JPS62278271A

JPS62278271A - 機能性堆積膜の形成法及び装置

Info

Publication number: JPS62278271A
Application number: JP12015386A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Ishihara; 俊一石原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-05-27
Filing date: 1986-05-27
Publication date: 1987-12-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明〔発明の属する技術分野〕本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけ機能性膜
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮像デバイスなどに用いる
アモルファス状ある〔従来技術の説明〕例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用い
られ、企業化されている。

百年ラアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。

従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積・膜の形成に於ての反応プロセス
は、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その
反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜
の形成については、例えば、基体温度、導入ガスの流量
と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気速度、プラズマ発生方式など多ぐのパラメ
ーターが存在して、これら多くのパラメーターの組合せ
によるため、時にはプラズマが不安定な状態になり、形
成さ；ｉた堆積膜に著しい悪影響を与えることが少なく
なかった。そのうえ、装置特有のパラメーターを装置ご
とに設定しなければならず、したがって製造条件を一般
化することがむずかしいのが実状であった。一方、アモ
ルファスシリコン膜として電気的、光学的、光導電的乃
至は機械的特性の夫々を十分に満足させ得るものを発現
させるためＫは、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。

百年ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭ぐなり、装置の調整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
九でいなかった。

上述の如ぐ、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
ンリコ／膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。

然るに出願人は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除
去すると共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜
形成法として下記の方法を先に提案した。

即ち、基体上に堆積膜を形成するための成膜空間内に、
ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生
成される活性種と、該活性種と化学的相互作用をする、
成膜用の化学物質より生成される活性種とを夫々別々に
導入し、それら活性種を化学反応させることによシ前記
基体上に堆積膜を形成せしめる方法である。

そして出願人が先に提案した方法は、上記二種の活性種
を生成せしめる活性化空間と、堆積膜の形成を行う成膜
空間とを分離するものであることがら成膜の制御が容易
に行え高品質の堆積膜が効率的に形成できることから極
めて有用な方法である。

ところでこの方法においては、活性化空間で生成される
活性種を成膜空間に効率的に輸送することが重要である
。そしてまたその際、活性種が輸送路の壁面で失活しな
いようにするため、該輸送路形成部材の選択が重要であ
る。こうしたことから、活性種の前記輸送路は、一般に
は石英又はテフロン部材で形成される。ところが、そう
した部材は高価であるのに加えて、強度面及び熱的耐久
性に難点があることから、前記輸送路を安価であって、
強度面及び熱的耐久性面について優れた材料で形成する
ことが課題としである。

〔発明の目的〕

本発明は、前記従来の堆積膜形成法の各種問題点を解決
し、出願人が先に提案した堆積膜形成法における前記課
題を解決して、形成される堆積膜の緒特性、成膜速度、
膜品質の均一化そして再現性の向上を図りながら、膜の
大面積化提供することを目的とするものである。

〔発明の構成〕

本発明は、上記の本発明の目的を達成するものであって
、本発明により提供される機能性堆積膜の形成法は、基
体上に堆積膜を形成するための成膜空間内に、ケイ素原
子とノ・ロゲン原子を含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）と、該活性種と化学的相互作用
する成膜用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）とを
それぞれ別々に導入し、それら活性種を化学反応せしめ
ることにより前記基体上に機能性堆積・膜を形成するに
際して、前記活性種（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれの活性
種を生成せしめる活性種生成域の内壁面或いはそれら活
性種の輸送域の内壁面を、それら活性種を生成せしめる
のに先立って、式：　Ｒ４−ｎＳｉＸｎ−（１）　（但
し、ｎは１乃至３の整数であり、Ｒはアルキル基を示し
、そしてＸは・・ロゲ／原子を示す。〕で表わされる化
合物で予め処理することを骨子とするものである。

そして上記構成の本発明の方法においては、堆積膜を形
成する為の成膜空間においてプラズマを生起させる代り
に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と成膜用の化学物質より生成
される活性種（Ｂ）との共存下に於いて、これ等による
化学的相互作用を生起させて形成される堆積膜は、放電
作用などによる悪影響を受けることはない。

また、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温
度を所望に従って任意に制御することにより、より安定
したＣＶＤ法とすることができる。

ところで、本発明の方法か従来のＣＶＤ法と違う点の１
つは、あらかじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性
化空間という）に於いて活性化された活性種を使用する
ことである。このことにより、従来のＣＶＤ法より成膜
速度を飛躍的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の
際の基体温度も一層の低温化を図ることが可能になり、
膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コ
ストで提供できる。本発明では、成膜空間に導入される
活性化空間（Ａ）からの活性種（Ａ）は、生産性及び取
扱い易さなどの点から、その寿命が０．１秒以上、より
好ましくは１秒以上、最適には１０秒以上あるものが、
所望に従って選択されて使用され、この活性種（Ａ）の
構成要素が成膜空間で形成される堆積膜を構成する成分
を構成するものとなる。又、成膜用の化学物質は、活性
化空間（Ｂ）に於いて活性化エネルギーを作用されて活
性化されて、成膜空間に導入され、同時に活性化空間（
Ａ）から導入され、形成される堆積膜の構成成分となる
構成要素を含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。

その結果、所望の基体上に所望の堆積膜が容易に形成さ
れる。

本発明において、活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素
とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状または環
状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原
子で置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、
５ｉｕＹ２ｕ＋２（Ｕは１以上の整数、ＹはＦ　、　Ｃ
１、Ｂｒ及びＩより選択される少なくとも一種の元素で
ある。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＹ２
ｖ（Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で
示される環状ハロゲン化ケイ素、５ｉｕＨｘＹｙ（Ｕ及
びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝ｚｕ又は２ｕ＋２
である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙げら
れる。

具体的には、例えばＳｉＦ４．　（ＳｉＦ２）５．　（
ＳｉＦ２）ｇ。

（ＳｉＦ７）４．　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉ３Ｆｇ　、　
ＳｉＨＦ３．５ｉＨ２Ｆｚ　。

５ｉＣ１ａ　、　（ＳｉＣｔｚ）ｓ　、　ＳｉＢｒ４．
　（ＳｉＢｒ２）ｓ　、　５ｉ２Ｃ４６゜５ｉ２Ｂｒ６
　、５ｉＨＣ２３，５ｉＨＢｒ：＋　、　５ｉＨｉ３．
　ＳｉｚＣ２３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。

活性種（Ａ）を生成させるためには、前記ケイ素とハロ
ゲンを含む化合物に加えて、必要に応じてケイ素単体等
他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、ｃｔ２ガス、ガス化したＢｒ２．　Ｉ２等）など
を併用することができる。

本発明において、活性化空間（Ａ）で活性種（Ａ）を生
成させる方法としては、各々の条件、装置を考慮してマ
イクロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒ
ータ加熱、赤外線加熱等ニヨる熱エネルギー、光エネル
ギーなどの活性化エネルギーが使用される。

上述したものに、活性化空間（Ａ）で熱、光。

電気などの励起エネルギーを加えることにより、活性種
（Ａ）が生成される。

本発明の方法で用いられる活性化空間（Ｂ）に於いて、
活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質として
は、水素ガス及び／又はノ・ロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、Ｃ４２ガス、ガス化した１３ｒ２　、Ｉ２等）が
有利に用いられる。また、これらの成膜用の化学物質に
加えて、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性
ガスを用いることもできる。これらの成膜用の化学物質
の複数を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ
）内にガス状態で導入することもできるし、あるいはこ
れらの成膜用の化学物質をガス状態で夫々独立した供給
源から各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）に導入するこ
ともできるし、又夫々独立の活性化空間に導入して、夫
々個別に活性化することも出来る。

本発明において、成膜空間に導入される前記活性種（Ａ
）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、成膜条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くは１０：１〜１：１００（導入流量比）が適当であり
、より好ましくは４：６〜１：１０とされるのが望まし
い。

また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピングオることか可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表第■族Ａの元素、例えばＢ　、　Ａｌ　、　Ｑ
ａ　、　Ｉｎ　、　ＴＬ等が好適なものとして挙げられ
、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ＄Ａｏ元素、例、
ｔハＰ　、　Ａｓ　、　Ｓｂ　。

Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ。

Ｇａ　、　Ｐ　、　Ｓｂ等が最適である。ドーピングさ
れる不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定される。

かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるから、ある
いは少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化
装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい
。この様な化合物としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３
　、　ＰＦｓ　。

ＰＣｌ３．　ＡＳＨ３、ＡｇＦ２　、　ＡｓＦ５　Ｉ　
ＡＳＣ４３＊　ＳｂＨ３゜５ｂＦｓ　、　ＢＦ３　、　
ＢＣｌ２．　ＢＢｒ３　、　Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１Ｇ　、
　Ｂ５Ｈ９゜ＢｓＨｕ・Ｂ６Ｈｓｏ・Ｂ６Ｈ１２・Ａｌ
Ｃｌ２等を挙げることができる。不純物元素を含む化合
物は、１種用いても２種以上併用してもよい。

不純物元素を成分として含む化合物は、ガス状態で直接
成膜空間内に導入しても差支えないし、或いは、予め活
性化空間（Ａ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活
性化空間（Ｃ）で活性化してその後、成膜空間に導入す
ることもできる。

本発明において、活性化空間で生成された活性種を成膜
空間に輸送するための輸送管としては、ｈｔ　＋　Ｃｕ
　、　Ｆｅ等の金属製又はステンレス、しんちゅう等の
合金製、石英ガラス、パイレックスガラス、又は軟質ガ
ラス製、或いは炭素、ケイ素、Ａｔ２（ｈ等の焼結体製
等のものが使用可能である。そして本発明の方法にあっ
ては、該輸送管と前記活性化空間を形成する域が同一の
ものであっても、又は別個のものであってもよい。

そしてそうした活性種生成域又は活性種輸送域の内壁面
を前記化学式（１）で表わされる化合物で処理するに当
っては、一般には前記化学式（１）で表わされる化合物
を前記載の内壁面に塗布することにより行われる。

前記化学式（１）で表わされる化合物としては、具体的
には例えばＣＨ３５ｊＣ４３、（ＣＨｓ）２ｓ１ｃＬｚ
　。

（ＣＨ３）３Ｓｉ（、ｔ、　ＣｚＨｓＳｉＣｔ：ｓ　＊
　（ＣｚＨ５）２ｓｉｃｔ２゜（ＣｚＨｓ）ａＳｉＣ２
等を挙げることができる。

これら化合物の前記載の内壁面への塗布は任意の方法に
より行うことができるが、それらの方法として以下のも
のを例示することができる。

即ち、前記化合物を適当な溶媒、例えば、好しくは、Ｃ
Ｃ４ａ　、　ＣＦ２ＣＬｚＣＦｚＣＬ　、　ＣＨＣｌ２
ＣＨ２ＣＬ　。

ＣＬ３ＣＣＨ３等の・・ロゲ／系溶媒に溶解し、得られ
る溶液を前記載の内壁面に塗布し、乾燥して固化せしめ
る方法、前記化合物を加熱気化せしめ、その気体を前記
載の内壁面に当てて凝縮、固化せしめる方法等である。

〔実施例〕

以下、実施例を挙げて本発明の方法の内容を更に詳しく
説明するが、本発明はそれら実施例により何ら限定され
るものではない。

実施例１第１図に示した装置を用い、以下の如き操作によってａ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜を形成した。

第１図において、１０１は成膜空間としての堆積室であ
り、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が載
置される。

１０４は基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向上させる為にアニー
ル処理したシする際に使用され、導線１０５を介して給
電され、発熱する。

成膜中は、該ヒーター１０４は駆動されない。

１０６乃至１０９は、ガス供給系であり、成膜用のガス
、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元素
を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる。

これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用する
場合には、適宜の気化装置を具備させる。

図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流
量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付し
たのは各気体流量を調整するためのパルプである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３０周りには、活性種（Ｂ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）内に於いて活性化されて生じた活性種（Ｂ）は
導入管１２４を通じて、成膜室１０１内に導入される。

１１１はガス圧力計である。

図中１１２は活性化室（Ａ）、１１３は電気炉、１１４
は固体８１粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体
状態のケイ素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、
活性化室（Ａ）　１１２で生成された活性種（Ａ）は導
入管１１６を介して成膜室１０１内に導入される。

また、図中、１１９は成膜室１０１内におけるガス流を
示し、１２０は排気バルブ、１２１は排気管をそれぞれ
示す。

更に図中、活性化室（活性種（Ａ）用）１１２及び活性
化室（活性種（１３）用）１２３は、それぞれ石英ガラ
ス製管であり、導入管１１６及び１２４は、アルミニウ
ム製のものであり、それら管は全て３０１ａＩＯのもの
にした。

ところで、成膜操作を行うに先立って、導入管１１６及
び１２４の内壁面に、（ＣＨ３）　２　Ｓ　１ｃｔ２の
１容量をＣＣ６４５容量に溶解した溶液を流しこんで該
内壁面を万遍なく薄くコートした後８０℃に保ったオー
ブン中に２時間保持して溶媒を除去して前記内壁面全体
を（ＣＨｓ　）　２　Ｓ　１ｃＬｚの薄膜でコートした
。かぐして処理した導管１１６及び１２４を第１図に示
す配置に設置した。

ついでコーニング７０５９ガラス製基体１０３を支持台
１０２上に載置し、排気装置（図示せず）を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１０””　’ｌ’ｏｒｒに減圧
した。基体１０３をヒーター１０４に通電して２００℃
に加熱した後ガス供給ボンベ１０６よりＨ２ガス１５０
ＳＣＣＭをガス導入管１１０を介して活性化室（Ｂ）　
１２３に導入した。活性化室（Ｂ）　１２３内に導入さ
れたＨ２ガス等はマイクロ波プラズマ発生装置１２２に
より活性化されて活性水素等とされ、導入管１２４を通
じて、活性水素等を成膜室１０１に導入した。

また他方、活性化室（ｈ＞　１１２に固体Ｓｉ粒１１４
を詰めて、電気炉１１３により加熱し、約１１００℃に
保ち、Ｓｌを赤熱状態とし、そこへ導入管１１５を通じ
て不図示のボンベよりＳｉＦ４を吹き込むことにより、
活性種（Ａ）としての５ｊＦ２’を生成させ、該ＳｉＦ
２”を導入管１１６を経て、成膜室１０１へ導入した。

成膜室１０１内の圧力Ｑ、４’Ｉ’ｏｒｒに保ちａ−８
ｉ（Ｈ，Ｘ）膜を１．３μｍ厚に形成した。その際の成
膜速度は１５　Ｘ　／　ｓｅｅ、であった。

ついで前記で得られたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）膜の試料を蒸
着槽に入れ、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでクシ型のＡｔギ
ャップ電極（ギャップ長２５０μ、巾５　ｔａｘ　）を
形成した後、印加電圧１０ｖの暗電流を測定したところ
暗導電率σｄ＝８Ｘ１０−’Ｓ／ｃｔｎであり、前記試
料に１ｍｗ／ｄのＨｅ　−Ｎｅレーザーを照射したとこ
ろ６　Ｘ　１０−’　５１０ｎの導電率を得た。

〔比較例コ実施例１において導入管１１６及び１２４の内壁面を前
記化学式（１）で表わされる化合物で処理することなく
して実施例１と同様の手法で成膜を行ったところ、成膜
速度はＩＸ／５ｅＣ１以下であり、得られたａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）の堆積膜の暗導電率はσｄ＝２Ｘ１０　　Ｓ／
αであった。

実施例２導入管１１６及び１２４としてパイレックスガラス製の
ものを使用し、これら導入管の内壁面に、ＣＨｈＳｉＣ
４ｓ　と（ＣＨ３）２　Ｓ　ｉ（、ａｚを１：１の割合
で混合して得た混合液を加熱気化せしめて生成する気化
気体を吹きつけ、凝縮し固化せしめた後、それら導入管
を第１図に示す配置に設置した。

以後は実施例１と同様に操作してａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ
）膜を基体上に堆積せしめた。その際の成膜速度ば１２
Ａ／ｓｅｅ、であツタ。

そして得られた堆積膜の暗導電率は　σｄ＝７Ｘ１０−
’　８７ｃｍであり、Ｈｅ　−Ｎｅレーザー１　ｍｗ／
ｃａｒ照射時の導電率は９　Ｘ　１０−’　５１０ｎ　
であった。

実施例３導入管１１６及び１２４、そして活性化室１０２及び１
２３のそれぞれをパイレックスガラス製の３０鵡グのも
のにした。

そして導管１１６及び１２４、そして活性化室１０２及
び１２３の全ての内壁面に、（ＣＨ３）２５ｉＣ４ｚの
１容量をＣＦＣ４２ＣＦ２ＣＡ　５容量に溶解した溶液
を実施例１におけると同様の手法で塗布し、８０℃に保
持したオーブン中に３０分間保持し溶媒を除去して前記
のそれぞれの内壁面全体を（ＣＨ３）２　Ｓ　１ｃ１２
の薄膜でコートした。しかる後、導管１１６及び１２４
、そして活性化室１０２及び１２３を第１図の配置に設
置した。

その後、コーニング７０５９ガラス製基体１０３を支持
台１０２上に設置し、実施例１と同様にして成膜室１０
１内を減圧し、前記基体を２００℃に加熱し、ついで所
定の原料ガスを活性化室１０２及び１２３に導入し、活
性化室１０２についてば２００Ｗのマイクロ波電力を印
加して活性種（Ａ）□としての５ｉＦｎ”（ｎ＝１．２
．３）を生成させ、活性化室１２３についてはＨ２ガス
を１５０８ＣＣＭで流して６００Ｗのマイクロ波電力を
印加して活性種Ｂとしての活性水素生成させ、それぞれ
の活性種を成膜室１０１に導入した。これら活性種を成
膜室１０１に導入した後１５分後に基体１０３上に１，
３μｍ厚のａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）の堆積膜が形成された。

該堆積膜にＡｔ　くし形電極を蒸着し、暗導電率及びＨ
ｅ　−Ｎｅレーザー１　ｍｗ／ｄ照射時の導電率を測定
したところ、それぞｆＬ　４　Ｘ　１０−’　Ｓ　７ｃ
ｍ及び８　Ｘ　１０−’　８７ｃｍ　　であった。

実施例４実施例３において、基体温度を３５０℃とし、５ｊＦ４
のガス流量を２５ＳＣＣＭとし、Ｈ２ガス流量を４０８
ＣＣＭとして成膜したところ、活性種の成膜室１０１に
導入後２０分後に４５００＾厚の５ｉ（Ｈ，Ｘ）堆積膜
が形成された。

得られた堆積膜のＸ線回折パターンをとったところ、粒
径約７００＾で結晶化していることがわかった。

〔発明の効果〕

本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、使用する成膜装置につい
ては安価な材料で構成できるので装置コストを低減でき
る。更にまた、低温において安価な基板上に結晶質シリ
コン膜を形成できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の機能性堆積膜の形成法を実施するに
使用する装置例の構成を説明するための模式図である。図において、１０１・・・成膜室、１０２・・・基体支持台、１０３
・・・基体、１０４・・・加熱用ヒーター、１０５・・
・導線、１０６　、１０７　、１０８　、１０９・・・
ガス供給ボンベ、１１０・・・ガス導入管、１１１・・
・ガス圧力計、１１２・・・活性化室（活性種（Ａ）用
）、１１３・・・電気炉、１１４・・・固体８１粒、１
１５・・・活性種（Ａ）用化合物導入管、１１６・・・
活性種（Ａ）用導管、１２４・・・活性種（Ｂ）用導管
、１１９・・・成膜室におけるガス流、１２０・・・排
気バルブ、１２１・・・排気管、１２２・・・マイクロ
波プラズマ発生装装置、１２３・・・活性化室（活性種
（Ｂ）用）。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体上に堆積膜を形成するための成膜空間内に、
ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生
成される活性種と、該活性種と化学的相互作用をする、
成膜用の化学物質より生成される活性種とを夫々別々に
導入して両者を化学反応せしめて前記基体上に機能性堆
積膜を形成するに際して、前記二種の活性種のそれぞれ
を生成せしめる活性種生成域又は／及び活性種輸送域の
内壁面を活性種を生成せしめるに先立つて式：Ｒ＿４＿−＿ｎＳｉＸ＿ｎ〔但し、ｎは１乃至３の整数であり、Ｒはアルキル基を
示し、そしてＸはハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物で処理することを特徴とする機能性
堆積膜の形成法。
（２）二種の活性種を個々に生成するための二つの活性
種生成室とそれら活性種を個々に輸送するための輸送管
と成膜室とを有する機能性堆積膜形成用装置であつて、
前記活性種生成室又は／及び前記輸送管の内壁面が式：Ｒ＿４＿−＿ｎＳｉＸ＿ｎ〔但し、ｎは１乃至３の整数であり、Ｒはアルキル基を
示し、そしてＸはハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物で構成されていることを特徴とする
機能性堆積膜形成装置。