JPH0651906B2 - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

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JPH0651906B2 JP60295302A JP29530285A JPH0651906B2 JP H0651906 B2 JPH0651906 B2 JP H0651906B2 JP 60295302 A JP60295302 A JP 60295302A JP 29530285 A JP29530285 A JP 29530285A JP H0651906 B2 JPH0651906 B2 JP H0651906B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用
の感光デバイス、光学的画像入力装置用の光入力センサ
ーデバイス等の電子デバイスの用途に有用な半導体性堆
積膜の形成法に関する。
〔従来の技術〕
従来、機能性膜、殊に非晶質乃至多結晶質の半導体膜
は、所望される物理的特性や用途等の観点から個々に適
した成膜方法が採用されている。
例えば、必要に応じて、水素原子(H)やハロゲン原子(X)
等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結晶質の
非単結晶シリコン（以後「ＮＯＮ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と
略記し、その中でも殊に非晶質シリコンを示す場合には
「Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」、多結晶質シリコンを示す場合
には「ｐｏｌｙ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と記す）膜等のシリ
コン系堆積膜（尚、俗に言う微結晶シリコンは、Ａ−Ｓ
ｉ（Ｈ，Ｘ）の範疇にはいることは断るまでもない）の
形成には、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、反応スパツタリング法、イオンプレーテイング法、
光ＣＶＤ法などが試みられており、一般的には、プラズ
マＣＶＤ法が広く用いられ、企業化されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
而乍ら、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法に
よるシリコン系堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、
従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反応
機構も不明な点が少なくない。又、その堆積膜の形成パ
ラメーターも多く（例えば、基体温度、導入ガスの流量
と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、反応容器
の構造、排気の速度、プラズマ発生方式など）これらの
多くのパラメータの組み合せによるため、時にはプラズ
マが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい悪
影響を与えることが少なくなかつた。そのうえ、装置特
有のパラメータを装置ごとに選定しなければならず、し
たがつて製造条件を一般化することがむずかしいという
のが実状であつた。
他方、シリコン系堆積膜として電気的、光学的特性を各
用途毎に十分に満足させ得るものを発現させるために
は、現状ではプラズマＣＶＤ法によつて形成することが
最良とされている。
而乍ら、シリコン系堆積膜の応用用途によつては、大面
積化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分満足させて再
現性のある量産化を図らねばならないため、プラズマＣ
ＶＤ法によるシリコン系堆積膜の形成においては、量産
装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の為
の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭く、装置の調
整も微妙であることから、これらのことが、今後改善す
べき問題点として指摘されている。
又、プラズマＣＶＤ法の場合には、成膜される基体の配
されている成膜空間に於いて高周波或いはマイクロ波等
によつて直接プラズマを生成している為に、発生する電
子や多数のイオン種が成膜過程に於いて膜にダメージを
与え膜品質の低下、膜品質の不均一化の要因となつてい
る。
この点の改良として提案されている方法には、間接プラ
ズマＣＶＤ法がある。
該間接プラズマＣＶＤ法は、主堆積膜形成物質を成膜空
間から離れた上流位置にてマイクロ波等によつて主堆積
膜形成物質の活性種を生成し、該活性種を成膜空間まで
輸送することで、成膜に使用出来る様に計つたものであ
る。
而乍ら、斯かるプラズマＣＶＤ法でも、活性種の輸送が
必須であることから、成膜に有効な活性種の寿命が長く
な使用するガス種が制限され、種々の堆積膜が得られな
いこと、及びプラズマを発生する為に多大なエネルギー
を要すること、成膜に有効な化学種の生成及び量が簡便
な管理下に本質的に置かれないこと等の問題点は残積し
ている。
プラズマＣＶＤ法に対して、光ＣＶＤ法は、成膜時と膜
品質にダメージを与えるイオン種や電子が発生しないと
いう点で有利ではあるが、光源にそれ程多くの種類がな
いこと、光源の波長も紫外に片寄つていること、工業化
する場合には大型の光源とその電源を要すること、光源
からの光を成膜空間に導入する窓が成膜時に被膜されて
仕舞う為に成膜中に光量の低下、強いては、光源からの
光が成膜空間に入射されなくなるという問題点がある。
更に、プラズマＣＶＤ法におけるイオンダメージの問題
や、光ＣＶＤ法における光入射窓のくもりといつた問題
のない新規な堆積膜形成法として堆積膜形成用の気体状
原料物質と該原料物質に酸化作用をする性質を有する気
体状ハロゲン系酸化剤とを、化学反応させ、堆積膜を形
成する方法が注目されているが、該形成方法は、価電子
制御剤によるドーピングに対して、一層の改善が望まれ
ている。
上述の如く、シリコン系堆積膜の形成に於ては、解決さ
れるべき点は、まだまだ残つており、その実用可能な特
性、均一性を維持させながら低コストな装置で省エネル
ギー化を計つて量産化できる形成方法を開発することが
切望されている。殊に、ｐ型、ｎ型、ｉ型の伝導型の半
導体膜をドーピング率を高めながら成膜する場合に、上
記要求の度合は高い。これ等のことは、他の機能性膜、
例えば半導体性の、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、
酸化シリコン膜等のシリコン系の膜やゲルマニウム系の
膜のドーピング率を高める場合に於ても各々同様の解決
されるべき問題として挙げることが出来る。
〔目的〕
本発明の目的は、上述した堆積膜形成法の欠点を除去す
ると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形
成法を提供するものである。
本発明の他の目的は、省エネルギー化を計ると同時に膜
品質の管理が容易で大面積に亘つて均一特性の価電子制
御剤がドーピングされた半導体性の堆積膜が得られる堆
積膜形成法を提供するものである。
本発明の更に別の目的は、生産性、量産性に優れ、高品
質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に優れた膜
が簡便に得られる堆積膜形成法を提供することでもあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成する本発明の堆積膜形成法は、堆積膜形
成用の気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする
性質を有する気体状ハロゲン系酸化剤とを、各々別々に
反応空間に導入して化学反応させて堆積膜を形成する方
法に於いて、価電子制御剤を生成する気体状物質(D)を
活性化空間であらかじめ活性化して活性種を生成し、該
活性種を反応空間に導入して基体上にドーピングされた
堆積膜を形成することを特徴とする。
〔作用〕
上記の本発明の堆積膜形成法によれば、省エネルギー化
と同時に大面積化、膜厚均一性、膜品質の均一性を十分
満足させて管理の簡素化と量産化を図り、量産装置に多
大な設備投資も必要とせず、またその量産の為の管理項
目も明確になり、管理許容幅も広く、装置の調整も簡単
になる。
本発明の堆積膜形成法に於いて、使用される堆積膜形成
用の気体状原料物質及び価電子制御剤となる成分を構成
要素として含む気体状物質(D)は、活性化室で放電、
光、熱エネルギー等によつて活性化されるものであり、
気体状ハロゲン系酸化剤と化学反応を起こすものであつ
ても、また起こさないものであつてもよい。目的とする
堆積膜の種類、特性、用途等によつて所望に従つて適宜
選択される。
堆積膜形成用の原料物質とハロゲン系酸化剤が通常状態
の場合に液体又は固体である場合には、Ar,He,H2等のキ
ヤリアーガスを使用し、必要に応じては熱も加えながら
バブリングを行なつて、気体状態として反応空間に導入
する。
また物質(D)が、通常状態の場合に液体又は固体である
場合には、、Ar,He,H2等のキヤリアーガスを使用し、必
要に応じては熱も加えながらバブリングを行なつて気体
状として、活性化空間に導入し物質(D)を放電、光、熱
エネルギー等によつて活性化して後、反応空間に導入す
る。
この際、上記気体状物質(D)から生成した活性種及び、
気体状原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の分圧及び
混合比は、キヤリアーガスの流量あるいは、堆積膜形成
用の原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の蒸気圧を調
節することにより設定される。
本発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては、例えば、半導体性のシリコン系堆積膜やゲルマニ
ウム系堆積膜等のテトラヘドラル系の堆積膜を得るので
あれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状シラン化合物、環状
シラン化合物、鎖状ゲルマニウム化合物等が有効なもの
として挙げることが出来る。
具体的には、直鎖状シラン化合物としてはSinH2n+2（ｎ
＝１，２，３，４，５，６，７，８）、分岐状鎖状シラ
ン化合物としては、SiH3SiH(SiH3)SiH2SiH3、鎖状ゲル
マン化合物としては、GemH2m+2（ｍ＝１，２，３，４，
５）等が挙げられる。これ等の化合物に加えて、例えば
SnH4等の水素化スズを堆積膜形成用の原料物質として一
緒に使用することも出来る。
勿論、これ等のシリコン系化合物及びゲンマニウム系化
合物は１種のみならず２種以上混合して使用することも
出来る。
本発明に於いて使用されるハロゲン系酸化剤は、反応空
間内に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に
導入される堆積膜形成用の気体状原料物質に化学的接触
だけで効果的に酸化作用をする性質を有するもので、
F2,Cl2,Br2,I2等のハロゲンガス、発生期状態の弗素、
塩素、臭素等が有効なものとして挙げることが出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で前記の物質(D)の
活性種及び前記の堆積膜形成用の原料物質の気体と共に
所望の流量と供給圧を与えられて反応空間内に導入され
て、前記物質(D)の活性種及び前記原料物質と混合衝突
し化学反応することで、前記物質(D)の活性種及び、前
記原料物質に酸化作用をして励起状態の前駆体を含む複
数種の前駆体を効率的に生成する。生成される励起状態
の前駆体及び他の前駆体は、少なくともそのいずれか１
つが形成される堆積膜の構成要素の供給源として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になつて、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次
元ネツトワーク構造の堆積膜が作成される。
励起されるエネルギーレベルとしては、前記励起状態の
前駆体がより低いエネルギーレベルにエネルギ遷移す
る、又は別の化学種に変化する過程に於いて発光を伴う
エネルギーレベルであることが好ましい。斯かるエネル
ギーの遷移に発光を伴なう励起状態の前駆体を含め活性
化された前駆体が形成されることで本発明の堆積膜形成
プロセスは、より効率良く、より省エネルギーで進行
し、膜全体に亘つて均一でより良好な物理特性を有する
堆積膜が形成される。
本発明に於いて使用される物質(D)としては、シリコン
系半導体膜及びゲルマニウム系半導体膜の場合には、ｐ
型の価電子制御剤、所謂ｐ型不純物として働く周期率表
第III族Ａの元素、例えばＢ，Al,Ga,In,Tl等を含む化合
物、及びｎ型の価電子制御剤、所謂ｎ型不純物として働
く周期率表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ，Ｐ，As,Sb,Bi等
を含む化合物を挙げることが出来る。
具体的には、NH3,HN3,N2H5N3,N2H4,NH4N3,PH3,P2H4,AsH
3,SbH3,BiH3,B2H6,B4H10,B5H9,B5H11,B6H10,B6H12,Al(C
H3)3,Al(C2H5)3,Ga(CH3)3,In(CH3)3等を有効なものとし
て挙げることが出来る。
上記物質(D)の気体を活性化空間内に導入するには、独
立した複数のガス供給源より導入することができる。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行
し、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可
く、成膜因子としての堆積膜形成用の、原料物質、物質
(D)の活性種及びハロゲン系酸化剤の種類と組み合せ、
これ等の混合比、混合時の圧力、流量、成膜空間内圧、
ガスの流型、成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）が所
望に応じて適宜選択される。これ等の成膜因子は有機的
に関連し、単独で決定されるものではなく相互関連の下
に夫々に応じて決定される。本発明に於いて、反応空間
に導入される堆積膜形成用の気体状原料物質と気体状ハ
ロゲン系酸化剤との量の割合は、上記成膜因子の中関連
する成膜因子との関係に於いて適宜所望に従つて決めら
れるが、導入流量比で、好ましくは、１／２０〜１００
／１が適当であり、より好ましくは１／１０〜５０／１
とされるのが望ましい。
又気体状物質(D)を活性化空間で活性化し反応室間への
導入量の割合は、前記気体状原料物質の種類及び作成さ
れる堆積膜の所望される半導体特性に応じて適宜所望に
従つて設定されるが、前記気体状原料物質に対して、好
ましくは１／１００００００〜１／１０、より好ましく
は１／１０００００〜１／２０、最適には１／１０００
００〜１／５０とされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質及び気体状物質(D)の活性種と前記気体状
ハロゲン系酸化剤との化学的接触を確率的により高める
為には、より高い方が良いが、反応性を考慮して適宜所
望に応じて最適値を決定するのが良い。前記混合時の圧
力としては、上記の様にして決められるが、夫々の導入
時の圧力として、好ましくは１×１０-7気圧〜１０気
圧、より好ましくは１×１０-6気圧〜３気圧とされるの
が望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体(E)及び場合によつて該前駆体
(E)より派生的に生ずる前駆体(F)が成膜プロセスに効果
的に寄与する様に適宜所望に応じて設定される。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の気体状原料物質と
前記物質(D)と気体状ハロゲン系酸化剤との反応空間で
の導入圧及び流量との関連に於いて、例えば差動排気或
いは、大型の排気装置を使用等の工夫を加えて調整する
ことが出来る。
或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になつていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と気体状物質(D)の活性種と気体
状ハロゲン系酸化剤の導入圧力との関係に於いて決めら
れるが、好ましくは、0.001Torr〜１００Torr、より好
ましくは、0.01Torr〜３０Torr、最適には、0.05Torr〜
１０Torrとされるのが望ましい。
更に活性化空間内の圧力は、反応空間の圧力と密接に関
係し、反応空間の内圧以上であることが望ましい。
ガスの流型に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質、物質(D)の活性種及びハロゲン系酸化剤の
導入の際にこれ等が均一に効率良く混合され、前記前駆
体(E)が効率的に生成され且つ成膜が支障なく適切にな
される様に、ガス導入口と基体とガス排気口との幾何学
的配置を考慮して設計される必要がある。この幾何学的
な配置の好適な例の１つが第１図に示される。
成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種類と要求される特性に応じ
て、個々に適宜所望に従つて設定されるが、非晶質の膜
を得る場合には好ましくは室温から４５０℃、より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。殊に半導
体性や光導電性等の特性がより良好なシリコン系堆積膜
を形成する場合には、基体温度（Ｔｓ）は７０〜３５０
℃とされるのが望ましい。また、多結晶の膜を得る場合
には、好ましくは２００〜６５０℃、より好ましくは３
００〜６００℃とされるのが望ましい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体(E)及び前記前駆体(F)が成膜に不適当な化学
種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体(E)が生成され
る様に基体温度（Ｔｓ）との関連で適宜所望に応じて決
められる。
本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性基体
としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、I
r、Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフイルム又はシー
ト、ガラス、セラミツク、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がNiCr、Al、Cr、Mo、Au、I
r、Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pd、In2O3、SnO2、ITO(In2O3+SnO2)等の
薄膜を設ける事によつて導電処理され、或いはポリエス
テルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、
Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、V、Ti、Pt等の金属で真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、
又は前記金属でラミネート処理して、その表面が導電処
理される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等、任意の形状とし得、所望によつて、その形状が
決定される。
基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。
又、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するのが望ま
しい。
第１図は本発明の堆積膜形成法を具現するに好適な装置
の１例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体、排気系及び
ガス供給系価電子制御剤の活性化室の４つに大別され
る。
装置本体には、反応空間及び成膜空間が設けられてい
る。
１０１〜１０８，１２６，１２７は夫々、成膜する際に
使用されるガスが充填されているボンベ、１０１ａ〜１
０８ａ，１２６ａ，１２８ａは夫々ガス供給パイプ、１
０１ｂ〜１０８ｂ，１２６ａ，１２８ａは夫々各ボンベ
からのガスの流量調整用のマスフローコントローラー、
１０１ｃ〜１０８ｃ，１２６ｃ，１２７ｃはそれぞれガ
ス圧力計、１０１ｄ〜１０８ｄ，１２６ｄ，１２７ｄ及
び１０１ｅ〜１０８ｅ，１２６ｅ，１２７ｅは夫々バル
ブ、１０１ｆ〜１０８ｆ，１２６ｆ，１２７ｆは夫々対
応するガスボンベ内の圧力を示す圧力計である。
１２８は活性化室、１２７，１３０は電極、１３１は高
周波電源、１３２は活性種供給パイプライン、１３３は
活性種導入管である。
１２０は真空チヤンバーであつて、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構
造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基体１
１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設けられ
た成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配
管は、四重同心円配置構造となつており、中よりガスボ
ンベ１０１，１０２よりのガスが導入される第１のガス
導入管１０９、ガスボンベ１０３〜１０５よりのガスが
導入される第２のガス導入管１１０、及びガスボンベ１
０６〜１０８よりのガスが導入される第３のガス導入管
１１１、更に活性化室１２８で活性化された活性種が導
入される導入管１３３を有する。
各ガス導入管の反応空間へのガス排出には、その位置が
内側の管になる程基体の表面位置より遠い位置に配され
る設計とされている。即ち、外側の管になる程その内側
にある管を包囲する様に夫々のガス導入管が配設されて
いる。
各導入管への管ボンベからのガスの供給は、ガス供給パ
イプライン１２３〜１２５によつて夫々なされる。活性
種は、活性種導入管１３２によつて活性種導入管１３３
へ供給される。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チヤン
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
基体１１８は基体ホルダー１１２を上下に移動させるこ
とによつて各ガス導入管の位置より適宜所望の距離に設
置される。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所望される特
性、ガス流量、真空チヤンバーの内圧等を考慮して適切
な状態になる様に決められるが、好ましくは、数mm〜２
０cm、より好ましくは、５mm〜１５cm程度とされるのが
望ましい。
１１３は、基体１１８を成膜時に適当な温度に加熱した
り、或いは、成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更
には、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱
ヒータである。
基体加熱用ヒータ１１３は、導線１１４により電源１１
５により電力が供給される。
１１６は、基体温度（Ｔｓ）の温度を測定する為の熱電
対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている。
以下、実施例に従つて、本発明を具体的に説明する。
実施例１ 第１図に堆積膜形成装置を使つて、本発明の堆積膜形成
法で第４図に示す薄膜トランジスター（以下「ＴＦＴ」
という）を作製した。
前記ＴＦＴは、コーニング社製７０５９ガラス４３４、
非晶質シリコン層（第１層厚さ７０００Å）４３３、リ
ンを高濃度にドープした非晶質シリコン層（第２層厚さ
５００Å）４３２、酸化シリコン層（第３層厚さ１００
０Å）４３１、Ａｌ電極４２９から構成されている。
本実施例においては、リンを高濃度にドープした非晶質
シリコン層堆積にあたつて、第１図に示す活性化室１２
８において、ＲＦグロー改電によつて、価電子制御剤PH
3を活性化した後、導入管１３３を通じて、堆積室１２
０にPH3より生じた活性種を導入して、リンを高濃度に
ドープした非晶質シリコン層を堆積した。他の条件は、
第１表に示す条件でＴＦＴに必要な半導体層及び絶縁層
の作製を行つた。
本実施例のＴＦＴは、１０％改善されたｏｎ，ｏｆｆ比
を示した。
実施例２ 第１図に示す堆積膜形成装置において、活性化室１２８
に接続された高周波電源１３１をマイクロ波電源に替え
て、本発明の堆積膜形成法に従つて第５図に示す太陽電
池を作製した。
前記太陽電池は、透明電極を蒸着したコーニングクロガ
ラス５００、Ｐ型の半導体層（第１層厚さ５００Å）５
０１、ｉ型の半導体層（第２層（厚さ１μｍ）５０２、
ｎ型の半導体層（第３層厚さ５００Å）５０３、Ａｌ電
極から構成されている。
第１層および第３層形成時に、価電子制御剤B2H6または
PH3を活性化室１２８で活性化した後、導入管１３３で
堆積膜形成室１２０へ導入しｐ型またはｎ型の第１層お
よび第２層を形成した。他の条件は、第２表に示す条件
で太陽電池に必要な半導体層を形成した。
こうして得られた太陽電池は、これまでの太陽電池より
１０％向上した変換効率を示した。
実施例３ 第１図の堆積膜形成装置において、活性化室１２８を第
２図に示すエキシマレーザーの光エネルギーを利用した
活性化室に交換した。
第２図に示す活性化装置は、活性化室２０１、エキシマ
レーザー２０２、エキシマレーザー照射用窓２０５、及
び第１図のガス供給パイプライン１３４に接続するガス
供給ライン２０３、またガス供給パイプライン１３２に
接続するガス供給ライン２０４から構成されている。
以上の様な光エネルギーを利用した活性化室を有する堆
積膜形成装置を利用して、本発明の堆積膜形成法に従つ
て第６図に示す電子写真用像形成部材を作成した。
第６図に示す前記電子写真用像形成部材は、Ａｌ基本６
００、電荷注入阻止層（第１層、Ｂをドープした非晶質
シリコン層0.5μｍ）６０１、感光層（第２層非晶質シ
リコン層１８μｍ）６０２、表面保護層（第３層非晶質
炭化シリコン層0.5μｍ）６０３から構成されている。
本実施例においては、ホウ素を高濃度にドープした非晶
質シリコン層の堆積にあたつて、第２図に示す活性化室
２０１において、エキシマレーザーによつて、価電子制
御剤B2H6を活性化した後、導入管１３３を通じて堆積室
１２０にB2H6より生じた活性種を導入して、ホウ素を高
濃度にドープした非晶質シリコン層を堆積した。
他の条件は第３表に示す条件で電子写真用像形成部材を
作製した。
このようにして作製した電子写真用像形成部材は、５０
％以上改善された帯電能を示した。
実施例４ 第１図の堆積膜形成装置において、活性化室１２８を第
３図に示す電気炉を有する活性化室に交換した。
第３図に示す活性化装置は、活性化室３０１、電気炉３
０２、第１図のガス供給パイプライン１１３４に接続す
るガス供給ライン３０３、及びガス供給パイプライン１
３２に接続するガス供給ライン３０４から構成されてい
る。
以上の様な、熱エネルギーを利用した活性化室を有する
堆積膜形成装置を利用して、本発明の堆積膜形成法に従
つて第５図に示す太陽電池を作製した。
本実施例の太陽電池の層構成は実施例２と同様である。
本実施例においては、第１層および第３層形成時に、価
電子制御剤PH3、またはB2H6を活性化室３０１で活性化
した後、導入管１３３で堆積膜形成室１２０へ導入し、
ｎ型またはｐ型の第１層および第２層を形成した。他の
条件は第４表に示す条件で太陽電池に必要な半導体層を
形成した。
こうして得られた太陽電池は、これまでの太陽電池より
１２％向上した変換効率を示した。
〔効果〕 以上の詳細な説明及び各実施例より、本発明の堆積膜形
成法によれば、省エネルギー化を計ると同時に膜品質の
管理が容易で大面積に亘つてドーピング効率の良い均一
物理特性の堆積膜が得られる。又、生産性、量産性に優
れ、高品質で電気的、光学的、半導体的等の物理特性に
優れた膜を簡便に得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に用いた成膜装置の模式的概略
図である。第２図、第３図は本発明の実施例に用いた活
性化装置の模式的概略図である。第４図は本発明の実施
例に用いた薄膜トランジスターの模式的概略図である。
第５図は、本発明の実施例に用いた太陽電池の模式的概
略図である。第６図は、本発明の実施例で用いた、電子
写真用像形成部材の模式的概略図である。 １０１〜１０８，１２６，１２７……ガスボンベ、 １０１ａ〜１０８ａ，１２６ａ，１２７ａ……ガスの導
入管、 １０１ｂ〜１０８ｂ，１２６ｂ，１２７ｂ……マスフロ
メーター、 １０１ｃ〜１０８ｃ，１２６ｃ，１２７ｃ……ガス圧力
計、 １０１ｄ〜１０８ｄ，１２６ｄ，１２７ｄ及び １０１ｅ〜１０８ｅ，１２６ｅ，１２７ｅ……バルブ、 １０１ｆ〜１０８ｆ，１２６ｆ，１２７ｆ……圧力計、 １０９，１１０，１１１……ガス導入管、 １３３……活性種導入管、 １１２……基本ホルダー、 １１３……基体加熱用ヒーター、 １１６……基体温度モニター用熱電対、 １１８……基体、 １１９……真空排気バルブ、 １２３〜１２５，１３４……ガス供給パイプライン、 １３２……活性種供給パイプライン、 １２８……活性化室、 １２９，１３０……電極、 １３１……高周波電源、 ２０１，３０１……活性化室、 ２０３，３０３……ガス供給パイプライン、 ２０４，３０４……活性種供給パイプライン、 ２０２……エキシマレーザー ２０５……マド、 ３０２……電気炉、 ４２８……Ａｌ電極（ソース）、 ４２９……Ａｌ電極（ゲート）、 ４３０……Ａｌ電極（ドレイン）、 ４３１……絶縁層、 ４３２……ｎ＋型層 ４３３……ｉ型層、 ４３４……ガラス基板、 ５００……透明電極をコーテイングしたガラス基板、 ５０１……Ｐ型層、 ５０２……感光層、 ５０３……ｎ型層、 ５０４……Ａｌ電極、 ６００……Ａｌ基板、 ６０１……電荷注入阻止層、 ６０２……感光層、 ６０３……表面保護層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/08 １０５ 9223−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/205 31/04

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】堆積膜形成用の気体状原料物質と該原料物
    質に酸化作用をする性質を有する気体状ハロゲン系酸化
    剤とを各々別々に反応空間に導入して、化学反応によつ
    て堆積膜を形成する方法に於いて、価電子制御剤を生成
    する気体状物質(D)を活性化空間であらかじめ活性化し
    て活性種を生成し該活性種を反応空間に導入してドーピ
    ングされた堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形
    成法。
  2. 【請求項２】生成時に発光を伴う特許請求の範囲第１項
    に記載の堆積膜形成法。
  3. 【請求項３】前記気体状原料物質は、鎖状シラン化合物
    である特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  4. 【請求項４】前記鎖状シラン化合物は、直鎖状シラン化
    合物である特許請求の範囲第３項に記載の堆積膜形成
    法。
  5. 【請求項５】前記直鎖状シラン化合物は、一般式SinH
    2n+2（ｎは１〜８の整数）で示される特許請求の範囲第
    ４項に記載の堆積膜形成法。
  6. 【請求項６】前記鎖状シラン化合物は、分岐状鎖状シラ
    ン化合物である特許請求の範囲第３項に記載の堆積膜形
    成法。
  7. 【請求項７】前記気体状原料物質は、硅素の環状構造を
    有するシラン化合物である特許請求の範囲第１項に記載
    の堆積膜形成法。
  8. 【請求項８】前記気体状原料物質は、鎖状ゲルマン化合
    物である特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  9. 【請求項９】前記鎖状ゲルマン化合物は、一般式GemH
    2m+2（ｍは１〜５の整数）で示される特許請求の範囲第
    ８項に記載の堆積膜形成法。
  10. 【請求項１０】前記気体状原料物質は、水素化スズ化合
    物である特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  11. 【請求項１１】前記気体状原料物質は、テトラヘドラル
    系化合物である特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形
    成法。
  12. 【請求項１２】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲ
    ンガスを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  13. 【請求項１３】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガ
    スを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  14. 【請求項１４】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガ
    スを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  15. 【請求項１５】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原
    子を構成成分として含むガスである特許請求の範囲第１
    項に記載の堆積膜形成法。
  16. 【請求項１６】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期
    状態のハロゲンを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆
    積膜形成法。
  17. 【請求項１７】前記基体は、前記気体状原料物質と前記
    気体状ハロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に
    対して対向する位置に配設される特許請求の範囲第１項
    に記載の堆積膜形成法。
  18. 【請求項１８】前記気体状原料物質と前記気体状ハロゲ
    ン系酸化剤は前記反応空間へ、多重管構造の輸送管から
    導入される特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  19. 【請求項１９】前記気体状物質(D)が周期律表の３Ａ族
    の元素を含有している特許請求の範囲第１項に記載の堆
    積膜形成法。
  20. 【請求項２０】前記気体状物質(D)が、ジボラン(B
    2H6)、フツ化ホウ素(BF3)、である特許請求の範囲第１
    項に記載の堆積膜形成法。
  21. 【請求項２１】前記気体状物質(D)が周期律表の５Ａ族
    の元素を含有している特許請求の範囲第１項に記載の堆
    積膜形成法。
  22. 【請求項２２】前記気体状物質(D)がフオスフイン(PH3)
    ５フツ化リン(PF5)、アルシン(AsH3)である特許請求の
    範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  23. 【請求項２３】前記気体状物質(D)をＨ2,He,Ne,Ar,Kr X
    e,Rnの内少なくとも１種類のガスで、希釈釈して、活性
    化空間に導入する特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜
    形成法。
  24. 【請求項２４】前記活性化空間における活性化方法とし
    て、放電、光、熱エネルギーを利用する特許請求の範囲
    第１項に記載の堆積膜形成法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01183111A (ja) * 1988-01-18 1989-07-20 Seiko Epson Corp 多結晶シリコン薄膜の製造方法
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
CN1076717C (zh) * 1994-07-09 2001-12-26 山东大学 钛酸镁薄膜的制备方法
CN1064416C (zh) * 1996-05-02 2001-04-11 上海石油化工股份有限公司 可染细旦聚丙烯纤维的制造方法
US5876503A (en) * 1996-11-27 1999-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions
US6329270B1 (en) * 1997-03-07 2001-12-11 Sharp Laboratories Of America, Inc. Laser annealed microcrystalline film and method for same
US9920844B2 (en) 2014-11-26 2018-03-20 Lam Research Corporation Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path
US9631276B2 (en) * 2014-11-26 2017-04-25 Lam Research Corporation Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition
US11661654B2 (en) 2018-04-18 2023-05-30 Lam Research Corporation Substrate processing systems including gas delivery system with reduced dead legs

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US2552626A (en) * 1948-02-17 1951-05-15 Bell Telephone Labor Inc Silicon-germanium resistor and method of making it
US3083550A (en) * 1961-02-23 1963-04-02 Alloyd Corp Process of coating vitreous filaments
US3188230A (en) * 1961-03-16 1965-06-08 Alloyd Corp Vapor deposition process and device
US3203827A (en) * 1962-06-26 1965-08-31 Union Carbide Corp Chromium plating process
US3224912A (en) * 1962-07-13 1965-12-21 Monsanto Co Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of ii-vi compounds
US3218204A (en) * 1962-07-13 1965-11-16 Monsanto Co Use of hydrogen halide as a carrier gas in forming ii-vi compound from a crude ii-vicompound
US3306768A (en) * 1964-01-08 1967-02-28 Motorola Inc Method of forming thin oxide films
US3466191A (en) * 1966-11-07 1969-09-09 Us Army Method of vacuum deposition of piezoelectric films of cadmium sulfide
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
US3655429A (en) * 1969-04-16 1972-04-11 Westinghouse Electric Corp Method of forming thin insulating films particularly for piezoelectric transducers
US3664866A (en) * 1970-04-08 1972-05-23 North American Rockwell Composite, method for growth of ii{11 {14 vi{11 {0 compounds on substrates, and process for making composition for the compounds
US3870558A (en) * 1971-08-17 1975-03-11 Tokyo Shibouro Electric Co Ltd Process for preparing a layer of compounds of groups II and VI
US3984587A (en) * 1973-07-23 1976-10-05 Rca Corporation Chemical vapor deposition of luminescent films
US3888705A (en) * 1973-12-19 1975-06-10 Nasa Vapor phase growth of groups iii-v compounds by hydrogen chloride transport of the elements
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
US4180596A (en) * 1977-06-30 1979-12-25 International Business Machines Corporation Method for providing a metal silicide layer on a substrate
GB2038883B (en) * 1978-11-09 1982-12-08 Standard Telephones Cables Ltd Metallizing semiconductor devices
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
US4239811A (en) * 1979-08-16 1980-12-16 International Business Machines Corporation Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane-nitrous oxide reaction
EP0040939B1 (en) * 1980-05-27 1985-01-02 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Manufacture of cadmium mercury telluride
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
SE451353B (sv) * 1980-09-09 1987-09-28 Energy Conversion Devices Inc Fotokensligt, amorft flercellsdon
JPS5767938A (en) * 1980-10-16 1982-04-24 Canon Inc Production of photoconductive member
US4357179A (en) * 1980-12-23 1982-11-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for producing devices comprising high density amorphous silicon or germanium layers by low pressure CVD technique
US4421592A (en) * 1981-05-22 1983-12-20 United Technologies Corporation Plasma enhanced deposition of semiconductors
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
US4359490A (en) * 1981-07-13 1982-11-16 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide
JPS6053745B2 (ja) * 1981-07-31 1985-11-27 アルバツク成膜株式会社 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法
JPS5833829A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜形成装置
US4652463A (en) * 1982-03-29 1987-03-24 Hughes Aircraft Process for depositing a conductive oxide layer
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
JPS58188129A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Ricoh Co Ltd 非晶質半導体の製造方法
US4462847A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition
JPS5911620A (ja) * 1982-07-12 1984-01-21 Ricoh Co Ltd 非晶質半導体の製造方法
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4517223A (en) * 1982-09-24 1985-05-14 Sovonics Solar Systems Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4515107A (en) * 1982-11-12 1985-05-07 Sovonics Solar Systems Apparatus for the manufacture of photovoltaic devices
JPS59119359A (ja) * 1982-12-27 1984-07-10 Canon Inc 電子写真用光導電部材
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
JPS6026664A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
JPS6043819A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相反応方法
US4637938A (en) * 1983-08-19 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of using selective optical excitation in deposition processes and the detection of new compositions
US4526809A (en) * 1983-10-19 1985-07-02 University Of Delaware Process and apparatus for formation of photovoltaic compounds
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
US4645689A (en) * 1984-02-17 1987-02-24 At&T Bell Laboratories Deposition technique
JPS60243663A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Kyocera Corp 電子写真感光体
US4595601A (en) * 1984-05-25 1986-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of selectively forming an insulation layer
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
JPH07101751B2 (ja) * 1985-03-28 1995-11-01 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPH0647730B2 (ja) * 1985-12-25 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法

Also Published As

Publication number Publication date
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CN1018659B (zh) 1992-10-14
AU6664586A (en) 1987-07-02
EP0228870B1 (en) 1992-01-08
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CN86108685A (zh) 1987-07-29
CA1315616C (en) 1993-04-06
AU586525B2 (en) 1989-07-13
US4822636A (en) 1989-04-18

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