JPH0647730B2 - 堆積膜形成法 - Google Patents

堆積膜形成法

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JPH0647730B2
JPH0647730B2 JP60295303A JP29530385A JPH0647730B2 JP H0647730 B2 JPH0647730 B2 JP H0647730B2 JP 60295303 A JP60295303 A JP 60295303A JP 29530385 A JP29530385 A JP 29530385A JP H0647730 B2 JPH0647730 B2 JP H0647730B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス、電子写真用
の感光デバイス、光学的画像入力装置用の光入力センサ
ーデバイス等の電子デバイスの用途に有用な機能性堆積
膜の形成法に関する。
〔従来の技術〕
従来、機能成膜、殊に非晶質乃至多結晶質の半導体膜
は、所望される物理的特性や用途等の観点から個々に適
した成膜方法が採用されている。
例えば、必要に応じて、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子
（Ｘ）等の補償剤で不対電子が補償された非晶質や多結
晶質の非単結晶シリコン（以後「ＮＯＮ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）」と略記し、その中でも殊に非晶質シリコンを示す
場合には「Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」、多結晶質シリコンを
示す場合には「ｐｏｌｙ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と記す）膜
等のシリコン系堆積膜（尚、俗に言う微結晶シリコン
は、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の範疇にはいることは断るまで
もない）の形成には、真空蒸着法，プラズマＣＶＤ法，
熱ＣＶＤ法，反応スパツタリング法，イオンプレーテイ
ング法，光ＣＶＤ法などが試みられており、一般的に
は、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化されてい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
而乍ら、従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法に
よるシリコン系堆積膜の形成に於いての反応プロセス
は、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その
反応構成も不明な点が少なくない。又、その堆積膜の形
成パラメーターも多く（例えば、基体温度，導入ガスの
流量と比，形成時の圧力、高周波電力，電極構造，反応
容器の構造，排気の速度，プラズマ発生方式など）、こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、
装置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければな
らず、したがって製造条件を一般化することがむずかし
いというのが実状であった。
他方、シリコン系堆積膜として電気的、光学的特性を各
用途毎に十分に満足させ得るものを発現させるために
は、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが
最良とされている。
而乍ら、シリコン系堆積膜の応用用途によっては、大面
積化、膜厚均一性，膜品質の均一性を十分満足させて、
再現性のある量産化を図らねばならないため、プラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン系堆積膜の形成においては、量
産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の
為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭く、装置の
調整も微妙であることから、これらのことが、今後改善
すべき問題点として指摘されている。
又、プラズマＣＶＤ法の場合には、成膜される基体の配
されている成膜空間に於いて高周波或いはマイクロ波等
によって直接プラズマを生成している為に、発生する電
子や多数のイオン種が成膜過程に於いて膜にダメージを
与え膜品質の低下、膜品質の不均一化の要因となってい
る。
この点の改良として提案されている方法には、直接プラ
ズマＣＶＤ法がある。
該間接プラズマＣＶＤ法は、主堆積膜形成物質を成膜空
間から離れた上流位置にてマイクロ波等によって主堆積
膜形成物質の活性種を生成し、該活性種を成膜空間まで
輸送することで、成膜に使用出来る様に計ったものであ
る。
而乍ら、斯かるプラズマＣＶＤ法でも、活性種の輸送が
必須であることから、成膜に有効な活性種の寿命が長く
なればならず、自ずと、使用するガス種が制限され、種
々の堆積膜が得られないこと、及びプラズマを発生する
為に多大なエネルギーを要すること、成膜に有効な化学
種の生成及び量が簡便な管理下に本質的に置かれないこ
と等の問題点は残積している。
プラズマＣＶＤ法に対して、光ＣＶＤ法は、成膜時と膜
品質にダメージを与えるイオン種や電子が発生しないと
いう点で有利ではあるが、光源にそれ程多くの種類がな
いこと、光源の波長も紫外に片寄っていること、工業化
する場合には大型の光源とその電源を要すること、光源
からの光を成膜空間に導入する窓が成膜時に被膜されて
仕舞う為に成膜中に光量の低下、強いては、光源からの
光が成膜空間に入射されなくなるという問題点がある。
更にプラズマＣＶＤ法におけるイオンダメージの問題
や、光ＣＶＤ法における光入射窓のくもりといった問題
のない新規な堆積膜形成法として、堆積膜形成用の気体
状原料物質と該原料物質に酸化作用をする性質を有する
気体状ハロゲン酸化剤とを化学反応させ、堆積膜を形成
する方法が注目されているが、該形成法は、禁制帯幅調
製剤による禁制帯幅の調整に対して、一層の改善が望ま
れている。
上述の如く、シリコン系堆積膜の形成に於ては、解決さ
れるべき点は、まだまだ残っており、その実用可能な特
性、均一性を維持させながら低コストな装置で省エネル
ギー化を計って量産化できる形成方法を開発することが
切望されている。殊に禁制帯幅調整剤を添加しながらの
半導成膜する場合に、上記要求の度合は高い。
〔目的〕
本発明の目的は、上述した堆積膜形成法の欠点を除去す
ると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形
成法を提供するものである。
本発明の他の目的は、省エネルギー化を計ると同時に膜
品質の管理が容易で大面積に亘って均一特性の禁制帯幅
調整剤が添加された半導体性の堆積膜が得られる堆積膜
形成法を提供するものである。
本発明の更に別の目的は、生産性，量産性に優れ、高品
質で電気的，光学的，半導体的等の物理特性に優れた膜
が簡便に得られる堆積膜形成法を提供することでもあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成する本発明の堆積膜形成法は、堆積膜形
成用の気体状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする
性質を有する気体状ハロゲン系酸化剤とを、各々別々に
反応空間内に導入して化学反応させて堆積膜を形成する
方法に於いて、禁制帯幅調整剤を生成する気体状物質
（Ｂ）を活性化空間であらかじめ活性化して活性種とし
て反応空間に導入し、成膜空間内にある基体上に禁制帯
幅調整剤が添加された堆積膜を形成することを特徴とす
る。
〔作用〕
上記の本発明の堆積膜形成法によれば、省エネルギー化
と同時に大面積化，膜厚均一性，膜品質の均一性を十分
満足させて管理の簡素化と量産化を図り、量産装置に多
大な設備投資も必要とせず、またその量産の為の管理項
目も明確になり、管理許容幅も広く、装置の調整も簡単
になる。
本発明の堆積膜形成法に於いて、使用される堆積膜形成
用の気体状原料物質及び禁制帯幅調整剤となる成分を構
成要素として含む気体状物質（Ｂ）は、活性化室で改
電、光、熱エネルギー等によって活性化されるものであ
り、気体状ハロゲン系酸化剤と化学反応を起こすもので
あっても、また起こさないものであってもよい。目的と
する堆積膜の種類，特性，用途等によって所望に従って
適宜選択される。
堆積膜形成用の原料物質とハロゲン系酸化剤が通常状態
の場合に液体又は固体である場合には、Ａｒ，Ｈｅ，Ｈ
２等のキヤリアーガスを使用し、必要に応じては熱も加
えながらバブリングを行なって、気体状態として、反応
空間に導入する。
また物質（Ｂ）が、通常状態の場合に液体又は固体であ
る場合には、Ａｒ，Ｈｅ，Ｈ２等のキヤリアーガスを使
用し、必要に応じては熱も加えながらバブリングを行な
って気体状として、活性化空間に導入し物質（Ｂ）を改
電、光、熱エネルギー等によって、活性化して後、反応
室間に導入する。
この際、上記気体状物質（Ｂ）から生成した活性種及
び、気体状原料物質、及び気体状ハロゲン系酸化剤の分
圧及び混合比は、キヤリアーガスの流量あるいは、堆積
膜形成用の原料物質及び気体状ハロゲン系酸化剤の蒸気
圧を調節することにより設定される。
本発明に於いて使用される堆積膜形成用の原料物質とし
ては、例えば、半導体性のシリコン系堆積膜の堆積膜を
得るのであれば、直鎖状、及び分岐状の鎖状シラン化合
物、環状シラン化合物、等が有効なものとして挙げるこ
とが出来る。
具体的には、直鎖状シラン化合物としては、ＳｉｎＨ
２ｎ＋２（ｎ＝１，２，３，４，５，６，７，８）、分
岐状鎖状シラン化合物としてはＳｉＨ３ＳｉＨ（ＳｉＨ
３）ＳｉＨ２ＳｉＨ３等が挙げられる。
勿論、これ等のシリコン系化合物は１種のみならず２種
以上混合して使用することも出来る。
本発明に於いて使用される禁制帯幅拡大元素を生成する
物質（Ｂ）としては、炭素含有化合物、酸素含有化合
物、窒素含有化合物を挙げることができる。
具体的には、炭素含有化合物としては、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ
６，Ｃ３Ｈ８，Ｃ４Ｈ10等の一般式ＣｎＨ２ｎ＋１（ｎ
は自然数）で表わされる化合物、Ｃ２Ｈ４，Ｃ３Ｈ６，
Ｃ４Ｈ８……等の一般式ＣｎＨ２ｎ（ｎは自然数）で表
わされる化合物、Ｃ２Ｈ２，Ｃ６Ｈ６等の化合物を挙げ
ることができる。酸素含有化合物としては、Ｏ２，ＣＯ
２，ＮＯ，ＮＯ２，Ｎ２Ｏ，Ｏ３，ＣＯ，Ｈ２Ｏ，ＣＨ
３ＯＨ，ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ等の化合物を挙げることがで
きる。窒素含有化合物としては、Ｎ２，ＮＨ３，Ｎ２Ｈ
５Ｎ３，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ４Ｎ３等を挙げることができ
る。
本発明に於いて使用される禁制帯幅縮小元素を生成する
物質（Ｂ）としては、例えば、鎖状ゲルマニウム化合
物，スズ化合物等が有効なものとして挙げることが出来
る。
具体的には、鎖状ゲルマニウム化合物としては、Ｇｅｍ
Ｈｍ＋２（ｍ＝１，２，３，４，５）等が挙げられる。
スズ化合物としては、例えばＳｎＨ４等の水素化スズを
挙げることができる。
本発明に於いて使用されるハロゲン系酸化剤は、反応空
間内に導入される際気体状とされ、同時に反応空間内に
導入される堆積膜形成用の気体状原料物質に化学的接触
だけで効果的に酸化作用をする性質を有するもので、Ｆ
２，Ｃｌ２，Ｂｒ２，Ｉ２等のハロゲンガス、発生期状
態の弗素，塩素，臭素等が有効なものとして挙げること
が出来る。
これ等のハロゲン系酸化剤は気体状で、前記の物質
（Ｂ）の活性種及び前記の堆積膜形成用の原料物質の気
体と共に所望の流量と供給圧を与えられて反応空間内に
導入されて前記物質（Ｂ）の活性種及び、前記原料物質
と混合衝突し化学反応することで、前記物質（Ｂ）の活
性種及び、前記原料物質に酸化作用をして励起状態の前
駆体を含む複数種の前駆体を効率的に生成する。生成さ
れる励起状態の前駆体及び他の前駆体は、少なくともそ
のいずれか１つが形成される堆積膜の構成要素の供給源
として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次
元ネツトワーク構造の堆積膜が作成される。
励起されるエネルギーレベルとしては、前記励起状態の
前駆体がより低いエネルギーレベルにエネルギ遷移す
る、又は別の化学種に変化する過程に於いて発光を伴う
エネルギーレベルであることが好ましい。斯かるエネル
ギーの遷移に発光を伴なう励起状態の前駆体を含め活性
化された前駆体が形成されることで本発明の堆積膜形成
プロセスは、より効率良く、より省エネルギーで進行
し、膜前面に亘って均一でより良好な物理特性を有する
堆積膜が形成される。
上記物質（Ｂ）の気体を活性化空間内に導入するには、
独立した複数のガス供給源より導入することができる。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行
し、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可
く、成膜因子としての堆積膜形成用の、原料物質、物質
（Ｂ）の活性種及びハロゲン系酸化剤の種類と組み合
せ、これ等の混合比、混合時の圧力，流量，成膜空間内
圧，ガスの流型，成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）
が所望に応じて適宜選択される。これ等の成膜因子は有
機的に関連し、単独で決定されるものではなく相互間連
の下に夫々に応じて決定される。本発明に於いて、反応
空間に導入される堆積膜形成用の気体状原料物質と気体
状ハロゲン系酸化剤との量の割合は、上記成膜因子の中
関連する成膜因子との関係に於いて適宜所望に従って決
められるが、導入流量比で、好ましくは、１／２０〜１
００／１が適当であり、より好ましくは１／１０〜５０
／１とされるのが望ましい。
又気体状物質（Ｂ）を活性化空間で活性化し反応空間へ
の導入量の割合は、前記気体状原料物質の種類及び作成
される堆積膜の所望される半導体特性に応じて適宜所望
に従って設定されるが、前記気体状原料物質に対して、
好ましくは１／１００〜５００／１、より好ましくは１
／１００〜１００／１、最適には１／９０〜１００／１
とされるのが望ましい。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質及び気体状物質（Ｂ）の活性種と前記気体
状ハロゲン系酸化剤との化学的接触を確率的により高め
る為には、より高い方が良いが、反応性を考慮して適宜
所望に応じて最適値を決定するのが良い。前記混合時の
圧力としては、上記の様にして決められるが、夫々の導
入時の圧力として、好ましくは１×10-7気圧〜１０気
圧、より好ましくは１×10-6気圧〜３気圧とされるのが
望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆
体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｆ）が成膜プロセ
スに効果的に寄与する様に適宜所望に応じて設定され
る。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の基体状原料物質と
前記物質（Ｂ）と気体状ハロゲン系酸化剤との反応空間
での導入圧及び流量との関連に於いて、例えば差動排気
或いは、大型の排気装置の使用等の工夫を加えて調整す
ることが出来る。
或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と気体状物質（Ｂ）の活性種と気
体状ハロゲン酸化剤の導入圧力との関係に於いて決めら
れるが、好ましくは０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒ
ｒ，より好ましくは０．０１Ｔｏｒｒ〜３０Ｔｏｒｒ，
最適には０．０５Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒとされるのが
望ましい。
更に活性化空間内の圧力は、反応空間の圧力と密接に関
係し、反応空間の内圧以上であることが望ましい。
本発明に於いては、価電子制御剤を生成する気体状物質
（Ｄ）を添加しても良い。
前記物質（Ｄ）は、物質（Ｄ）の反応性を考え、前記堆
積膜形成用の気体状原料物質、前記ハロゲン系酸化剤ま
たは前記禁制帯幅調製剤を生成する気体状物質（Ｂ）の
いずれに混合されて前記成膜空間に導入されても良く、
または、他と独立に前記成膜空間に導入されても良い。
さらに前記物質（Ｄ）は、前記物質（Ｂ）の活性化室と
は別の活性化室で活性化されて前記成膜空間に導入され
てもよい。
本発明に於いて使用される物質（Ｄ）としては、シリコ
ン系半導体膜及びゲルマニウム系半導体膜の場合には、
ｐ型の価電化制御剤、所望ｐ型不純物として働く周期率
表第III族Ａの元素、例えばＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｌ等を含む化合物、及びｎ型の価電子制御剤、所望ｎ型
不純物として働く周期率表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ，
Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等を含む化合物を挙げることが出
来る。
具体的には、ＮＨ３，ＨＮ３，Ｎ２Ｈ５Ｎ３，Ｎ
２Ｈ４，ＨＮ４Ｎ３，ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４，ＡｓＨ３，Ｓ
ｂＨ３，ＢｉＨ３，Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ10，Ｂ５Ｈ９，Ｂ
５Ｈ11，Ｂ６Ｈ10，Ｂ６Ｈ12，Ａｌ（ＣＨ３）３， Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３，Ｇａ（ＣＨ３）３， Ｉｎ（ＣＨ３）３等を有効なものとして挙げることが出
来る。
これら価電子制御剤は、多量に添加した場合、禁制帯調
製剤として働いても良い。
上記物質（Ｄ）の気体を反応空間に導入するには、独立
した複数のガス供給源より導入することができる。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行
し、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可
く、成膜因子としての堆積膜形成用の、原料物質、物質
（Ｂ）の活性種、物質（Ｄ）及びハロゲン系酸化剤の種
類と組み合せ、これ等の混合比、混合時の圧力，流量，
成膜空間内圧，ガスの流型，成膜温度（基体温度及び雰
囲気温度）が所望に応じて適宜選択される。これ等の成
膜因子は有機的に関連し、単独で決定されるものではな
く相互間連の下に夫々に応じて決定される。
基体状物質（Ｄ）の導入量の割合は、前記気体状原料物
質の種類及び作成される堆積膜の所望される半導体特性
に応じて適宜所望に従って設定されるが、前記気体状原
料物質に対して、好ましくは１／１００００００〜１／
１０、より好ましくは１／０００００〜１／２０、最適
には１／１０００００〜１／５０とされるのが望まし
い。
反応空間に導入される際の混合時の圧力としては前記気
体状原料物質、物質（Ｂ）の活性種、及び気体状物質
（Ｄ）と前記気体状ハロゲン系酸化剤との化学的接触を
確率的により高める為には、より高い方が良いが、反応
性を考慮して適宜所望に応じて最適値を決定するのが良
い。前記混合時の圧力としては、上記の様にして決めら
れるが、夫々の導入時の圧力として、好ましくは１×10
-7気圧〜１０気圧、より好ましくは１×10-6気圧〜３気
圧とされるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状態の前駆体（Ｅ）及び場合によって該前駆
体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｆ）が成膜プロセ
スに効果的に寄与する様に適宜所望に応じて設定され
る。
成膜空間の内圧力は、成膜空間が反応空間と開放的に連
続している場合には、堆積膜形成用の気体状原料物質と
物質（Ｂ）の活性種と前記物質（Ｄ）と気体状ハロゲン
系酸化剤との反応空間での導入圧及び流量との関連に於
いて、例えば差動排気或いは、大型の排気装置の使用等
の工夫を加えて調整することが出来る。
或いは、反応空間と成膜空間の連結部のコンダクタンス
が小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け、
該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調整
することが出来る。
又、反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位置が空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動排気するか或いは、排気能力の充分ある大型の
排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応空間に導入
される気体状原料物質と物質（Ｂ）の活性種と気体状物
質（Ｄ）と気体状ハロゲン系酸化剤の導入圧力との関係
に於いて決められるが、好ましくは０．００１Ｔｏｒｒ
〜１００Ｔｏｒｒ，より好ましくは０．０１Ｔｏｒｒ〜
３０Ｔｏｒｒ，最適には０．０５Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒ
ｒとされるのが望ましい。
更に、物質（Ｄ）を物質（Ｄ）専用の活性化室で活性化
を行う場合、該活性化室の内圧は、反応空間の内圧と密
接に関係し反応空間の内圧以上であることが望ましい。
ガスの流量に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質、物質（Ｂ）の活性種及びハロゲン系酸化剤
の導入の際にこれ等が均一に効率良く混合され、前記前
駆体（Ｅ）が効率的に生成され且つ成膜が支障なく適切
になされる様に、ガス導入口と基体とガス排気口との幾
何学的配置を考慮して設計される必要がある。この幾何
学的な配置の好適な例の１つが第１図に示される。
成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じ
て、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜
を得る場合には好ましくは室温から４５０℃、より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。殊に半導
体性や光導電性等の特性がより良好なシリコン系結晶質
の堆積膜を形成する場合には、基体温度（Ｔｓ）は７０
〜３５０℃とされるのが望ましい。また、多結晶の膜を
得る場合には、好ましくは２００〜６５０℃、より好ま
しくは３００〜６００℃とされるのが望ましい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｆ）が成膜に不適当
な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が
生成される様に基体温度（Ｔｓ）との関連で適宜所望に
応じて決められる。
本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフイルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性基体は、好適には少なくともその一方の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋Ｓ
ｎＯ２）等の薄膜を設ける事によって導電処理され、或
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処
理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面が
導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等、任意の形状とし得、所望によって、その
形状が決定される。
基体は、基体と膜との密着性及び反応性を考慮して上記
の中より選ぶのが好ましい。更に両者の熱膨張の差が大
きいと膜中に多量の歪が生じ、良品質の膜が得られない
場合があるので、両者の熱膨張の差が近接している基体
を選択して使用するのが好ましい。
又、基体の表面状態は、膜の構造（配向）や錐状組織の
発生に直接関係するので、所望の特性が得られる様な膜
構造と膜組織となる様に基体の表面を処理するのが望ま
しい。
第１図は本発明の堆積膜形成法を具現するに好適な装置
の１例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体、排気系及び
ガス供給系物質（Ｂ）活性化室の４つに大別される。
装置本体には、反応空間及び成膜空間が設けられてい
る。
１０１〜１０８，１２６，１２７は夫々、成膜する際に
使用されるガスが充填されているボンベ、１０１ａ〜１
０８ａ，１２６ａ，１２８ａは夫々ガス供給パイプ、１
０１ｂ〜１０８ｂ，１２６ａ，１２８ａは夫々各ボンベ
からのガスの流量調整用のマスフローコントローラー、
１０１ｃ〜１０８ｃ，１２６ｃ，１２７ｃはそれぞれガ
ス圧力計、１０１ｄ〜１０８ｄ，１２６ｄ，１２７ｄ及
び１０１ｅ〜１０８ｅ，１２６ｅ，１２７ｅは夫々バル
ブ、１０１ｆ〜１０８ｆ，１２６ｆ，１２７ｆは夫々対
応するガスボンベ内の圧力を示す圧力計である。
１２８は活性化室、１２８、１３０は電極、１３１は高
周波電源、１３２は活性種供給パイプライン、１３３は
活性種導入管である。
１２０は真空チヤンバーであって、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の下流に反応空間が形成される構
造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基体１
１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設けられ
た成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用の配
管は、四重同心円配置構造となっており、中よりガスボ
ンベ１０１，１０２よりのガスが導入される第１のガス
導入管１０９、ガスボンベ１０３〜１０５よりのガスが
導入される第２のガス導入管１１０、及びガスボンベ１
０６〜１０８よりのガスが導入される第３のガス導入管
１１１を有する。更に活性化室１２８で活性化された活
性種が導入される導入管１３３を有する。
各ガス導入管の反応空間へのガス排出には、その位置が
内側の管になる程基体の表面位置より遠い位置に配され
る設計とされている。即ち、外側の管になる程その内側
にある管を包囲する様に夫々のガス導入管が配設されて
いる。
各導入管への管ボンベからのガスの供給は、ガス供給パ
イプライン１２３〜１２５によって夫々なされる。活性
種は、活性種導入管１３２によって活性種導入管１３３
へ供給される。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チヤン
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
基体１１８は基体ホルダー１１２を上下に移動させるこ
とによって各ガス導入管の位置より適宜所望の距離に設
置される。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所望される特
性，ガス流量，真空チヤンバーの内圧等を考慮して適切
な状態になる様に決められるが、好ましくは、数ｍｍ〜
２０ｃｍ、より好ましくは、５ｍｍ〜１５ｃｍ程度とさ
れるのが望ましい。
１１３は、基体１１８を成膜時に適当な温度に加熱した
り、或いは、成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更
には、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱
ヒータである。
基体加熱ヒータ１１３は、導線１１４により電源１１５
により電力が供給される。
１１６は、基体温度（Ｔｓ）の温度を測定する為の熱電
対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている。
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。
実施例１ 第１図の堆積膜形成装置を使って、本発明の堆積膜形成
法で第４図に示す電子写真感光体を作製した。
前記電子写真用感光体（第４図）は、Ａｌ基体４００，
電荷注入素子層（第１層、Ｐ＋型Ａ−Ｓｉ：Ｈ層５μ
ｍ）４０１，感光層（第２層，ドープされていないＡ−
Ｓｉ：Ｈ層１８μｍ）４０２，表面保護層（第３層，Ａ
−ＳｉＣＨ層０．５μｍ）から構成されている。
本実施例の第１表の条件で作製した電子写真用感光体の
作製手順を第１図に従って、詳細に述べる。
Ａｌ基体１１８を真空チヤンバー１２０内に設置し、基
体加熱用ヒーター１１３により２８０℃に加熱した。Ａ
ｌ基体温度が２８０℃で一定になった後シランガスボン
ベ１０１からシランガス１０ｓｃｃｍ，ヘリウムで１０
％に希釈したフツ素ガスボンベ１０３からヘリウムとフ
ツ素の混合ガス１００ｓｃｃｍを導入管１２３，１２４
を介して真空チヤンバー１２０内に導入し、又ジボラン
をヘリウムで１０００ｐｐｍに希釈したガスボンベ１０
６からジボランとヘリウムの混合ガスを導入管１１１を
介して真空チヤンバー１２０へ０．８ｓｃｃｍ導入し、
さらに、一酸化窒素ボンベ１２６から一酸化窒素ガスを
活性化室１２８へ０．８ｓｃｃｍ導入し、活性化室で高
周波電源１３１からの電力５０Ｗで一酸化窒素を活性化
し、導入管１３３を介して活性種を真空チヤンバー１２
０へ導入した。
このようにして真空チヤンバー１２０に導入したガスの
化学反応によって、Ａｌ基体１１８上に第１層を５μｍ
堆積した。
第１層を５μｍ堆積した後、ジボラン及び一酸化窒素を
止め、シランガスおよびヘリウムで希釈したフツ素ガス
の流量をそれぞれ４０ｓｃｃｍ，４００ｓｃｃｍとして
導入ガスの化学反応によって第２層を１８μｍ堆積し
た。その後、シランガスの流量を１ｓｃｃｍとし、ヘリ
ウムガスで希釈したフツ素ガスの流量を１０ｓｃｃｍと
して、さらにメタンガスボンベ１２７からメタンガスを
活性化室１２８へ１００ｓｃｃｍ導入し、高周波電力５
０Ｗでメタンガスを活性化して真空チヤンバー１２０へ
導入した。
このようにして導入したガスの化学反応によって第３層
を０．５μｍ堆積した。
以上のようにして形成した電子写真用感光体の電子写真
特性を測定したところ従来と比較して帯電能で３０％，
感度で１０％向上していた。
実施例２ 第１図の堆積膜形成装置において、活性化室１２８を第
２図に示すエキシマレーザの光エネルギーを利用した活
性化室に交換した。
第２図に示す活性化室は、活性化室２０１，エキシマレ
ーザ２０２，エキシマレーザー照射用窓２０５，及び第
１図のガス供給パイプライン１３４に接続するガス供給
ライン２０３，またガス供給パイプライン１３２に接続
するガス供給ライン２０４から構成されている。
以上の様な光エネルギーを利用した活性化室を有する堆
積膜形成装置を利用して、本発明の堆積膜形成法に従っ
て、第５図に示す太陽電池を作製した。
該太陽電池は、透明電極の蒸着されたコーニング社製７
０５９ガラス５００，Ｐ型非晶質シリコン層（第１層，
２００Å）、ドーピングされていない非晶質シリコン層
（第２層，７０００Å）、ｎ型非晶質シリコン層（第３
層，２００Å）、Ａｌ電極５０４から構成されている。
堆積膜形成に際して、実施例１のメタンガスボンベをエ
チレンガスボンベに、また一酸化チツ素ボンベをヘリウ
ムで１００ｐｐｍに希釈したジボランボンベに替えて堆
積膜を形成した。
エチレンとジボランは混合して光エネルギーを利用した
活性化室に導入し活性化した後、真空チヤンバー１２０
へ導入した。他は、第２表の条件で、実施例１と同様に
行った。以上のようにして形成した太陽電池の交換効率
は、従来の太陽電池よりも、１０％向上していた。
実施例３ 第１図の堆積膜形成装置において、活性化室１２８を第
３図に示す電気炉を有する活性化室に交換した。
第３図に示す活性替装置は、活性化室３０１，電気炉３
０２，第１図のガス供給パイプライン１３４に接続する
ガス供給ライン３０３，及びガス供給パイプライン１３
２に接続するガス供給ライン３０４から構成されてい
る。
以上の様な熱エネルギーを利用した活性化室を有する堆
積膜形成装置を利用して、本発明の堆積膜形成法に従っ
て、電子写真用感光体を第３表の条件で作製した。
該電子写真用感光体の第１層から第３層までの層厚は実
施例１と同じである。
本実施例の感光体は、以下の様にして作製した。まず、
Ａｌ基体温度を２５０℃と一定にした後、第１層は第３
表の各原料ガスを真空チヤンバー１２０に導入して化学
反応により形成した。
第２層は、第３表のガスの内、ゲルマンガスのみを電気
炉（７００℃）で活性化して、真空チヤンバー１２０へ
導入し、他のガスは直接写真チヤンバー１２０へ導入し
て化学反応させて形成した。
第３層は、第３表の各原料ガスを真空チヤンバー１２０
に導入して化学反応により形成した。
以上の様にして形成した電子写真用像形成部材は、従来
よりも感度が１０％向上していた。
実施例４ 第１図に堆積膜形成装置を使って、本発明の堆積膜形成
法で第４図に示す薄膜トランジスター（以下「ＴＦＴ」
という）を作製した。
前記ＴＦＴは、コーニング社製７０５９ガラス４３４，
非晶質シリコン層（第１層厚さ７０００Å）４３３，リ
ンを高濃度にドープした非晶質シリコン層（第２層厚さ
５００Å）４３２，酸化シリコン層（第３層厚さ１００
０Å）４３１，Ａｌ電極４２９から構成されている。
本実施例においては、リンを高濃度にドープした非晶質
シリコン層堆積にあって、第１図に示す活性化室１２８
において、ＲＦグロー放電によって、価電子制御剤ＰＨ
３を活性化した後導入管１３３を通じて堆積室１２０に
ＰＨ３より生じた活性種を導入してリンを高濃度にドー
プした非生質シリコン層を堆積した。
他の条件は第１表に示す条件でＴＦＴに必要な半導体層
及び絶縁層の作製を行った。
本実施例のＴＦＴは、従来のＴＦＴよりも、ＯＮ／ＯＦ
Ｆ比が１０％向上していた。
〔効果〕 以上の詳細な説明及び各実施例より、本発明の堆積膜形
成法によれば、省エネルギー化を計ると同時に膜品質の
管理が容易で大面積に亘って均一物理特性の堆積膜が得
られる。又、生産性、量産性に優れ、高品質で電気的、
光学的、半導体的等の物理特性に優れた膜を簡便に得る
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に用いた成膜装置の模式的概略
図である。 第２図、第３図は、本発明の実施例に用いた活性化装置
の模式的概略図である。 第４図、第５図、第６図は本発明の実施例に用いた電子
写真用感光体、太陽電池、薄膜トランジスターの模式的
概略図である。 １０１〜１０８，１２６，１２７……ガスボンベ、 １０１ａ〜１０８ａ，１２６ａ，１２７ａ……ガスの導
入管、 １０１ｂ〜１０８ｂ，１２６ｂ，１２７ｂ……マスフロ
メーター、 １０１ｃ〜１０８ｃ，１２６ｃ，１２７ｃ……ガス圧力
計、 １０１ｄ〜１０８ｄ，１２６ｄ，１２７ｄ及び１０１ｅ
〜１０８ｅ，１２６ｅ，１２７ｅ……バルブ、 １０１ｆ〜１０８ｆ，１２６ｆ，１２７ｆ……圧力計、 １０９，１１０，１１１……ガス導入管、 １３３……活性種導入管、 １１２……基体ホルダー、 １１３……基体加熱用ヒーター、 １１６……基体温度モニター用熱電対、 １１８……基体、 １１９……真空排気バルブ、 １２３〜１２５，１３４……ガス供給パイプライン、 １３２……活性種供給パイプライン、 １２８……活性化室、 １２９，１３０……電極、 １３１……高周波電源、 ２０１，３０１……活性化室、 ２０３，３０３……ガス供給パイプライン、 ２０４，３０４……活性種供給パイプライン、 ２０２……エキシマレーザー、 ２０５……マド、 ３０２……電気炉、 ４００……Ａｌ基板、 ４０１……電荷注入阻止層、 ４０２……感光層、 ４０３……表面保護層、 ５００……透明電極をコーテイングしたガラス基板、 ５０１……Ｐ型層、 ５０２……感光層、 ５０３……ｎ型層、 ５０４……Ａｌ電極、 ６２８……Ａｌ電極（ソース）、 ６２９……Ａｌ電極（ゲート）、 ６３０……Ａｌ電極（ドレイン）、 ６３１……絶縁層、 ６３２……ｎ＋型層、 ６３３……ｉ型層、 ６３４……ガラス基板、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 31/04

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】堆積膜形成用の気体状原料物質と、該原料
    物質に酸化作用をする性質を有する気体状ハロゲン系酸
    化剤とを各々別々に反応空間に導入して、化学反応によ
    って堆積膜を形成する方法にお於いて、禁制帯幅調製剤
    を生成する基体状物質（Ｂ）を、活性化空間であらかじ
    め活性化して活性種を生成し、該活性種を反応空間に導
    入し、成膜空間にある基体上に禁制帯幅の制御された堆
    積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成法。
  2. 【請求項２】生成時に発光を伴う特許請求の範囲第１項
    に記載の堆積膜形成法。
  3. 【請求項３】前記気体状原料物質は、鎖状シラン化合物
    である特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  4. 【請求項４】前記鎖状シラン化合物は、直鎖状シラン化
    合物である特許請求の範囲第３項に記載の堆積膜形成方
    法。
  5. 【請求項５】前記直鎖状シラン化合物は、一般式Ｓｉｎ
    Ｈ２ｎ ２（ｎは１〜８の整数）で示される特許請求の
    範囲第４項に記載の堆積膜形成法。
  6. 【請求項６】前記鎖状シラン化合物は、分岐状鎖状シラ
    ン化合物である特許請求の範囲第３項に記載の堆積膜形
    成法。
  7. 【請求項７】前記気体状原料物質は、硅素の環状構造を
    有するシラン化合物である特許請求の範囲第１項に記載
    の堆積膜形成法。
  8. 【請求項８】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲン
    ガスを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  9. 【請求項９】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガス
    を含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  10. 【請求項１０】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガ
    スを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
  11. 【請求項１１】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原
    子を構成成分として含むガスである特許請求の範囲第１
    項に記載の堆積膜形成法。
  12. 【請求項１２】前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期
    状態のハロゲンを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆
    積膜形成法。
  13. 【請求項１３】前記基体は、前記気体状原料物質と前記
    気体状ハロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に
    対して対向する位置に配設される特許請求の範囲第１項
    に記載の堆積膜形成法。
  14. 【請求項１４】前記気体状原料物質と前記気体状ハロゲ
    ン系酸化剤は前記反応空間へ、多重管構造の輸送管から
    導入される特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  15. 【請求項１５】前記気体状物質（Ｂ）が、禁制帯幅拡大
    元素を含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  16. 【請求項１６】前記禁制帯幅拡大元素が、炭素、窒素、
    酸素原子である特許請求の範囲第１５項に記載の堆積膜
    形成法。
  17. 【請求項１７】前記基体状物質（Ｂ）が、禁制帯幅縮小
    元素を含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
    法。
  18. 【請求項１８】前記禁制帯幅縮小元素が、ゲルマニウ
    ム，錫原子である特許請求の範囲第１７項に記載の堆積
    膜形成法。
  19. 【請求項１９】前記禁制帯幅調製剤をＨ２，Ｈｅ，Ｎ
    ｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎの内少なくとも１種類のガ
    スで、希釈して、活性化空間に導入する特許請求の範囲
    第１項に記載の堆積膜形成法。
  20. 【請求項２０】前記活性化空間における活性化方法とし
    て、放電、光、熱、エネルギーを利用する特許請求の範
    囲第１項に記載の堆積膜形成法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0651906B2 (ja) * 1985-12-25 1994-07-06 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH08973B2 (ja) * 1986-03-31 1996-01-10 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JP2914992B2 (ja) * 1989-03-31 1999-07-05 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
US6893906B2 (en) * 1990-11-26 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
TW209895B (ja) 1990-11-26 1993-07-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
JP3073327B2 (ja) * 1992-06-30 2000-08-07 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
WO1995034916A1 (fr) 1994-06-15 1995-12-21 Seiko Epson Corporation Fabrication d'un equipement a semi-conducteurs a couches minces, equipement a semi-conducteurs a couches minces, afficheur a cristaux liquides et equipement electronique
DE19702581B4 (de) * 1996-02-08 2008-05-08 Volkswagen Ag Innenverkleidungselement für die Karosserie eines Kraftfahrzeugs und Verfahren zur Herstellung
JP2014144875A (ja) * 2011-05-24 2014-08-14 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体薄膜結晶の製造方法および装置
US10192717B2 (en) * 2014-07-21 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates
CN114293173B (zh) * 2021-12-17 2024-02-09 厦门钨业股份有限公司 一种碳掺杂化学气相沉积钨涂层的装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
US3888705A (en) * 1973-12-19 1975-06-10 Nasa Vapor phase growth of groups iii-v compounds by hydrogen chloride transport of the elements
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
US4239811A (en) * 1979-08-16 1980-12-16 International Business Machines Corporation Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane-nitrous oxide reaction
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
ES505270A0 (es) * 1980-09-09 1982-12-16 Energy Conversion Devices Inc Dispositivo amorfo fotosensible de celulas multiples mejora-do
JPS5767938A (en) * 1980-10-16 1982-04-24 Canon Inc Production of photoconductive member
US4357179A (en) * 1980-12-23 1982-11-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for producing devices comprising high density amorphous silicon or germanium layers by low pressure CVD technique
US4421592A (en) * 1981-05-22 1983-12-20 United Technologies Corporation Plasma enhanced deposition of semiconductors
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
JPS5833829A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜形成装置
US4652463A (en) * 1982-03-29 1987-03-24 Hughes Aircraft Process for depositing a conductive oxide layer
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4462847A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4517223A (en) * 1982-09-24 1985-05-14 Sovonics Solar Systems Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
JPS6026664A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Canon Inc アモルフアスシリコン堆積膜形成法
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4637938A (en) * 1983-08-19 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of using selective optical excitation in deposition processes and the detection of new compositions
US4546008A (en) * 1983-11-07 1985-10-08 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposition film
US4645689A (en) * 1984-02-17 1987-02-24 At&T Bell Laboratories Deposition technique
JPS60243663A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Kyocera Corp 電子写真感光体
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
JPH07101751B2 (ja) * 1985-03-28 1995-11-01 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
JP3224040B2 (ja) * 1992-07-24 2001-10-29 日本カーバイド工業株式会社 視認性のよい再帰反射シート

Also Published As

Publication number Publication date
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