JPS6290921A - エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS6290921A JPS6290921A JP10806486A JP10806486A JPS6290921A JP S6290921 A JPS6290921 A JP S6290921A JP 10806486 A JP10806486 A JP 10806486A JP 10806486 A JP10806486 A JP 10806486A JP S6290921 A JPS6290921 A JP S6290921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon
- epitaxial growth
- high frequency
- supplied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）腫業上の利用分野
本発明はエピタキシャル成長方法に関する。
口）従来の技術
近年、気相成長法を用いたシリコンのエピタキシャル成
長の研究が広範囲に行なわれている。
長の研究が広範囲に行なわれている。
ところで、シリコンウェハ上に不純物領域を形成した後
、その上に単結晶のシリコンを成長させる場合やサファ
イア基板上に単結晶シリコンを成長させる場合は、不純
物の拡散を防ぐために低温でエピタキシャル成長を行っ
た方が好ましい。このため従来ではＳｉＨ４（シラン］
ガスを用いて例えばＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ４４（３，１，（１９８４，ｐ３４６）に示されて
いるように低温でエピタキシャル成長を行りていた。
、その上に単結晶のシリコンを成長させる場合やサファ
イア基板上に単結晶シリコンを成長させる場合は、不純
物の拡散を防ぐために低温でエピタキシャル成長を行っ
た方が好ましい。このため従来ではＳｉＨ４（シラン］
ガスを用いて例えばＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ４４（３，１，（１９８４，ｐ３４６）に示されて
いるように低温でエピタキシャル成長を行りていた。
ハ）発明が解決しようとする問題点
ところで、このようなエピタキシャル成長をする前にウ
ェハ上に付着した自然酸化膜やカーボン等の汚れを除去
しなければならない。こうしたウェハ表面上の洗浄は従
来、ウエノ５ｉ１０５０〜１２００°Ｃの高温に保ちな
がらＨ２ガス、ＨＣ／ガス下にさらすことにより行われ
ていた。しかし、ウェハを高温にすることにより不純物
の再拡散が生じたり、ＨＣｅガスによってシリコン表面
があれるという問題点があった。また、ウェア１表面の
洗耐後、ウェハ温度をエピタキシャル成長温度（例えば
減圧ＯＶＤ法によるアモルファスシリコンを堆積しての
固相エピタキシャル成長では５５０〜５００”Ｑ）まで
下げる間に再びウェハ表面が汚れ、良好なエピタキシャ
ル成長がされない虞もあった。
ェハ上に付着した自然酸化膜やカーボン等の汚れを除去
しなければならない。こうしたウェハ表面上の洗浄は従
来、ウエノ５ｉ１０５０〜１２００°Ｃの高温に保ちな
がらＨ２ガス、ＨＣ／ガス下にさらすことにより行われ
ていた。しかし、ウェハを高温にすることにより不純物
の再拡散が生じたり、ＨＣｅガスによってシリコン表面
があれるという問題点があった。また、ウェア１表面の
洗耐後、ウェハ温度をエピタキシャル成長温度（例えば
減圧ＯＶＤ法によるアモルファスシリコンを堆積しての
固相エピタキシャル成長では５５０〜５００”Ｑ）まで
下げる間に再びウェハ表面が汚れ、良好なエピタキシャ
ル成長がされない虞もあった。
二）問題点を解決するための手段
本発明では、不活性ガスに高周波電界を印加してイオン
化するとともに、シリコンウェハ等の基台に一定電圧を
印加して上記イオン化された不活性ガスにより基台表面
をスパッタリング洗浄した後、基台表面にシリコンのエ
ピタキシャル成長をさせている。
化するとともに、シリコンウェハ等の基台に一定電圧を
印加して上記イオン化された不活性ガスにより基台表面
をスパッタリング洗浄した後、基台表面にシリコンのエ
ピタキシャル成長をさせている。
ホ）作 用
不活性ガスを高周波電界印加によりイオン化し、このイ
オンをシリコンウェハ１等の基台表面に衝突させること
により、基台表面の洗浄が低温で行える。
オンをシリコンウェハ１等の基台表面に衝突させること
により、基台表面の洗浄が低温で行える。
へ）実施例
第１図は本発明方法を実施するためのＣＶＤ装置を示し
、（１１は石英等から成る反応管、を示し、一端にガス
導入管（２）、他端に排気管（３）が設けられている。
、（１１は石英等から成る反応管、を示し、一端にガス
導入管（２）、他端に排気管（３）が設けられている。
（４）はカーホンにＳｉＣをコーティングしたサセプタ
であって、反応管（１１外の赤外線ランプ（５）により
加熱されるようになっている。また、このサセプタ（４
）の温度は熱電対（７１により計測されるとともに、直
流電源（８）から電圧印加されるようになっている。（
９）は反応管（１１のサセプタ（４）位置より上流側に
この反応管（１１周囲を巻回するように設けられたコイ
ル、α０）はこのコイル（９）に結ばれた高周波電源を
示し、１３．５６ＭＨｚ、 ５０Ｗの高周波を発生する
。
であって、反応管（１１外の赤外線ランプ（５）により
加熱されるようになっている。また、このサセプタ（４
）の温度は熱電対（７１により計測されるとともに、直
流電源（８）から電圧印加されるようになっている。（
９）は反応管（１１のサセプタ（４）位置より上流側に
この反応管（１１周囲を巻回するように設けられたコイ
ル、α０）はこのコイル（９）に結ばれた高周波電源を
示し、１３．５６ＭＨｚ、 ５０Ｗの高周波を発生する
。
このような装置を用いて、単結晶シリコンのエピタキシ
ャル成長を行う場合について説明する。
ャル成長を行う場合について説明する。
まず、基台であるシリコンウェハ）をサセプタ（４）に
配置する。このとき反応管（１１内への外気の混入等に
よってクエ・・表面に数十Ｘ程度の自然酸化膜が形成は
れる。次にこの排気管（３）から反応管（１）内を例え
ば０．０５Ｔｏｒｒの真空に引きながら、ガス導入管（
２）から不活性ガスであるアルゴンガスを所定の流は、
例えば５００ ｃｃ／ｍｉｎで供給するとともに赤外線
ランプ（５）によりウェハを加熱する。ウェハが一定温
度、例えば８００°Ｃに上がった事が熱電対（７１で測
定されると、高周波電源（１０１からコイル（９）に１
３．５６ＭＨｚの高周波を５０Ｗの出力で供給し、アル
ゴンをイオン化させる。その後、直流電源（８）により
サセプタ（４）を介してウエノ）に−３００■の電圧を
印加する。これにより、アルゴンイオンがウェハ表面に
衝突して自然酸化膜はスパッタリング除去される。この
ときの条件におけるエツチング速度は５１０２映の場合
４２Ａ／ｍｉｎである。
配置する。このとき反応管（１１内への外気の混入等に
よってクエ・・表面に数十Ｘ程度の自然酸化膜が形成は
れる。次にこの排気管（３）から反応管（１）内を例え
ば０．０５Ｔｏｒｒの真空に引きながら、ガス導入管（
２）から不活性ガスであるアルゴンガスを所定の流は、
例えば５００ ｃｃ／ｍｉｎで供給するとともに赤外線
ランプ（５）によりウェハを加熱する。ウェハが一定温
度、例えば８００°Ｃに上がった事が熱電対（７１で測
定されると、高周波電源（１０１からコイル（９）に１
３．５６ＭＨｚの高周波を５０Ｗの出力で供給し、アル
ゴンをイオン化させる。その後、直流電源（８）により
サセプタ（４）を介してウエノ）に−３００■の電圧を
印加する。これにより、アルゴンイオンがウェハ表面に
衝突して自然酸化膜はスパッタリング除去される。この
ときの条件におけるエツチング速度は５１０２映の場合
４２Ａ／ｍｉｎである。
自然酸化膜が完全に除去されると、直流電源（８）から
ウェハへの電圧印加を止めるとともにガス導入管（２）
からアルゴンガスの供給を停止する。
ウェハへの電圧印加を止めるとともにガス導入管（２）
からアルゴンガスの供給を停止する。
その後、ガス導入管（２）からジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）
を供給する。このとき上記コイル（９１での高周波電界
の発生は継続させて３くとともに上記ウエノ為の温度は
８００°Ｃに保った状態を維持する。こうして供給され
たジシラン（Ｓｉ２Ｈ６１はコイル（９）からの高周波
電界により分解されウェハ上へ供給さｎ１ウエハ上にシ
リコン単結晶層がエピタキシャル成長する。このような
シリコン単結晶層の反応ガスの流量に対応した成長速度
をジシラン（Ｓｉｚａ６）、シラン（ＳｉＨ４）につい
て第２図に示す。これかられかるように′ジシランを用
いた場合、成長速度が速くなり、所定の膜厚のシリコン
層を得るのにウェハの処理時間（加熱時間）も短くなる
。またジシランを９分解する高周波電界発生部よシ下流
側の高周波′電界を受けない箇所でシリコンウェハ上へ
のエピタキシャル成長をせしめるようにしているので欠
陥の少ない成長が行える。面、上述の実施例では自然酸
化膜の除去にアルゴンガスをイオン化させていたが、こ
れは不活性ガスであれば良く、例えばヘリウムガスであ
っても艮い。また、本実施例ではシリコンウェハ上へエ
ピタキシャル成長をする例を示したがこれはサファイア
（ＡＪ２０３）基板であっても艮い。
を供給する。このとき上記コイル（９１での高周波電界
の発生は継続させて３くとともに上記ウエノ為の温度は
８００°Ｃに保った状態を維持する。こうして供給され
たジシラン（Ｓｉ２Ｈ６１はコイル（９）からの高周波
電界により分解されウェハ上へ供給さｎ１ウエハ上にシ
リコン単結晶層がエピタキシャル成長する。このような
シリコン単結晶層の反応ガスの流量に対応した成長速度
をジシラン（Ｓｉｚａ６）、シラン（ＳｉＨ４）につい
て第２図に示す。これかられかるように′ジシランを用
いた場合、成長速度が速くなり、所定の膜厚のシリコン
層を得るのにウェハの処理時間（加熱時間）も短くなる
。またジシランを９分解する高周波電界発生部よシ下流
側の高周波′電界を受けない箇所でシリコンウェハ上へ
のエピタキシャル成長をせしめるようにしているので欠
陥の少ない成長が行える。面、上述の実施例では自然酸
化膜の除去にアルゴンガスをイオン化させていたが、こ
れは不活性ガスであれば良く、例えばヘリウムガスであ
っても艮い。また、本実施例ではシリコンウェハ上へエ
ピタキシャル成長をする例を示したがこれはサファイア
（ＡＪ２０３）基板であっても艮い。
第５図は本発明に用いられるさらに異なるａＶＤ装置を
示し、第１図と同一部分には同一符号を付しである。同
図においては、反応管（１１をコイル（９）から高周波
電界が与えられる高周波電界発生部（ｉｌｌと赤外線ラ
ンプ（５）により加熱される加熱部α２間に石英の仕切
板（１３１が設けられるとともにサセプタ（４）及びホ
ルダＩを移動する移動治具１５１を設けている。
示し、第１図と同一部分には同一符号を付しである。同
図においては、反応管（１１をコイル（９）から高周波
電界が与えられる高周波電界発生部（ｉｌｌと赤外線ラ
ンプ（５）により加熱される加熱部α２間に石英の仕切
板（１３１が設けられるとともにサセプタ（４）及びホ
ルダＩを移動する移動治具１５１を設けている。
従って、このような装置においては、最初高周波電界発
生部Ｕで上述と１ｂＪ様にガス導入管（２）からアルゴ
ンガスを供給しながら、コイル（９）で高周波電界を発
生するとともにサセプタ（４）上のウェハに−３００Ｖ
を印加してウェハ上の酸化膜の除去を行う。その後移動
治具（１つでサセプタ（４）を加熱部ａｚ側に（第５図
点線のように）移動させた状態にし、ガス導入管（２）
からジシラン（Ｓｉ２Ｈｔ）又はシラン（ＳｉＨ４）を
供給して高周波電界発生部αυで高周波により分解し、
加熱部（１２へ送り、ウェハ上にシリコン単結晶を成長
させる。
生部Ｕで上述と１ｂＪ様にガス導入管（２）からアルゴ
ンガスを供給しながら、コイル（９）で高周波電界を発
生するとともにサセプタ（４）上のウェハに−３００Ｖ
を印加してウェハ上の酸化膜の除去を行う。その後移動
治具（１つでサセプタ（４）を加熱部ａｚ側に（第５図
点線のように）移動させた状態にし、ガス導入管（２）
からジシラン（Ｓｉ２Ｈｔ）又はシラン（ＳｉＨ４）を
供給して高周波電界発生部αυで高周波により分解し、
加熱部（１２へ送り、ウェハ上にシリコン単結晶を成長
させる。
このようなＣＶＤ装置を用いると加熱部ｄ３と高周波電
界発生部（１１１は完全に分離されるので、ウェハ上へ
のシリコン層の形成特高周波電界発生部（１１１の反応
管（１）壁面にシリコンＪ―を成長することがない。こ
のためウェハ表面の洗浄時に反応管ｉｌｌ壁に付着した
８１粒子がスパッタリングされてウェハ上に付着してし
まうと云う心配はない。
界発生部（１１１は完全に分離されるので、ウェハ上へ
のシリコン層の形成特高周波電界発生部（１１１の反応
管（１）壁面にシリコンＪ―を成長することがない。こ
のためウェハ表面の洗浄時に反応管ｉｌｌ壁に付着した
８１粒子がスパッタリングされてウェハ上に付着してし
まうと云う心配はない。
また、上記仕切板０としては石英で形成されたものにつ
いて述べたが電磁シールド効果のある導電材料例えばス
テンレスやステンレスをガラスコートシたもので形成す
ると、ウェハ上へのシリコン層形成時、高周波電界が加
熱部０ｚ側へ供給されず、さらに欠陥の少ないシリコン
層が形成される。
いて述べたが電磁シールド効果のある導電材料例えばス
テンレスやステンレスをガラスコートシたもので形成す
ると、ウェハ上へのシリコン層形成時、高周波電界が加
熱部０ｚ側へ供給されず、さらに欠陥の少ないシリコン
層が形成される。
さて、以上シリコンクエバ上に直接単結晶シリコンをエ
ピタキシャル成長させる場合について述べた。次に更に
低いウェハ温度でシリコンのエピタキシャル成長させる
固相エピタキシャル成長について、第１図のＣＶＤ装置
に基いて説明する。
ピタキシャル成長させる場合について述べた。次に更に
低いウェハ温度でシリコンのエピタキシャル成長させる
固相エピタキシャル成長について、第１図のＣＶＤ装置
に基いて説明する。
シリコンウェハをサセプタ（４）に配置して、反応管（
１１内を排気管（３）から排気して１０Ｔｏｒｒ程度の
真空に引く。そしてガス導入管（２１から不活性ガスで
あるアルゴンガスを例えば１５０ ｃｃ／ｍｉｎ流し、
反応管（１１内を０．１５Ｔｏｒｒの真空度に保ちなが
ら、赤外線ランプ（５）によりウェハを加熱する。
１１内を排気管（３）から排気して１０Ｔｏｒｒ程度の
真空に引く。そしてガス導入管（２１から不活性ガスで
あるアルゴンガスを例えば１５０ ｃｃ／ｍｉｎ流し、
反応管（１１内を０．１５Ｔｏｒｒの真空度に保ちなが
ら、赤外線ランプ（５）によりウェハを加熱する。
ウェハの温度はアモルファスシリコンを堆積させる温度
５００°Ｃ（〜５５０°Ｃ）とする。ウェハ温度が安定
したら、高周波電源α０からコイル（９）に周波数１３
．５６ＭＨｚで５０Ｗ の出力を供給してアルゴンをイ
オン化させる。サセプタ（４１を介してウェハに直流電
源（８１から一３００ｖの電圧を印加すると、前述と同
様にアルゴンイオンがウェハ表面に衝突して、ウェハ表
面の自然酸化膜やカーボン等の汚れがスパッタリング除
去される。このときのエツチング速度は５ｉ０２１１Ｑ
の場合１０Ａ７ｍｉｎである。
５００°Ｃ（〜５５０°Ｃ）とする。ウェハ温度が安定
したら、高周波電源α０からコイル（９）に周波数１３
．５６ＭＨｚで５０Ｗ の出力を供給してアルゴンをイ
オン化させる。サセプタ（４１を介してウェハに直流電
源（８１から一３００ｖの電圧を印加すると、前述と同
様にアルゴンイオンがウェハ表面に衝突して、ウェハ表
面の自然酸化膜やカーボン等の汚れがスパッタリング除
去される。このときのエツチング速度は５ｉ０２１１Ｑ
の場合１０Ａ７ｍｉｎである。
このスパッタリングを１０分間行った後、直流電源（８
１からクエへへの電圧印加と、ガス導入管（２）からの
アルゴンガス供給を停止する。コイル（９）での高周波
電界の発生とウェハ温度は保持した状態で、ガス導入管
（２）からはアルゴンガスの供給停止と同時にＳｉＨ４
ガスを５ｃｃ／ｍｉｎ で反応管［１１内に供給する
。供給された５ｉＨａガスは分解され、ウェハ上にアモ
ルファスシリコンとして堆積する。
１からクエへへの電圧印加と、ガス導入管（２）からの
アルゴンガス供給を停止する。コイル（９）での高周波
電界の発生とウェハ温度は保持した状態で、ガス導入管
（２）からはアルゴンガスの供給停止と同時にＳｉＨ４
ガスを５ｃｃ／ｍｉｎ で反応管［１１内に供給する
。供給された５ｉＨａガスは分解され、ウェハ上にアモ
ルファスシリコンとして堆積する。
所定膜厚（例えば１０００Ｘ）堆積させたら、ＳｉＨ４
ガスの供給と高層ａｔ界の発生を停止させる。そしてガ
ス導入管（２）からＨ２ガスを反応管（１）内に供給し
て、ランプ（５）によりウェハ温度を６００°Ｃ（〜９
００°Ｃ）に加熱して、所定時間アニールを行う。この
時、反応管（１）内は減圧状態としておく。アニールに
よシ、アモルファスシリコンは固相エピタキシャル成長
して単結晶となる。アモルファスシリコンを堆積させる
のはプラズマＯＶＤ法でなく、単なる減圧ＣＶＤ法でも
よい。
ガスの供給と高層ａｔ界の発生を停止させる。そしてガ
ス導入管（２）からＨ２ガスを反応管（１）内に供給し
て、ランプ（５）によりウェハ温度を６００°Ｃ（〜９
００°Ｃ）に加熱して、所定時間アニールを行う。この
時、反応管（１）内は減圧状態としておく。アニールに
よシ、アモルファスシリコンは固相エピタキシャル成長
して単結晶となる。アモルファスシリコンを堆積させる
のはプラズマＯＶＤ法でなく、単なる減圧ＣＶＤ法でも
よい。
スパッタリングを行うときのウェハ温度は、堆積時のウ
ェハ温度に設定しておくことで、ウェハの洗浄から（、
ＶＤへの切換えがスムーズに行える。
ェハ温度に設定しておくことで、ウェハの洗浄から（、
ＶＤへの切換えがスムーズに行える。
ト）発明の効果
以上述べた如く、本発明エピタキシャル成長方法は、不
活性ガスに高周波電界を印加してイオン化するとともに
、基台（ウェハ）に一定電圧を印加して上記イオン化さ
れた不活性ガスにより基台表面をスパッタリング洗浄し
た後、基台表面にシリコンのエピタキシャル成長をさせ
ているので、基台の洗浄を低温処理で完全に行え、洗浄
から工ピタキシャル成長へ即座に移行される。従フて洗
浄による不純物の再拡散や基台表面のあわを起すことは
なくなる。また、洗浄からエピタキシャル成長へ移行す
る際に、基台表面を汚す虞もなくなり、欠陥の少ない、
良好な単結晶を得ることができる。
活性ガスに高周波電界を印加してイオン化するとともに
、基台（ウェハ）に一定電圧を印加して上記イオン化さ
れた不活性ガスにより基台表面をスパッタリング洗浄し
た後、基台表面にシリコンのエピタキシャル成長をさせ
ているので、基台の洗浄を低温処理で完全に行え、洗浄
から工ピタキシャル成長へ即座に移行される。従フて洗
浄による不純物の再拡散や基台表面のあわを起すことは
なくなる。また、洗浄からエピタキシャル成長へ移行す
る際に、基台表面を汚す虞もなくなり、欠陥の少ない、
良好な単結晶を得ることができる。
第１図は本発明エピタキシャル成長方法を実施するため
のＣｖＤ装置の断面模式図、第２図は反応ガスの供給瞳
とシリコン層の成長速度の関係を示す特性図、第３図は
本発明を実施するための他の実施例ＣｔＶＤ装置の断面
模式図である。
のＣｖＤ装置の断面模式図、第２図は反応ガスの供給瞳
とシリコン層の成長速度の関係を示す特性図、第３図は
本発明を実施するための他の実施例ＣｔＶＤ装置の断面
模式図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコンウェハ、サファイア基板等から成る基台上
にシリコンのエピタキシャル成長をせしめるエピタキシ
ャル成長方法において、不活性ガスに高周波電界を印加
してイオン化するとともに、上記基台に一定電圧を印加
して上記イオン化された不活性ガスにより基台表面をス
パッタリング洗浄した後、基台表面にシリコンのエピタ
キシャル成長をせしめることを特徴としたエピタキシャ
ル成長方法。 ２）上述のエピタキシャル成長はシリコンの固相エピタ
キシャル成長であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のエピタキシャル成長方法である。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-125368 | 1985-06-10 | ||
| JP12536885 | 1985-06-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290921A true JPS6290921A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=14908399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10806486A Pending JPS6290921A (ja) | 1985-06-10 | 1986-05-12 | エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63288012A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | シリコン膜の成長方法 |
| JP2010010513A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP10806486A patent/JPS6290921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63288012A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | シリコン膜の成長方法 |
| JP2010010513A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4421592A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPH0211012B2 (ja) | ||
| JPH08504479A (ja) | ヘテロエピタキシャル的に析出されたダイヤモンド | |
| JP2004087920A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPS60119733A (ja) | シリコン板の重金属ゲッタリング方法 | |
| JPS63267430A (ja) | 反応室内の清浄方法 | |
| JP2726414B2 (ja) | ケイ素系薄膜の製造方法 | |
| JPS6290921A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3189056B2 (ja) | 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置 | |
| JPS6114726A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP2609844B2 (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| US4609424A (en) | Plasma enhanced deposition of semiconductors | |
| JPH0582450A (ja) | 半導体装置製造用気相反応装置 | |
| JPS6348817A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3486292B2 (ja) | 金属メッシュヒータのクリーニング方法 | |
| JP3728466B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPH05213695A (ja) | ダイヤモンド薄膜の堆積方法 | |
| JPH02236279A (ja) | アモルファスシリコン系薄膜の形成装置 | |
| RU2769751C1 (ru) | Устройство для нанесения сверхтолстых слоев поликристаллического кремния | |
| JPH01188678A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPS6341014A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0737822A (ja) | 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 | |
| JP3261795B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63288012A (ja) | シリコン膜の成長方法 | |
| JPH118238A (ja) | 初期パーティクルの発生を抑制した酸化シリコン薄膜の形成方法 |