JPS6357778A - 堆積膜製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野〕 本発明は堆積膜、とりわけ機能性膜、殊に半導体デバイ
ス、光−電気エネルギー変換器（太陽電池、感光体ドラ
ム、イメージセンサ等）、あるいは光起電力素子などに
用いる、非晶質、または結晶質の堆積膜を形成するのに
好適な方法に関する。

〔従来の技術〕

通常、低温におけるシリコン（Ｓｉ）膜の形成は、プラ
ズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法９等の各種ＣＶＤ法。

真空蒸着法９反応スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などが試みられており、一般にはプラズマＣＶＤ
法が広く用いられ、企業化されている。

プラズマＣＶＤ法で得られる堆積膜の多く、はアモルフ
ァスシリコン（Ａ−８ｉ）であり、電気的、光学的特性
及び繰り返し使用での疲労特性、あるいは、均一性、量
産性の点において更に総合的な特性の向上を図る余地が
ある。またプラズマＣＶＤ法では低温でガラス基板上に
良質なポリシリコン膜を堆積させることは困難である。

従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるシリ
コン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、従来のＣＶ
Ｄ法に比較してかなり複雑であり、その反応機構も不明
な点が少なくなかった。又、その堆積膜の形成パラメー
ターも多く（例えば、基体温度、導入ガスの流量と比、
形成時の圧力、高周波電力、電極構造９反応容器の構造
、排気速度。

プラズマ発生式など）これらの多くのパラメータの組み
合せによるため、時にはプラズマが不安定な状態になり
、形成された堆積膜に著しい悪影響を与えることが少な
（なかった。そのうえ、装置特有のパラメーターを装置
ごとに選定しなければならず、したがって製造条件を一
般化することがむずかしいというのが実状であった。

以上のように反応機構に不明な点が多いプラズマＣＶＤ
法にかわるものとして複数のガスを成膜空間に導入する
と共に、そのうちのいくつかのガスを予め光、熱、プラ
ズマ等のエネルギーによて活性化しておき成膜空間に配
された基体上に膜を堆積するというＩ−（Ｒ−ＣＶ　Ｄ
が提案されている（特開昭６Ｏ−４１０４７）。

斯る発明に依れば、例えばアモルファスシリコン（Ａ−
９ｉ）膜を形成する場合、前駆体であるＳｉＦ２ガスと
活性種であるＨ＊（水素ラジカル）を会合せしめて基体
上にＡＳｉを成膜するという方法がとられる。

とりわけこの方法の有利な点はＩ（＊の濃度によりアモ
ルファスの一形態である微結晶相を含むＳｉ膜から多結
晶のＳｉ　（ｐｏ　１　ｅｇ−３ｉ）まで作成可能であ
るということである。

しかしながら従来のＨＲ−ＣＶＤ法では第３図に示すよ
うに前駆体と活性種を別々の空間で作って会合するため
および／又は前駆体と活性種の寿命が異なるため同一成
膜空間内で均一な膜を得ることが困難であった。

以上の如く、低温で得られるシリコン膜の形成に於て、
その実用可能な特性、均一性を維持させながら、堆積膜
の形成方法を開発することが切望されている。

これ等のことは他の機能性膜、例えば窒化シリコン膜、
炭化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはシリコンゲル
マニウム膜（Ｓｉ−Ｇｅ）等においても各々同様のこと
がいえる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は形成される膜の特性、成膜速度、再現性
の向上及び膜品質の均一化を図りながら膜の大面積化に
適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成できる
堆積膜形成方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は上述した目的を達成するために基体上に堆積膜
を形成するための成膜空間（Ａ）に、分解空間（Ｂ）に
於いて生成される堆積膜形成用の原料となる前駆体と、
分解励起空間（Ｃ）に於て生成され、前記前駆体と相互
作用をする活性種とを導入する事によって、前記基体上
に体積膜を形成する体積膜形成方法に於いて前駆体が活
性種を生成する分解励起空間（Ｃ）中を活性種と接触し
ないように通過させ、活性種と会合部で均一にかつ効率
良く化学反応させることにより、特に堆積膜の品質を均
一に保ちつつ高速成膜を可能にしたものである。

〔実施態様〕

以下本発明を詳４ｆｔｌに説明する。

本発明における活性会合型のＣＶＤとは、導入カスが会
合される以前に放電エネルギー及び／又は熱エネルギー
、及び／又は光エネルギー等のエネルギーの吸収あるい
は触媒作用のような化学的相互作用により適宜励起され
ていることを特徴としている。即ち予め励起されたガス
が化学反応を担う活性種を含み、膜堆積を行うものであ
る。

尚、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るものを云う。「活性種」とは、前記前駆
体と化学的相互作用を起して例えば前駆体にエネルギー
を与えたり、前駆体と化学的に反応したりして、前駆体
をより効率よ（堆積膜が形成出来る状態にする役目を荷
うものを云う。従って、活性種としては、形成される堆
積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含んでいても
良く、あるいはその様な構成要素を含んでいなくても良
い。

上述の活性会合型のＣＶＤを詳細に説明する。

通常活性会合型のＣＶＤではハロゲン及び／又は水素を
含む堆積膜形成用の原料となる前駆体と、堆積膜形成用
原料ガスと化学反応する、及び／又は前記前駆体と化学
反応をする活性種が少くとも用いられる。特に活性種と
して、水素ラジカル（・Ｈ）が重要な働きをする活性会
合型のＣＶＤをＨＲ−ＣＶＤとよぶ。

本発明に於いて、成膜用に用いられるハロゲン及び／又
は水素をその分子内に含む堆積膜形成用原料ガスとして
は、ケイ素を主骨格とする化合物、炭素を主骨格とする
化合物、ゲルマニウムを主骨格とする化合物及び水素、
フッ素、塩素、フッ化水素、フッ化塩素、塩化水素等が
挙げられる。

これらの化合物はそれぞれ単独で用いても、また適宜必
要に応じて併用しても差支えない。

ケイ素を主骨格とする化合物としては、例えば鎖状また
は環状シラン化合物の水素原子の一部ないし全部をハロ
ゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的には例え
ば、５ｉｕＹ２ｕ＋２　（ｕは１以上の整数、ＹＬｔＦ
、　Ｃｊ！、　Ｂｒおよび■より選択される少な（とも
１種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素
、５ｉｖＹ２ｖ　（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味
を有する。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ　ｉ
　ｕ　Ｈｘ　Ｙ　ｙ　（ｕおよびＹは前述の意味を有す
る。ｘ＋ｙ＝２ｕまたは２ｕ＋２ｕである。）で示され
る鎖状または環状化合物などが挙げられる。

具体的には例えば、５ｊＦ４　ｒ　（ＳｉＦ２）５　、
　（ＳｉＦ２）ｓ　ｒ（ＳｉＦ２）４　、　　Ｓｉ２Ｆ
６　、　５ｉ３ＦＢ　、　　ＳｉＨＦ３　、　　ＳｉＨ
２Ｆ２，５ｉＣｊ！４．（ＳｉＣｊ！２）５．ＳｉＢｒ
４．（ＳｉＢｒ２）５゜５ｉ２Ｃｆ６　、５ｉ２Ｂｒ６
　、５ｉＨＣｊ！３　、５ｉＨＢｒ３　、５ｉＨＩ３　
。

５ｉ２Ｃｊ２３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。

これらのケイ素化合物は、１種用いても２種以上を併用
してもよい。

また、炭素を主骨格とする化合物としては、例えば鎖状
または環状炭化水素化合物の水素原子の一部ないし全部
をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体的に
は、例えばＣｕＹ２ｕ＋２　（Ｌｌは１以上の整数、Ｙ
はＦ、　Ｃｊ！、　　Ｂｒおよび■より選択される少な
くとも１種の元素である。）で示される鎖状ハロゲン化
炭素、ＣｖＹ２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味
を有する。）で示される環状ハロゲン化ケイ素、ＣｕＨ
ｘＹｙ　（ｕおよびＹは前述の意味を有する。ｘ十ｙ＝
２ｕまたは２　ｕ　＋　２　ｕである。）で示される鎖
状又は環状化合物などが挙げられる。

具体的には例えば、ＣＦ４　、　（ＣＦ２）５　、　（
ＣＦ２）６　。

（ＣＦ２）　４１　　Ｃ２ＦＢ　＋　　Ｃ３ＦＢ　＋　
　ＣＨＦ３　＋　　ＣＨ２Ｆ２　＋ＣＣｌ４　、　（Ｃ
ＣＩ！２）　ｓ　＋　ＣＢｒ４（ＣＢｒ２）５＋　Ｃ２
Ｃｊ！ｓ　＋Ｃ２Ｂｒ６．ＣＨＣｊ！３．ＣＨＩ３．Ｃ
２（１３Ｆ３などのガス状態のまたは容易にガス化し得
るものが挙げられる。

これらの炭素化合物は、１種用いても２種以上を併用し
てもよい。

また、ゲルマニウムを主骨格とする化合物としては、例
えば鎖状又は環状水素化ゲルマニウム化合物の水素原子
の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用い
られ、具体的には、例えば、Ｇ　ｅ　ｕ　Ｙ　２　ｕ＋
　２　（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、　Ｃｆ、　　Ｂｒ
及びＩより選択される少なくとも１種の元素である。）
で示される鎖状ハロゲン化ゲルマニウムＧ　ｅ　ｖ　Ｙ
　２　ｖ（Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する
。）で示される環状ハロゲン化ゲルマニウム、Ｇ　ｅ　
ｕ　Ｈｘ　Ｙ　ｙ（Ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ
＋ｙ＝２ｕ又は２　ｕ　＋　２１１である。）で示され
る鎖状又は環状化合物などが挙げられる。

具体的には例えばＧｅＦ４　＋　（ＧｅＦ２）５　ｒ　
（ＧｅＦ２）６　＋（ＧｅＦ２）４．　Ｇｅ２Ｆ６　、
　Ｇｅ３Ｆ８．　ＧｅＨＦ３．　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＣｊｌ！、、　（ＧｅＣｊ！２）　５　＋　　Ｇｅ
Ｂｒ４＋　　（ＧｅＢｒ２）５　＋Ｇｅ２Ｃｊ！６　、
Ｇｅ２Ｂｒ６．ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＨＢｒ３゜ＧｅＨ
Ｉ３．Ｇｅ２Ｃｊ！３Ｆ３などのガス状態の又は容易に
ガス化し得るものが挙げられる。

本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又は成
膜後に不純物元素でドーピングする事が可能である。使
用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、周期律
表第■族Ａの元素、例えばＢ。

Ａｊｌ！、　　Ｇａ、　　Ｉｎ、　　Ｔｊ２等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ
族Ａの元素、例えばＰ、　　Ａｓ、　　Ｓｂ、　　Ｂｉ
等が好適なものとして挙げられるが、特にＡｓ、Ｐ、Ｓ
ｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定される。

かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でカス状態であるか、あるい
は少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好まし
い。このような化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４，Ｐ
Ｆ３．ＰＦ５゜ＰＣｌ３．ＡｓＨ３，ＡｓＦ３．ＡｓＦ
５．ＡｓＣｊ２３゜ＳｂＨ３、ＳｂＦ５　、　ＢＦ３　
、　ＢＣｆ３　、　ＢＢｒ３．　Ｂ２Ｈ６。

Ｂ４Ｈ１Ｏ，Ｂ５Ｈ９，Ｂ１１（１１，Ｂ６ＨＩＯ１Ｂ
６Ｈ１２等を挙げることができる。

不純物元素を含む化合物は、１種用いても２種以」１併
用してもよい。

不純物元素を成分として含む化合物は、ガス状態で直接
、或いは成膜用の原料ガスと混合して成膜空間内に導入
しても差支えない。

前記原料ガス及び／又は原料ガスの分解生成物であ）′
〕かつ、堆積膜形成用の原料である前駆体と化学反応を
する活性種を生成せしめるには、水素、ハロゲン化合物
（例えばＦ２ガス、Ｃｌガス、ガス化したＢｒ２、ガス
化したＩ２、ＨＦガス、ＨＣｅガス、ガス化したＨＢｒ
、ＸｅＦ２等）の少なくとも１種以上用いるが、必要に
応じて不活性ガス（Ｈｅ　、　　Ａ　ｒ　。

Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等）あるいは原料カスとして前掲した
化合物の中から１種以上の化合物に分解空間（Ｃ）にお
いて分解エネルギーの付与することにより行われる。

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明による堆積膜形成装置の実施例の概略的
構成図である。

第１図において、１０１は成膜室であり支持台１０２上
に所望の基体１０３が載置されている。

本発明の方法によれば基体１０３の温度を低くすること
が可能であるため、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、セルローズアセテート、ポリプロピ１ノ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、ガ
ラス、等を用いることが可能である。もちろん、金属、
合金、シリコン、ゲルマニウム、ＧａＡｓあるいはセラ
ミックス等も使用できることは言うまでもない。

１０４は基体加熱用ヒーターであり、導線１０５を介し
て給電され、発熱する。該ヒーター１０４は成摸前に基
体１０３を加熱処即したり、成膜後に形成された膜の特
性を一層向上させる為にアニール処理したり、又、必要
に応じて成膜中に基体１０３を加熱する際に使用される
。

本発明方法を実施するにあたって、基体を加熱する場合
には、基体加熱温度は好ましくは３０〜４５００Ｃ１よ
り好ましくは５０−３５０℃であることが望ましい、＋
０６は温度をモニタする熱電対である。

１０７は不図示の排気系に接続されており、ターボ分子
ポンプ、メカニカルブースターポンプおよびロータリー
ポンプ（不図示）により排気可能となっている。

１０８は原料ガス供給管であり、図には示されていない
が、各種原料ガスおよび必要な場合はキャリヤー−カス
が各マスフローコントローラーにより所望の流量に制御
されて供給される。原料ガスは赤外ｔ９４メージ炉１０
９て励起され前駆体を生成する。すなわち、類１０９内
部の管が、原料ガスの分解空間（１３）を成す。さらに
前駆体を含む原料ガスは前駆体輸送管１１０を通し会合
空間（Ｄ）に放出される。

また１１１は外管であり、外管内で活性種の励起空間（
Ｃ）および前駆体と活性種の会合する空間（Ｄ）の大部
分を形成する１１２は活性種生成用ガスおよび必要な場
合は励起用及び／又はキャリヤーガスの供給管であり図
には示されていないがマスフローコントローラーにより
、それぞれ所望の流量に調整された後外管１１１内に導
入される。

１．１３は活性化エネルギー導入管であり、第１図の実
施例では、マイクロ波発振器１１・１から発生させたマ
イクロ波を導波管１１５からエネルギーが供給され分解
・励起空間（Ｃ）で活性種が生成される。

本発明では前記前駆体輸送管が活性種が生成される外管
１１０内の活性種の励起空間（Ｃ）中を生成直後の活性
種と接触しないように通過し会合空間（Ｄ）で初めて、
前駆体と活性種が接触して化学反応が進行することを特
徴としている。

上記のような方法で形成されたＳｉＦ２．　５ｉＦＨの
ような前駆体とＦＩ＊のような活性種は会合空間（Ｄ）
で均一に会合し、かつ化学反応を起こし、成膜空間（Ａ
）中にある基体１０３上に所望の堆積膜が形成される。

以下に本発明の具体的実施例を示す。

〔実施例１〕 第１図に示した装置を用い以下の操作によりＡ−Ｓｉ膜
を作成した。

先ず基体１０３として、コーニング７０５９ガラスを用
い、支持台１０２上に載置し、排気装置（不図示）を用
いて成膜室１０１内を排気し、１０＝Ｔｏｒｒに減圧し
た。基板加熱用ヒーター３１３によりコーニング７０５
９ガラス基板を２５０℃に加熱した。

そこで供給管１０８を通じて不図示のボンベからＳｉ２
Ｆ６を２０ＳＣＣＭ導入した。その際炉１０９の温度を
あらかじめ６５０℃に加熱しておいた。

他方ガス供給管１１２からＨ２ガスを８０ＳＣＣＭおよ
びＡｒガスを４０ＳＣＣＭ外管１１１内に導入した。

一方排気系１０７にある不図示のメカニカルブースター
ポンプの回転数を調整してバラトロン真空計１１６で０
．５Ｔｏｒｒに保持した。次にマイクロ波のパワーを２
２０Ｗ投入し、外管１１１内にプラズマを発生させ活性
種であるＨ＊を発生させた。

一方、あらかじめ６５０℃に加熱した赤外線イメージ炉
１０９内を通過したＳｉ２Ｆ６ガスは分解され、５ｉＦ
ｚ＊のような前駆体を生成する。５ｉＦｚ＊は寿命が長
いラジカルであり内径が４　ｍ　ｍφという細い前駆体
輸送管１１０中を通過させることができた。

この前駆体とＨ＊が化学反応をし、基体１０３上に堆積
膜を形成した。

上記方法で得られたＡ−３ｉ　：Ｈ（：Ｆ）膜は、外管
ＩＩＩの内径が４０　ｍ　ｍφであるにもかかわらず、
基体１０３上８０　ｍ　ｍφの範囲内で膜厚分布が±ｌ
Ｏ％以下、暗電導率（σｄ）、ημτ、活性化エネルギ
ー（Ｅａ）、光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）等の
特性のバラツキが±５％以下になっていた。

〔実施例２〕 第１図に示した装置を用い以下の操作によりＡ−３ｉの
一形態である微結晶相を含むＳｉ　（μＸ−５ｉ）膜を
形成した。

実施例１と同様な方法で、Ｓｉ２Ｆ６ガスをＩＯ５ｃｃ
Ｍ、Ｈ２ガス流量を１２０３ＣＣＭ、Ａｒガス流量を４
０ＳＣＣＭとし、成膜室１０１内の圧力を０．２Ｔｏｒ
ｒに調整した。マイクロ波のパワーを２４０Ｗ投入して
成膜を行った。

上記方法で得られたＳｉ膜はラマンスペクトルが４６５
ｃｍ−’からシフトしており、約５０人の微結晶相を含
むＡ−５ｉ：Ｈ（：Ｆ）膜である事がわかった。

また、５ｉ２ＦＢガスをｌ　ＯＳ　ＣＣＭ　ＳＳ　ｉ　
Ｆ　４で５％に希釈したＰＦ５ガスを３０５ＣＣＭを原
料ガス供給管１０８から供給し、一方Ｈ２ガスをｌ　５
０　Ｓ　ＣＣＭ　、　Ａ　ｒガス流量を４０５ＣＣＭを
ガス供給管１１２から外管１１１に供給した。次に成膜
室１０１内の圧力を０．１５Ｔｏｒｒに調整した。マイ
クロ波のパワーを２４０Ｗに投入してｎ型のＡ−３ｉ　
：Ｈ（：Ｆ）膜を成膜した。このｎ型Ａ−３ｉ：Ｈ（：
Ｆ）膜はラマンスペクトルＴＥＭ観察の結果５０〜１０
０人の微結晶相を含んでいた。

堆積膜の特性はａｄ＝１．２　（Ｓ／ｃｍ〕、Ｅ　ａ−
０、０６ｅ　Ｖ　ｓＥｇｏｐｔ　＝　１，９ｅＶであり
、それぞれのバラツキは、５０ｍｍφの範囲内で±５％
以内であった。

さらに、Ｓｉ２Ｆ６ガスを１０　Ｓ　ＣＣＭ　、　Ｓ　
ｉ　Ｆ　４で５％に希釈したＢＦ３を４０ＳＣＣＭを原
料ガス供給管１０８から供給し、Ｈ２ガスを１５０３　
ＣＣＭ　、　Ａ　ｒガス流量４０ＳＣＣＭをガス供給管
から外管１１１に供給した。

次に成膜室１０１内の圧力を０，１５Ｔｏｒｒに調整し
て、マイクロ波のパワーを２４０Ｗ投入して、ｐ型のＡ
−３ｉ：Ｈ（：Ｆ）膜を成膜した。このｐ型のＡ−３ｉ
：Ｈ（：Ｆ）膜は微結晶相を含んでおり、堆積膜の特性
は、ｃ　ｄ＝　１．０１．ｓ／ｃｍ）、Ｅａ＝０．０５
ｅＶ、　Ｅｇｏｐｔ＝２．ＯｅＶであり５０　ｍ　ｍφ
の範囲内でバラツキが±５％以内と均一性も良好であっ
た。

〔実施例３〕 第１図に示した装置を用い以下の操作により多結晶シリ
コン（ポリＳｉ）膜を形成した。

実施例１と同様な方法でＳｉ２Ｆ６ガスを５ＳＣＣＶｉ
、１１□ガス流量を２００３　ＣＣＭ　、　Ａ　ｒガス
流量を５０５ＣＣＭとし、成膜室１０１内の圧力を０．
０４Ｔｏｒｒに調整した。

次にマイクロ波のパワーを２７０Ｗ投入してシリコン膜
を成膜を行った。

上記方法で得られたＳｉ膜はＴＥＭ観察の結果７０ｍｍ
φの範囲内でグレインザイズが３０００Å以上のポリＳ
ｉであった。

さらに基体１０３をシリコンウェハを用いた場合、基板
温度２５０℃という低温でエピタキシャル成長をした。

（１１１）面のシリコンウェハを用いて」二記条件で成
膜をした後、ＲＨＥＥＤのパターンより、エピタキシャ
ル成長であることを確認した。

〔実施例４〕 第１図に示した装置を用い、以下の操作によりＡ−３ｉ
Ｇｅ膜を形成した。

Ｓｉ２Ｆ６ガス流■を２０ＳＣＣＭ、Ｇｅ２Ｆ６ガス流
量を２３ＣＣＭとし同時に原料ガス供給管１０８から供
給し、一方Ｈ２ガスを８０５ＣＣＭ、、Ａｒガス流士を
４０ＳＣＣＭをガス供給管１１２から外管１１１に供給
した。次に成膜室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整して
、マイクロ波のパワーを２２０〜Ｖ投入して成膜を行っ
た。

上記方法で得られたＡ−５ｉ：　Ｇｅ：　Ｈ（：Ｆ）膜
は、７０　ｍ　ｍφの範囲内でＴ’、　ｇｏ　ｐ　ｔが
１．４０ｅＶ　（±２９６）と光学的バンドギャップ幅
の狭い膜が得られた。

〔実施例５〕 第１図に示した装置を用い、以下の如き操作によって第
２図の（ａ）、　　（ｂ）に示した太陽電池を作製した
。

基体２０３は５ＵＳ−３０４であり上に反射金属膜２０
４としてＡｇを２０００人蒸着した。

まず、上記Ａｇを蒸着したＳＵＳ基体を第１図に示した
装置に載置し、実施例２の条件でｎ型のμＸ３ｉ膜を１
００人、実施例１の条件でＡ−Ｓｉ：Ｈ（：Ｆ）膜を５
０００人、さらに実施例２の条件でｐ型のμＸ−３ｉ膜
を１００人積層した。次にＩＴＯ膜を約７００人酸素雰
囲気中で蒸着した。次に５ｍｍ間隔で導電ペーストを塗
布して２５．４ｍｍ　Ｘ２５．４ｍｒｎ角の太陽電池の
サブモジュールを９個作成した。この素子を（ａ）とす
る。

また、上記方法と同様にして第２図（ｂ）に示したタン
デム構造の太陽電池（ｂ）を作成した。２１０のＡ−３
ｉ：Ｇｅ：Ｈ（：Ｆ）層は、実施例４０条件で２０００
人堆積させた。またＡ−３ｉ：Ｈ（・Ｆ）層２０６は３
０００人とした。

また参考例とじて同様の基体（２０３）を用い、第３図
に示した従来のＨＲ−ＣＶ　Ｄ装置を用いて第１２図（
ａ）に示した構造と同様の太陽電池を作成した。

この素子を（Ｃ）とする。

第１表に上記太陽電池（ａ　）　、　　（ｂ　）　、　
　（ｃ　）の評価結果を示した。変換効率の平均値は２
５．４ｍｍＸ２５゜４ｍｍ角のサブモジュール９個の平
均値であるが、本実施例を用いた素子（ａ）、（ｂ）共
にバラツキが±７．４％以下であることが認められた。

第１表 〔発明の効果〕 本発明の堆１１１膜形成法によれば広い面積にわたり品
質の良い堆積膜を均一に形成することが容易になり、再
現性良く高効率で堆積膜を形成することができる。

また基体の温度が２５０°Ｃ以下という低い温度でポリ
シリコンの堆積膜を得ることができ、膜形成条件の管理
の簡素化および膜の量産化を容易に達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するための堆積膜形成装置である
。 第２図は本実施例で用いた太陽電池の構造を示す図であ
る。 第３図は従来のＨＲ−ＣＶ　Ｄ法による堆積膜形成装置
である。 １０１．３０１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・反応室１０２．３０２・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・基体支持台１０３、　３０３・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基体１０４
．３０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・基体加熱用ヒーター１０５、　３０５・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・導線１０６．３０６・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・熱電対１
０７．３０７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・排気系１０８、３０８・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・原料ガス導入管１０９．　３０９・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・赤外線イ
メージ炉１１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・面駆体輸送管１
１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・外管１１２．３１２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ガス供
給管１１３．３１３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・活性化エネルギー導入管１１４．３
１４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・マイクロ波発振器１１５．３１５・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・マイクロ波導波管
１１６．３１６・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・真空計２０３・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｓ
ＵＳ基体２０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・反射金属膜層２
０５−１．２０５−２−−−−−−−−・・ｎ型−μＸ
−３ｉ層２０６・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ａ−３ｉ　：　
Ｈ（：　Ｆ）層２０７−１，２０７−２・・・・・・・
・・・ｐ型−μＸ−３ｉ層２０８・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ＩＴＯ層２０９・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・導電ペース
ト２１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・Ａ−３ｉ　　：　　Ｇ
ｅ　　：　　Ｈ（：’Ｆ）築２図 （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に堆積膜を形成するための成膜空間（Ａ）に、分
   解空間（Ｂ）に於て生成される堆積膜形成用の原料とな
   る前駆体と、分解励起空間（Ｃ）に於て生成され、前記
   前駆体と相互作用をする活性種とを導入する事によって
   、前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成法に於て、
   前記前駆体が、前記活性種を生成する分解励起空間（Ｃ
   ）中を活性種と接触しないように通過させることを、特
   徴とする堆積膜形成法。