JPS62243766A

JPS62243766A - 堆積膜形成法

Info

Publication number: JPS62243766A
Application number: JP8682486A
Authority: JP
Inventors: Akira Sakai; 明酒井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-04-15
Filing date: 1986-04-15
Publication date: 1987-10-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はシリコンを含有する堆積膜、とりわけ機能性膜
、殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画
像入力用のラインセンサー、撮影デバイスなどに用いる
多結晶状のシリコン含有塩８１ｓを形成するのに好適な
方法に関する。

〔従来の技術〕

例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られており。

一般的にはプラズマＣＶＤ法が広く用いられ。

企業化されている。

面下らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。

特に堆積膜の応用用途によっては、電気的特性、大面積
化、膜厚均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しか
も高速ｒ＆膜によって再現性のある量産化を図らねばな
らないため、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリ
コン堆積膜の形成においては、量産装置に多大な設備投
資が必要となり、またその量産のための管理項目も複雑
になって管理許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であ
ることから、これらのことが今後改善すべき問題点とし
て指摘されている。

他方、多結晶堆ａ膜の形成においては常圧ＣＶＤ法やＩ
、ＰＣＶＤ法などが用いられているが高温を必要とし、
従って基板材料が限定される一方結晶粒径の制御や粒界
に存在する欠陥の補償あるいは結晶面を揃えることの困
難さなどから、実用可能な特性が得られない、大面積化
が難しい、均一な膜厚あるいは膜質が得られない、再現
性に乏しい等の問題点が指摘されている。

又プラズマＣＶＤ法においては、常圧ＣＶＤ法やＬＰＣ
ＶＤ法に比べ基板の低温化が可能であるが、一方安定し
たプラズマを形成するために反応装置の構造が限定され
、しかもその他のパラメータ（導入ガス種、ガス流量、
圧力、高周波電力、排気速度等）も多く存在し、プラズ
マに与える影響も各々大きい、従ってこれらのパラメー
タのわずかな変動及びその組み合わせによってプラズマ
が微妙に変動し、堆積膜の均一性や電気的、光学的特性
に悪影響を及ぼすことが少なくなかった。さらにプラズ
マ中に存在する電子やイオンの堆ａｙＪに対する衝撃に
よるダメージも大きく、膜特性を劣化させる要因の一つ
となっている。

上述のごとく、現状ではアモルファスシリコン膜、多結
晶シリコン膜の双方において、その形成方法に帰因する
問題点が存在しており、特に堆ｖ１ｍの電気的特性の向
上並びに安定性の面から多結晶シリコン膜の形成におい
て、その実用可能な特性、均一性、安定性を維持しつつ
、低コストで大面積の多結晶シリコン膜を形成する方法
を開発することが望まれている。

前記解決策の一つとして光ＣＶＤ法があるが、従来の光
ＣＶＤ法では多結晶堆ａ膜を制御性良く作成することが
困難であり、結晶粒界の電気的特性が悪く、また面方位
あるいは結晶粒径の制御も困難であった。また光ＣＶＤ
法では使用可能な原料ガスに限りがあった。

発明では上述した常圧ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法および光ＣＶＤ法の欠点を除去し、しかも従
来の形成法によらない新規な多結晶堆！！１膜形成法を
提供するものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、形成される多結晶膜の膜特性、成膜速
度、再現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜
の大面積化に適し、膜の生産性の向上、及び量産化を容
易に達成することのできる多結晶堆積膜形成法を提供す
ることにある。

〔発明の概要〕

本発明の堆ｖｔＷＡ形成法は、基体上に堆積膜を形成す
る為の成膜空間内に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を
分解することにより生成される活性種（Ａ）と該活性種
（Ａ）と化学的相互作用をする成膜用の化学物質より生
成される活性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、相互的に
化学反応させる事によって前記基体上に堆積膜を形成す
るにあたって、前記基体として結晶配向性表面を有する
基体を用い、該堆ａＳに対してエツチング作用を有する
ガスまたはその分解物を供給すると共に、前記エツチン
グ作用を有するガスまたはその分解物に光エネルギーを
照射して前記堆積膜に対するエツチング活性を選択的に
増大せしめ、特定の面方位の結晶成長を優先的に行うこ
とで前記基体表面の配向に対応した一定の結晶面方位を
優先的に有する結晶性堆積膜を形成する！バにある。

又１本発明によれば、成膜空間の雰囲気気温度、基体温
度を所望に従って任意に制御することにより、より安定
したＣＶＤ法とすることができる。

更に、励起エネルギーは成膜用の基体近傍に９１達した
各活性種に一様にあるいは選択的、１ｔＩＩＪ御的に行
手されるが、光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系
を用いて基体の全体に照射して堆積膜を形成することが
できるし、あるいは所望部分のみに選択的制御的に照射
して部分的に堆積膜を形成することができ、またレジス
ト等を使用して所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形
成できるなどの便利さを有しているため、有利に用いら
れる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点に１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使う事である。この
ことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に伸
ばすことができ、加えて堆ａ膜形成の際の基体温度も一
層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した
堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供できる
０本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）
からの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点
から、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以
上、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択
されて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空
間で形成される堆積膜を構成する成分を構成するものと
なる。又、成膜用の化学物質は、活性化学ｆ！ｉ　（Ｂ
）に於いて活性化エネルギーを作用されて活性化されて
、成膜空間に導入され、同時に活性化空間（Ａ）から導
入され、形成される堆ａｇの構成成分となる構成要素を
含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。その結果、
所望の基体上に堆Ｊｌｔ　８２が容易に形成される。

本発明が従来のＣＶＤ法と違う第２の点は。

堆積膜の形成と同時に外部から導入されたエツチング活
性あるいは潜在エツチング活性を有するガス又はその分
解生成物の膜成長表面に於るエツチング効果により、結
晶の一定面方位を優先的に有する多結１堆８！膜を形成
する事が可能になった事である。即ち、シリコンの多結
晶成長時には成長速度の面方位依存性がある。これは膜
堆積方法や堆積条件により異なるが、本発明の方法では
（１，１，０）＞（１，１，１）＞（１，０，０）が優
勢である。この条件下でエツチングガスの種類や、エツ
チング条件を適当に選択することにより、より強い配向
性の（１，１，０）＞＞　　（１，１，１）＞＞　　（
１゜０．０）条件を実現でき、ひいては（１、１。

Ｏ）面のみに配向した粒径の大きな堆ａ膜の形成が可能
となる。

更に本発明では、前記堆ＩＩｉ膜成長表面に於るエツチ
ング効果をエツチング選択性をもたらす光エネルギー照
射によって支援している。即ちエツチングガスが光励起
されエツチング活性を増し、特定方向の結晶成長を効率
化している。

この光エネルギー照射は成膜原料ガスに対するよりもエ
ツチングガスに効率的に働くように選択することができ
る。

さらに１本９．ｒｆＪの堆Ｊｌ［形成法は前記基体表面
が配向性を有る基体を用いることで結晶粒径を決定でき
、適当な堆積条件を選択することで一定の粒径のみを有
する多結晶シリコン膜を形成することが可能となる。

本発明の特徴である結晶配向性を有する基体材料として
は、異なる物質の基体上に結晶成長させる為に次の様な
条件が必要である。つまり１、　１体表面の結晶材料の
格子定数が堆！ｉｉ膜の格子定数と一致しているか、き
わめて近いこと。

２、　基体表面の結晶材料と堆積膜の熱膨張係数が一致
しているか、！！わめて近いこと。

故に、特に結晶質Ｓｉの堆Ｉｌｉ膜を得る為に適当な基
体の表面を構成すべき材料としてはＣａＦ　２　、　Ｚ
　ｎ　Ｓ　、　Ｙ　ｂ　、　Ｍ　ｎ　３　Ｇ　ａ　、　
Ｎ　ａ　ＣＯＦ３　、Ｎｉ３Ｓｎ、Ｆｅ５Ｃ，ＮｉＴｅ
ｘ。

（ｘ＜０．７）、Ｃ□ＭｎＯ３、ＮｉＭｎＯ３。

ＭａＺｎ３　、ＣｕＣｊＬ、ＡｆｆｉＰ、Ｓｆなどが挙
げられるが、前述の２つの条件から外れた場合でも堆積
条件を適切に選ぶことによって結晶質の堆積膜を得るこ
とが可能であり、上述の材料に限定されるものではない
。

本発明において、活性化空間（Ａ）に導入されるケイ素
とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状または環
状シラン化合物の水素原子の一部ないし全部をハロゲン
原子で置換した化合物が用いられ、具体的には１例えば
５ｉｕＹｚｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、Ｃ１゜
Ｂｒ及びＩよりも選択される少なくとも一種の元素であ
る。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＹｚｖ
（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイｇ、Ｓ　ｉ　ｕＨＸＹＹ　（
ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ
＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙
げられる。

具体的には、例えば５ｉＦ−４，（ＳｉＦ２）５゜（Ｓ
ｉＦ　２）　　ｓ、（ＳｉＦｚ）＋、５ｉｚＦａ。

５ｉ３ＦＢ、５ｉＨＦ　　８　、ＳｉＨ２Ｆ　　２　。

５ｉＣ１４、（ＳｉＣ１２）５．ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢ
ｒ２）　　ｓ、５ｉ２ＣＪ１６，５ｉ２Ｂｒ６゜５ｉＨ
Ｃ交　３，５ｉｌ（３Ｃ文　、５ｉＨ２Ｃ見　２　。

５ｉＨＢｒ３，５ｉＨｉ３．５ｉ２ＣＪ１３Ｆ３などの
ガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられる。

活性種（Ａ）を生成させるためには、前記ケイ素とハロ
ゲンを含む化合物に加えて、必要に応じてケイ素単体等
他のケイ素化合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２
ガス、Ｃ１２ガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２等）などを
併用することができる。

本発明において、活性化空間（Ａ）で活性種（Ａ）を生
成させる方法としては、各々の条件、装置を考慮してマ
イクロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒ
ータ加熱、赤外線加熱等によるエネルギー、光エネルギ
ーなどの活性化エネルギーが使用される。

上述したものに、活性化空間（Ａ）で熱、光、電気など
の励起エネルギーを加えることにより、活性種（Ａ）が
生成される。

本発明の方法で用いられる活性化空間（Ｂ）に於いて、
活性種（Ｂ）を生成させる前記成膜用の化学物質として
は、水素ガス及び／又はハロゲン化合物（例えばＦ２ガ
ス、Ｃ１２ガス、ガス化したＢｒ２、Ｉ２等）が有利に
用いられる。また、こられらの成膜用の化学物質に加え
て１例えばヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガス
を用いることもできる。これらの成膜用の化学物質の複
数を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内
にガス状態で導入することもできるし、あるいはこれら
の成膜用の化学物質をガス状態で夫々独立した供給源か
ら各個別に供給し、活性化空間（Ｂ）に導入することも
できるし、又夫々独立の活性化空間に導入して、夫々個
別に活性化することも出来る。

本発明において、成膜空間に導入される前記活性種（Ａ
）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、成膜条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くは１０：ｌ〜１：１０（導入流量比）が適当であり、
より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい、
ハロゲンを成分として含む化合物は、ガス状態で直接成
膜空間内に導入しても差支えないし、或いは、予め活性
化空間（Ａ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活性
化空間（Ｃ）で活性化して、その後、成膜空間に導入す
ることもできる。

本発明におけるエツチング作用を有するガスまたは活性
種としては、Ｆ２．Ｃ見２．ガス化したＢｒ２．Ｉ２な
ど１７）　ハロゲ７．ＣＨＦ３　。

ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．ＣＣｆＬ４．ＣＢｒＦ３゜ＣＣｌ２
Ｆ２　、ＣＣｌ３Ｆ、ＣＣｌＦ３　、Ｃ２Ｃ１２Ｆ４な
どのハロゲン化炭素、ＢＣｌ３　。

ＢＦ３などのハロゲン化ホウ素をはじめとするＳＦ６　
、ＮＦ３　、ＰＦ５　、ＸｅＦ２など（７）　ハロゲン
化物、更にこれらのガスによるＦ＊、Ｃ１＊などのラジ
カル、ＣＦ３＋、ＣＣ文３＋などのイオンが用いられる
。これは混合して用いることもできるし、膜に影響を及
ぼさない程度の０２、）（２、その他ガスを添加してエ
ツチング特性をコントロールすることができる。

これらのガスまたは活性種の膜面に於るエツチングへの
導入法としては、別にエツチング空間を配して成ｎりと
交互にくり返してもよいし、成膜空間中にエツチング活
性を有した状態で導入して成膜と同時にエツチング作用
をさせて結晶性膜の成長方向を限定するという効果を与
えて、本発明の目的を達してもよい。

また本発明の方法により形成される堆ｖＫ膜は、成膜中
または成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能
である。使用する不純物元素としては、Ｐ型不純物とし
て１周期律表第ｍ族Ａの元素、例えば、Ｂ、Ａｉ、Ｇａ
、Ｉｎ。

１文等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物として
は、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ、Ａｓ、Ｓｂ、
Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、Ｇａ
、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の
量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
される。かかる不純物元素を成分として含む物質（不純
物導入用物質）としては、常温常圧でガス状態であるか
ら、或は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の
気化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ま
しい、この様な化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２）（４，
ＰＦ３゜ＰＦ５　、ＰＣＣ１０、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　
、ＡｓＦ５．ＡｓＣｌ３．５ｂｌ（３，ＳｂＦ５．Ｓｉ
Ｈ３、ＢＦ３　、ＢＣｊＬ３．ＢＢｒ３．Ｂ２Ｈ６゜Ｂ
４ＨＩＯ，Ｂ５Ｈ９、ＢｓＨｌｌ、ＢａＨｌｏ。

ＢａＨ１２，ＡｉＣ文３′：ＪＰを挙げることができる
。不純物元素を含む化合物は、１種用いても２種以上併
用してもよい。

不純物元素を成分として含む化合物は、ガス状態で直接
成膜空間内に導入しても差支えないし、或いは、予め活
性化空間（Ａ）乃至は活性化空間（Ｂ）、又は第３の活
性化空間（Ｃ）で活性化してその後、成膜空間に導入す
ることもできる。

次に図面を参照しながら、多結晶シリコン膜を堆積させ
る場合の本発明堆ａ１１！形成法の一例を具体的に説明
する。

第１図は本発明方法の実施される堆積膜形成装置の一例
の概略構成を示す部分断面図である。

第１図において１０１はその内部で多結晶シリコン膜の
堆積が行われる堆積室であり、堆積室ｌｏｔ内は排気管
１２１を通して不図示の排気系に接続され、排気バルブ
１２０によって堆積室１０１内を所望の圧力に保持する
事ができる。堆積室ｌｏｔの圧力は通常１Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ〜１．０Ｔｏｒｒ、好ましくは１Ｏ−４Ｔｏｒｒ〜０
．１Ｔｏｒｒに調整される。堆積室１０１には基本支持
台１０２上に所望の基本１０３が載置される。

１０４は基本加熱用のヒータであり、導線１０５を介し
て給電され、発熱する。基体温度は特に制限されないが
、本発明方法を実施するにあたっては、好ましくは１０
０〜５００℃。

より好ましくは１５０〜４００℃であることが望ましい
。

１０６乃至１　ｌｌは、ガス供給源であり、ケイ素化合
物、及び必要に応じて用いられる水素、ハロゲン化合物
、不活性ガス、不純物見、素を成分とする化合物の数に
応じて設けられる。

原料化合物のうち液状のものを使用する場合には、適宜
の気化装置を具備させる０図中ガス供給ｒＡ１０６乃至
ｉｌｌの符号にａを付したのは分岐管、ｂを付したのは
流量計、Ｃを付したのは各流量計の高圧側の圧力を計測
する圧力計。

ｄ又はｅを付したのは各気体流量を調整するためのバル
ブである。１１２，１２５，１２６は成膜空間へのガス
導入管である。

１１７は光エネルギー発生装置であって、例えば水源ラ
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。

光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体全体あるいは基体の所望部分に向けられた光１１８
は、矢印１１９の向きに流れている原料ガス等に照射さ
れ、成ＩＩＵ原料のガス等を励起し反応させる事によっ
て基体１０３の全体あるいは所望部分にＡ−３ｉの堆積
膜を形成する。

又、１１４，１２３は各々活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ
）を生起する活性化空間であり、１１３．１２２は各々
活性種を生成させるためのマイクロ波プラズマ発生装置
である。

以下実施例を示し、本発明について更に詳細に説明する
が、本発明はこれら実施例によって限定されるものでは
ない。

〔実施例１〕基体として４ｃｍＸ４ｃｍのＣａＦｚｌ結晶基板（但し
く１１０）に配向）を用い第１図の装置を用いて該基板
上に多結晶シリコン膜を形成した。即ち、該基体１０３
を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて堆積室ｌ
ｏｔ内を排気し約１Ｏ−６Ｔｏｒｒに減圧した。ガス供
給用ボンベ１０６よりＦ２ガス５０ｓｃス導入管１２５を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入し
た。活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたＦ２ガス等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性水素等とされ、導入管１２４を通じて，活性水素等
をｒ＆膜室１０１に導入した。

又、他方、活性化室（Ａ）１１４にＳｉＦ４ガス２０ｓ
ｃｃｍをガス導入管１１２を介して導入した．活性化室
（Ａ）１１４内に入導入されたＳｉＦ４ガスはマイクロ
波プラズマ発生装置１１３により活性化されて導入管１
１２を通じて成膜室１０１に導入した．さらに、エツチ
ングガスとしてＦ２ガス１２ｓｅｃｍをガス導入管１２
６を通じて成膜室１０１に導入した。

成膜室ｌｏｔ内の圧力を０．０２Ｔｏｒｒに保ちつつ１
ＫＷＸｅランプからの光を，予めヒータ１０４によって
２８０℃に加熱された基体１０３に垂直に照射し、活性
種を相互的に化学反応させることで多結晶シリコン膜を
堆積すると同時に、前記の光照射によりＦ２ガスを活性
化してＦ＊を生成し、結晶面によるエツチング速度の違
いを利用して，前記の多結晶シリコン膜を堆積と同時に
エツチングすることで一定の配向性の強い多結晶シリコ
ン膜を形成した．この時、結晶面によるエツチングガス
の違いは（１，０．０）＞（１，１．１）＞（１，１。

０）であり（１，１．０）面を主要な結晶面として有す
る多結晶シリコン膜が形成された．すなわち形成された
堆積膜をＸ線回折によって評価したところ、（１，１．
０）面を反映する結晶角（２θ）４７．３度におけるピ
ーク強度が各々（１　、　１　、　１）面、（’１，０
．０）面を反映する結晶角（２０）２８．４度及び６９
．２度のピーク強度に対して７００〜　ｏｏ倍の値を示
した．さらに透過型電子顕微鏡によって観察したところ
結晶粒径は１．５ＩＬｍであった。

又，前記堆積膜をＦＴ−Ｉ　Ｒによって分析したところ
２０００ｃｍ−１近傍に弱いピークが認められ，水素含
有量は０．１９原子％であった。

上述の成膜条件並びに堆！膜の評価結果を各々第１表並
びに第２表に示す。

（実施例２）ガス種及び流量を第３表のごとく変化させた以外は実施
例１と同等の条件で成膜した。評価結果を第４表に示す
。

〔実施例３〕基体としては４ｃｍＸ３ｃｍのＺｎＳ単結晶基板（但し
水平面に対しく１１０）に配向）を用い（実施例１）同
様に第５表に示す作製条件の下で作製したところ第６表
に示す良質な多結晶シリコン膜が形成された。

以下、実施例４．５に基体としてそれぞれＺｎ５ｌ結晶
（１００）配向、ＺｎＳ単結晶（ｌ　ｌ　１）配向を用
いて良質な多結晶シリコン膜を形成し、その作製条件及
び諸特性をそれぞれ７，８，９．ｔｏにまとめた。

〔発明の効果〕

以上本発明により非常に配向性の高いグレインサイズの
大きな膜が作成することができた。

上記の配向性の高い膜を用いた薄膜トランジスタは高い
移動度を有し、ディスプレイやセンサの駆動用として充
分に機能することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明堆８１Ｍ形成装置の断面図である。ｌｏｔ・・・堆積室、１０２・・・基体。１０３・・・堆積膜、１０４・・・基体加熱用ヒーター、１０６〜ｉｌｌ・・・ガス供給源、１１４・・・活性化室（Ａ）。１２３・・・活性化室（Ｂ）。１１７・・・光エネルギー発生装詮。

Claims

【特許請求の範囲】基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することによ
り生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的
相互作用をする、成膜用の化学物質より生成される活性
種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、相互的に化学反応させ
る事によって前記基体上に堆積膜を形成するにあたって
、前記基体として結晶配向性表面を有する基体を用い、
該堆積膜に対してエッチング作用を有するガスまたはそ
の分解物を供給すると共に、前記エッチング作用を有す
るガスまたはその分解物に光エネルギーを照射して前記
堆積膜に対するエッチング活性を選択的に増大せしめ、
特定の面方位の結晶成長を優先的に行うことを特徴とす
る堆積膜形成法。