JP6516482B2 - Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JP6516482B2 JP6516482B2 JP2015010727A JP2015010727A JP6516482B2 JP 6516482 B2 JP6516482 B2 JP 6516482B2 JP 2015010727 A JP2015010727 A JP 2015010727A JP 2015010727 A JP2015010727 A JP 2015010727A JP 6516482 B2 JP6516482 B2 JP 6516482B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- group iii
- manufacturing
- iii nitride
- nitride semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 82
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 6
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
1.III 族窒化物半導体素子の製造装置
図1は、本実施形態におけるIII 族窒化物半導体素子の製造装置1000の概略構成図である。製造装置1000は、窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを混合し、その混合ガスをプラズマ化してプラズマ生成物を成長基板に供給するとともに、III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで成長基板に供給する装置である。
製造装置1000における製造条件を表1に示す。表1で挙げた数値範囲は、あくまで目安であり、必ずしもこの数値範囲である必要はない。RFパワーは、100W以上1000W以下の範囲内である。RF電源1600がシャワーヘッド電極1100に付与する周期的な電位の周波数は、30MHz以上300MHz以下の範囲内である。基板温度は、400℃以上900℃以下の範囲内である。また、基板温度は、室温以上であってもよい。製造装置1000の内圧は、1Pa以上10000Pa以下の範囲内である。
RFパワー 100W以上 1000W以下
周波数 30MHz以上 300MHz以下
基板温度 400℃以上 900℃以下
内圧 1Pa以上 10000Pa以下
本実施形態では、第2のガスとして、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いる。この混合ガスに占める水素ガスの混合比は、体積流量比で5%以上45%以下であるとよい。好ましくは、混合ガスにおける水素ガスの体積流量比は、10%以上40%以下である。より好ましくは、混合ガスにおける水素ガスの体積流量比は、15%以上35%以下である。これらの条件下で、好適なGaN結晶が得られる。
本実施形態の半導体ウエハの製造方法は、REMOCVD(Radical Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体層を成長させる。すなわち、本実施形態の製造装置1000を用いて半導体層を成長させる。REMOCVD法とは、III 族金属を含有するガスをプラズマ化しないで、窒素ガスおよび水素ガスの混合ガスをプラズマ化して、半導体層を成長させる方法である。
ここで、本実施形態の製造装置1000を用いた半導体ウエハの製造方法について説明する。まず、基板Sa1を準備する。基板Sa1として、例えば、c面サファイア基板を用いることができる。また、その他の基板を用いてもよい。基板Sa1を、製造装置1000の内部に配置し、水素ガスを供給しながら基板温度を900℃程度まで上昇させる。これにより、基板Sa1の表面を還元するとともに、基板Sa1の表面をクリーニングする。基板温度をこれ以上の温度にしてもよい。
次に、RF電源1610をONにする。そして、第2のガス供給管1420から、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを供給する。そして、シャワーヘッド電極1100の貫通孔から炉本体1001の内部に供給された混合ガスは、シャワーヘッド電極1100の直下でプラズマ化する。そのため、シャワーヘッド電極1100の直下にプラズマ発生領域が生成される。この際に、窒素ラジカルと水素ラジカルとが生成される。そして、窒素ラジカルと水素ラジカルとが反応して、窒化水素系の化合物が生成されると考えられる。また、電子やその他の荷電粒子も生成される。
こうして、基板Sa1の主面にIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。これにより、半導体ウエハが製造される。この半導体ウエハにおけるIII 族窒化物半導体の結晶性はよい。
このように、基板温度を高い温度とすることなく、III 族窒化物半導体を成長させることができる。そのため、基板温度が高いと結晶成長が困難な高In濃度のInGaN層等を成長させるのに好適である。また、大量のアンモニアガスを流す必要がない。そのため、アンモニアガスを除去する除害装置を設ける必要はない。そのため、製造装置そのもののコストが低い。また、ランニングコストを抑制することもできる。
6−1.リング部の貫通孔
本実施形態では、第1のガス供給管1300は、リング部1310の内側に貫通孔を有することとした。しかし、この貫通孔の位置を、リングの内側でかつ下向きにしてもよい。リング部1310を含む面と、貫通孔の開口部の方向とのなす角の角度は、例えば45°である。この角の角度は、例えば、0°以上60°以下の範囲内で変えてもよい。この角度は、もちろん、リング部1310の径や、リング部1310とサセプター1200との間の距離にも依存する。また、貫通孔の数は、1以上であればよい。もちろん、リング部1310に、等間隔で貫通孔が形成されていることが好ましい。
本実施形態の製造装置1000は、成長基板の上にIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる。窒素ガスと水素ガスとの混合気体をプラズマ化するとともに、III 族金属ガスを含む有機金属ガスをプラズマ化しないで成長基板に供給する。窒素ガスを水素ガスと混合させつつプラズマ化しているため、基板温度を高くすることなく、III 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる。成長させたIII 族窒化物半導体の結晶性は十分である。また、アンモニアガスを用いる必要がない。そのため、本実施形態の製造装置には、アンモニアを除去するための除害装置を設ける必要がない。
第2の実施形態について説明する。本実施形態の半導体デバイスは、III 族窒化物半導体層を有する半導体発光素子である。
本実施形態の発光素子100を図2に示す。発光素子100は、III 族窒化物半導体層を有する。発光素子100は、基板110と、バッファ層120と、n−GaN層130と、発光層140と、p−AlGaN層150と、p−GaN層160と、p電極P1と、n電極N1と、を有する。発光層140は、井戸層と障壁層とを有する。井戸層は、例えば、InGaN層を有している。障壁層は、例えば、AlGaN層を有している。これらの積層構造は、例示であり、上記以外の積層構造であってもよい。
本実施形態の発光素子100の製造方法は、REMOCVD(Radical Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体層を成長させる。すなわち、第1の実施形態の製造装置1000を用いて半導体層を成長させる。
第1の実施形態の製造装置1000を用いて、基板110の上にIII 族窒化物半導体層を形成する。ここで用いる条件は、第1の実施形態で説明した半導体ウエハの製造方法とほぼ同様である。基板110の上に、バッファ層120と、n−GaN層130と、発光層140と、p−AlGaN層150と、p−GaN層160と、を形成する。上記の各半導体層を形成するために、適宜原料ガスを切り替えればよい。
次に、ICP等のエッチングにより、p−GaN層160からn−GaN層130の途中まで達する凹部を形成する。これより、n−GaN層130の露出部131が露出する。
次に、n−GaN層130の露出部131の上にn電極N1を形成する。また、p−GaN層160の上にp電極P1を形成する。
アニール工程や、絶縁膜を形成する工程等、その他の工程を実施してもよい。
第3の実施形態について説明する。本実施形態の半導体デバイスは、III 族窒化物半導体層を有するMIS型半導体素子である。
図3に示すように、MIS型半導体素子200は、基板210と、バッファ層220と、GaN層230と、AlGaN層240と、絶縁膜250と、ソース電極S1と、ゲート電極G1と、ドレイン電極D1と、を有している。ソース電極S1およびドレイン電極D1は、AlGaN層240の上に形成されている。ゲート電極G1と、AlGaN層240の溝241との間には、絶縁膜250がある。
本実施形態のMIS型半導体素子200の製造方法は、REMOCVD(Radical Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により半導体層を成長させる。すなわち、第1の実施形態の製造装置1000を用いて半導体層を成長させる。
第1の実施形態の製造装置1000を用いて、基板210の上にIII 族窒化物半導体層を形成する。ここで用いる条件は、第1の実施形態で説明した半導体ウエハの製造方法とほぼ同様である。基板210の上に、バッファ層220と、GaN層230と、AlGaN層240と、を形成する。上記の各半導体層を形成するために、適宜原料ガスを切り替えればよい。
次に、ICP等のエッチングにより、AlGaN層240に溝241を形成する。
次に、溝241に、絶縁膜250を形成する。
次に、AlGaN層240の上にソース電極S1およびドレイン電極D1を形成する。また、溝241の箇所に、絶縁膜250を介してゲート電極G1を形成する。なお、ソース電極S1およびドレイン電極D1については、絶縁膜250を形成する前に形成してもよい。以上により、MIS型半導体素子200が製造される。
本実験では、図1に示す製造装置1000を用いて実験を行った。RFパワーは、400Wであった。プラズマガスとして、窒素ガス750sccmと、水素ガス250sccmと、を混合した混合ガスを供給した。つまり、混合ガスにおける水素ガスの体積流量比は、25%であった。III 族金属の有機金属ガスについては、0.5sccmで供給した。製造装置1000の内圧は、100Paであった。
本実験では、実施例1の条件から、混合ガスにおける水素ガスの流量比のみ変えて実験を行った。プラズマガスとして、窒素ガス1000sccmを供給した。水素ガスは供給しなかった。つまり、第2のガスにおける水素ガスの体積流量比は0%であった。このときの断面写真を図4に示す。図4に示すように、好ましいGaN結晶は得られなかった。GaN結晶は、ワイヤ状にランダムに成長した。また、XRDでも回折ピークは観察されなかった。
本実験では、実施例1の条件から、混合ガスにおける水素ガスの流量比のみ変えて実験を行った。プラズマガスとして、窒素ガス500sccmと、水素ガス500sccmと、を混合した混合ガスを供給した。つまり、第2のガスにおける水素ガスの体積流量比は50%であった。このときの断面写真を図4に示す。図4に示すように、GaN結晶は成長した。しかし、GaN結晶の成長速度は著しく遅かった。また、XRDでも回折ピークは、非常に弱かった。
本実験では、実施例1の条件から、混合ガスにおける水素ガスの流量比のみ変えて実験を行った。プラズマガスとして、窒素ガス250sccmと、水素ガス750sccmと、を混合した混合ガスを供給した。つまり、第2のガスにおける水素ガスの体積流量比は75%であった。このときの断面写真を図4に示す。図4に示すように、GaN結晶はほとんど成長しなかった。
上記のように、実施例1では、一様で厚みの十分なGaN結晶を、十分な成膜速度で成長させることができた。このGaN結晶の結晶性は、十分なものであった。また、基板温度も、従来のMOCVDの成長温度1000℃以上1500℃以下のよりもはるかに低い。このため、製造装置1000は、III 族窒化物半導体素子を量産するのに適している。また、アンモニアガスを用いる必要はない。
1001…炉本体
1100…シャワーヘッド電極
1200…サセプター
1210…加熱器
1300…第1のガス供給管
1410…ガス導入室
1420…第2のガス供給管
1500…金属メッシュ
1600…RF電源
1610…マッチングボックス
Claims (9)
- III 族窒化物半導体素子の製造装置において、
第1の電極と、
成長基板を支持するための基板支持部と、
前記基板支持部に第1のガスを供給する第1のガス供給管と、
前記基板支持部に第2のガスを供給する第2のガス供給管と、
炉本体と、
を有し、
前記第1のガス供給管は、
少なくとも1以上の第1のガス噴出口を有するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスを第1のガスとして供給するものであり、
前記第1の電極は、
前記基板支持部からみて前記第1のガス供給管の前記第1のガス噴出口よりも遠い位置に配置されているとともに、
前記炉本体と前記第1のガス供給管との少なくとも一方と放電して前記第1の電極の直下にプラズマ発生領域を形成し、
前記第2のガス供給管は、
窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを第2のガスとして前記プラズマ発生領域に供給して前記第2のガスをプラズマ化し、
前記第2のガス供給管が供給する前記混合ガスにおける水素ガスの混合比は、
体積流量比で5%以上45%以下の範囲内であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
前記第1の電極は、
第1面から第2面に貫通する複数の貫通孔を設けられた平板電極であり、
前記第2のガス供給管は、
前記第1の電極の前記複数の貫通孔と連通していること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
前記第1の電極と前記第1のガス噴出口との間の距離が、
30mm以上であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
前記第1の電極と前記基板支持部との間の距離が、
40mm以上であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
前記第1のガス供給管は、
リング形状のリング部を有するとともに、
前記第1のガス噴出口は、
前記リング部の内側に向けて設けられていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
金属メッシュ部材を有し、
前記金属メッシュ部材は、
前記第1のガス供給管と前記第1の電極との間の位置に配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造装置において、
前記第1の電極に30MHz以上300MHz以下の周波数の電位を付与するRF電源を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造装置。 - III 族窒化物半導体素子の製造方法において、
水素ガスの混合比を体積流量比で5%以上45%以下として窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを混合し、
前記混合ガスをプラズマ化して成長基板に供給するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで前記成長基板に供給すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体素子の製造方法。 - 半導体ウエハの製造方法において、
水素ガスの混合比を体積流量比で5%以上45%以下として窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを混合し、
前記混合ガスをプラズマ化してウエハに供給するとともに、
III 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで前記ウエハに供給すること
を特徴とする半導体ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010727A JP6516482B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015010727A JP6516482B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016134611A JP2016134611A (ja) | 2016-07-25 |
JP6516482B2 true JP6516482B2 (ja) | 2019-05-22 |
Family
ID=56464559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015010727A Active JP6516482B2 (ja) | 2015-01-22 | 2015-01-22 | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6516482B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023008295A1 (ja) | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018060854A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | Jsr株式会社 | 半導体素子用基板、エッチング方法、及びエッチング液 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111074A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-04-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体素子及び太陽電池 |
JP2003188104A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置 |
JP2005225694A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体の製造方法 |
-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015010727A patent/JP6516482B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023008295A1 (ja) | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016134611A (ja) | 2016-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6406811B2 (ja) | Iii 族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
US7462505B2 (en) | Growth process of a crystalline gallium nitride based compound and semiconductor device including gallium nitride based compound | |
US7867801B2 (en) | Apparatus for producing group-III nitride semiconductor layer, method of producing group-III nitride semiconductor layer, method of producing group-III nitride semiconductor light-emitting device, group-III nitride semiconductor light-emitting device thereof, and lamp thereof | |
JP6516482B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
JP6811472B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP6811476B2 (ja) | Iii族窒化物半導体装置の製造方法および半導体ウエハの製造方法 | |
WO2014038105A1 (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
US20120258580A1 (en) | Plasma-assisted mocvd fabrication of p-type group iii-nitride materials | |
JP2016134610A (ja) | Iii族窒化物半導体素子とその製造方法 | |
JP6562350B2 (ja) | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
JP7066178B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
JP7202604B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子とその製造方法および半導体ウエハの製造方法およびテンプレート基板の製造方法 | |
US11021789B2 (en) | MOCVD system injector for fast growth of AlInGaBN material | |
JP7245501B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法および基板の洗浄方法 | |
JP6601938B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP6436720B2 (ja) | Iii族窒化物半導体装置とその製造方法 | |
JP6889901B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子 | |
JP6516483B2 (ja) | Iii族窒化物半導体素子とその製造方法 | |
JP7100871B6 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
WO2023008297A1 (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
US10000845B2 (en) | MOCVD system for growth of III-nitride and other semiconductors | |
JP2023048051A (ja) | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法 | |
JP2016132613A (ja) | 単結晶体およびiii族窒化物半導体素子とそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181113 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6516482 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |