JP5854921B2 - 太陽電池製造装置および太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1による太陽電池製造装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。なお、ここでは、太陽電池製造装置として、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を例に挙げる。太陽電池製造装置10は、気密に構成されたチャンバ11内の底面上に支持部材14を介して配置された基板保持手段である基板ステージ12を有する。基板ステージ12上には、処理対象のc−Si基板(以下、単に基板ともいう)111が配置される基板トレイ13が設けられる。基板トレイ13は、基板111を所定の位置に配置した状態で搬送可能な構成を有する。また、基板トレイ13は、複数の基板111を配置することができる。
実施の形態1では、質量計測器で計測された質量から求めた推定膜厚値が目標膜厚値以下である場合の処理について説明したが、推定膜厚値が目標膜厚値を超える場合もある。そこで、実施の形態2では、推定膜厚値が目標膜厚値を超える場合の太陽電池製造装置および太陽電池の製膜方法について説明する。
11 チャンバ
12 基板ステージ
12a,13a 貫通孔
13 基板トレイ
14 支持部材
15 伸縮アーム
16 リフトピン
17 シャワーヘッド
18 ガス排気口
21 ガス供給口
22 配管
23 原料ガス供給部
24 ガスバルブ
25 エッチングガス供給部
31 質量測定器
32 制御部
41 給電線
42 ブロッキングコンデンサ
43 整合器
44 高周波電源
100 両面ヘテロ接合太陽電池
111 c−Si基板
112 i型a−Si層
113 第2導電型a−Si層
114 透明導電層
115,118 集電極
116 BSF層
117 透明導電層
321 質量測定部
322 質量記憶部
323 製膜時間算出部
324 質量−膜厚対応情報格納部
325 製膜処理部
326 プラズマ照射時間−エッチング量対応情報格納部
327 エッチング時間算出部
328 エッチング処理部
1161 i型a−Si層
1162 第1導電型Si層
Claims (4)
- チャンバと、
前記チャンバ内で半導体基板を保持する基板保持手段と、
前記チャンバ内で前記半導体基板上に半導体膜を形成する薄膜形成手段と、
前記基板保持手段に設けられる厚さ方向に貫通する孔部に設けられ、前記半導体基板を前記基板保持手段に接触しない状態で支持する複数の基板支持部材と、
前記基板支持部材にかかる荷重を検出して前記半導体基板の質量を測定する質量測定手段と、
前記質量測定手段で、前記半導体基板の製膜前の基準質量と、製膜後の質量と、を測定する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記半導体基板に付着した前記半導体膜の質量と、前記半導体基板の表面に付着した前記半導体膜の厚さとの対応関係を示す質量−膜厚対応情報を用いて、前記質量測定手段で測定された前記製膜前の基準質量と前記製膜後の質量との差に対応する、前記半導体基板に堆積した前記半導体膜の推定膜厚値を求め、前記半導体膜の前記推定膜厚値が目標膜厚値に比して小さい場合に、前記目標膜厚値と前記推定膜厚値との差と、前記薄膜形成手段による製膜速度と、を用いて不足膜厚分の製膜時間を算出し、前記不足膜厚分の製膜時間だけ前記薄膜形成手段による前記半導体膜の追加の製膜処理を実行することを特徴とする太陽電池製造装置。 - 前記半導体膜をエッチングするエッチング手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記半導体膜の推定膜厚値が目標膜厚値に比して大きい場合に、前記推定膜厚値と前記目標膜厚値との差と、前記エッチング手段によるエッチング速度と、を用いて、過剰膜厚分を除去するエッチング時間を算出し、前記エッチング時間だけ前記エッチング手段による前記半導体膜のエッチング処理を実行することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池製造装置。 - チャンバと、
前記チャンバ内で半導体基板を保持する基板保持手段と、
前記チャンバ内で前記半導体基板上に半導体膜を形成する薄膜形成手段と、
前記基板保持手段に設けられる厚さ方向に貫通する孔部に設けられ、前記半導体基板を前記基板保持手段に接触しない状態で支持する複数の基板支持部材と、
前記基板支持部材にかかる荷重を検出して前記半導体基板の質量を測定する質量測定手段と、
を備える太陽電池製造装置での太陽電池の製造方法であって、
前記質量測定手段で前記基板支持部材に支持された前記半導体基板の製膜前の基準質量を測定する製膜前質量測定工程と、
前記薄膜形成手段で前記半導体基板上に前記半導体膜を形成する膜形成工程と、
前記質量測定手段で前記半導体基板の製膜後の質量を測定する製膜後質量測定工程と、
前記半導体基板に付着した前記半導体膜の質量と、前記半導体基板の表面に付着した前記半導体膜の厚さとの対応関係を示す質量−膜厚対応情報を用いて、前記製膜前の基準質量と前記製膜後の質量との差に対応する、前記半導体基板に堆積した前記半導体膜の推定膜厚値を求める膜厚推定工程と、
前記推定膜厚値と前記半導体膜の目標膜厚値とを比較する膜厚比較工程と、
前記半導体膜の前記推定膜厚値が目標膜厚値に比して小さい場合に、前記目標膜厚値と前記推定膜厚値との差と、前記薄膜形成手段による製膜速度と、を用いて不足膜厚分の製膜時間を算出する製膜時間算出工程と、
前記不足膜厚分の製膜時間だけ前記薄膜形成手段による前記半導体膜の追加の製膜処理を実行する追加製膜処理工程と、
を含み、
前記推定膜厚値が前記目標膜厚値に対して所定の範囲内となるまで前記膜厚比較工程から前記追加製膜処理工程を繰り返し実行することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - チャンバと、
前記チャンバ内で半導体基板を保持する基板保持手段と、
前記チャンバ内で前記半導体基板上に半導体膜を形成する薄膜形成手段と、
前記基板保持手段に設けられる厚さ方向に貫通する孔部に設けられ、前記半導体基板を前記基板保持手段に接触しない状態で支持する複数の基板支持部材と、
前記基板支持部材にかかる荷重を検出して前記半導体基板の質量を測定する質量測定手段と、
前記半導体膜をエッチングするエッチング手段と、
を備える太陽電池製造装置での太陽電池の製造方法であって、
前記質量測定手段で前記基板支持部材に支持された前記半導体基板の製膜前の基準質量を測定する製膜前質量測定工程と、
前記薄膜形成手段で前記半導体基板上に前記半導体膜を形成する膜形成工程と、
前記質量測定手段で前記半導体基板の製膜後の質量を測定する製膜後質量測定工程と、
前記半導体基板に付着した前記半導体膜の質量と、前記半導体基板の表面に付着した前記半導体膜の厚さとの対応関係を示す質量−膜厚対応情報を用いて、前記製膜前の基準質量と前記製膜後の質量との差に対応する、前記半導体基板に堆積した前記半導体膜の推定膜厚値を求める膜厚推定工程と、
前記推定膜厚値と前記半導体膜の目標膜厚値とを比較する膜厚比較工程と、
前記半導体膜の前記推定膜厚値が目標膜厚値に比して大きい場合に、前記推定膜厚値と前記目標膜厚値との差と、前記エッチング手段によるエッチング速度と、を用いて過剰膜厚分のエッチング時間を算出するエッチング時間算出工程と、
前記エッチング時間だけ前記エッチング手段による前記半導体膜のエッチング処理を実行するエッチング工程と、
を含み、
前記推定膜厚値が前記目標膜厚値に対して所定の範囲内となるまで前記膜厚比較工程から前記エッチング工程を繰り返し実行することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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