JPH0737822A - 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法Info
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- JPH0737822A JPH0737822A JP17931293A JP17931293A JPH0737822A JP H0737822 A JPH0737822 A JP H0737822A JP 17931293 A JP17931293 A JP 17931293A JP 17931293 A JP17931293 A JP 17931293A JP H0737822 A JPH0737822 A JP H0737822A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶粒径（グレインサイズ）の大きな多結晶
シリコン薄膜を形成することのできる枚葉型ＣＶＤ装
置、及び多結晶シリコン薄膜の形成方法を得る。 【構成】 ＲＴＡ処理用ランプ加熱器９と、ウエハへの
交流／直流電源供給システム１１とを設けた枚葉型ＣＶ
Ｄ装置を用い、膜堆積時初期の結晶核生成時に、パルス
的な高温のＲＴＡ処理を施することにより結晶核の増大
を図るとともに、堆積中のウエハへの電位の供給によっ
て、あるいはさらにパルス的な高温のＲＴＡ処理を行う
ことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動度を上げて
配向性の強い，グレインサイズの大きいグレインの結晶
成長を促進させる。 【効果】 ＴＦＴデバイスのような多結晶シリコン薄膜
を活性領域に使用する半導体素子では、低抵抗，低リー
ク電流の良好な特性が得られる。
シリコン薄膜を形成することのできる枚葉型ＣＶＤ装
置、及び多結晶シリコン薄膜の形成方法を得る。 【構成】 ＲＴＡ処理用ランプ加熱器９と、ウエハへの
交流／直流電源供給システム１１とを設けた枚葉型ＣＶ
Ｄ装置を用い、膜堆積時初期の結晶核生成時に、パルス
的な高温のＲＴＡ処理を施することにより結晶核の増大
を図るとともに、堆積中のウエハへの電位の供給によっ
て、あるいはさらにパルス的な高温のＲＴＡ処理を行う
ことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動度を上げて
配向性の強い，グレインサイズの大きいグレインの結晶
成長を促進させる。 【効果】 ＴＦＴデバイスのような多結晶シリコン薄膜
を活性領域に使用する半導体素子では、低抵抗，低リー
ク電流の良好な特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、化学気相成長装置，
及び半導体薄膜の形成方法に関し、特に多結晶シリコン
薄膜堆積用の枚葉型ＣＶＤ装置，及びこれを用いた多結
晶シリコン薄膜の形成方法に関するものである。
及び半導体薄膜の形成方法に関し、特に多結晶シリコン
薄膜堆積用の枚葉型ＣＶＤ装置，及びこれを用いた多結
晶シリコン薄膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、多結晶シリコン薄膜などの形成
に使用されている従来の枚葉型ＣＶＤ装置を示す断面図
であり、図において、１はプロセスチャンバ、２はこの
プロセスチャンバ１内に固定設置され、グラファイト等
の材料を用いて作製されたウエハサセプタ、３はウエハ
サセプタ２上に配置されて成膜処理されるウエハであ
る。また、４は上記プロセスチャンバ１内に設けられた
石英ベルジャ、５は上記プロセスチャンバ１内にガスを
導入するためのガス導入口、６は上記プロセスチャンバ
１内のガスを排出するための真空排気口である。また、
７は上記プロセスチャンバ１内の石英ベルジャ４の下方
の位置にて、上記プロセスチャンバ１の下に設けられた
加熱システムであり、８は該加熱システム７内に設けら
れた加熱用のランプである。
に使用されている従来の枚葉型ＣＶＤ装置を示す断面図
であり、図において、１はプロセスチャンバ、２はこの
プロセスチャンバ１内に固定設置され、グラファイト等
の材料を用いて作製されたウエハサセプタ、３はウエハ
サセプタ２上に配置されて成膜処理されるウエハであ
る。また、４は上記プロセスチャンバ１内に設けられた
石英ベルジャ、５は上記プロセスチャンバ１内にガスを
導入するためのガス導入口、６は上記プロセスチャンバ
１内のガスを排出するための真空排気口である。また、
７は上記プロセスチャンバ１内の石英ベルジャ４の下方
の位置にて、上記プロセスチャンバ１の下に設けられた
加熱システムであり、８は該加熱システム７内に設けら
れた加熱用のランプである。
【０００３】次に動作について説明する。プロセスチャ
ンバ１内にウエハ３を配置した後、上記プロセスチャン
バ１内を真空排気口６により約０．０１〜０．１ｔｏｒ
ｒに至るまで真空排気を行う。次いで、加熱システム７
内のランプ８に通電し、プロセスチャンバ１内，及び該
チャンバ１内に配置されたウエハ３を、４５０〜７００
℃に加熱する。その後、ガス導入口５より、例えばシラ
ン（ＳｉＨ4 ）やジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等のガスソー
スを導入して反応圧力０．５〜１．５ｔｏｒｒ下で、化
学気相成長（Chemical Vapour Deposition, 以下ＣＶＤ
と略す）法により、ウエハ３上に多結晶シリコン薄膜を
堆積する。
ンバ１内にウエハ３を配置した後、上記プロセスチャン
バ１内を真空排気口６により約０．０１〜０．１ｔｏｒ
ｒに至るまで真空排気を行う。次いで、加熱システム７
内のランプ８に通電し、プロセスチャンバ１内，及び該
チャンバ１内に配置されたウエハ３を、４５０〜７００
℃に加熱する。その後、ガス導入口５より、例えばシラ
ン（ＳｉＨ4 ）やジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）等のガスソー
スを導入して反応圧力０．５〜１．５ｔｏｒｒ下で、化
学気相成長（Chemical Vapour Deposition, 以下ＣＶＤ
と略す）法により、ウエハ３上に多結晶シリコン薄膜を
堆積する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の枚葉型ＣＶＤ装
置は以上にように構成されているので、シリコン膜の形
成の初期に結晶核が多数成長することを抑止しなければ
ならず、結晶核の数を制御することが必要で、また、結
晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜の形成は困難である
という問題点があった。
置は以上にように構成されているので、シリコン膜の形
成の初期に結晶核が多数成長することを抑止しなければ
ならず、結晶核の数を制御することが必要で、また、結
晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜の形成は困難である
という問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、結晶粒径の大きな多結晶シリコ
ン薄膜を形成することのできる化学気相成長装置を得る
ことを目的としており、さらにこの装置を用いた半導体
薄膜の形成方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、結晶粒径の大きな多結晶シリコ
ン薄膜を形成することのできる化学気相成長装置を得る
ことを目的としており、さらにこの装置を用いた半導体
薄膜の形成方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる化学気
相成長装置は、半導体ウェハに高温のＲＴＡ処理を行う
ための加熱手段を備えたものである。またこの発明の化
学気相成長装置は、上記ＲＴＡ処理用加熱手段に加え
て、ウエハを載置するサセプタに直流または交流の電位
を与える電位供給手段を備えたものである。
相成長装置は、半導体ウェハに高温のＲＴＡ処理を行う
ための加熱手段を備えたものである。またこの発明の化
学気相成長装置は、上記ＲＴＡ処理用加熱手段に加え
て、ウエハを載置するサセプタに直流または交流の電位
を与える電位供給手段を備えたものである。
【０００７】またこの発明の化学気相成長装置は、上記
ＲＴＡ処理用のランプ加熱器を該ＣＶＤ装置のチャンバ
の上面に配置し、該チャンバの下面に備えた成膜用の加
熱手段を、上記ＲＴＡ処理に併用するようにしたもので
ある。
ＲＴＡ処理用のランプ加熱器を該ＣＶＤ装置のチャンバ
の上面に配置し、該チャンバの下面に備えた成膜用の加
熱手段を、上記ＲＴＡ処理に併用するようにしたもので
ある。
【０００８】さらに、この発明にかかる半導体薄膜の形
成方法は、半導体ウエハ上に半導体薄膜の形成を開始し
た際に、半導体ウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処理を
行うようにしたものである。
成方法は、半導体ウエハ上に半導体薄膜の形成を開始し
た際に、半導体ウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処理を
行うようにしたものである。
【０００９】さらに、この発明の半導体薄膜の形成方法
は、上記半導体薄膜の形成を開始した際に上記ＲＴＡ処
理を行うとともに、該半導体薄膜の形成中のウエハに、
直流または交流の電位を与えるようにしたものである。
は、上記半導体薄膜の形成を開始した際に上記ＲＴＡ処
理を行うとともに、該半導体薄膜の形成中のウエハに、
直流または交流の電位を与えるようにしたものである。
【００１０】さらに、この発明の半導体薄膜の形成方法
は、上記半導体薄膜形成中のウエハに電位を与えるのに
加えて、該半導体ウエハに対しパルス的な高温のＲＴＡ
処理を行うようにしたものである。
は、上記半導体薄膜形成中のウエハに電位を与えるのに
加えて、該半導体ウエハに対しパルス的な高温のＲＴＡ
処理を行うようにしたものである。
【００１１】
【作用】この発明におけるＣＶＤ装置、及び半導体薄膜
の形成方法では、ラピッドサーマルアニール処理用のラ
ンプ加熱器を備えたから、シリコンウエハ上にシリコン
薄膜の形成を開始した際に、シリコンウエハに該ＲＴＡ
処理を行うことにより、シリコン薄膜の結晶核の増大を
行わせ、結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成す
ることができる。
の形成方法では、ラピッドサーマルアニール処理用のラ
ンプ加熱器を備えたから、シリコンウエハ上にシリコン
薄膜の形成を開始した際に、シリコンウエハに該ＲＴＡ
処理を行うことにより、シリコン薄膜の結晶核の増大を
行わせ、結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成す
ることができる。
【００１２】またこの発明におけるＣＶＤ装置、及び半
導体薄膜の形成方法では、さらに、ウエハを載置するサ
セプタに電位を与える電位供給手段を備えたから、上記
のように、薄膜の形成を開始した際にＲＴＡ処理により
薄膜の結晶核の増大を行なわせることができるのにつづ
いて、ウエハに電位を与えて堆積瞬間のシリコン原子の
移動度を上げることにより、配向性の強い，グレインサ
イズの大きいグレインの結晶成長を促進させることがで
きる。
導体薄膜の形成方法では、さらに、ウエハを載置するサ
セプタに電位を与える電位供給手段を備えたから、上記
のように、薄膜の形成を開始した際にＲＴＡ処理により
薄膜の結晶核の増大を行なわせることができるのにつづ
いて、ウエハに電位を与えて堆積瞬間のシリコン原子の
移動度を上げることにより、配向性の強い，グレインサ
イズの大きいグレインの結晶成長を促進させることがで
きる。
【００１３】また、この発明における半導体薄膜の形成
方法では、上記のように、薄膜の形成を開始した際にＲ
ＴＡ処理により薄膜の結晶核の増大を行なわせることが
できるのにつづいて、ウエハに電位を与えるのに加え
て、さらにシリコンウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処
理を行うことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動度
を上げるとともに、配向性の強い，グレインサイズの大
きいグレインの結晶成長を、さらに促進させることがで
きる。
方法では、上記のように、薄膜の形成を開始した際にＲ
ＴＡ処理により薄膜の結晶核の増大を行なわせることが
できるのにつづいて、ウエハに電位を与えるのに加え
て、さらにシリコンウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処
理を行うことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動度
を上げるとともに、配向性の強い，グレインサイズの大
きいグレインの結晶成長を、さらに促進させることがで
きる。
【００１４】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の第１の実施例に
よる枚葉型ＣＶＤ装置を示し、図において、図３と同一
符号は同一または相当部分を示し、９はプロセスチャン
バ１に配置されたラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）
処理用のランプ加熱器、１０は上記ランプ加熱器９内に
設けられたランプ、１１はウエハサセプタ２に一定電位
を与えるための直流／交流電源供給システムである。図
２は、本実施例１の枚葉型ＣＶＤ装置を用いてシリコン
薄膜を形成するフローチャート図を示すものである。
よる枚葉型ＣＶＤ装置を示し、図において、図３と同一
符号は同一または相当部分を示し、９はプロセスチャン
バ１に配置されたラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）
処理用のランプ加熱器、１０は上記ランプ加熱器９内に
設けられたランプ、１１はウエハサセプタ２に一定電位
を与えるための直流／交流電源供給システムである。図
２は、本実施例１の枚葉型ＣＶＤ装置を用いてシリコン
薄膜を形成するフローチャート図を示すものである。
【００１５】以下本実施例１の装置を用いたシリコン薄
膜の形成方法を、図２を参照して説明する。プロセスチ
ャンバ１内のウエハサセプタ２上にウエハ３を配置、即
ち、ウエハセットする（ステップＳ１）。上記プロセス
チャンバ１内を真空排気口６より約０．０１〜０．１ｔ
ｏｒｒの圧力になるまで真空排気する（ステップＳ
２）。
膜の形成方法を、図２を参照して説明する。プロセスチ
ャンバ１内のウエハサセプタ２上にウエハ３を配置、即
ち、ウエハセットする（ステップＳ１）。上記プロセス
チャンバ１内を真空排気口６より約０．０１〜０．１ｔ
ｏｒｒの圧力になるまで真空排気する（ステップＳ
２）。
【００１６】該プロセスチャンバ１，及びウエハ３を、
加熱システム７を用いて、４５０℃〜７００℃に加熱
し、かつガス導入口５より、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）
等のガスソースを導入し（ステップＳ３）、シリコン薄
膜の形成，即ち多結晶シリコンの堆積を開始する（ステ
ップＳ４）。このとき、シリコン薄膜の膜堆積の初期段
階には、初期の結晶核の生成が行われる（ステップＳ
５）。
加熱システム７を用いて、４５０℃〜７００℃に加熱
し、かつガス導入口５より、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）
等のガスソースを導入し（ステップＳ３）、シリコン薄
膜の形成，即ち多結晶シリコンの堆積を開始する（ステ
ップＳ４）。このとき、シリコン薄膜の膜堆積の初期段
階には、初期の結晶核の生成が行われる（ステップＳ
５）。
【００１７】次に、シリコン薄膜の膜堆積初期に生成す
る結晶核、及びシリコン薄膜の成長中の配向性の強いグ
レインをさらに大きくするために、ラピッドサーマルア
ニール処理用ランプ加熱器９を用いて、シリコン薄膜堆
積中のウエハ３に、８００℃〜１１００℃なる高温のラ
ピッドサーマルアニール処理を、パルス的に行う（ステ
ップＳ６）。これにより、結晶核数を少なく制御するこ
とにより、結晶核は成長して大きくなり、結晶核の増大
を行うことができる（ステップＳ７）。ここで、結晶核
の数が少ない方がグレインサイズが大きくなることは、
文献ＳＤＭ８９−１２２，Ｐ１１〜１６，“ＣＶＤ法ア
モルファスシリコン膜の固相結晶化過程の電子顕微鏡観
察による解析”，１５頁に示されている。
る結晶核、及びシリコン薄膜の成長中の配向性の強いグ
レインをさらに大きくするために、ラピッドサーマルア
ニール処理用ランプ加熱器９を用いて、シリコン薄膜堆
積中のウエハ３に、８００℃〜１１００℃なる高温のラ
ピッドサーマルアニール処理を、パルス的に行う（ステ
ップＳ６）。これにより、結晶核数を少なく制御するこ
とにより、結晶核は成長して大きくなり、結晶核の増大
を行うことができる（ステップＳ７）。ここで、結晶核
の数が少ない方がグレインサイズが大きくなることは、
文献ＳＤＭ８９−１２２，Ｐ１１〜１６，“ＣＶＤ法ア
モルファスシリコン膜の固相結晶化過程の電子顕微鏡観
察による解析”，１５頁に示されている。
【００１８】さらに、シリコン薄膜を堆積している途中
のウエハ３に、例えば、５〜数１０Ｖ程度の直流または
交流の電位を直流／交流電源供給システム１１により与
え（ステップＳ８）、あるいはこれに加えてパルス的な
高温（８００〜１１００℃）のＲＴＡ処理を施す（ステ
ップＳ９）ことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動
度を上げて配向性の強い，即ち配向のそろった、グレイ
ンサイズの大きいグレインの結晶成長を促進させる（ス
テップＳ１０）。ここで、堆積中のシリコンにＲＴＡ処
理により熱エネルギーを与えることにより堆積時のグレ
インサイズが大きくなることは、文献，Solid State Sc
ience and Technology, Vol.125, No.9 1978,9 pp.1
499 〜1540, “Grain Growth Mechanism of Heavily Ph
osphorus-Implanted Polycrystalline Silicon" , 1500
〜1501頁, Fig.3 〜Fig.5 に示されている。
のウエハ３に、例えば、５〜数１０Ｖ程度の直流または
交流の電位を直流／交流電源供給システム１１により与
え（ステップＳ８）、あるいはこれに加えてパルス的な
高温（８００〜１１００℃）のＲＴＡ処理を施す（ステ
ップＳ９）ことにより、堆積瞬間のシリコン原子の移動
度を上げて配向性の強い，即ち配向のそろった、グレイ
ンサイズの大きいグレインの結晶成長を促進させる（ス
テップＳ１０）。ここで、堆積中のシリコンにＲＴＡ処
理により熱エネルギーを与えることにより堆積時のグレ
インサイズが大きくなることは、文献，Solid State Sc
ience and Technology, Vol.125, No.9 1978,9 pp.1
499 〜1540, “Grain Growth Mechanism of Heavily Ph
osphorus-Implanted Polycrystalline Silicon" , 1500
〜1501頁, Fig.3 〜Fig.5 に示されている。
【００１９】このような本実施例では、膜堆積初期に結
晶核を生成させ（ステップＳ５）、かつ成長中の配向性
の強いグレインをさらに大きくさせ（Ｓ７）、さらに、
堆積膜中のウエハ３にパルス的な高温のＲＴＡ処理（Ｓ
６）を施し、また堆積中のウエハ３に電位を供給（Ｓ
８）し、かつＲＴＡ処理（Ｓ９）を施して、堆積瞬間の
原子の移動度を上げて、配向性の強いグレインの結晶成
長を促進させる（Ｓ１０）ようにしたので、グレインサ
イズの大きな多結晶シリコン薄膜を形成することが可能
となる。これにより、例えばＴＦＴ（Thin Film Transi
stor) デバイスの低抵抗化，低リーク電流化を達成でき
る効果がある。
晶核を生成させ（ステップＳ５）、かつ成長中の配向性
の強いグレインをさらに大きくさせ（Ｓ７）、さらに、
堆積膜中のウエハ３にパルス的な高温のＲＴＡ処理（Ｓ
６）を施し、また堆積中のウエハ３に電位を供給（Ｓ
８）し、かつＲＴＡ処理（Ｓ９）を施して、堆積瞬間の
原子の移動度を上げて、配向性の強いグレインの結晶成
長を促進させる（Ｓ１０）ようにしたので、グレインサ
イズの大きな多結晶シリコン薄膜を形成することが可能
となる。これにより、例えばＴＦＴ（Thin Film Transi
stor) デバイスの低抵抗化，低リーク電流化を達成でき
る効果がある。
【００２０】実施例２．なお、上記実施例では、グレイ
ンサイズの増大（ステップＳ１０）を図るために、パル
ス的なＲＴＡ処理（Ｓ９）を行う専用のランプ加熱器９
を、プロセスチャンバ１の上方に設けた場合を示した
が、このＲＴＡ用のランプ加熱器は、チャンバ１の側面
に配置するようにしてもよい。また、シリコンウエハ上
にシリコン薄膜を成膜するための，ランプ加熱器８を有
する加熱装置７を、上記ＲＴＡ用の加熱に併用するよう
にしてもよい。
ンサイズの増大（ステップＳ１０）を図るために、パル
ス的なＲＴＡ処理（Ｓ９）を行う専用のランプ加熱器９
を、プロセスチャンバ１の上方に設けた場合を示した
が、このＲＴＡ用のランプ加熱器は、チャンバ１の側面
に配置するようにしてもよい。また、シリコンウエハ上
にシリコン薄膜を成膜するための，ランプ加熱器８を有
する加熱装置７を、上記ＲＴＡ用の加熱に併用するよう
にしてもよい。
【００２１】実施例３．また、上記実施例１では、ラン
プ加熱器９による高温のＲＴＡ処理をパルス的に施すよ
うにしたが、堆積条件によってはこれは連続的に施すよ
うにしてもよい。さらに、上記実施例１では、多結晶シ
リコン薄膜のグレインサイズの増大について説明した
が、これは多結晶シリコン薄膜に限らず、多結晶半導体
薄膜であれば他の薄膜にも本プロセスシーケンスを適用
することができ、上記実施例と同様の効果を奏する。
プ加熱器９による高温のＲＴＡ処理をパルス的に施すよ
うにしたが、堆積条件によってはこれは連続的に施すよ
うにしてもよい。さらに、上記実施例１では、多結晶シ
リコン薄膜のグレインサイズの増大について説明した
が、これは多結晶シリコン薄膜に限らず、多結晶半導体
薄膜であれば他の薄膜にも本プロセスシーケンスを適用
することができ、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる化学気
相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法によれば、多結
晶シリコン薄膜堆積用のＣＶＤ装置に、ＲＴＡ処理用ラ
ンプ加熱器を配するとともに、堆積中のウエハに電位を
供給する電源供給手段を設けたので、膜堆積中のウエハ
にパルス的な高温のＲＴＡ処理を施すとともに、ウエハ
に電位を供給し、あるいはさらにこれに加えて膜堆積中
のウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処理を施すというプ
ロセスシーケンスを行うことが可能となり、グレインサ
イズの大きな多結晶シリコン薄膜の形成を容易に行うこ
とができ、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistion ）デ
バイスの低抵抗化，低リーク電流化を容易に実現するこ
とができる効果がある。
相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法によれば、多結
晶シリコン薄膜堆積用のＣＶＤ装置に、ＲＴＡ処理用ラ
ンプ加熱器を配するとともに、堆積中のウエハに電位を
供給する電源供給手段を設けたので、膜堆積中のウエハ
にパルス的な高温のＲＴＡ処理を施すとともに、ウエハ
に電位を供給し、あるいはさらにこれに加えて膜堆積中
のウエハにパルス的な高温のＲＴＡ処理を施すというプ
ロセスシーケンスを行うことが可能となり、グレインサ
イズの大きな多結晶シリコン薄膜の形成を容易に行うこ
とができ、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistion ）デ
バイスの低抵抗化，低リーク電流化を容易に実現するこ
とができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による多結晶シリコン薄膜
堆積用の枚葉型ＣＶＤ装置を示す概略図である。
堆積用の枚葉型ＣＶＤ装置を示す概略図である。
【図２】この発明の一実施例による多結晶シリコン薄膜
形成のフローチャート図である。
形成のフローチャート図である。
【図３】従来の枚葉型ＣＶＤ装置を示す概略図である。
１ チャンパ ２ ウエハサセプタ ３ 半導体ウエハ ４ 石英ベルジャ ５ ガス導入口 ６ 真空排気口 ７ 加熱システム ８ 加熱用ランプ ９ ＲＴＡ処理用ランプ加熱器 １０ ランプ １１ 直流／交流電源供給システム
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に半導体薄膜を堆積する
ための化学気相成長装置において、 上記半導体ウェハに高温の急速加熱アニール処理（以
下、ラピッドサーマルアニール処理，またはＲＴＡ処理
と称す）を行うための加熱手段を備えたことを特徴とす
る化学気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の化学気相成長装置におい
て、 上記半導体ウェハへ直流または交流の電位を供給するた
めの電位供給手段を備えたことを特徴とする化学気相成
長装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の化学気相成長
装置において、 上記ラピッドサーマルアニール処理用加熱手段は、該化
学気相成長装置のチャンバの上方に設けたランプ加熱器
であることを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の化
学気相成長装置において、 該化学気相成長装置のチャンバの下方に上記半導体ウエ
ハ上に上記半導体薄膜を成膜するためのランプ加熱器を
備え、該ランプ加熱器を、上記ラピッドサーマルアニー
ル処理に併用するようにしたことを特徴とする化学気相
成長装置。 - 【請求項５】 半導体ウエハ上に半導体薄膜を形成する
方法において、 半導体薄膜を堆積しようとする半導体ウエハ上に、パル
ス的な高温のラピッドサーマルアニール処理を施す工程
を含むことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 半導体ウエハ上に半導体薄膜を形成する
方法において、 真空排気をし所定温度に加熱したプロセスチャンバ内に
材料ガスを導入して、ウエハサセプタ上にセットした半
導体ウエハ上に半導体薄膜の形成を開始する工程と、 上記半導体薄膜を形成中の上記半導体ウエハに、８００
℃〜１１００℃なる高温のラピッドサーマルアニール処
理をパルス的に行う工程と、 上記半導体薄膜を堆積中の上記半導体ウエハに、所定の
直流または交流電位を与える工程とを含むことを特徴と
する半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体薄膜の形成方法に
おいて、 上記半導体薄膜を堆積中の半導体ウエハに所定の直流ま
たは交流電位を与える工程を、該電位を与えるのに加え
て、パルス的な８００〜１１００℃のラピッドサーマル
アニール処理を施す工程としたことを特徴とする半導体
薄膜の形成方法。 - 【請求項８】 請求項５ないし７のいずれかに記載の半
導体薄膜の形成方法において、 上記半導体ウェハはシリコンウエハであり、 上記半導体薄膜はシリコン薄膜であることを特徴とする
半導体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17931293A JPH0737822A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17931293A JPH0737822A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737822A true JPH0737822A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16063637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17931293A Pending JPH0737822A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 化学気相成長装置，及び半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737822A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773329A (en) * | 1996-07-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Polysilicon grown by pulsed rapid thermal annealing |
| EP0933451A1 (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of forming a crystalline silicon film |
| WO2020091425A1 (ko) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 한국전기연구원 | 단결정성 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 물품 |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP17931293A patent/JPH0737822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773329A (en) * | 1996-07-24 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Polysilicon grown by pulsed rapid thermal annealing |
| EP0933451A1 (en) * | 1998-01-29 | 1999-08-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of forming a crystalline silicon film |
| WO2020091425A1 (ko) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 한국전기연구원 | 단결정성 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 물품 |
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