玻璃基板的作用，因此，如果玻璃基板的一部分从载置台浮起，则玻璃基板的温度在面内变得不均匀，成为导致发生处理不均，例如发生蚀刻不均的主要原因。
【专利文献1】日本特开2002-246450号公报
发明内容
本发明就是鉴于上述这种情况而提出的，其目的在于提供基板载置机构以及基板交接方法、具备这种基板载置机构的基板处理装置、以及存储着用来执行这种基板交接方法的控制程序的计算机可读取的存储介质，该基板载置机构以及基板交接方法即便被处理基板是大型基板，也能够通过升降销可靠地支承被处理基板并能有效地抑制被处理基板的变形。
为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种基板载置机构，其特征在于，包括：载置具有可挠性的被处理基板的载置台；多个升降销，该升降销按照相对上述载置台的载置面自如突出没入的方式设置，并支承被处理基板，使该被处理基板在上述载置台上方的进行基板交接的交接位置与上述载置台上的载置位置之间升降；以及驱动上述升降销的驱动机构，其中，上述多个升降销具有对被处理基板的周边部进行支承的第一升降销和对被处理基板的中央部进行支承的第二升降销，上述驱动机构在使被处理基板升降时，使上述第一升降销按照比上述第二升降销高的方式突出，被处理基板在向下挠曲成凸状的状态下被稳定地支承。
在本发明的第一观点中，优选上述驱动机构独立驱动上述第一升降销与上述第二升降销。
另外，在以上的本发明的第一观点中，优选以下情态，即、包括控制部，其控制通过上述驱动部进行的上述第一以及第二升降销的驱动，上述控制部，在使上述载置位置的被处理基板向上述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与上述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。或者优选以下情态，即、包括控制部，其控制通过上述驱动部进行的上述第一以及第二升降销的驱动，上述控制部，在使上述载置位置的被处理基板向上述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与上述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开上述载置台之后，使上述第一以及第二升降销朝着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与上述载置台接触的状态时停止该驱动，之后，使上述第一以及第二升降销再次朝着突出方向驱动。
另外，在以上的本发明的第一观点中，优选以下情态，即、上述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至上述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，上述控制部，在上述第一以及第二升降销向着上述交接位置并沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与上述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。或者优选以下情态，即、上述第一以及第二升降销按照接受由搬送部件从下方支承并被搬送至上述交接位置的被处理基板的方式构成，上述控制部，在上述第一以及第二升降销向着上述交接位置并沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与上述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开上述搬送部件之后，使上述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与上述搬送部件接触的状态时停止该驱动，之后，使上述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
在本发明的第二观点中提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板的处理容器；设置在上述处理容器内，具有对被处理基板进行载置的载置台的基板载置机构；以及对被载置在上述载置台上的被处理基板实施规定处理的处理机构，上述基板载置机构具有上述第一观点的结构。
在本发明的第二观点中，优选，上述处理机构包括向上述处理容器内供给处理气体的气体供给机构；排出上述处理容器内的气体的排气机构；以及在上述处理容器内生成上述处理气体的等离子体的等离子体生成机构，对被处理基板实施等离子体处理。
在本发明的第三观点中提供一种基板交接方法，其特征在于，该基板交接方法通过相对于对具有可挠性的被处理基板进行载置的载置台的载置面突出没入的多个升降销，支承被处理基板，并使该被处理基板在上述载置台上方的进行基板交接的交接位置与上述载置台上的载置位置之间升降，上述多个升降销具有对被处理基板的周边部进行支承的第一升降销和对被处理基板的中央部进行支承的第二升降销，在使被处理基板升降时，使上述第一升降销比上述第二升降销突出地高，被处理基板在向下挠曲成凸状的状态下被稳定地支承。
在本发明的第三观点中，在上述第一以及第二升降销分别设置对被处理基板的重量进行检测的负载检测部，根据上述各个负载检测部的检测结果，调整上述第一升降销与上述第二升降销的突出高度之差。
另外，在以上的本发明的第三观点中，优选，在使上述载置位置的被处理基板向着上述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与上述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。或者，优选，在使上述载置位置的被处理基板向着上述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与上述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开上述载置台之后，使上述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与上述载置台接触的状态时停止该驱动，之后，使上述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
再者，在以上的本发明的第三观点中，优选，上述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至上述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，在上述第一以及第二升降销向着上述交接位置而沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与上述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。或者，优选，上述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至上述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，在上述第一以及第二升降销向着上述交接位置而沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与上述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使上述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开上述搬送部件之后，使上述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与上述搬送部件接触的状态时停止该驱动，之后，使上述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
在本发明的第四观点中提供一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，是存储着由计算机运行的控制程序的计算机可读取的存储介质，上述控制程序按照在执行时实施上述的基板交接方法的方式在计算机中控制处理装置。
发明效果
根据本发明，由于多个升降销包括对被处理基板的周边部进行支承的第一升降销与对被处理基板的中央部进行支承的第二升降销，并且在使被处理基板升降时，使上述第一升降销比上述第二升降销突出得高，被处理基板在挠曲成凸状的状态下被稳定地支承，因此，即使被处理基板是大型基板，也能用第一及第二升降销可靠地支承被处理基板，并且能够有效地抑制因第一以及第二升降销之间部分的自重而导致的挠曲以及第二升降销的支承反向力引起的被处理基板的变形。因此，能够抑制被处理基板在载置台上的凸起，并抑制发生处理不均。
附图说明
图1是作为基板处理装置的一实施方式的等离子体蚀刻装置的侧面方向概略截面图，该基板处理装置具有本发明所涉及的基板载置机构。
图2是等离子体蚀刻装置的平面方向的概略截面图。
图3是基板载置机构的概略图。
图4是用来说明作为基板载置机构构成部件的升降销对基板的支承情况的示意图。
图5是用来说明使用升降销从搬送臂接受基板的情况的示意图。
图6是用来说明使用升降销从基座接受基板的情况的示意图。
图7是用来说明作用在升降销上的基板的重量的测定方法的示意图。
图8表示根据图7所示的测定方法的测定结果。
图9是现有技术的基板载置机构的概略图。
符号说明
1：等离子体蚀刻装置(基板处理装置：等离子体处理装置)
2：腔室(处理容器)
4：基座(载置台)
8a：升降销(第一升降销)
8b：升降销(第二升降销)
9a、9b：驱动部(驱动机构)
15：处理气体供给管
18：处理气体供给源
19：排气管
20：排气装置
25：高频电源
31：控制器
32：用户界面
33：存储部
40：搬送臂(搬送部件)
50：负载传感器(负载检测部)
G：玻璃基板(被处理基板)
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是作为基板处理装置的一实施方式的等离子体蚀刻装置的侧面方向概略截面图，该基板处理装置具有本发明所涉及的基板载置机构，图2是等离子体蚀刻装置的平面方向的概略截面图。
该等离子体蚀刻装置1构成对FPD用的玻璃基板(以下简称“基板”)G进行蚀刻处理的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD，列举液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。等离子体蚀刻装置1具有作为容纳基板G的处理容器的腔室2。腔室2由例如表面被防蚀铝处理(阳极氧化处理)后的铝构成，并与基板G的形状对应而形成四角筒形状。
在腔室2内的底壁上设有作为载置台的基座4，该载置台载置基板G。基座4与基板G的形状对应而形成四角板状或柱状，它具有由金属等导电性材料构成的基底4a；绝缘部件4b，该绝缘部件4b由覆盖基底4a周边的绝缘材料构成；和绝缘部件4c，该绝缘部件4c以覆盖基底4a及绝缘部件4b的底部的方式而设置并且对它们进行支承，由绝缘材料构成。在基底4a上连接着用来供给高频电力的供电线23，该供电线23与匹配器24以及高频电源25连接。从高频电源25向基座4施加例如13.56MHz的高频电力，这样，基座4就具有作为下部电极的功能。另外，在基底4a中内置有图中未示的静电吸附机构，该静电吸附机构用来吸附被载置的基板G。
在腔室2的上部或者上壁上，以与基座4相对的方式设置有喷头11，该喷头向腔室2内供给处理气体同时具有作为上部电极的功能。喷头11形成有使处理气体在内部扩散的气体扩散空间12，并且形成有向下面或与基座4的相对面吐出处理气体的多个吐出孔13。该喷头11被接地，并与基座4共同构成了一对平行平板电极。
在喷头11的上面设有气体导入口14，该气体导入口14与处理气体供给管15连接，该处理气体供给管15经由阀16以及质量流量控制器17与处理气体供给源18连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体能够使用卤素系气体、O2气体、Ar气体等在该领域中常用的气体。
在腔室2的底壁上连接着排气管19，该排气管19与排气装置20连接。排气装置20具有涡轮分子泵等真空泵，这样，就构成能将腔室2内抽真空至规定的减压氛围的结构。在腔室2的侧壁上形成有用来搬入搬出基板G的搬入搬出口21，并且设置有开闭该搬入搬出口21的闸阀22，该结构构成为，当搬入搬出口21开放时，基板G在被作为搬送部件的搬送臂40(参照图2、4中的虚线)从下方支承着的状态下，在邻接的、图中未示的负载锁定室之间被搬送。
在基座4的基板载置面，形成有图中未示的冷却空间，该冷却空间充满用来在等离子体蚀刻处理时对被载置并被吸附在基座4上的基板G进行冷却的He气体等的调温气体，以通过基座4内并贯通腔室2的底壁的方式，设置有用来向该冷却空间中供给调温气体的调温气体供给管41。在调温气体供给管41上连接有调温气体供给源42，并且设置有用来调整调温气体的供给压力的压力控制阀43。
在腔室2的底壁以及基座4上，在基座4的周边部位置以及中央部位置(与周边部位置相比位于内侧或靠近中央位置)分别形成有多个贯通该腔室底壁以及该基座的插通孔7a、7b。插通孔7a，例如在各个边部隔开规定间隔设置2处，共计形成8处，插通孔7b，例如按照平行于基座4的相向的一对边而排列的方式隔开规定间隔地形成2处。在插通孔7a、7b中，分别以能够突出没入基座4的基板载置面的方式插入有从下方支承基板G并使其升降的升降销8a、8b(第一以及第二升降销)。升降销8a、8b分别按照在突出时与基板G的周边部以及中央部抵接的方式而设置，利用图中未示的定位套(bush)沿着径向或横向被定位，被插入插通孔7a、7b中。
图3是基板载置机构的概略图。
如图3所示，升降销8a、8b的下部分别突出在腔室2的外侧，下端部分别与驱动部9a、9b连接，通过该驱动部9a、9b的驱动而升降，由此，就以相对基座4的基板载置面突出及没入的方式构成。驱动部9a、9b分别使用例如步进电机而构成。
在升降销8a、8b的下部分别形成有凸缘26，各个凸缘26与以围绕升降销8a、8b的方式而设置的能够伸缩的波形管27的一个端部(下端部)连接，该波形管27的另一个端部(上端部)与腔室2的底壁连接。这样，波形管27随着升降销8a、8b的升降而伸缩，并且密封插通孔7a、7b与升降销8a、8b的间隙。
驱动部9a、9b的驱动被具备微处理器(计算机)的控制器31所分别控制，这样，成为升降销8a与升降销8b能够独立升降的结构。在控制器31上，连接有由工艺过程管理者为管理驱动部9a、9b的驱动而进行命令输入操作等的键盘；可视化地显示驱动部9a、9b的驱动情况的显示器等构成的用户界面32；以及存储着方案的存储部33，上述方案记录着用来在控制器31的控制下而实现驱动部9a、9b的驱动的控制程序或驱动条件数据等。根据需要，按照从用户界面32发出的指示等从存储部33中读取任意的方案并使其在控制器31中执行，这样，就能在控制器31的控制下进行驱动部9a、9b的驱动以及停止。上述方案可以被存储在例如CD-ROM、硬盘、闪存等计算机能够读取的存储介质中，或者从其它的装置例如通过专线随时进行传送。
控制器31、用户界面32以及存储部33构成通过驱动部9a、9b来控制升降销8a、8b的升降的控制部，基座4、升降销8a、8b、驱动部9a、9b以及控制部构成基板载置机构。
在采用上述方式构成的等离子体蚀刻装置1中，在搬入搬出口21被闸阀22开放的状态下，基板G被搬送臂40(参照图2、图4的虚线)从搬入搬出口21搬入，被搬送至基座4的上方，之后，使各个升降销8a、8b上升并使其比搬送臂40高而突出。另外，按照各个升降销8a、8b与搬送臂40互相不接触的方式设置。这样，基板G从搬送臂40上被转移到升降销8a、8b上。此时，如前所述，为了使基板G的重量在各个升降销8a、8b上分散，使升降销8a位于比升降销8b高出规定量的位置，在使基板G向下挠曲成凸状的状态下被各个升降销8a、8b所支承。搬送臂40从搬入搬出口21退出腔室2外之后，利用闸阀22关闭搬入搬出口21，并且保持升降销8a位于比升降销8b高出规定量的位置，同时，使升降销8a、8b下降。接着，按照升降销8b、升降销8a的顺序使其没入基座4的载置面，从而使基板G载置在基座4上。由于基板G的重量被升降销8a、升降销8b均衡地分散，因此，基板G因升降销8a、8b的支承反向力而引起的变形、特别是因升降销8b导致的中央部的变形得以控制，能够在全面或者大致全面的范围与基座4的载置面接触。
利用闸阀22关闭搬入搬出口21，并在基座4上载置基板G之后，使用排气装置20将腔室2内抽真空至规定的真空度。然后，从处理气体供给源18，在利用质量流量控制器17调整流量的同时经由处理气体供给管15、气体导入口14以及喷头11向腔室2内供给处理气体，在此状态下，向静电吸附机构施加直流电压以使基板G吸附在基座4上。
从高频电源25通过匹配器24向基座4施加高频电力，在作为下部电极的基座4与作为上部电极的喷头11之间产生高频电场，然后使腔室2内的处理气体等离子体化，同时，为了避免基板G的温度变化、例如温度上升，在利用压力控制阀43调整为规定的压力的同时，将来自调温气体供给源42的调温气体，经由调温气体供给管41导入被吸附在基座4上的基板G的背面侧的冷却空间。在此状态下，利用处理气体的等离子体对基板G实施蚀刻处理。
对基板G实施蚀刻处理之后，停止从高频电源25施加高频电力，同时，停止处理气体以及调温气体的导入，进而，解除静电吸附机构对基板G的吸附。然后，利用闸阀22开放搬入搬出口21，同时，与接收来自搬送臂40的基板G时同样，使升降销8a、8b上升，使基板G向下方挠曲成凸状，从基座4向上方离开。之后，在搬送臂40从搬入搬出口21进入腔室2内之后，使升降销8a、8b下降。这样，基板G从升降销8a、8b上被转移到搬送臂40上。接着，基板G被搬送臂40从搬入搬出口21搬出至腔室2外。
在本实施方式中，通过按照比升降销8b高出规定量的方式来配置升降销8a，并在使基板G向下挠曲成凸状的状态下来支承基板，这样，不仅能够抑制升降销8a、8b之间部分的挠曲以及升降销8b的支承反向力引起的基板G的变形，而且能够抑制基板G在具有作为下部电极功能的基座4上的凸出，因此，等离子体蚀刻处理时，利用从基座4被供给的调温气体能够在大致整个表面均匀地冷却基板G，这样，就能够有效地抑制蚀刻不均。另外，蚀刻处理后也同样，通过按照比升降销8b高出规定量的方式来配置升降销8a，并在使基板G向下挠曲成凸状的状态下支承基板，由此，由于能够抑制升降销8b的支承反向力引起的基板G的变形，也能够提高蚀刻的后处理的质量。
下面，对使用升降销8a、8b接受来自搬送臂40以及基座4的基板G的一个例子进行说明。
图5是用来说明使用升降销8a、8b从搬送臂40接受基板G的情况的示意图。
搬送臂40所搬送的基板G有时吸附在该搬送臂40上。在这种情况下，如果使升降销8a、8b一下子上升而从搬送臂40接受基板G，那么，基板G从吸附着的搬送臂40脱离时就会受到冲击而大幅振动，从而有可能引起位置偏离或破损。因此，在使用升降销8a、8b从搬送臂40接受基板G时，首先，如图5(a)所示，按照将升降销8a比升降销8b高出规定量而进行配置的方式，使升降销8a、8b上升，如图5(b)所示，基板G保持着与搬送臂40的接触而与升降销8a抵接，从而向下挠曲成凸状的状态，最好是在基板G即将离开搬送臂40的状态时，使升降销8a、8b的上升暂且停止。这样，即使在基板G吸附于搬送臂40上的情况下，由于基板G缓慢地从搬送臂40上脱离，因此，也能够抑制基板G的振动。如图5(c)所示，重新开始升降销8a、8b的上升，使基板G从搬送臂40上脱离。这样，就能使基板G从搬送臂40上安全地转移到升降销8a、8b上。
再者，如图5(c)所示，在重新使升降销8a、8b上升并使基板G从搬送臂40离开时，例如，在因中央部吸附在搬送臂40上而导致基板G发生振动的情况下，如图5(d)所示，使升降销8a、8b下降。接着，如图5(e)所示，在基板G保持向下挠曲成凸状而与搬送臂40再次接触的状态，最好是在紧接着基板G与搬送臂40接触之后的状态时，停止升降销8a、8b的下降。在此状态下，基板G与搬送臂40的接触部分较小，基板G不可能再次吸附在搬送臂40上，因此能够更加可靠地抑制基板G的振动。之后，如图5(f)所示，使升降销8a、8b再次上升，使基板G从搬送臂40离开，这样就能更安全地使基板G从搬送臂40上转移到升降销8a、8b上。
图6是用来说明使用升降销8a、8b从基座4接受基板G的情况的示意图。
即使蚀刻处理后的基板G将静电吸附机构的吸附解除，有时也会吸附在具有作为下部电极的功能的基座4上，因此，使用升降销8a、8b从基座4接受基板G最好也按照与从搬送臂40接受基板同样的方式进行。首先，如图6(a)所示，按照使升降销8a比升降销8b高出规定量而进行配置的方式，使升降销8a、8b上升(也可以仅使升降销8a上升)，如图6(b)所示，基板G保持着与搬送臂40的接触而与升降销8a抵接，在其向下挠曲成凸状的状态，更加优选的是在基板G即将离开基座4的状态时，使升降销8a、8b的上升暂且停止。如图6(c)所示，重新开始升降销8 a、8b的上升，使基板G从搬送臂40上脱离。这样，就能抑制基板G的振动，使基板G从基座4上安全地转移到升降销8a、8b上。
另外，如图6(c)所示，在重新使升降销8a、8b上升，并使基板G从基座4离开时，例如，在因中央部吸附在基座4上而导致基板G发生振动的情况下，如图6(d)所示，使升降销8a、8b下降，如图6(e)所示，在基板G保持向下挠曲成凸状而与基座4再次接触的状态时，更加优选的是在紧接着基板G与基座4接触之后的状态时，停止升降销8a、8b的下降。之后，如图6(f)所示，使升降销8a、8b再次上升，使基板G从搬送臂40离开。由此，就能更加可靠地抑制基板G的振动，使基板G更安全地从基座4上转移到升降销8a、8b上。
下面，调整升降销8a与升降销8b的突出高度之差，同时测定作用在支承着基板G时的各个升降销8a、8b上的基板G的重量。基板G的尺寸(长×宽)设为1800mm×1500mm，如图7所示，测定作用在各个升降销8a、8b上的基板G的重量，是使用在各个升降销8a、8b的顶端部所设的作为负载检测部的负载传感器50而进行的。结果如图8所示。另外，在图8中，将纵轴为(各个负载传感器50的测定值)，横轴为(升降销8b的高度-升降销8a的高度)。
如图8所示，在按照比升降销8b略高的方式而配置升降销8a的情况下，各个负载传感器50的测定值则会出现大的误差，但是，随着升降销8a与升降销8b的高度之差变大，各个负载传感器50的测定值的误差变小，在按照比升降销8b高出规定量，此处为高出20mm左右的方式而配置升降销8a的情况下，与按照和升降销8b相等的高度而配置升降销8a的情况，或者按照比升降销8b低的高度而配置升降销8a的情况相比，各个负载传感器50的测定值的误差变小。即，如本实施方式所述可以确认，按照比升降销8b高出规定量的方式而配置升降销8a，则能够将基板G的重量均衡地分散在各升降销8a、8b上。因此，根据本实施方式，能够抑制基板G的变形，并且能够稳定地支承基板G。
以上，说明了本发明的最佳实施方式，但是，本发明并不局限于上述实施方式，可以有各种各样的更改。在上述实施方式中，设置多根用来支承基板的中央部的升降销，例如设置2根，但是，该升降销也可设置1根。另外，在上述实施方式中，为了按照比支承基板的中央部的升降销高出规定量的方式来配置支承基板的周边部的升降销而使用独立的驱动部，但是，并不局限于此，不仅可以预先改变各个升降销的长度，用相同的驱动部来驱动各个升降销，也可以预先改变各个升降销的长度并且使用独立的驱动部。另外，在上述实施方式中，对应用在向下部电极施加高频电力的RIE式的电容耦合式平行平板等离子体蚀刻装置中的例子进行了说明，但是，并不局限于此，也能够应用在灰化、CVD成膜等其它的等离子体处理装置中，而且，也能应用在将基板载置在载置台上进行处理的等离子体处理装置以外的一般基板处理装置中。另外，在上述实施方式中，对应用在FPD用的玻璃基板中的例子进行了说明，但并不局限于此，也能够应用在FPD用的玻璃基板以外的具有可挠性的一般基板中。

Claims (14)

1.一种基板载置机构，其特征在于，包括：
载置具有可挠性的被处理基板的载置台；
多个升降销，该升降销按照相对所述载置台的载置面自如突出没入的方式设置，并支承被处理基板，使该被处理基板在所述载置台上方的进行基板交接的交接位置与所述载置台上的载置位置之间升降；以及
驱动所述升降销的驱动机构，其中，
所述多个升降销具有对被处理基板的周边部进行支承的第一升降销和对被处理基板的中央部进行支承的第二升降销，
所述驱动机构在使被处理基板升降时，使所述第一升降销按照比所述第二升降销高的方式突出，被处理基板在向下挠曲成凸状的状态下被稳定地支承。
2.根据权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于，
所述驱动机构能够独立驱动所述第一升降销与所述第二升降销。
3.根据权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于，包括：
控制部，其控制通过所述驱动部进行的所述第一以及第二升降销的驱动，
所述控制部，在使所述载置位置的被处理基板向所述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与所述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。
4.根据权利要求1所述的基板载置机构，其特征在于，包括：
控制部，其控制通过所述驱动部进行的所述第一以及第二升降销的驱动，
所述控制部，在使所述载置位置的被处理基板向所述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与所述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开所述载置台之后，使所述第一以及第二升降销朝着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与所述载置台接触的状态时停止该驱动，之后，使所述第一以及第二升降销再次朝着突出方向驱动。
5.根据权利要求3或4所述的基板载置机构，其特征在于，
所述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至所述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，
所述控制部，在所述第一以及第二升降销向着所述交接位置并沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与所述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。
6.根据权利要求3或4所述的基板载置机构，其特征在于，
所述第一以及第二升降销按照接受由搬送部件从下方支承并被搬送至所述交接位置的被处理基板的方式构成，
所述控制部，在所述第一以及第二升降销向着所述交接位置并沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与所述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开所述搬送部件之后，使所述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与所述搬送部件接触的状态时停止该驱动，之后，使所述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
7.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
设置在所述处理容器内，具有对被处理基板进行载置的载置台的基板载置机构；以及
对被载置在所述载置台上的被处理基板实施规定处理的处理机构，
所述基板载置机构具有权利要求1～4中任一项所述的结构。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理机构包括向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构；排出所述处理容器内的气体的排气机构；以及在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成机构，对被处理基板实施等离子体处理。
9.一种基板交接方法，其特征在于，
该基板交接方法通过相对于对具有可挠性的被处理基板进行载置的载置台的载置面突出没入的多个升降销，支承被处理基板，并使该被处理基板在所述载置台上方的进行基板交接的交接位置与所述载置台上的载置位置之间升降，
所述多个升降销具有对被处理基板的周边部进行支承的第一升降销和对被处理基板的中央部进行支承的第二升降销，
在使被处理基板升降时，使所述第一升降销比所述第二升降销突出地高，被处理基板在向下挠曲成凸状的状态下被稳定地支承。
10.根据权利要求9所述的基板交接方法，其特征在于，
在所述第一以及第二升降销分别设置对被处理基板的重量进行检测的负载检测部，根据所述各个负载检测部的检测结果，调整所述第一升降销与所述第二升降销的突出高度之差。
11.根据权利要求9所述的基板交接方法，其特征在于，
在使所述载置位置的被处理基板向着所述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与所述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。
12.根据权利要求9所述的基板交接方法，其特征在于，
在使所述载置位置的被处理基板向着所述交接位置上升的途中，在被处理基板保持着与所述载置台的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开所述载置台之后，使所述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与所述载置台接触的状态时停止该驱动，之后，使所述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的基板交接方法，其特征在于，
所述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至所述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，
在所述第一以及第二升降销向着所述交接位置而沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与所述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止。
14.根据权利要求9～12中任一项所述的基板交接方法，其特征在于，
所述第一以及第二升降销按照对由搬送部件从下方支承并搬送至所述交接位置的被处理基板进行接受的方式构成，
在所述第一以及第二升降销向着所述交接位置而沿突出方向驱动的途中，在被处理基板保持着与所述搬送部件的接触并向下挠曲成凸状的状态时，使所述第一以及第二升降销的向突出方向的驱动暂且停止，在重新开始该驱动并使被处理基板离开所述搬送部件之后，使所述第一以及第二升降销向着没入方向驱动，在被处理基板向下挠曲成凸状并与所述搬送部件接触的状态时停止该驱动，之后，使所述第一以及第二升降销再次向着突出方向驱动。
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