JPS62156811A - 薄膜半導体素子及びその形成法 - Google Patents

薄膜半導体素子及びその形成法

Info

Publication number
JPS62156811A
JPS62156811A JP60297833A JP29783385A JPS62156811A JP S62156811 A JPS62156811 A JP S62156811A JP 60297833 A JP60297833 A JP 60297833A JP 29783385 A JP29783385 A JP 29783385A JP S62156811 A JPS62156811 A JP S62156811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
forming
film
raw material
film semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60297833A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2566914B2 (ja
Inventor
Hirokazu Otoshi
大利　博和
Masaaki Hirooka
広岡　政昭
Junichi Hanna
純一 半那
Isamu Shimizu
勇 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60297833A priority Critical patent/JP2566914B2/ja
Priority to CA000526328A priority patent/CA1257403A/en
Priority to EP86310162A priority patent/EP0231660B1/en
Priority to US06/945,815 priority patent/US4735822A/en
Priority to DE8686310162T priority patent/DE3686576T2/de
Priority to AU67061/86A priority patent/AU577717B2/en
Publication of JPS62156811A publication Critical patent/JPS62156811A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2566914B2 publication Critical patent/JP2566914B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08278—Depositing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜半導体、光起電力素子等の多層構成の薄
膜半導体素子及びその形成法に関する。
〔従来の技術〕
従来薄膜半導体素子の半導体薄膜である、機能性膜、殊
に非晶質乃至多結品質の半導体膜は、所望される物理的
特性や用途等の観点から個々に適した成膜方法が採用さ
れている。
例えば　必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶シリコン（以後ｒＮＯＮ−３ｉ　（Ｈ、
Ｘ）Ｊと略記し。
その中でも殊に非晶質シリコンを示す場合にはｒＡ−５
ｉ　　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　、多結品質シリコンを示す場合
にはｒｐｏ交ｙ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと記す）膜等の
シリコン系堆積ｌＩ！２（尚、俗に言う微結晶シリコン
は、　Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）の範囲真空蒸着法、プラズ
マＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法。
反応スパッタリング法、イオンブレーティング法、光Ｃ
ＶＤ法などが試みられており、一般的には、プラズマＣ
ＶＤ法が広く用いられ、企業化されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
面乍ら、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法に
よるシリコン系堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、
従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応
機構も不明な点が少なくない。又、その堆積膜の形成パ
ラメーターも多く　（例えば、基体温度、導入ガスの流
量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造９反応容
器の構造、排気の速度、プラズマ発生方式など）これら
の多くのパラメーターの組み合せによるため、時にはプ
ラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著し
い悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装
置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなけことがむ
ずかしいというのが実状であった。
他方、シリコン系堆積膜として電気的、光学的特性を各
用途毎に十分に満足させ得るものを発現させるためには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最
良とされている。
面乍ら、シリコン系堆積膜の応用用途によっては、大面
積化、膜厚均一性７膜品質の均一性を十分満足させて再
現性のある量産化を図らねばならないため、プラズマＣ
ＶＤ法によるシリコン系堆積膜の形成においては、量産
装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の為
の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭く、装置の調
整も微妙であることから、これらのことが、今後改善す
べき問題点として指摘されている。特に多層構成の半導
体素子を作成する場合に於ては各層間に生じる界面は得
られる半導体素子の特性を悪化させる要因となっている
。
例えば電子写真用感光体を例に挙げると第４図に示す様
にＡｌ製基体４００の上に、電荷注入阻止層（第１層、
Ｂをドーピングした非晶質シリコン層）４０１．感光層
（第２層、ドーピングされていない非晶質層）４０２．
表面保護層（第３層、非晶質シリコンカー）へイト層）
４０３が堆積されている。夫々の堆積層を形成させるた
めの原料ガスの種類、流量、あるいはプラズマの放電強
度は極端に異なるので、通常は第１層と第２層の間及び
第２層と第３層との間に於て放電をＩ’ｔめて完全にガ
スの交換を行ったり、又は連続的にガスの種数、流量あ
るいはプラズマの放電強度を徐々に変化させた変化層を
設けたり、あるいは各堆積層の堆積室を別々の設けたり
することにより、各堆積層間に生ずる界面の影響を低減
させる努力がなされている。
しかし、いずれの場合に於ても満足のゆく特性の変化向
上は認められていない。
プラズマＣＶＤ法に対して、光ＣＶＤ法は、成膜時と膜
品質にダメージを与えるイオン種や電子が発生しないと
いう点で有利ではあるが。
工業化する場合には、膜の堆積速度が遅く、生産に向い
ていないという問題点がある。
上述の如く、シリコン系堆積膜の形成に於ては、解決さ
れるべき点は、まだまだ残っており、その実用可能な特
性、均一性を維持させながら低コストな装置で省エネル
ギー化を図って量産化できる形成方法を開発することが
切望されている。殊に、薄膜トランジスター、光起電力
素子ＩＴｒＬ子写真用感光体等の多層構成薄膜半導体に
おける界面特性を向上させた半導体素子の開発及びその
堆積膜の形成法の開発が切望されている。
〔目的〕 本発明の目的は、旧述した堆積膜形成法の欠截を除去す
ると同時に、従来の形成方法によらない新規な半導体素
子及びその形成法を提供するものである・ 本発明の他の目的は、省エネルギー化を計ると同時に膜
品質の管理が容易で、界面特性の向上がなされた多層構
成の半導体素子の形成法を提供するものである。
優れ、高品質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性
に優れた多層構造形成法を提供することでもある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のＲＲ９半導体素子は価電子制御された半導体薄
膜を有する多層構造の薄膜半導体素子に於て、前記価電
子制御された半導体薄膜の少なくとも一層を、光ＣＶＤ
法によって形成し、構成層の他の少なくとも１層を堆積
膜形成用の気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用を
する性質を有する気体状ハロゲン系酸化剤と、を反応空
間内に導入して化学接触させることで励起状態の前駆体
を含む複数の前駆体を化学的に生成し、これらの前駆体
の内少なくとも１つの前駆体を堆積膜構成要素の供給源
として形成されたものである事を特徴とする。
又、本発明のａ膜体導体素子の形成法は価電。
子制御された半導体薄膜を有する多層構造の薄膜半導体
素子の形成法に於て、前記価電子制御六？１．４−上道
抹蒲１＋”Ｊの／ｂか？とれ一層ををＣＶＤ法によって
形成し、構成層の他の少なくとも１層を堆積膜形成用の
気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする性質を
有する気体状ハロゲン系酸化剤と、を反応空間内に導入
して化学接触させることで励起状態の前駆体を含む複数
の前駆体を化学的に生成し、これらの前駆体の内少なく
とも１つの＠躯体を堆積膜構成要素の供給源として形成
する事を特徴とする。
〔作用〕
本発明によれば、石工２ルギー化と同時に膜厚均一性、
膜品質の均一性を十分満足させて管理の簡素化と量産化
を図り、量産装置に多大な設備投資も必要とせず、また
その量産の為の管理項目も明確になり、管理許容幅も広
く、装置の調整も簡単になる。
本発明の薄膜半導体素子の形成法に於て、使用される堆
積膜半導体薄膜形成用の気体状原料物質は、気体状ハロ
ゲン系酸化剤との接触により酸化作用をうけるものであ
り、目的とする堆積膜の種類、特性、用途等によって所
望に従って適宜選択される。本発明に於ては、上記の気
体状原料物質及び気体状ノ＼ロゲン系酸化剤は、堆積室
内に導入されて接触をする際に気体状とされるものであ
ればよく、通常の場合は、気体でも液体でも固体であっ
ても差支えない。
堆積膜形成用の原料物質あるいはハロゲン系酸化剤が液
体又は固体である場合には、Ａｒ。
Ｈｅ　、Ｎ２　、Ｈ２等のキャリアーカスを使用し、必
要に応しては熱も加えながらバブリングを行なって反応
空間に堆積１１！２形成用の原料物質及びハロゲン系酸
化剤を気体状として導入する。
この際、上記気体状原料物質及び気体状ハロゲン系酸化
剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流量あるいは
堆積膜形成用の原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の
蒸気圧を調節することにより設定される。
本発明に於て使用される堆積膜形成用の原料物質として
は、例えば、半導体性或は電気的絶縁性のシリコン堆積
膜やゲルマニウム堆積ｎ＋等のテトラヘドラル系の堆積
膜を得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状シラン
化合物。
環状シラン化合物、鎖状ゲルマニウム化合物等が有効な
ものとして挙げることが出来る。
具体的には、直鎖状シラン化合物としてはＳｉｎＨ２ｎ
＋２　（ｎ＝１．２，３，４，５゜６’、７．８）、分
岐状鎖状シラン化合物としては、５ｉＨ３ＳｉＨ（Ｓｉ
Ｈ３）ＳｉＨ２ＳｉＨ３，環状シラン化合物としてはＳ
　ｉ　ｎＨ２ｎ（ｎ＝３．４，５．６）、鎖状ゲルマン
化合物としては、ＧｅｍＨ２ｍ＋　（ｍ＝　１．２．３
　。
４．５）　′４が挙げられる。この他、例えばスズの堆
積膜を作成するのであればＳｎＨ４等の水素化スズを有
効な原料物質として挙げることが出来る。
勿論、これ等の原料物質は１種のみならず２種以上混合
して使用することもできる。
本発明に於いて使用されるハロゲン系酸化剤は、反応空
間内に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に
導入される堆積膜形成用／７−Ｉ　　々Ｗ　　ｌｋ　　
４＋　百　士：Ｉ　ルー　ダク　Ｌヂ　１立　自重　＋
　叉　半Ｊ　ｌ＋　づ　ｈ＋、　　ＪＩＬ　　ｆｈ　　
＋デ酸化作用をする性質を有するもので、Ｆ２゜Ｃ１０
，Ｂｒ２．Ｉ２等ノハロゲンガス、発生期状態の弗素、
塩素、臭素等が有効なものとして挙げることが出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で、前記の堆積膜形
成用の原料物質の気体と共に所望の流量と供給圧を与え
られて反応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突
することで化学的接触をし、前記原料物質に酸化作用を
して励起状態の前駆体を含む複数種の前駆体を効率的に
生成する。生成される励起状態の前駆体及び他の前駆体
は、少なくともそのいずれか１つが形成される堆積膜の
構成要素の供給源として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで基体
表面温度が比較的低い場合には三次元ネットワーク構造
の堆積膜が基体表面温度が高い場合には結晶質の堆積膜
が作成される。
本発明に於ては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し、
高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く、
成膜因子としての、原料物質及びハロゲン系酸化剤の種
類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力、流量、
成膜空間内圧、ガスの雛型、成膜温度（基体温度及び雰
囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等の成
膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるものではな
く相互関連の下に夫々に応じて決定される。本発明に於
て、反応空間に導入される堆積膜形成用の気体状原料物
質と気体状ハロゲン系酸化剤との量の・割合は、上記成
膜因子の中間速する成膜因子との関係に於て適宜所望に
従って決められるが、導入流量比で、好ましくは、ｌ／
２０〜１００／１が適当であり、より好ましくは１１５
〜５０／１とされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸化剤との接触を
確率的により高める為には、より高い方が良いが、反応
性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定するのが良
い。前記混合時の圧力としては、上記の様にして決めら
れるが、夫々の導入時の圧力として、好ましくはｌＸｌ
０−７気圧〜５気圧、より好ましくはｌＸｌ０−６〜２
気圧とされるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於て生成さ
れる励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆体
（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効果的
に寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の気体状原料物質と
気体状ハロゲン系酸化剤との反応空間での導入圧及び流
量との関連に於て１例えば差動排気或は、大型の排気装
置の使用等の工夫を加えて調整することが出来る。
或は１反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンスが
小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、該
装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整す
ることが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或は、排気能力の充分ある大型の排
気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と気体状ハロゲン酸化剤の導入圧
力との関係に於て決められるが、好ましくは０．００１
Ｔｏ　ｒ　ｒ　〜１００Ｔｏｒｒ、より好ましくは０．
０１Ｔｏｒｒ〜３０Ｔｏ　ｒ　ｒ　、最適には０．０５
〜１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい。
ガスの雛型に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質及びハロゲン系酸化剤の導入の際にこれ等が
均一に効率良く混合され、前記前駆体（Ｅ）が効率的に
生成され且っ成膜が支障なく適切になされる様に、ガス
導入口と基体とガス排気口との幾何学的配置を考慮して
設計される必要がある。この幾何学的な配置の好適な例
の１つが第１図に示される。
成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて
、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を
得る場合には好ましくは室温から４５０℃、より好まし
くは５０〜４００℃とされるのが望ましい、殊に半導体
性や光導電性等の特性がより良好なシリコン堆積膜を形
成する場合には、基体温度（Ｔｓ）は７０〜３５０　’
Ｃとされるのが望ましい。また、多結晶の膜を得る場合
には、好ましくは２００〜７００　’Ｏ１より好ましく
は３００〜６００°Ｃとされるのが望ましい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｄ）が成膜に不適当
な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が
生成される様に基体温度（Ｔｓ）との関連で適宜所望に
応じて決められる。
第５図に示すものは、従来の光ＣＶＤ法による価電子制
御剤によりドーピングされた半導体特性を有する堆積膜
の形成装置の１例を示すものである６図中５０１は成膜
空間としての成膜室であり、内部の基体支持台５０２上
に所望の基体５０３を設置する。
５０４は基体加熱用のヒーターであり、導線５０５を介
して給電し、発熱せしめる。
５０６乃至５０９は、ガス供給源であり、ケイ素含有化
合物、水素、ハロゲン化合物、不活性ガス、価電子制御
剤となる不純物元素を成分とする化合物のガスの種類に
応じて設ける。これ等の原料化合物のうち標準状態に於
て液状のものを使用する場合には、適宜の気化装置を具
備せしめる。図中ガス供給源５０６乃至５０９の符号に
ａを付したのは分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付
したのは各流量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ
又はｅを付したのは各気体流量を調整するためのバルブ
である。原料化合物のガスは導入管５１０を介して成膜
室５０１内に導入される。
５１２は、光エネルギー発生装置であって、矢印５１４
の向きに流れている原料ガスに作用して、作用された化
合物を励起、分解せしめ。
分解した化合物が化学反応することによって、気体５０
３に価電子制御剤によりドーピングされた堆積膜を形成
するものである。５１５は排気バルブ、５１６は排気管
であり、成膜空間内を真空排気するため排気装置（図示
せず）に接続されている。
こうした装置を用いて、例えば価電子制御剤によりドー
ピングされた堆積膜を形成する場合、適当な基体５０３
を支持台５０２上に設置し、排気装置（図示せず）を用
いて排気管を介して成膜室５０１内を排気し、減圧する
。
次いで必要に応じて基体を加熱し、ガス供給用ボンベよ
りＳ　ｉＨ４、Ｎ２０．Ｈ２等ノＭｔＡガス及び価電子
制御剤となるＢ２Ｈ６、ＰＨ３等の原料ガスをガス導入
管５１０を介して成膜室５０１内に導入し、成膜室内の
圧力を所定圧力に保ちつつ光エネルギー発生装置により
成膜室５０１内に光エネルギーを供給し、基体５０３上
にＡ−３ｉ　：Ｈ：Ｏ：Ｂ膜を形成する。
本発明の方法において光ＣＶＤ法で成膜空間に導入する
原料ガスとしてはシリコン含有堆積膜を形成する場合に
は、ケイ素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基など
が結合したシラン類及びハロゲン化シラン類等を用いる
ことができる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、
この鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の一部又は
全部をハロゲン原子で置換した化合物などが好適である
。
具体的には、例えば、Ｓ　ｉＨ４、Ｓ　ｉ　２Ｈ６゜Ｓ
ｉ３Ｈ８、ｓ＋４）（１０，５ｉ５）（１２，５ｉ６Ｈ
１４等のＳ　ｉ　ｐＨ２ｐ＋２　ＣＰは１以上好ましく
は１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数である。）
で示される直鎖状シラン化合物、５ｉＨ３ＳｉＨ（Ｓｉ
Ｈ３）ＳｉＨ３、Ｓｉ甘っ＜　ｉ　＄Ｊ　（＜奄冒っ）
く蕾ロリＵり　く；＾ＨｓＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ
ｓ等の５ｉｐＨ２Ｐ＋２　（Ｐは前述の意味を有する。
）で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら直
鎖状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子の
一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物、５ｉ３
Ｈｓ、５ｉ４Ｈｅ　、５ｉ５Ｈ１０、Ｓ　ｉ　６Ｈ１２
、等（７）Ｓ　ｉ　（ＩＨ２ｑ　（ｑは３以上、好まし
くは３〜６の整数である。）で示される環状シラン化合
物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を他
の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換した
化合物、上記例示したシラン化合物の水素原子の一部又
は全部をハロゲン原子で置換した化合物の例として、Ｓ
ｉＨ３Ｆ、５ｉＨ３Ｃ文、　Ｓ　１Ｈ３Ｂｒ、５ｉＨ３
Ｉ等（７）Ｓ　ｉ　ｒＨｓＸｔ　　（Ｘはハロゲン原子
、ｒは１以上、好ましくは１〜１０、より好ましくは３
〜７の整数、ｓ＋ｔ＝２ｒ＋２又は２ｒである。）で示
されるハロゲン置換鎖状又は環状シラン化合物などであ
る。これらの化合物は、１種を使用してもあるいは２種
以上を併用してもよい。さらに、これ等の原料ガスは、
Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスにより稀釈して用いてもよい
。
本発明に於て使用される価電子制御剤としては、シリコ
ン系半導体膜及びゲルマニウム系半導体膜の場合には、
ｐ型の価電子制御剤、所謂Ｐ型不純物として働く周期率
表節■族Ａの元素、例えばＢ、Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ文
等を含む化合物、及びｎ型の価電子制御剤、所謂ｎ型不
純物として働く周期率表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ
、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等を含む化合物を挙げることが出来
る。
具体的には、ＮＨ３、ＨＮ３　、Ｎ２Ｈ５Ｎ３゜Ｎ２Ｈ
４、ＮＨ４Ｎ３　、ＰＨ３、Ｐ２Ｈａ　、ＡｓＨ３，Ｓ
ｂＨ３，ＢｉＨ３，Ｂ２Ｈｅ、Ｂ４ＨＩＯ，Ｂ５Ｈ９、
Ｂ５ＨＬ１．Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２、Ａ立（ＣＨ３）
３　、Ａ文（Ｃ２Ｈ５）３　。
Ｇａ　（ＣＨ３）３　、Ｉ　ｎ　（ＣＨ３）３等を有効
なものとして挙げることが出来る。
又、本発明の方法に用いる高エネルギー光としては、例
えば、低圧水銀ランプ、キセノンランプ、炭酸ガスレー
ザー、アルゴンイオンレーザ−、エキシマレーザ−等を
発生源として発生せしめたものが使用できる。尚、本発
明で用いる光エネルギーは、紫外線エネルギーに限定さ
れず、原料ガスを励起・分解又は重合せしめ。
分解生成物を堆積させる事ができるものであれば、波長
域を問うものではない。又、光エネルギーが原料ガス、
または基体に吸収されて熱エネルギーに変換し、その熱
エネルギーによって、原料ガスの励起・分解又は重合が
もたらされて堆積膜が形成される場合を排除するもので
もない。
本発明に於て価電子制御剤によってドーピングされた堆
積膜と、価電子制御剤によりドーピングされない半導体
特性を有する堆積膜との堆積膜形成法は木質的に異なる
ものではあるが同一の堆積膜形成装置内に両者の堆積膜
形成手段を配設することができる。この場合にはいずれ
か一方の堆積膜形成手段を用いている場合には、他方の
堆積膜形成手段は中止させておく。
又、前記両者の堆積膜形成手段をゲートバルブ等を隔て
て隣接させて、連続的に堆積膜の形成を行なうことも出
来る。
第１図は本発明の堆積膜形成法を具現するに好適な装置
の１例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体、排気系及び
ガス供給系の３つに大別される。
装置本体には、反応空間及び成膜空間が設けられている
。
１０１〜１０５は夫々、成膜する際に使用されるがガス
が充填されているボンベ、１０１ａ〜１０５ａは夫々ガ
ス供給パイプ、１０１ｂ〜１０５ｂは夫々各ボンベから
のガスの流量調整用のマスフロコントロー−ｙ＋、１０
１ｃ〜１０５ｃはそれぞれガス圧力計、１０１ｄ〜１０
５ｄ及び１ｏ１ｅ　〜１０５ｅは夫々バルブ、１ｏ１ｆ
〜ｌ　０５ｆは夫々対応するガスボンベ内の圧力を示す
圧力計である。
１２０は真空チャンバーであって、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構
造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基体１
１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設けられ
た成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配
管は、二重同心円配置構造となっており、中よりガスボ
ンベｌｏｔ、１０２よりのガスが導入される第１のガス
導入間１０９、ガスボンベ１０３〜１０５よりのガスが
導入される第２のガス導入間１１０を有する。
各ガス導入管の反応空間へのガス排出には、その位置が
内側の管になる程基体の表面位置より遠い位置に配され
る設計とされている。即ち、外側の管になる程その内側
にある管を包囲する様に夫々のガス導入間が配設されて
いる。
各導入管への管ボンベからのガスの供給は、ガス供給パ
イプライン１２３，１２４によって夫々なされる。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チャン
バー１２０はメイン真空バルブ１１９を介して不図示の
真空排気装置により真空排気される。
基体１１８は基体ホルダー１１２を上下に移動させるこ
とによって各ガス導入管の位置より適宜所望の距離に設
置される。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所望される特性
、カス流量、真空チャンバーの内圧等を考慮して適切な
状態になる様に決められるが、好ましくは、数ｍｍ〜２
０ｃｍより好ましくは、５ｍｍ〜１５ｃｍ程度とされる
のが望ましい。
１１３は、基体１１８を成膜時に適当な温度に加熱した
り、或は、成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更に
は、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱ヒ
ーターである。
基体感熱ヒーター１１３は、導線１１４により電源１１
５により電力が供給される。
１１６は、基体温度（Ｔｓ）の温度を測定する為の熱電
対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている。
チャンバー１２０内に光エネルギーを供給する為に１２
５ａ、１２５ｂは光エネルギー発生装置であり、１２６
ａ、１２６ｂの窓を通して基体上に光を照射する。
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。
実施例１ 第１図の堆積膜形成装置を使って、本発明の堆積膜形成
法で第２図に示す薄膜トランジスター（以下ｒＴＦＴＪ
という）を作製した。
前記ＴＰＴは、コーニング社製７０５９ガラス２３４．
非晶質シリコン層（第１層厚さ７０００人）２３３．リ
ンを高濃度にドープした非晶質シリコン層（第２層厚さ
５００人）２３２、酸化シリコン層（第３層厚さ１００
０人）２３１．Ａ文電極２２８．２２９．２３０から構
成されている。
本実験においては、リンを高濃度にドーピングした非晶
質シリコン層２３２の堆積にあたってはポンベ１０１に
充填されているＳｉＨ４ガスを流量２０ｓｅｃｍで、ガ
ス導入管１０９より、ポンベ１０３に充填されているＰ
Ｈ３／Ｈｅガス（ＰＨ３濃度１０１０００ｐｐを流量３
ｓｅｃｍでガス導入管１１０より、ポンベ１０４に充填
されているＨｅガスを流量３０ｓｅｃｍで、ガス導入管
１１０より導入し、低圧水銀ランプ１２５ａ、１２５ｂ
　　１５ｍＷ／Ｃｍ２を用いて照射し、リンを高濃度に
ドーピングした非晶質シリコン層を形成させた。
非晶質シリコン層２３３及び酸化シリコン層２３１は堆
積膜形成用の気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用
をする性質を有する気体状ハロゲン系酸化剤とを真空チ
ャンバ−１２０で混合させることにより堆積させた。
非晶質シリコン層２３３は、ポンベ１０１に充填されて
いるＳｉＨ４ガスを流量２０ＳＣＣｍでガス導入管１０
９より、ポンベ１０４に充填されているＦ２ガスを流量
１０　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　、ポンベ１０７に充填されてい
るＨｅガスを流量１０１００５ｅでガス導入管１１０よ
り真空チャンバー１２０内に導入した。
このとき、真空チャンバー１２０内の圧力を真空バルブ
１１９の開閉度を調整して０．７Ｔｏｏｒにした。ガス
導入口１１０と基体との距離は３ｃｍに設定した。Ｓｉ
Ｈ４ガスとＦ２ガスの混合域で青白い発光が強くみられ
た。
酸化シリコン層２３１は、ポンベ１０１に充填されてい
るＳｉＨ４ガスを流量１５ＳＣＣｍでガス導入管１０９
より、ポンベ１０６に充填されているＮ２０ガスを流量
５ｓｅｃｍ、ボンベ１０７の充填されているＨｅガスを
流量３０５ＣＣｍでガス導入管１１１より真空チャンバ
ー１０２内に導入した。
このとき、真空チャンバー１２０内の圧力を真空バルブ
１１９の開閉度を調整して０．３Ｔｏｒｒにした。
全層の形成にあたって基板温度は２５０　’Ｏに設定し
た。
本実施例によって作製したＴＰＴは従来品よリ１５％程
度改善されたｏｎ、ｏｆｆ比を示した。
実施例２ 第１図に示した堆積膜形成装置を用い、本発明の堆積膜
形成法に従って第３図に示す太陽電池を作製した。
前記太陽電池は透明電極を蒸着したコーニング７０５９
ガラス３００．Ｐ型の非晶質シリコン層（第１層９厚さ
５００久）３０１．ｉ型の非晶質シリコン層（第２層、
厚さ１ルｍ）３０２、ｎ型の非晶質シリコン層（第３層
、厚さ５００人）３０３．Ａ文電極３０４から構成され
る。
第１層３０１は実施例１で行ったと同じ光ＣＶＤにより
、続いて第２層、第３層は実施例１と同じ、堆積膜形成
用の気体状原料物質と該原料物質に酸化作用をする性質
を有する気体状／Ｘロゲン系酸酸化剤を真空チャンバー
１２０内でイ昆合反応させることにより堆積させた。
本実施例による成膜条件を第１表に示した。
こうして得られた太陽電池は従来品より２０％向上した
交換効率を示した。
実施例３ 第１図に示した堆積ＩＱ形成装置を用い、本発明の堆積
膜形成法に従って、第４図に示す電子写真用像形成部材
を作製した。
第４図に示す前記電子写真用像形成部材はＡ文製基体４
００、電荷注入防１１：層（第１層、Ｂをドーピングし
た非晶質シリコン５０．５ｇｍ）４０１、感光層（第２
層、非晶質シリコン層１８ｇｍ）４０２、表面保護層（
第３層、非晶質シリコンカーバイド層０．１ｇｍ）４０
３から構成されている。
実施例１で示した方法により、第２表に示す成膜条件に
よって電子写真用像形成部材を作製した。
本実施例によって得られた電子写真用像形成部材は、従
来品よりも２５％以上向上した帯電特性を示し１画像欠
陥の数も１０％程度減少した。
第　　ｌ　　表　　　　Ｑμ柳話度２５０°Ｃ）第　　
２　　表　　　　Ｑμｍ温度２８０’Ｃり〔効果〕 以上の詳細な説明及び各実施例より、本発明の堆積膜形
成法によれば、界面特性の向上がなされた多層構成堆積
膜が省エネルギー化を計ると同時に膜品質の管理が容易
で大面積に亘って均一物理特性の堆積膜が得られる。又
、生産性、量産性に優れ、高品質で電気的、光学的、半
導体的等の物理特性に優れた多層構成膜を簡便に得るこ
とが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に用いた成膜装置の実施例に用
いた電子写真用像形成部材の層構成の模式的概略図であ
る。第５図は一般的な光ＣＶＤ法で用いられる堆積膜形
成装置の模式的概略図である。 １０１〜１０５　・・・・ガスボンベ、１０１ａ・１０
５ａ　・・・カスの導入管、１０１ｂ〜１０５ｂ・・マ
スフロメーター、１０１　ｃ　・１０５ｃ　　・・・ガ
ス圧力計、１０１ｄ〜１０５ｄ及び １０１　ｅ　・１０５ｅ　　・・・・バルブ、１０１ｆ
〜１０５　ｆ　　・・・・圧力計、１０９　、　ｌ　１
０　・・・・ガス導入管、１１２　・・・・・ｍ・基体
ホルダー、・１１３・・・・基体加熱用ヒーター、 １１６　・・・基体温度モニター用熱電対、１１８　・
・・・・・・・基体。 １１９　・・・・・真空排気バルブ、 １２０　・・・・・真空チャン／ヘー。 １２３．１２４　・・・ガス供給用パイプ、１２５ａ、
１２５ｂ−一光エネルギー発生装置、１２６　ａ　、　
ｌ　２６　ｂ　・・・・・憎２２８　・・・・Ａ文電極
（ソース）、２２９　・・・・　Ａ文電極（ゲート）。 ２３０　・・・・　Ａ見電極（ドレイン）、２３１　・
・・・・・・絶縁層、 ２３２　・・・・・・ｎ型半導体層、 ２３３　・・・・・・　ｉ型半導体層、２３４・・・・
・・ガラス基板、 透明電極をコーティングしたガラス基板、３０１　・・
・、・・・・　Ｐ型半導体層、３０２　・・・・・・・
感光層、 ３０３　・・・・・ｎ型半導体層、 ３０４　・・・・・・・Ａ文電極、 ４０．０　・・・・・・・Ａ交基板。 ４０１　・・・・・電荷注入阻＋ｂ層、４０２　・・・
・・・・感光層、 ４０３　・・・・・・表面保護層、 ５０１　・・・・・・・成膜室、 ５０２　・・・・・・基体支持体、 ５０３　・・・・・・・・基体、 ５０４　・・・・基体加熱用ヒーター、５０５　・・・
・・・・・導線、 ５０６〜５０９・・・・ガス供給源、 ５０６ａ〜５０９　ａ・・・・分岐管、５０６ｃ〜５０
９　ｃ　・・・・圧力計、５０６ｄ　〜　５０９ｄ。 ５０６　ｄ　〜５０６　ｅ　　・・・・バルブ、５１０
　・・・・・原料ガス導入管、 ５１２　・・・・光エネルギー発生装置、５１５　・・
・・・・排気バルブ、 ５１６　・・・・・・・排気管。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）価電子制御された半導体薄膜を有する多層構造の
    薄膜半導体素子に於て、前記価電子制御された半導体薄
    膜の少なくとも一層を光ＣＶＤ法によって形成し、構成
    層の他の少なくとも１層を堆積膜形成用の気体状原料物
    質 と、該原料物質に酸化作用をする性質を有する気体状ハ
    ロゲン系酸化剤と、を反応空間内に導入して化学接触さ
    せることで励起状態の前駆体を含む複数の前駆体を化学
    的に生成 し、これらの前駆体の内少なくとも１つの前駆体を堆積
    膜構成要素の供給源として形成された ものである事を特徴とする薄膜半導体素子。
  2. （２）価電子制御された半導体薄膜を有する多層構造の
    薄膜半導体素子の形成法に於て、前記価電子制御された
    半導体薄膜の少なくとも一層を光ＣＶＤ法によって形成
    し、構成層の他の少なくとも１層を堆積膜形成用の気体
    状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする性質を有す
    る気体状ハロゲン系酸化剤と、を反応空間内に導入して
    化学接触させることで励起状態の前駆体を含む複数の前
    駆体を化学的に生成し、これらの前駆体の内少なくとも
    １つの前駆体を堆積膜構成要素の供給源として形成する
    事を特徴とする薄膜半導体素子の形成法。
  3. （３）前記気体状原料物質は、鎖状シラン化合物である
    特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の形成法
    。
  4. （４）前記鎖状シラン化合物は、直鎖状シラン化合物で
    ある特許請求の範囲第３項に記載の薄膜半導体素子の形
    成法。
  5. （５）前記直鎖状シラン化合物は、一般式Ｓｉ＿ｎＨ＿
    ２＿ｎ＿＋＿２（ｎは１〜８の整数）で示される特許請
    求の範囲第４項に記載の薄膜半導体素子の形成法。
  6. （６）前記鎖状シラン化合物は、分岐状鎖状シラン化合
    物である特許請求の範囲第３項に記載の薄膜半導体素子
    の形成法。
  7. （７）前記気体状原料物質は、硅素の環状構造を有する
    シラン化合物である特許請求の範囲第２項に記載の薄膜
    半導体素子の形成法。
  8. （８）前記気体状原料物質は、鎖状ゲルマン化合物であ
    る特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の形成
    法。
  9. （９）前記鎖状ゲルマン化合物は、一般式Ｇｅ＿ｍＨ＿
    ２＿ｍ＿＋＿２（ｍは１〜５の整数）で示される特許請
    求の範囲第８項に記載の薄膜半導体素子の形成法。
  10. （１０）前記気体状原料物質は、水素化スズ化合物であ
    る特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の形成
    法。
  11. （１１）前記気体状原料物質は、テトラヘドラル系化合
    物である特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子
    の形成法。
  12. （１２）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲンガス
    を含む特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の
    形成法。
  13. （１３）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガスを含
    む特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の形成
    法。
  14. （１４）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガスを含
    む特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導体素子の形成
    法。
  15. （１５）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原子を構
    成成分として含むガスである特許請求の範囲第２項に記
    載の薄膜半導体素子の形成 法。
  16. （１６）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期状態の
    ハロゲンを含む特許請求の範囲第２項に記載の薄膜半導
    体素子の形成法。
  17. （１７）前記基体は、前記気体状原料物質と前記気体状
    ハロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に対して
    対向する位置に配設される特許請求の範囲第２項に記載
    の薄膜半導体素子の形成法。
JP60297833A 1985-12-28 1985-12-28 薄膜半導体素子及びその形成法 Expired - Fee Related JP2566914B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60297833A JP2566914B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 薄膜半導体素子及びその形成法
CA000526328A CA1257403A (en) 1985-12-28 1986-12-24 Chemical vapour deposition method to produce an electronic device having a multi-layer structure
EP86310162A EP0231660B1 (en) 1985-12-28 1986-12-24 Method for producing an electronic device having a multi-layer structure
US06/945,815 US4735822A (en) 1985-12-28 1986-12-24 Method for producing an electronic device having a multi-layer structure
DE8686310162T DE3686576T2 (de) 1985-12-28 1986-12-24 Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit mehrschichtstruktur.
AU67061/86A AU577717B2 (en) 1985-12-28 1986-12-30 Multilayer films by optical cvd

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60297833A JP2566914B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 薄膜半導体素子及びその形成法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62156811A true JPS62156811A (ja) 1987-07-11
JP2566914B2 JP2566914B2 (ja) 1996-12-25

Family

ID=17851743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60297833A Expired - Fee Related JP2566914B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 薄膜半導体素子及びその形成法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4735822A (ja)
EP (1) EP0231660B1 (ja)
JP (1) JP2566914B2 (ja)
AU (1) AU577717B2 (ja)
CA (1) CA1257403A (ja)
DE (1) DE3686576T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155610A (ja) * 1986-12-18 1988-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体膜の製造方法
JP2001055195A (ja) * 1999-07-16 2001-02-27 A Friedrich Flender & Co ２基のディーゼル・エンジンを使用した集合式動力伝導装置を備えた舶用駆動装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5123847A (en) * 1983-05-11 1992-06-23 Holmberg Scott H Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
AU578174B2 (en) * 1985-12-28 1988-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method
JPH0651908B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
DE3680653D1 (de) * 1985-12-28 1991-09-05 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines abgeschiedenen films.
JPH08973B2 (ja) * 1986-03-31 1996-01-10 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
DE3730644A1 (de) * 1987-09-11 1989-03-30 Baeuerle Dieter Verfahren zur vorgegeben strukturierten abscheidung von mikrostrukturen mit laserlicht
EP0608633B1 (en) * 1993-01-28 1999-03-03 Applied Materials, Inc. Method for multilayer CVD processing in a single chamber
FR2885260B1 (fr) * 2005-04-28 2007-08-24 Univ Rennes 1 Etablissement Pu Procede de fabrication d'un dispositf electronique multicouches depourvu de resistances d'interface parasites
US7807062B2 (en) * 2006-07-10 2010-10-05 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair
US7791055B2 (en) * 2006-07-10 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching/deposition for enhanced detection of surface defects
US7892978B2 (en) * 2006-07-10 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Electron induced chemical etching for device level diagnosis
US7791071B2 (en) 2006-08-14 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Profiling solid state samples
US7718080B2 (en) 2006-08-14 2010-05-18 Micron Technology, Inc. Electronic beam processing device and method using carbon nanotube emitter
FR2950080B1 (fr) * 2009-09-17 2012-03-02 Essilor Int Procede et dispositif de depot chimique en phase gazeuse d'un film polymere sur un substrat
TW201213599A (en) * 2010-07-02 2012-04-01 Matheson Tri Gas Inc Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
CN104737268A (zh) 2012-01-12 2015-06-24 第一太阳能有限公司 在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统
US9461107B2 (en) * 2014-10-14 2016-10-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Excimer laser annealing apparatus and method of using the same
CN104979247B (zh) * 2015-06-23 2018-01-12 深圳市华星光电技术有限公司 激光退火装置和激光退火方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165728A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JPS60244022A (ja) * 1984-05-17 1985-12-03 Canon Inc 堆積膜の形成方法

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US3288829A (en) * 1961-01-19 1966-11-29 Ethyl Corp Process for preparing cyclopentadienyl group vb and vib metal hydrides
US3271180A (en) * 1962-06-19 1966-09-06 Ibm Photolytic processes for fabricating thin film patterns
US3306768A (en) * 1964-01-08 1967-02-28 Motorola Inc Method of forming thin oxide films
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
US3916034A (en) * 1971-05-21 1975-10-28 Hitachi Ltd Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target
US3907616A (en) * 1972-11-15 1975-09-23 Texas Instruments Inc Method of forming doped dielectric layers utilizing reactive plasma deposition
US4042006A (en) * 1973-01-05 1977-08-16 Siemens Aktiengesellschaft Pyrolytic process for producing a band-shaped metal layer on a substrate
US3914515A (en) * 1973-07-16 1975-10-21 Rca Corp Process for forming transition metal oxide films on a substrate and photomasks therefrom
US3984587A (en) * 1973-07-23 1976-10-05 Rca Corporation Chemical vapor deposition of luminescent films
US3888705A (en) * 1973-12-19 1975-06-10 Nasa Vapor phase growth of groups iii-v compounds by hydrogen chloride transport of the elements
US3892608A (en) * 1974-02-28 1975-07-01 Motorola Inc Method for filling grooves and moats used on semiconductor devices
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4147571A (en) * 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system
FR2403646A1 (fr) * 1977-09-16 1979-04-13 Anvar Procede de realisation d'un depot de compose semi-conducteur d'elements iii et v
FR2419585A1 (fr) * 1978-03-07 1979-10-05 Thomson Csf Procede d'obtention en phase gazeuse d'une couche epitaxiale de phosphure d'indium, et appareil d'application de ce procede
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
JPS5591885A (en) * 1978-12-28 1980-07-11 Canon Inc Amorphous silicon hydride photoconductive layer
US4239811A (en) * 1979-08-16 1980-12-16 International Business Machines Corporation Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane-nitrous oxide reaction
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
IE52209B1 (en) * 1980-09-09 1987-08-05 Energy Conversion Devices Inc Multiple cell photoresponsive amorphous alloys and devices
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
US4321073A (en) * 1980-10-15 1982-03-23 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for forming metal coating on glass fiber
DE3172368D1 (en) * 1980-11-18 1985-10-24 British Telecomm Improvements in the manufacture of group iiib-vb compounds
US4357179A (en) * 1980-12-23 1982-11-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for producing devices comprising high density amorphous silicon or germanium layers by low pressure CVD technique
EP0070878B1 (en) * 1981-02-04 1987-05-13 Western Electric Company, Incorporated Growth of structures based on group iv semiconductor materials
US4422888A (en) * 1981-02-27 1983-12-27 Xerox Corporation Method for successfully depositing doped II-VI epitaxial layers by organometallic chemical vapor deposition
US4459163A (en) * 1981-03-11 1984-07-10 Chronar Corporation Amorphous semiconductor method
US4421592A (en) * 1981-05-22 1983-12-20 United Technologies Corporation Plasma enhanced deposition of semiconductors
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
US4637127A (en) * 1981-07-07 1987-01-20 Nippon Electric Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US4490208A (en) * 1981-07-08 1984-12-25 Agency Of Industrial Science And Technology Method of producing thin films of silicon
JPS5833829A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜形成装置
US4434188A (en) * 1981-12-17 1984-02-28 National Institute For Researches In Inorganic Materials Method for synthesizing diamond
US4652463A (en) * 1982-03-29 1987-03-24 Hughes Aircraft Process for depositing a conductive oxide layer
JPS58168215A (ja) * 1982-03-30 1983-10-04 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 非晶質半導体
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4462847A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition
US4473598A (en) * 1982-06-30 1984-09-25 International Business Machines Corporation Method of filling trenches with silicon and structures
US4501777A (en) * 1982-09-22 1985-02-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of sealing of ceramic wall structures
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
EP0106537B1 (en) * 1982-10-19 1989-01-25 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Organometallic chemical vapour deposition of films
JPH0614552B2 (ja) * 1983-02-02 1994-02-23 富士ゼロックス株式会社 光電変換素子の製造方法
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
JPS6026664A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
US4522662A (en) * 1983-08-12 1985-06-11 Hewlett-Packard Company CVD lateral epitaxial growth of silicon over insulators
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4637938A (en) * 1983-08-19 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of using selective optical excitation in deposition processes and the detection of new compositions
JPS6043819A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相反応方法
US4504329A (en) * 1983-10-06 1985-03-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a binary alloy as the metallic source
US4645689A (en) * 1984-02-17 1987-02-24 At&T Bell Laboratories Deposition technique
US4505949A (en) * 1984-04-25 1985-03-19 Texas Instruments Incorporated Thin film deposition using plasma-generated source gas
JPS60243663A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Kyocera Corp 電子写真感光体
US4595601A (en) * 1984-05-25 1986-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of selectively forming an insulation layer
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
US4609562A (en) * 1984-12-20 1986-09-02 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate
JPH07101751B2 (ja) * 1985-03-28 1995-11-01 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPS62136871A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光センサ−、その製造方法及びその製造装置
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0651908B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
US4671970A (en) * 1986-02-05 1987-06-09 Ncr Corporation Trench filling and planarization process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165728A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JPS60244022A (ja) * 1984-05-17 1985-12-03 Canon Inc 堆積膜の形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155610A (ja) * 1986-12-18 1988-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体膜の製造方法
JP2001055195A (ja) * 1999-07-16 2001-02-27 A Friedrich Flender & Co ２基のディーゼル・エンジンを使用した集合式動力伝導装置を備えた舶用駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0231660A3 (en) 1988-11-23
AU6706186A (en) 1987-07-02
AU577717B2 (en) 1988-09-29
EP0231660B1 (en) 1992-08-26
DE3686576T2 (de) 1993-01-28
US4735822A (en) 1988-04-05
EP0231660A2 (en) 1987-08-12
DE3686576D1 (de) 1992-10-01
JP2566914B2 (ja) 1996-12-25
CA1257403A (en) 1989-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62156811A (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
US4771015A (en) Method for producing an electronic device having a multi-layer structure
US4812328A (en) Method for forming deposited film
JPS62156813A (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
US4801474A (en) Method for forming thin film multi-layer structure member
US4822636A (en) Method for forming deposited film
US4766091A (en) Method for producing an electronic device having a multi-layer structure
JPS62163314A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPH0645895B2 (ja) 堆積膜形成装置
JPS63234515A (ja) 薄膜多層構造の形成方法
JPH0645882B2 (ja) 堆積膜形成法
JPS62163313A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPS62156812A (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
JPS6299465A (ja) 堆積膜形成法
JPS62158872A (ja) 薄膜多層構造の形成方法
JPS62228474A (ja) 堆積膜形成装置
JPS62163315A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPS62163312A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法
JPS63136617A (ja) 堆積膜形成法
JPH0647729B2 (ja) 堆積膜形成法
JPS62230980A (ja) 堆積膜形成法
JPS63234514A (ja) 薄膜多層構造の形成方法
JPS62229827A (ja) 堆積膜形成法
JPS62151570A (ja) 堆積膜形成装置
JPS62228475A (ja) 堆積膜形成法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees