JPH06302528A - 窒化ケイ素薄膜の蒸着 - Google Patents

窒化ケイ素薄膜の蒸着

Info

Publication number
JPH06302528A
JPH06302528A JP6046225A JP4622594A JPH06302528A JP H06302528 A JPH06302528 A JP H06302528A JP 6046225 A JP6046225 A JP 6046225A JP 4622594 A JP4622594 A JP 4622594A JP H06302528 A JPH06302528 A JP H06302528A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
chamber
substrate
vapor deposition
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6046225A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3067940B2 (ja
Inventor
Beinglass Israel
ベイングラス イスラエル
Venkatesan Mahuringam
ヴェンカテサン マハリンガム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH06302528A publication Critical patent/JPH06302528A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3067940B2 publication Critical patent/JP3067940B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、低圧化学蒸着処理において単一基
板ないし枚葉形式のチャンバー内において実用可能な蒸
着速度で半導体基板上に均一で薄い窒化ケイ素膜を蒸着
することを目的とする。 【構成】 チャンバー内の圧力を約５から約１００トー
ルの間に保持することによりシラン先行ガス及びアンモ
ニアを含むガス混合物から実用可能な速度で単一基板の
上に、薄く、均一な窒化ケイ素膜を蒸着することができ
る。毎分約１８５オングストロームの蒸着速度をただち
に得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低圧力化学蒸着法を利用
した窒化ケイ素の蒸着に関するものである。
【０００２】特に、本発明は単一基板ないし枚葉形式の
蒸着チャンバー内における窒化ケイ素薄層の蒸着に関す
る。
【０００３】
【従来の技術】窒化ケイ素層の蒸着のための低圧力化学
蒸着法（ＬＰＣＶＤ）は周知である。しかし、このよう
な薄膜は回分式プロセスチャンバーでしか製造できず、
このチャンバーではおよそ３００ミリトールの十分な低
圧下でさえ１バッチ当たりおよそ１００枚の基板（シリ
コンウエファ）を処理できる程度である。蒸着速度も大
変低く、例えば毎分およそ３０乃至４０オングストロー
ム程度であり、一度に大量の基板を処理することで実生
産の経済性を達成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体基板
が、直径１５．２４乃至２０．３２センチメートル(6-8
inches)まで大型化し、そして１つの基板に作られるデ
ィバイスの数が増加するに従い、基板処理は次第に単一
基板ないし枚葉形式のチャンバーにおいて行われるよう
になっている。単一基板に対する処理は非常に小さな処
理チャンバー内で行うことができ、しかもその処理は良
好に制御されうる。更に、真空環境下から基板を取り出
さずに複数回の処理ステップを単一基板上で行うための
真空処理システムが開発された。このようなシステム
は、処理中に基板表面を汚染する粒子の数を減らす結果
を生じ、その結果、ディバイスの収率が改善される。こ
のような真空システムは種々の処理チャンバーに接続さ
れる中央ロボット移動チャンバーを含み、たとえば May
den らに付与された米国特許 4,951,601 号記載のアプ
ライドマテリアルズ５０００シリーズ処理システムであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】ここにおいて使
用されるＬＰＣＶＤチャンバーを図１を参照して説明す
る。単一基板形式反応器３１は上壁３２、側壁３３及び
底壁３４を持ち、それらは、シリコンウエハのような単
一の基板３５が中に装填可能な反応器３１を画成する。
基板３５はペデスタル若しくはサスセプタ３６上に据え
られ、これはモータ３７によって回転され、円筒的に対
称である基板３５に時間平均的環境(time averaged env
ironment) を与える。予熱リング４０はチャンバー３０
内で支持されウエハ３５を囲む。ウエハ３５及び予熱リ
ング４０は、反応器３１の外側に据えられた複数の高輝
度ランプ３８、３９からの光によって加熱される。チャ
ンバー３０の上壁３２及び底壁３４は光に対して実質的
に透過性があり、外部ランプ３８及び３９からの光を反
応器３１に入れせしめサスセプタ３６、基板３５及び予
熱リング４０を加熱せしめる。石英は上壁３２及び底壁
３４のための有用な材料であるが、その理由はそれが可
視及び赤外周波数の光に対して透過性を持つからであ
り、これは比較的高強度な材料であるため上記の壁々に
亘る大きな圧力差を支持することができ、そしてそれは
ガス放出速度が低いからである。
【０００６】蒸着の間、反応性ガス流はガス流入口３１
０より、予熱リングを通り、ここでガスは加熱され、基
板の表面を矢印４１の方向に通り、その上に所望の薄膜
を蒸着し、そして排気口３１１に流れる。ガス流入口３
１０はガスマニホールド（図示せず）と接続されてお
り、それは一種若しくは混合体のガスがこの流入口への
複数の管を通じて反応器に入るようにする。これらの管
の流入端の配置、これらの管の各々を通るガス濃度及び
／若しくは流速が選択され、処理の均一性を最適化する
反応ガスの流れと濃度プロファイルが作られる。基板の
回転及びランプ３８及び３９からの熱による熱勾配が反
応器３１内のガスの流れのプロファイルに深刻な影響を
与えるのだが、流れのプロファイルの支配的な形状は、
ガス流入口３１０より、予熱リング４０及び基板３５を
経て排気口３１１に至る層流になっている。
【０００７】単一基板ないし枚葉形式処理のチャンバー
内において実用可能な蒸着速度で半導体基板上に均一で
薄い窒化ケイ素膜を蒸着できることが望ましい。
【０００８】
【実施例】図１を参照しながら上で述べたように、窒化
ケイ素は単一基板ないし枚葉形式チャンバー内の半導体
基板の上に蒸着されうる。約５から１００トールの圧力
を用いることにより、求める窒化ケイ素の蒸着速度及び
均一性を得る。正規組成の窒化ケイ素を形成するために
用いられるガスは、シラン、ジシラン及びジクロロシラ
ン；アンモニア；及び随意、例えば水素、窒素、アルゴ
ン及びヘリウムを含むキャリアガスを含む。圧力及び温
度の条件を変化させることにより、蒸着速度が変化さ
れ、蒸着される窒化ケイ素の求める膜の厚みのための実
用可能な蒸着速度を得ることができる。
【０００９】以下の具体例(Examples)を参照しつつ本発
明は更に説明されるが、本発明はここで記述される詳細
に限定されるものではない。
【００１０】具体例１ − ３ 以上に記述されたように直径１５０ミリメートルのシリ
コンウエハはＬＰＣＶＤチャンバー中に置かれ、圧力は
２５０トールに調節された。２３０立方センチメートル
のジシクロロシラン、１０００立方センチメートルのア
ンモニア及び９０００立方センチメートルの水素キャリ
アガスのガス流が開始した時、ウエハの温度は摂氏７５
０度に上昇していた。蒸着は、実施例１及び２の場合は
１分間、実施例３の場合は６分間継続された。
【００１１】図２は具体例１におけるウエハ上に蒸着さ
れた薄い窒化ケイ素膜の厚さ図(thickness map) であ
る。図２に示されたように４９点が測定された。平均厚
さは１７３．０５＋／−３．１８オングストロームであ
り、膜の優れた均一性及び毎分約１７５オングストロー
ムの蒸着速度が示された。
【００１２】図３は具体例２におけるウエハ上に蒸着さ
れた薄い窒化ケイ素膜の厚さ図である。再び図３に示さ
れたように４９点が測定された。平均厚さは１８５．５
２＋／−３．５７オングストロームであり、再び膜の優
れた均一性が示された。蒸着速度は毎分約１８５オング
ストロームであった。
【００１３】図４は具体例３におけるウエハ上に蒸着さ
れた厚めの窒化ケイ素膜の厚さ図である。平均厚さは９
９４．６３＋／−１５．３９オングストロームであり、
毎分約１６５オングストロームの蒸着速度において膜の
優れた均一性が達成された。エリプソメータ(ellipsome
ter)により測定されたこの膜の屈折率は１．９８８であ
り、正規組成な膜が得られたことが示された。
【００１４】標準的な半導体ディバイスの処理に従い、
本発明での薄い窒化ケイ素膜は、ケイ素基板、酸化ケイ
素の上に蒸着され、又は酸化ケイ素層の間に挟まれるこ
とができる。窒化ケイ素の蒸着前の基板の特別な前処理
は要さないが、しかし単結晶ケイ素であれ多結晶ケイ素
であれケイ素の上に直接窒化ケイ素膜を蒸着する前に
は、天然の酸化ケイ素は取り除いておくことが望まし
い。これは、窒化ケイ素の蒸着のための同じチャンバー
内若しくは多チャンバー真空処理システムにおける別の
チャンバー内のいずれにおいて、標準的な予洗浄エッチ
ング処理により遂行されるだろう。
【００１５】処理パラメータの幾つかは、窒化ケイ素膜
の求める厚さを得るために必要に応じて変化され得る。
蒸着の間温度は摂氏約６５０度から８５０度で変化され
得る。例えば、蒸着速度は蒸着温度を摂氏約８００度ま
で上げることにより増加されるが、およそ約３００オン
グストロームの厚さを持つ厚めの膜を単一基板ないし枚
葉形式処理チャンバー内で実用可能な速度で蒸着しよう
とする場合、この温度は望ましい。圧力もまた蒸着速度
の変化に対し影響を与えることができる；一般に、圧力
が上昇すれば蒸着速度は上昇する。 ここでの窒化ケイ
素膜は独立のＬＰＣＶＤチャンバー内で蒸着されること
ができ、又は、望ましくはこのようなチャンバーは多チ
ャンバー真空処理システムの１つであるのがよい。この
場合では、この発明の処理チャンバーは、側壁にそこで
移動する基板を中央移動チャンバーからＬＰＣＶＤチャ
ンバーに出し入れするための口を設けている。
【００１６】ここでの発明は単一基板ないし枚葉形式の
チャンバーに関して記述してきたが、装置や設計の変形
は当業者によって行うことができ、それはここに含まれ
ることを意味する。
【００１７】我々は、蒸着の間比較的高い圧力を保持す
ることにより実用可能な速度において単一基板ないし枚
葉形式チャンバー内で化学蒸着法により、薄く、非常に
均一な正規組成の窒化ケイ素膜を蒸着できることを見出
した。この膜は非常に均一な組成と厚さを持ち、これは
全く予期しないことであった。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は単一基板
ないし枚葉形式処理チャンバー内において、実用可能な
蒸着速度で半導体基板上に均一かつ薄い窒化ケイ素膜を
蒸着することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄い窒化ケイ素膜を蒸着するために用いられる
単一基板ないし単葉形式チャンバーの部分的に概略化し
た断面図である。
【図２】この発明に従って蒸着された膜の厚さ測定を説
明する厚さ図である。
【図３】この発明に従って蒸着された膜の厚さ測定を説
明する厚さ図である。
【図４】この発明に従って蒸着された膜の厚さ測定を説
明する厚さ図である。
【符号の説明】 ３０…チャンバー、３１…単一基板ないし単葉形式反応
器、３２…上壁、３３…側壁、３４…底壁、３５…単一
基板、３６…受けまたはサスセプタ、３７…モータ、３
８及び３９…外部ランプ、４０…予熱リング、４１…ガ
ス流の方向、３１０…ガス流入口、３１１…排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マハリンガム ヴェンカテサン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95130， サン ノゼ， パークウェスト ドライヴ 4749

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 単一基板ないし枚葉形式の低圧力化学蒸
    着チャンバー内における窒化ケイ素薄膜の蒸着方法であ
    って、 ａ）前記チャンバーの中で単一基板を支持する工程と、 ｂ）上記圧力を約５乃至約１００トール(Torr)に調節し
    上記基板を摂氏約６５０乃至約８５０度に加熱する工程
    と、 ｃ）シランとアンモニアとを備える先行ガス混合体が前
    記チャンバー中を通過する工程 とを備え、もって一様な厚みの正規組成の(stoichiomet
    ric)窒化ケイ素薄膜を前記基板上に蒸着する方法。
  2. 【請求項２】 前記圧力が約２５トールである請求項１
    記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記ガス混合体が更にキャリアガスを含
    む請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記キャリアガスが水素、窒素、アルゴ
    ン及びヘリウムから成る群から選ばれる請求項３記載の
    方法。
  5. 【請求項５】 前記シランがシラン、ジシラン及びジク
    ロロシランから成る群から選ばれる請求項１記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 前記ガス混合体がおよそ約２３０立方セ
    ンチメートル(sccm)のジクロロシラン、約１０００立方
    センチメートルのアンモニア及び約９０００立方センチ
    メートルの水素を備える請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記蒸着は、少なくとも１００オングス
    トロームの厚さに窒化ケイ素薄膜が蒸着されるまで継続
    される請求項１記載の方法。
JP6046225A 1993-03-16 1994-03-16 窒化ケイ素薄膜の蒸着 Expired - Fee Related JP3067940B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/033,656 US5932286A (en) 1993-03-16 1993-03-16 Deposition of silicon nitride thin films
US08/033656 1993-03-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11238425A Division JP2000150513A (ja) 1993-03-16 1999-08-25 窒化ケイ素薄膜の蒸着

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06302528A true JPH06302528A (ja) 1994-10-28
JP3067940B2 JP3067940B2 (ja) 2000-07-24

Family

ID=21871677

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6046225A Expired - Fee Related JP3067940B2 (ja) 1993-03-16 1994-03-16 窒化ケイ素薄膜の蒸着
JP11238425A Withdrawn JP2000150513A (ja) 1993-03-16 1999-08-25 窒化ケイ素薄膜の蒸着

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11238425A Withdrawn JP2000150513A (ja) 1993-03-16 1999-08-25 窒化ケイ素薄膜の蒸着

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5932286A (ja)
JP (2) JP3067940B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003504883A (ja) * 1999-07-09 2003-02-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法
KR20030067308A (ko) * 2002-02-08 2003-08-14 주식회사 유진테크 싱글 챔버식 화학기상증착 장치를 이용한 질화막 제조 방법

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6833280B1 (en) * 1998-03-13 2004-12-21 Micron Technology, Inc. Process for fabricating films of uniform properties on semiconductor devices
SG89410A1 (en) * 2000-07-31 2002-06-18 Hitachi Ulsi Sys Co Ltd Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2002198368A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7025866B2 (en) * 2002-08-21 2006-04-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces
TW200424343A (en) * 2002-09-05 2004-11-16 Asml Us Inc Low temperature deposition of silicon based thin films by single-wafer hot-wall rapid thermal chemical vapor deposition
KR100472518B1 (ko) * 2002-09-30 2005-03-10 주식회사 유진테크 싱글 챔버식 화학 기상증착 장치를 이용한 질화막 증착방법
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
JP4403824B2 (ja) * 2003-05-26 2010-01-27 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20060198958A1 (en) * 2004-04-08 2006-09-07 Christian Dussarrat Methods for producing silicon nitride films by vapor-phase growth
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20060021633A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Closed loop clean gas control
US9157150B2 (en) * 2007-12-04 2015-10-13 Cypress Semiconductor Corporation Method of operating a processing chamber used in forming electronic devices
JP5321395B2 (ja) * 2009-09-30 2013-10-23 沖電気工業株式会社 窒化物薄膜成膜装置
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9076646B2 (en) 2010-04-15 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma enhanced atomic layer deposition with pulsed plasma exposure
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8956983B2 (en) 2010-04-15 2015-02-17 Novellus Systems, Inc. Conformal doping via plasma activated atomic layer deposition and conformal film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US20110256734A1 (en) 2010-04-15 2011-10-20 Hausmann Dennis M Silicon nitride films and methods
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US8524612B2 (en) 2010-09-23 2013-09-03 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
US8647993B2 (en) 2011-04-11 2014-02-11 Novellus Systems, Inc. Methods for UV-assisted conformal film deposition
US8592328B2 (en) 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US8728955B2 (en) 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
SG2013083241A (en) 2012-11-08 2014-06-27 Novellus Systems Inc Conformal film deposition for gapfill
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US9382269B2 (en) 2013-09-27 2016-07-05 Voltaix, Llc Halogen free syntheses of aminosilanes by catalytic dehydrogenative coupling
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
CN105576082A (zh) * 2016-03-02 2016-05-11 江西展宇新能源股份有限公司 一种提高多晶硅电池pecvd工序产能的方法
CN105714267A (zh) * 2016-03-02 2016-06-29 江西展宇新能源股份有限公司 一种管式pecvd节省成本的双层膜工艺
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10446420B2 (en) * 2016-08-19 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Upper cone for epitaxy chamber
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4395438A (en) * 1980-09-08 1983-07-26 Amdahl Corporation Low pressure chemical vapor deposition of silicon nitride films
JPS61117841A (ja) * 1984-11-14 1986-06-05 Hitachi Ltd シリコン窒化膜の形成方法
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4894352A (en) * 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003504883A (ja) * 1999-07-09 2003-02-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法
JP4889173B2 (ja) * 1999-07-09 2012-03-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法
KR20030067308A (ko) * 2002-02-08 2003-08-14 주식회사 유진테크 싱글 챔버식 화학기상증착 장치를 이용한 질화막 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3067940B2 (ja) 2000-07-24
JP2000150513A (ja) 2000-05-30
US5932286A (en) 1999-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3067940B2 (ja) 窒化ケイ素薄膜の蒸着
US6402850B1 (en) Depositing polysilicon films having improved uniformity and apparatus therefor
JP3121131B2 (ja) 低温高圧のシリコン蒸着方法
US6471771B2 (en) In-situ post epitaxial treatment process
US6562128B1 (en) In-situ post epitaxial treatment process
US5874129A (en) Low temperature, high pressure silicon deposition method
US4834831A (en) Method for growing single crystal thin films of element semiconductor
US5246536A (en) Method for growing single crystal thin films of element semiconductor
US5695819A (en) Method of enhancing step coverage of polysilicon deposits
JPH07147251A (ja) 結晶性炭化ケイ素膜の成長方法
JPH051380A (ja) 炭化ケイ素の成膜方法
JPH0786173A (ja) 成膜方法
JP3066819B2 (ja) 薄膜製造方法
JPS6010108B2 (ja) 窒化珪素を基体上に熱分解堆積する方法
JP2000091237A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JPS61114519A (ja) 気相成長装置
JPH07193009A (ja) 気相成長装置およびこれを用いた気相成長方法
JPH07161646A (ja) 多結晶膜作成方法
JPS62208637A (ja) 気相成長方法
JPS61283113A (ja) エピタキシヤル成長方法
JPS62244126A (ja) 気相成長装置
JPS63299363A (ja) リンをド−プしたポリシリコン膜の形成方法
JPH01119017A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPS62278271A (ja) 機能性堆積膜の形成法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000411

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees