JPS5833829A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

Info

Publication number
JPS5833829A
JPS5833829A JP56132507A JP13250781A JPS5833829A JP S5833829 A JPS5833829 A JP S5833829A JP 56132507 A JP56132507 A JP 56132507A JP 13250781 A JP13250781 A JP 13250781A JP S5833829 A JPS5833829 A JP S5833829A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
material gas
chamber
film
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56132507A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamotsu Hatayama
畑山　保
Hiroshi Ito
宏 伊東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56132507A priority Critical patent/JPS5833829A/ja
Priority to DE8282304455T priority patent/DE3274262D1/de
Priority to EP82304455A priority patent/EP0074212B1/en
Publication of JPS5833829A publication Critical patent/JPS5833829A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低圧下において原料ガスを分解して薄膜を形成
する装置に関するものである。従来、低圧下において原
料ガスを放電によシ分解させることによυ、薄膜を形成
させる薄膜形成装置としては、第１図および第２図に示
したようなものがある。第１図は誘導結合型プラズマＣ
ＶＤ装置の一例で６シ１第２図は容量結合型グツズ−ｆ
　ＣＶＤ装置の一例である。たとえば誘導結合重グツズ
−ｖ　ＣＶＤ装置は金属製チャンバ１１の上にのせであ
る石英製容器１２の中に、ガス導入管１３により原料ガ
スを導入し、高周波コイル１４１／Ｃより導入された原
料ガスを放電分解させて、ヒーターを内蔵させたサセプ
タ１５の上に置いた試料基板１６上に薄膜を形成させる
ものである。１７はガスを放電分解させたことによシ発
生したプラズマを示している。また導入されたガスは排
気管１８から矢印のように流れて真空ポンプによシ排気
される。また答量結合雛グツズｆｆ　ＣＶＤ装置は、金
属製のチャンノぐス２１の中にガス導入管１１によシ原
料ガス管導入し、２つの対向した電極、すなわち高周波
を源２３が印加しであるＲＦ電極１４とヒーター内蔵の
アース電極２５との間で、ガスを放電分解させ、アース
電極２Ｊ上に置いである試料基板２６上に薄膜を形成さ
せるものである。２１はガスを放電分解させたことＫよ
シ発生したグラ！＊を示している。ｔ＋導入されたガス
は排気管２１から矢印のように流れて真空ｆン７”Ｋよ
シ排気され葛。
これらのプラズマＣＶＤ装置は、膜形成条件により膜質
および膜特性Ｏ異なった膜が得られるが、膜を形成させ
るうえでの！ラメーｖ　ＣＶＤ装置に必要な性能のひと
つに膜形成速度がある。一般に膜形成速度は大きいはう
が有利であ）、さまざまな膜形成条件、例えば印加高周
波・母ワー、ＩＸ流量、ガス圧等を変化させることによ
シ膜形成速度を大きくできる。ｔた装置にも工夫がなさ
れておシ、例えば磁場中電場等をかけてやることで、膜
形成速度を大きくすること一可能である。しかし、上記
方法により膜形成速度を大きくするためには、膜形成条
件のノ臂ラメ−ターが多いことや装置依存性が強いこと
などから相当量の形成データの収集が必要であシ、熟練
者を必要とするなどの問題等が生じておシ、その改善が
望まれている。また印加高周波ノ臂ワーを上げて膜形成
速度を大きくすると、緻密な膜ができず、容器壁のスノ
ｅ、タリングによる膜への不純物混入が多くなるなど、
良質の膜を形成する上で不都合をもたらす。
本発明は上記事情を考慮してなされたものでアシ、その
目的とするところは、膜形成時において複雑な形成条件
の適正化等を行うことなく膜形成速度を簡単に増大させ
ることのでき、かつ良質な膜を得ることのできる薄膜形
成装置を提供することにおる。
即ち本発明においては、真空容器を導入された原料ガス
の分解のみを行う一次室と、この−火室と小さい連通孔
で連通し一次室よ）低圧に保たれる二次室とに分離する
。そして二次室内に一次室で生成され要分解ガスと未分
解の原料ガスを引込んで、ここで再度未分解の原料ガス
の分解を行い、二次室内に配置した試料表面に薄膜を堆
積させることを特徴とする。このように１本発明によれ
ば、少くとも２段階のガス分解を行わせるととＫより、
膜形成速度を容易に増大させることが可能となシ、また
膜形成速度を大きくしても良質な膜を再現性よく形成す
ることが可能となる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第３図は本発明を適用した一実施例でＴｏ）、誘導結合
盤プラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面模式図であ
る。図中３１は金属製チャンバであ）、とのチャン／４
３１の上に石英製容器１２をのせて全体として真空容器
を構成している。この真空容器は、小さい連通孔３３を
有する仕切板Ｊ４によシ、上下に一次室Ａとこれよシ低
圧に僚友れる二次室Ｂとに分離されている。−火室ムに
はガス導入管３５が挿入され、こζから導入された原料
ガスを高周波コイル３６ムによシ放電分解するようにな
っている。
Ｊ７Ａが放電分解によシ生成されたプラズマを示してい
る。−火室ムで生成されたプラズマ３７Ａおよび未分解
の原料ガスは、−火室Ａよシ低圧の二次室Ｂに引込まれ
、ここで高周波コイル３６Ｂによりさらに放電分解を行
なってプラズマｊ７Ｂを生成し、この二次室Ｂ内のヒー
ター内蔵すセグタＪ８の上に置いた試料基板３＃上に薄
膜を形成させるようになっている。
４０は真空−ングに接続される排気管である。
このような構成であれば、膜形成時において一火室人で
放電分解されたガスは、さらに二次室Ｂでも放電分解さ
れるという２段階の分解による分解効率の向上効果のた
めに、膜形成速度を大きくすることができる。
具体的な実験データを挙げてその効果を明らかにする。
本実施例の装置を用いて、アモルファスシリコン膜を形
成した。使用ガスは水素ペースの１０チシラン（５Ｚａ
４）である、膜形成条件はシラン流−１５０８ＣＣＭ、
　コイｋｌ　ｇＡ　。
ＪＥＲＫよる印加高周波ノヮーはそれぞれ５ｗ１基板温
度２７０℃、−火室Ａの圧力が１．ＯＴ村ｒに次室Ｂの
圧力が０．１　Ｔ＠ｒ、である。このときの膜形成速度
は４００〜５００Ｘ／ｍｌｎでありた。
ちなみに１第１図の従来装置の場合、同様のガス流量で
圧力、印加高周Δワー１０Ｗの条件の４とｆ８０〜１５
０Ｘ／ｍｉｍであシ、本実施例による効果が明確である
。
ま九本実施例においては、従来と同程度の印加高周波Δ
ワーで大きい膜形成速度が得られるから、膜形成速度が
大きくなると膜質および膜特性が悪（なるという従来の
傾向も改善されて良質の膜が得られる。
第４図は、本発明の他の実施例の容量結合型！２ズマＣ
ＶＤ装置の概略構成を示す断間図である０図中４１は金
属性チャンノ量であシ、右端にブス導入管４２、左端に
排気管４Ｊがある。チヤンバ４１は小さい連通孔４４を
有する仕切板４１によって左右に一火室ムとこれよシ低
圧に保たれる二次室Ｂとに分離されている。−火室Ａに
導入された原料ガスは高周波電源４ｇＡが接続されたＲ
Ｆ電極４７Ａとアース電極４１ムとの間で放電分解され
てゾラズ−１４９１を生成する。このゾラズマ４９にお
よび未分解ガスは一火室人の圧力よシ低い圧力となって
いる二次室Ｂの中に引き込まれるように入シ込む、そし
て高周波電源４６Ｂが接続されたＲＰ電極４１Ｂとヒー
ターを内蔵させた基板電極となっているアース電極４８
Ｂとの間で、さらに放電分解を行ってデ２ズマ４９Ｂを
生成し、試料基板、：５０上に薄膜を形成させるように
なっている。
この実施例によりても先の実施例と同様な効果を得るこ
とができる。
なお、本発明は上記した各実施例に限定されるものでは
ない０例えば、各実施例とも原料ガスの分解法として高
周波による放電分解を用いているが、この代シに加熱に
よる分解法を用いることもできる。またガスの分解のみ
を行う一次室と膜形成を行う二次室の間に、その中間の
圧力に設定されてガス分解のみを行う室を一室以上設け
てもよい、さらに１試料基板に電場や磁場等を印加させ
ることも可能である。さらにまた、−火室と別に放電室
を設けてここで長寿命のラジカルを生成し、このラジカ
ルを一次室に輸送して原料ガスの分解を行うように構成
することもできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
以上詳述したように本発明によれば、非常に容易に膜形
成速度を大きくでき、また膜形成速度を大きくしても膜
質や膜特性を悪化させることなく、再現性の良い良質な
薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】 ｔａ１図は従来の誘導結合型グッズマＣＶＤ装置の概略
構成を示す断面図、第２図は従来の容量結合ｆｌｌｆラ
ズｆｆ　ＣＶＴ）装置の概略構成を示す断面図、１Ｉｃ
３図は本発明を適用した誘導結合型ｆ２ズマＣＶＤ装置
の概略構成を示す断面図、第４図は本発明を適用した容
量結合ｍｆラズマｃＶＤ装置の概略構成を示す断面図で
ある。 ム・・・−火室、ト・・二次室、３１−４１川４１１４
製チヤシバ、Ｊ！−・・石英製チャンバ、、３３．４４
・・・連通孔、３４．４５・・・仕切板、８５，４ｘ、
−・ｗｘ導入管、３６に、３６Ｂ・・・高周波コイル、
４６ｋｐ４ｔｓＢ・・・高周波電源、４１Ａ、４７Ｂ。 ４８ム、４８トー電極、３２ム、Ｊ　７　Ｂ、、４１Ｊ
Ｌ　＃４９ト・・７＄２ズマ、ｓｐ、ｉｒｅ・・・試料
基板、４１２．４１・・・排気管。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第３図 １ 第４図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）試料が配置された真空容器内に低圧下で原料ガス
    を導入しこの原料ガスを分解して前記試料表面に薄膜を
    形成する装置において、前記真空容器は、導入された原
    料ガスを分解する一次室と、この−火室より低圧下に保
    たれて一次室で生成された分解ガスと未分解の原料ガス
    が小さい連通孔を介して引込まれ前記未分解の原料ガス
    を分解する二次室とを有し、前記二次室に試料を配置す
    るようにしたことを特徴とする薄膜形成装置。
  2. （２）−火室および二次室拡、誘導結合方式または容量
    結合方式による高周波放電を用いて原料ガスの分解を行
    う放電室である特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装
    置。
  3. （３）原料ガスは水素ペースのシランガスであり、形成
    する膜はアモルファスシリコン膜である特許請求の範囲
    第１項記載の薄膜形成装置。
JP56132507A 1981-08-24 1981-08-24 薄膜形成装置 Pending JPS5833829A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56132507A JPS5833829A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 薄膜形成装置
DE8282304455T DE3274262D1 (en) 1981-08-24 1982-08-24 Apparatus for forming thin film
EP82304455A EP0074212B1 (en) 1981-08-24 1982-08-24 Apparatus for forming thin film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56132507A JPS5833829A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 薄膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5833829A true JPS5833829A (ja) 1983-02-28

Family

ID=15082965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56132507A Pending JPS5833829A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 薄膜形成装置

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0074212B1 (ja)
JP (1) JPS5833829A (ja)
DE (1) DE3274262D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100334085B1 (ko) * 2000-02-02 2002-04-26 대한민국 (관리청:특허청장, 승계청:서울대학교 신소재 공동연구소장) 양자점 형성을 위한 이중 챔버 화학 증착기
JP2002340022A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Koyo Seiko Co Ltd 自動調心クラッチレリーズ軸受装置

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5941464A (ja) * 1982-08-30 1984-03-07 Toshiba Corp 膜形成装置
US4513684A (en) * 1982-12-22 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Upstream cathode assembly
US4483883A (en) * 1982-12-22 1984-11-20 Energy Conversion Devices, Inc. Upstream cathode assembly
JPS59207631A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Semiconductor Res Found 光化学を用いたドライプロセス装置
US4550684A (en) * 1983-08-11 1985-11-05 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4583492A (en) * 1983-12-19 1986-04-22 United Technologies Corporation High rate, low temperature silicon deposition system
US4678679A (en) * 1984-06-25 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous deposition of activated process gases
US4759947A (en) * 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
US4772486A (en) * 1985-02-18 1988-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film
US4726963A (en) * 1985-02-19 1988-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4818563A (en) * 1985-02-21 1989-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JPS61223756A (ja) * 1985-03-28 1986-10-04 Canon Inc 複写装置
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4853251A (en) * 1985-02-22 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film including carbon as a constituent element
US4801468A (en) * 1985-02-25 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JP2537175B2 (ja) * 1985-03-27 1996-09-25 キヤノン株式会社 機能性堆積膜の製造装置
US4632057A (en) * 1985-08-05 1986-12-30 Spectrum Cvd, Inc. CVD plasma reactor
JP2635021B2 (ja) * 1985-09-26 1997-07-30 宣夫 御子柴 堆積膜形成法及びこれに用いる装置
US4812325A (en) * 1985-10-23 1989-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
CN1015008B (zh) * 1985-10-23 1991-12-04 佳能株式会社 形成沉积膜的方法
JPS62136871A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光センサ−、その製造方法及びその製造装置
JPS62136885A (ja) * 1985-12-11 1987-06-19 Canon Inc 光起電力素子、その製造方法及びその製造装置
JPH0645886B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0647727B2 (ja) * 1985-12-24 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0651906B2 (ja) * 1985-12-25 1994-07-06 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US5391232A (en) * 1985-12-26 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
JPH0651908B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
US5322568A (en) * 1985-12-28 1994-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming deposited film
JPH084070B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0651909B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
US5366554A (en) * 1986-01-14 1994-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
US4800173A (en) * 1986-02-20 1989-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing Si or Ge epitaxial film using fluorine oxidant
DE3706482A1 (de) * 1986-02-28 1987-09-03 Politechnika Warszawska Verfahren und vorrichtungen zur herstellung von diffusionsoberflaechenschichten auf metallenen werkstuecken durch glimmentladung
US5126169A (en) * 1986-08-28 1992-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film from two mutually reactive active species
GB2196019A (en) * 1986-10-07 1988-04-20 Cambridge Instr Ltd Metalorganic chemical vapour deposition
US4904621A (en) * 1987-07-16 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Remote plasma generation process using a two-stage showerhead
EP0299243B1 (en) * 1987-07-16 1992-08-19 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US5138973A (en) * 1987-07-16 1992-08-18 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus having independently controllable energy sources
EP0303030A1 (en) * 1987-07-16 1989-02-15 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4870030A (en) * 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
DE3923390A1 (de) * 1988-07-14 1990-01-25 Canon Kk Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
DE3926023A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US4931306A (en) * 1988-11-25 1990-06-05 Vapor Technologies Inc. High penetration deposition process and apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1550853A (en) * 1975-10-06 1979-08-22 Hitachi Ltd Apparatus and process for plasma treatment
US4268711A (en) * 1979-04-26 1981-05-19 Optical Coating Laboratory, Inc. Method and apparatus for forming films from vapors using a contained plasma source
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
US4262631A (en) * 1979-10-01 1981-04-21 Kubacki Ronald M Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge
AU8288282A (en) * 1981-05-04 1982-11-11 Optical Coating Laboratory, Inc. Production and utilization of activated molecular beams

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100334085B1 (ko) * 2000-02-02 2002-04-26 대한민국 (관리청:특허청장, 승계청:서울대학교 신소재 공동연구소장) 양자점 형성을 위한 이중 챔버 화학 증착기
JP2002340022A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Koyo Seiko Co Ltd 自動調心クラッチレリーズ軸受装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0074212A1 (en) 1983-03-16
DE3274262D1 (en) 1987-01-02
EP0074212B1 (en) 1986-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5833829A (ja) 薄膜形成装置
US5185132A (en) Atomspheric plasma reaction method and apparatus therefor
JP4025636B2 (ja) 誘導結合プラズマ装置
US4033287A (en) Radial flow reactor including glow discharge limiting shield
US6344420B1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JPS63187619A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPS6347141B2 (ja)
JPH02234419A (ja) プラズマ電極
JP3682178B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
USRE30244E (en) Radial flow reactor including glow discharge limitting shield
US4766007A (en) Process for forming deposited film
EP0848434A3 (en) Method of forming semiconductor thin film
JPS58181865A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP7033999B2 (ja) ボロン系膜の成膜方法および成膜装置
JPH06236850A (ja) プラズマ処理装置
JPS61241930A (ja) プラズマｃｖｄ装置
JPH02184022A (ja) Ｃｖｄ電極
JPH0891987A (ja) プラズマ化学蒸着装置
JPH02200784A (ja) Ｃｖｄ電極
JPH0892746A (ja) プラズマ化学蒸着方法及び装置
JPS5941773B2 (ja) 気相成長方法及び装置
JPS5889821A (ja) 堆積膜の製造装置
JPH09223672A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JPS58127331A (ja) プラズマ化学気相生成装置
JPS62218575A (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法