JP5321395B2 - 窒化物薄膜成膜装置 - Google Patents
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Description
1)大量のアンモニアガスが導入されること、
2)常圧下での成長であること、
3)原料ガスを基板の表面に導入するまでの間で、III族有機金属原料とV族原料との反応を回避させるために、高いガス導入速度や各原料ガス間を分離して基板まで導入させること、等が挙げられる。
本発明の実施形態について図1を参照して説明する。図は、本発明の特徴が明確になるように記載されており、寸法関係等は、必ずしも実際のものに忠実に描いていないため、本発明を何ら制約するものではない。図1(a)及び図1(b)は、本実施形態の窒化物薄膜成膜装置100を説明するためのもので、(a)は、縦断面図であり(b)は平面図である。図中、背景技術の説明で参照した図2において、同様の機能効果を有する部位については、同様の符号を付してある。
11 リング(石英製の障壁部材)
12、12a サセプタ
13 ヒータ
14 仕切板
15 上部流路
16 下部流路
17 排気流路
18 反応管
19 チャンバ
100、200 窒化物薄膜成膜装置
A III族ライン
B V族ライン
C 排気ライン
Claims (3)
- 基板の表面に、常圧下において窒化源を用いてIII−V族窒化物半導体薄膜を成膜するためのシランガスとアンモニアガスとを含むガスを供給源としてシリコン窒化膜を成膜する窒化物薄膜成膜装置であって、
前記ガスの供給側に設けられた上側流路及び下側流路と、
前記基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを下面から加熱するヒータと、
前記サセプタの上面の前記ヒータによる均熱領域内の前記ガスの上流側に設けられ、前記基板の上面より高さが高い石英製の障壁部材と、
前記サセプタを挟んで上記ガス供給側に対向して配置された排気流路とを備え、
前記上側流路及び下側流路のいずれか一方からシランガスを含むガスが供給され、他方からアンモニアガスを含むガスが供給され、
前記上側流路及び下側流路から供給されたガスは、前記排気流路に向かって、前記基板の上面に沿って流れる
ことを特徴とする窒化物薄膜成膜装置。 - 前記障壁部材は、下側が前記サセプタの上面に着脱可能に嵌入されている
ことを特徴とする請求項1に記載の窒化物薄膜成膜装置。 - 前記基板は、円形であり、
前記障壁部材は、前記基板よりも径が大きなリング形状である
ことを特徴とする請求項1に記載の窒化物薄膜成膜装置。
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