JP3189056B2 - 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置 - Google Patents
半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ基板上に、半導体
材料、特に、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
成長させる際に、Ｓｉ基板上に存在する自然酸化膜を除
去する前処理方法に関する。
材料、特に、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
成長させる際に、Ｓｉ基板上に存在する自然酸化膜を除
去する前処理方法に関する。
【０００２】ＧａＡｓはＳｉに比べ高速動作が可能であ
り、また、発光素子の材料として適するためにその有用
性が広く認識されているが、大口径基板が得られにく
く、また、機械的な強度にも乏しく、高価格であること
が影響して、実用化の面ではＳｉに大きく遅れをとって
いる。
り、また、発光素子の材料として適するためにその有用
性が広く認識されているが、大口径基板が得られにく
く、また、機械的な強度にも乏しく、高価格であること
が影響して、実用化の面ではＳｉに大きく遅れをとって
いる。
【０００３】そこで、大口径基板が得やすく、機械的強
度の面でも優れ、低価格のＳｉ基板の上にＧａＡｓを成
長し、このＧａＡｓ成長層に発光素子等を形成しようと
する試みが最近活発になっている。
度の面でも優れ、低価格のＳｉ基板の上にＧａＡｓを成
長し、このＧａＡｓ成長層に発光素子等を形成しようと
する試みが最近活発になっている。
【０００４】この場合、特性の良好な発光素子等を得る
ためには、Ｓｉ基板の上に良好なＧａＡｓを成長させる
ことが必要である。そのためには、ＧａＡｓを成長する
前に、Ｓｉ基板の上に不可避的に存在する自然酸化膜を
完全に除去することが不可欠である。
ためには、Ｓｉ基板の上に良好なＧａＡｓを成長させる
ことが必要である。そのためには、ＧａＡｓを成長する
前に、Ｓｉ基板の上に不可避的に存在する自然酸化膜を
完全に除去することが不可欠である。
【０００５】
【従来の技術】Ｓｉ基板の上に存在する自然酸化膜を除
去する方法として、従来から下記の二つの方法が試みら
れていた。
去する方法として、従来から下記の二つの方法が試みら
れていた。
【０００６】第１の方法ＧａＡｓを成長する前に、Ｓｉ
基板を水素ガス中で１０００℃程度の高温でプリベーキ
ングして自然酸化膜を除去する。
基板を水素ガス中で１０００℃程度の高温でプリベーキ
ングして自然酸化膜を除去する。
【０００７】第２の方法ＧａＡｓを成長する前に、Ｓｉ
基板を比較的低温でＥＣＲ水素プラズマに曝してプリベ
ーキングして自然酸化膜を除去する。
基板を比較的低温でＥＣＲ水素プラズマに曝してプリベ
ーキングして自然酸化膜を除去する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
各方法は下記の問題点を有している。即ち、第１の方法
においては、高温で前処理を行うと、反応室全体をその
温度まで昇温するために長時間を有するほか、前処理を
行う半導体結晶成長装置等の構成部材の熱的負担が大き
く、劣化した部材の交換、補修を行う必要が頻発するた
め装置の稼働率が低下し、装置の寿命を短縮することに
つながっていた。また、すでに素子が作成されているＳ
ｉ基板の上にＧａＡｓを成長させる場合は、Ｓｉ基板中
の不純物のプロファイルが高温において変動し、特性を
変化または劣化させる。
各方法は下記の問題点を有している。即ち、第１の方法
においては、高温で前処理を行うと、反応室全体をその
温度まで昇温するために長時間を有するほか、前処理を
行う半導体結晶成長装置等の構成部材の熱的負担が大き
く、劣化した部材の交換、補修を行う必要が頻発するた
め装置の稼働率が低下し、装置の寿命を短縮することに
つながっていた。また、すでに素子が作成されているＳ
ｉ基板の上にＧａＡｓを成長させる場合は、Ｓｉ基板中
の不純物のプロファイルが高温において変動し、特性を
変化または劣化させる。
【０００９】そして、第２の方法においては、ＥＣＲ水
素プラズマ中で発生した水素ラジカルが自然酸化膜が消
失する最終段階で直接Ｓｉ基板に接触するために、Ｓｉ
基板表面に欠陥を生じさせる。
素プラズマ中で発生した水素ラジカルが自然酸化膜が消
失する最終段階で直接Ｓｉ基板に接触するために、Ｓｉ
基板表面に欠陥を生じさせる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては、Ｓｉ
基板上の自然酸化膜を、ＧａＡｓ成長装置等に負担をか
けないで、あるいは、すでにＳｉ基板に存在する素子特
性を損なうことなく、さらには、ＧａＡｓを成長するＳ
ｉ基板表面に欠陥を生じさせることなく除去するため
に、Ｓｉ基板上の自然酸化膜の表面部分をＥＣＲ水素プ
ラズマによって除去する工程と、該工程の後に残された
自然酸化膜を水素ガス中でアニールすることによって除
去する工程を採用した。
基板上の自然酸化膜を、ＧａＡｓ成長装置等に負担をか
けないで、あるいは、すでにＳｉ基板に存在する素子特
性を損なうことなく、さらには、ＧａＡｓを成長するＳ
ｉ基板表面に欠陥を生じさせることなく除去するため
に、Ｓｉ基板上の自然酸化膜の表面部分をＥＣＲ水素プ
ラズマによって除去する工程と、該工程の後に残された
自然酸化膜を水素ガス中でアニールすることによって除
去する工程を採用した。
【００１１】
【作用】水素ガスで自然酸化膜であるＳｉＯ2 を還元す
るためには１０００℃以上の加熱が必要であるが、ＥＣ
Ｒ水素プラズマ中で発生した水素ラジカルは水素ガスよ
りも還元作用が強いため、室温においてもＳｉＯ2 を還
元することができる。
るためには１０００℃以上の加熱が必要であるが、ＥＣ
Ｒ水素プラズマ中で発生した水素ラジカルは水素ガスよ
りも還元作用が強いため、室温においてもＳｉＯ2 を還
元することができる。
【００１２】図２は、Ｓｉ基板上の自然酸化膜の原子の
結合状態説明図である。この図は、（１００）面のＳｉ
基板（バルクＳｉ）の上に自然酸化膜が形成されている
場合の断面を説明するための図で、白まるがＳｉ原子、
黒まるが酸素原子を表している。
結合状態説明図である。この図は、（１００）面のＳｉ
基板（バルクＳｉ）の上に自然酸化膜が形成されている
場合の断面を説明するための図で、白まるがＳｉ原子、
黒まるが酸素原子を表している。
【００１３】このような結合状態の自然酸化膜は極めて
安定であるが、一度表面部分のＳｉ−Ｏ結合を水素ラジ
カルによって切断すると、後は１０００℃以下の比較的
低温でも残りの自然酸化膜は、水素ガスによって容易に
還元される。
安定であるが、一度表面部分のＳｉ−Ｏ結合を水素ラジ
カルによって切断すると、後は１０００℃以下の比較的
低温でも残りの自然酸化膜は、水素ガスによって容易に
還元される。
【００１４】
【実施例】（第１実施例）図１は、第１実施例の半導体
基板の前処理方法の説明図である。この図１において、
１はイオン発生室、２は反応室、３はグリッド、４は導
波管、５はアルミナ製窓、６は試料支持台、７はヒー
タ、８はＳｉ基板、９は電磁石、１０は圧力計、１１は
熱電対、１２はバルブ、１３は流量計、１４はバルブ、
１５はゲートバルブ、１６はターボ分子ポンプ、１７は
ドライポンプ、１８はバルブ、１９は流量計、２０はバ
ルブである。
基板の前処理方法の説明図である。この図１において、
１はイオン発生室、２は反応室、３はグリッド、４は導
波管、５はアルミナ製窓、６は試料支持台、７はヒー
タ、８はＳｉ基板、９は電磁石、１０は圧力計、１１は
熱電対、１２はバルブ、１３は流量計、１４はバルブ、
１５はゲートバルブ、１６はターボ分子ポンプ、１７は
ドライポンプ、１８はバルブ、１９は流量計、２０はバ
ルブである。
【００１５】この装置は、ＥＣＲ水素プラズマを発生す
る機能を有するＭＯＣＶＤ装置であり、その構成は図示
のとおりである。
る機能を有するＭＯＣＶＤ装置であり、その構成は図示
のとおりである。
【００１６】すなわち、チャンバはグリッド３によって
隔てられたイオン発生室１と反応室２からなり、イオン
発生室１にはアルミナ製窓５を通して、導波管４から
２．４５ＧＨｚのマイクロ波が入射されるようになって
おり、バルブ１２を通し、流量計１３によって流量測定
され、バルブ１４によってその流量が調節されて導入さ
れる水素ガスは、電磁石９によって形成される磁界との
相互作用によって生じる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）によって強くプラズマ化されて水素ラジカルにな
り、グリッド３による加速電界により加速されて反応室
２に入射するようになっている。
隔てられたイオン発生室１と反応室２からなり、イオン
発生室１にはアルミナ製窓５を通して、導波管４から
２．４５ＧＨｚのマイクロ波が入射されるようになって
おり、バルブ１２を通し、流量計１３によって流量測定
され、バルブ１４によってその流量が調節されて導入さ
れる水素ガスは、電磁石９によって形成される磁界との
相互作用によって生じる電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）によって強くプラズマ化されて水素ラジカルにな
り、グリッド３による加速電界により加速されて反応室
２に入射するようになっている。
【００１７】そして、反応室２は、ヒータ７によって加
熱され、熱電対１１によって温度を測定し、温度制御さ
れる試料支持台６を備え、また、圧力計１０によって常
時ガス圧が監視されている。
熱され、熱電対１１によって温度を測定し、温度制御さ
れる試料支持台６を備え、また、圧力計１０によって常
時ガス圧が監視されている。
【００１８】また、この反応室２内のガスは、ゲートバ
ルブ１５によって調節されて、ターボ分子ポンプ１６、
ドライポンプ１７によって排出される。一方、バルブ１
２から導入される水素ガスとゲートバルブ１５から排出
される水素ガスの量のアンバランスを調整して反応室２
内のガス圧を一定にし、プラズマの拡がり、強度を一定
にして工程の再現性を確保するため、バルブ１８から流
量計１９によって流量を測定しながら補充用の水素ガス
が導入されるようになっている。
ルブ１５によって調節されて、ターボ分子ポンプ１６、
ドライポンプ１７によって排出される。一方、バルブ１
２から導入される水素ガスとゲートバルブ１５から排出
される水素ガスの量のアンバランスを調整して反応室２
内のガス圧を一定にし、プラズマの拡がり、強度を一定
にして工程の再現性を確保するため、バルブ１８から流
量計１９によって流量を測定しながら補充用の水素ガス
が導入されるようになっている。
【００１９】この装置によって、本発明の半導体基板の
前処理方法、および、この半導体基板の上にＧａＡｓ等
の半導体層を成長する工程を説明する。第１工程とし
て、上記装置の試料支持台６の上にＳｉ基板８を載置
し、１×１０-3ｔｏｒｒのＥＣＲ水素プラズマに曝して
８００℃で１０秒間加熱する。
前処理方法、および、この半導体基板の上にＧａＡｓ等
の半導体層を成長する工程を説明する。第１工程とし
て、上記装置の試料支持台６の上にＳｉ基板８を載置
し、１×１０-3ｔｏｒｒのＥＣＲ水素プラズマに曝して
８００℃で１０秒間加熱する。
【００２０】この工程によって、Ｓｉ基板８の上の自然
酸化膜の表面における酸素原子とＳｉ原子の結合が切ら
れる。その後、マイクロ波の入射を止め、電磁石の励磁
を止めることによってＥＣＲプラズマを止め、水素ガス
の導入を継続して８００℃で１分間維持する。
酸化膜の表面における酸素原子とＳｉ原子の結合が切ら
れる。その後、マイクロ波の入射を止め、電磁石の励磁
を止めることによってＥＣＲプラズマを止め、水素ガス
の導入を継続して８００℃で１分間維持する。
【００２１】この第２工程によって、Ｓｉ基板７の上の
自然酸化膜が完全に除去され、しかも、Ｓｉ基板８の表
面に欠陥を生じない。
自然酸化膜が完全に除去され、しかも、Ｓｉ基板８の表
面に欠陥を生じない。
【００２２】引続き、このＳｉ基板８の温度を４５０℃
に維持し、この装置内にトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
とアルシン（ＡｓＨ3 ）を７６ｔｏｒｒの圧で導入して
ＭＯＣＶＤ法により、Ｓｉ基板８の上に非晶質ＧａＡｓ
を１００Å成長したのち、成長温度を７００℃にし、反
応ガスの圧を７６ｔｏｒｒに保って、非晶質ＧａＡｓの
上に結晶質ＧａＡｓを所望の膜厚だけ成長させる。
に維持し、この装置内にトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
とアルシン（ＡｓＨ3 ）を７６ｔｏｒｒの圧で導入して
ＭＯＣＶＤ法により、Ｓｉ基板８の上に非晶質ＧａＡｓ
を１００Å成長したのち、成長温度を７００℃にし、反
応ガスの圧を７６ｔｏｒｒに保って、非晶質ＧａＡｓの
上に結晶質ＧａＡｓを所望の膜厚だけ成長させる。
【００２３】上記の場合、ＥＣＲ水素プラズマ中でのア
ニール温度は１０００℃以下であれば何度でも支障はな
いが、室温付近でＥＣＲ水素プラズマを照射すると反応
室２内の残留ガスが、Ｓｉ基板上に付着し自然酸化膜の
除去を妨げるおそれがあるため、Ｓｉ基板８の温度を２
００℃以上にしておくことが望ましい。上記の第１実施
例においては、Ｓｉ基板８として、Ｂを１×１０15ｃｍ
-3ドープしたＳｉ基板の（１００）面を用いた。
ニール温度は１０００℃以下であれば何度でも支障はな
いが、室温付近でＥＣＲ水素プラズマを照射すると反応
室２内の残留ガスが、Ｓｉ基板上に付着し自然酸化膜の
除去を妨げるおそれがあるため、Ｓｉ基板８の温度を２
００℃以上にしておくことが望ましい。上記の第１実施
例においては、Ｓｉ基板８として、Ｂを１×１０15ｃｍ
-3ドープしたＳｉ基板の（１００）面を用いた。
【００２４】また、上記の第１実施例においては、アニ
ールガスとして水素ガスを用いているが、水素ガスとと
もに、あるいは、水素ガスに代えて、ＳｉＨ4 、ＡｓＨ
3 、ＧｅＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｃ
ｌ2 、ＨＣｌ等の還元性を有するガスを混合して用いる
ことができる。これらのガスは強い還元性を有するた
め、これらのガスを混合することによってアニール温度
を低下することができる。
ールガスとして水素ガスを用いているが、水素ガスとと
もに、あるいは、水素ガスに代えて、ＳｉＨ4 、ＡｓＨ
3 、ＧｅＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｃ
ｌ2 、ＨＣｌ等の還元性を有するガスを混合して用いる
ことができる。これらのガスは強い還元性を有するた
め、これらのガスを混合することによってアニール温度
を低下することができる。
【００２５】しかし、ＳｉＨ4 等、ガスの種類によって
は、その構成元素をＳｉ基板上に成長することがあるか
ら混合量には留意することが必要である。そしてまた、
上記の第１実施例においては、水素プラズマを使用して
いるが、これに代えてＳｉ原子と酸素原子の結合を切る
機能を有し、不活性であるＡｒプラズマを使用すること
ができる。
は、その構成元素をＳｉ基板上に成長することがあるか
ら混合量には留意することが必要である。そしてまた、
上記の第１実施例においては、水素プラズマを使用して
いるが、これに代えてＳｉ原子と酸素原子の結合を切る
機能を有し、不活性であるＡｒプラズマを使用すること
ができる。
【００２６】また、第１実施例は、ＥＣＲ水素プラズマ
を発生する機能を有するＭＯＣＶＤ装置であるが、上に
説明したこととほぼ同様に、ＥＣＲ水素プラズマを発生
する機能を有するＣＶＤ装置を構成することもできる。
また、第１実施例においては、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を成長する場合のＳｉ基板の前処理とし
て説明したが、本発明はこれに限られず、他の材料を成
長する際等にも広く使用できる。
を発生する機能を有するＭＯＣＶＤ装置であるが、上に
説明したこととほぼ同様に、ＥＣＲ水素プラズマを発生
する機能を有するＣＶＤ装置を構成することもできる。
また、第１実施例においては、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を成長する場合のＳｉ基板の前処理とし
て説明したが、本発明はこれに限られず、他の材料を成
長する際等にも広く使用できる。
【００２７】（第２実施例）第１実施例においては、半
導体基板を前処理する装置と、その上に半導体材料を成
長するＭＯＣＶＤ装置を兼用しているが、例えば、６５
０〜７００℃でＧａＡｓを成長するとき、ＧａＡｓがＳ
ｉ基板の上だけでなく装置の壁面等にも付着し、次に、
新たなＳｉ基板を１０００℃でアニールする際に、壁面
等に付着していたＧａＡｓ特にＡｓが蒸発してこの新た
なＳｉ基板に付着し有害な影響を与えるおそれがある。
導体基板を前処理する装置と、その上に半導体材料を成
長するＭＯＣＶＤ装置を兼用しているが、例えば、６５
０〜７００℃でＧａＡｓを成長するとき、ＧａＡｓがＳ
ｉ基板の上だけでなく装置の壁面等にも付着し、次に、
新たなＳｉ基板を１０００℃でアニールする際に、壁面
等に付着していたＧａＡｓ特にＡｓが蒸発してこの新た
なＳｉ基板に付着し有害な影響を与えるおそれがある。
【００２８】このため、アニール温度を成長温度と同程
度にして、壁面等に付着した前工程の成長材料の影響を
低減する努力が払われているが、成長する材料との関係
で、アニール温度を成長温度に近づけることが不可能な
場合がある。特に、ＭＯＣＶＤ法により単結晶材料を成
長する場合は、非晶質や多結晶の材料を成長する場合よ
りも完全にＳｉ基板の自然酸化膜を除去する必要がある
ため、アニール温度を成長温度にまで低下することは極
めて困難である。
度にして、壁面等に付着した前工程の成長材料の影響を
低減する努力が払われているが、成長する材料との関係
で、アニール温度を成長温度に近づけることが不可能な
場合がある。特に、ＭＯＣＶＤ法により単結晶材料を成
長する場合は、非晶質や多結晶の材料を成長する場合よ
りも完全にＳｉ基板の自然酸化膜を除去する必要がある
ため、アニール温度を成長温度にまで低下することは極
めて困難である。
【００２９】このような場合は、半導体基板を前処理す
る領域とその上に材料を成長する領域を独立に設け、そ
の間をロードロックによって連結し、Ｓｉ基板等の試料
を真空搬送することができる。
る領域とその上に材料を成長する領域を独立に設け、そ
の間をロードロックによって連結し、Ｓｉ基板等の試料
を真空搬送することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の工程を経
ると、例えば、３μｍのＧａＡｓを成長させた際の、最
表面の結晶欠陥密度が６×１０6 ｃｍ-2と従来の１００
０℃における水素ガス中でのプレヒートを行ったときと
同程度の結晶性を有するＧａＡｓが得られた。
ると、例えば、３μｍのＧａＡｓを成長させた際の、最
表面の結晶欠陥密度が６×１０6 ｃｍ-2と従来の１００
０℃における水素ガス中でのプレヒートを行ったときと
同程度の結晶性を有するＧａＡｓが得られた。
【００３１】さらに、予めＳｉ基板中に形成されていた
素子の不純物プロファイルの変動による特性の劣化も観
測されなかった。
素子の不純物プロファイルの変動による特性の劣化も観
測されなかった。
【図１】第１実施例の半導体基板の前処理方法の説明図
である。
である。
【図２】Ｓｉ基板上の自然酸化膜の原子の結合状態説明
図である。
図である。
１ イオン発生室 ２ 反応室 ３ グリッド ４ 導波管 ５ アルミナ製窓 ６ 試料支持台 ７ ヒータ ８ Ｓｉ基板 ９ 電磁石 １０ 圧力計 １１ 熱電対 １２、１４、１８、２０ バルブ １３ 流量計 １５ ゲートバルブ １６ ターボ分子ポンプ １７ ドライポンプ １９ 流量計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−224233（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−123027（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116727（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−291127（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 645 H01L 21/304 641
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板上の自然酸化膜の表面部分をＥ
ＣＲ水素プラズマによって除去する工程と、この工程の
後に残された自然酸化膜を水素ガス中におけるアニール
によって除去する工程を含むことを特徴とする半導体基
板の前処理方法。 - 【請求項２】 ＥＣＲ水素プラズマ中に曝す際のＳｉ基
板の温度を、２００℃以上にすることを特徴とする請求
項１記載の半導体基板の前処理方法。 - 【請求項３】 水素プラズマに代えてＡｒプラズマを用
いることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の前処
理方法。 - 【請求項４】 アニールする際に、水素ガスとともに、
あるいは、水素ガスに代えてＳｉＨ4 、ＡｓＨ3 、Ｇｅ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｃｌ2 、Ｈ
Ｃｌ等の還元性ガスの一つあるいは複数を用いることを
特徴とする請求項１記載の半導体基板の前処理方法。 - 【請求項５】 半導体層を成長する機能と、Ｓｉ基板上
の自然酸化膜の表面部分をＥＣＲ水素プラズマによって
除去した後に、水素ガス中でアニールすることによって
残りの自然酸化膜を除去する半導体基板の前処理機能を
併せ有することを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 半導体層を成長する領域とは別に、Ｓｉ
基板表面の自然酸化膜の表面部分をＥＣＲ水素プラズマ
で除去した後に、水素ガス中でアニールすることにより
残りの自然酸化膜を除去する半導体基板の前処理領域を
有し、その間が真空搬送路によって連結されていること
を特徴とするＭＯＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22559291A JP3189056B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22559291A JP3189056B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136111A JPH05136111A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3189056B2 true JP3189056B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=16831739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22559291A Expired - Fee Related JP3189056B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189056B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3231426B2 (ja) * | 1992-10-28 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
| US5510277A (en) * | 1994-06-29 | 1996-04-23 | At&T Corp. | Surface treatment for silicon substrates |
| JP3417665B2 (ja) * | 1994-07-07 | 2003-06-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2809113B2 (ja) * | 1994-09-29 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6933182B1 (en) | 1995-04-20 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and manufacturing system thereof |
| JP3986544B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2007-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体の作製方法 |
| US8227344B2 (en) * | 2010-02-26 | 2012-07-24 | Tokyo Electron Limited | Hybrid in-situ dry cleaning of oxidized surface layers |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP22559291A patent/JP3189056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05136111A (ja) | 1993-06-01 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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