JP3274674B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に窒化ガリウ
ム系化合物半導体を製造する方法に関する。
ム系化合物半導体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は、ＬＥＤ
等の発光デバイスその他に広く応用されている。例え
ば、サファイア基板上にＥＬＯ（Epitaxially Laterall
y Overgrown）法を用いてＧａＮを成長させた場合、室
温で１０，０００時間以上連続動作可能な青色レーザも
報告されている（S.Nakamura et al,Apply.Phys.Lett.7
2,211(1998))。ＥＬＯ法においては、サファイア基板上
に数ミクロンのＧａＮ層を形成し、ＧａＮの＜１１００
＞方向に沿ってストライプ状のマスクＳｉＯ2を形成す
る。ストライプ状のＳｉＯ2の開口比は約２：１であ
り、マスクＳｉＯ2の開口から垂直方向にＧａＮを再成
長させ、その後ＳｉＯ2を覆うように横方向にＧａＮを
成長させて連続したＧａＮ層を形成させる。これによ
り、マスクＳｉＯ2上のＧａＮ層の転位密度を減じ、上
述した特性を有する発光デバイスを得ている。
等の発光デバイスその他に広く応用されている。例え
ば、サファイア基板上にＥＬＯ（Epitaxially Laterall
y Overgrown）法を用いてＧａＮを成長させた場合、室
温で１０，０００時間以上連続動作可能な青色レーザも
報告されている（S.Nakamura et al,Apply.Phys.Lett.7
2,211(1998))。ＥＬＯ法においては、サファイア基板上
に数ミクロンのＧａＮ層を形成し、ＧａＮの＜１１００
＞方向に沿ってストライプ状のマスクＳｉＯ2を形成す
る。ストライプ状のＳｉＯ2の開口比は約２：１であ
り、マスクＳｉＯ2の開口から垂直方向にＧａＮを再成
長させ、その後ＳｉＯ2を覆うように横方向にＧａＮを
成長させて連続したＧａＮ層を形成させる。これによ
り、マスクＳｉＯ2上のＧａＮ層の転位密度を減じ、上
述した特性を有する発光デバイスを得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＥ
ＬＯ法においては、マスクＳｉＯ2が存在する部分にお
けるＧａＮ層で転位密度が減じているにすぎず、ＧａＮ
層の一部しか良好な特性が得られないことになる。
ＬＯ法においては、マスクＳｉＯ2が存在する部分にお
けるＧａＮ層で転位密度が減じているにすぎず、ＧａＮ
層の一部しか良好な特性が得られないことになる。
【０００４】一方、サファイアとＧａＮの格子不整合に
鑑みて、サファイア基板上に低温でＧａＮあるいはＡｌ
Ｎのバッファ層を成長させ、さらにこのバッファ層の上
にＧａＮ層あるいはＧａＡｌＮ層等を成長させることも
提案されている。例えば、特開平４−２９７０２３号公
報には、サファイア基板上に低温でＧａＡｌＮのバッフ
ァ層を成長させ、さらにＧａＮなどの半導体層を形成す
ることが記載されている。
鑑みて、サファイア基板上に低温でＧａＮあるいはＡｌ
Ｎのバッファ層を成長させ、さらにこのバッファ層の上
にＧａＮ層あるいはＧａＡｌＮ層等を成長させることも
提案されている。例えば、特開平４−２９７０２３号公
報には、サファイア基板上に低温でＧａＡｌＮのバッフ
ァ層を成長させ、さらにＧａＮなどの半導体層を形成す
ることが記載されている。
【０００５】しかし、この方法においても、低温バッフ
ァ層に高密度の転位が生じるため、その上に形成される
ＧａＮあるいはＧａＡｌＮ層にも高密度の転位が生じて
しまい、長時間の連続動作可能な発光デバイスを得るに
は十分ではない。
ァ層に高密度の転位が生じるため、その上に形成される
ＧａＮあるいはＧａＡｌＮ層にも高密度の転位が生じて
しまい、長時間の連続動作可能な発光デバイスを得るに
は十分ではない。
【０００６】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、比較的簡易な方法でＥＬＯ法と
同程度あるいはそれ以上にＧａＮ系化合物半導体の転位
密度を減じ、また、ＥＬＯ法以上に大きな割合で（すな
わち効率的に）転位密度を減じることができる方法を提
供することにある。
みなされたものであり、比較的簡易な方法でＥＬＯ法と
同程度あるいはそれ以上にＧａＮ系化合物半導体の転位
密度を減じ、また、ＥＬＯ法以上に大きな割合で（すな
わち効率的に）転位密度を減じることができる方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、
前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的に
結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記離散的に結晶核
発生阻害層が形成された基板上に離散的にバッファ体を
形成することを特徴とする。
に、本発明は、基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、
前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的に
結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記離散的に結晶核
発生阻害層が形成された基板上に離散的にバッファ体を
形成することを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、基板上にバッファ層を低
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記
離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に複数の
孔を有するバッファ体を形成することを特徴とする。
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、かつ、前記
離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に複数の
孔を有するバッファ体を形成することを特徴とする。
【０００９】前記結晶核発生阻害層は、例えばストライ
プ状の所定間隔で形成されたＳｉＯ 2、ＳｉＮ、Ｓｉの
いずれかとすることができる。
プ状の所定間隔で形成されたＳｉＯ 2、ＳｉＮ、Ｓｉの
いずれかとすることができる。
【００１０】また、本発明は、基板上にバッファ層を低
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで離散的
にバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半導体を形
成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎＧａＮを
形成することを特徴とする。
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで離散的
にバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半導体を形
成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎＧａＮを
形成することを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、基板上にバッファ層を低
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで複数の
孔を有するバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半
導体を形成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎ
ＧａＮを形成することを特徴とする。
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで複数の
孔を有するバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半
導体を形成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎ
ＧａＮを形成することを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、基板上にバッファ層を低
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで離散的
にバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半導体を形
成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上に量子井戸構造
の超格子層を形成することを特徴とする。
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで離散的
にバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半導体を形
成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上に量子井戸構造
の超格子層を形成することを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、基板上にバッファ層を低
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで複数の
孔を有するバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半
導体を形成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上に量子
井戸構造の超格子層を形成することを特徴とする。
温で成長させ、さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合
物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造
方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基
板に原料ガスを、前記基板上に化合物が離散的に形成さ
れる程度に制限された供給量だけ供給することで複数の
孔を有するバッファ体を形成し、前記ＧａＮ系化合物半
導体を形成した後に前記ＧａＮ系化合物半導体上に量子
井戸構造の超格子層を形成することを特徴とする。
【００１４】基板上に低温でバッファ層を形成し、さら
に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する場合、低温バ
ッファ層の転位密度を何らかの方法で減じることができ
れば、原理的にバッファ層の上に成長する窒化ガリウム
系化合物半導体層の転位密度も減じることになる。本発
明では、この点に着目し、基板上に離散的にバッファ体
を形成する、あるいは複数の孔を有するバッファ体を形
成することで、バッファ体の上ではバッファ層の下地層
である基板に依存した結晶成長、すなわち転位を阻害
し、下地層に依存しない結晶化、すなわち単結晶化を促
して窒化ガリウム系化合物半導体の種結晶として用いる
ことができる。より具体的には、離散的に形成されたバ
ッファ体の開口部あるいは孔から垂直方向に低温バッフ
ァ層が成長し、やがてバッファ体を覆うように横方向に
低温バッファ層が成長していく。開口部あるいは孔から
垂直方向に成長する際には転位が生じやすいが、横方向
に成長する場合には下地層の影響を受けないため転位は
生じない。バッファ体の離散度あるいは孔の数を調整す
ることで、横方向に結晶成長する割合も制御することが
できる。
に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する場合、低温バ
ッファ層の転位密度を何らかの方法で減じることができ
れば、原理的にバッファ層の上に成長する窒化ガリウム
系化合物半導体層の転位密度も減じることになる。本発
明では、この点に着目し、基板上に離散的にバッファ体
を形成する、あるいは複数の孔を有するバッファ体を形
成することで、バッファ体の上ではバッファ層の下地層
である基板に依存した結晶成長、すなわち転位を阻害
し、下地層に依存しない結晶化、すなわち単結晶化を促
して窒化ガリウム系化合物半導体の種結晶として用いる
ことができる。より具体的には、離散的に形成されたバ
ッファ体の開口部あるいは孔から垂直方向に低温バッフ
ァ層が成長し、やがてバッファ体を覆うように横方向に
低温バッファ層が成長していく。開口部あるいは孔から
垂直方向に成長する際には転位が生じやすいが、横方向
に成長する場合には下地層の影響を受けないため転位は
生じない。バッファ体の離散度あるいは孔の数を調整す
ることで、横方向に結晶成長する割合も制御することが
できる。
【００１５】以上のようにして転位密度を減じることが
できるが、その一方でＧａＮ系化合物半導体の転位密度
が減じると成長したＧａＮ系化合物半導体に歪みが生じ
る可能性がある。基板上に単にＧａＮ系化合物半導体を
成長させると転位が生じるが、この転位がＧａＮ系化合
物半導体の歪みを同時に緩和するという作用を奏する。
すなわち、本願発明で用いるＧａＮ系化合物半導体の製
造方法では、転位を減じることができる代わりに歪みが
緩和されないという問題が生じる可能性がある。もちろ
ん、ＧａＮ系化合物半導体の層厚が小さい場合にはこの
ような歪みの問題は顕在化しないが、層厚が大きくなっ
て歪みも大きくなると例えば膜が割れる等の問題が生じ
る可能性がある。
できるが、その一方でＧａＮ系化合物半導体の転位密度
が減じると成長したＧａＮ系化合物半導体に歪みが生じ
る可能性がある。基板上に単にＧａＮ系化合物半導体を
成長させると転位が生じるが、この転位がＧａＮ系化合
物半導体の歪みを同時に緩和するという作用を奏する。
すなわち、本願発明で用いるＧａＮ系化合物半導体の製
造方法では、転位を減じることができる代わりに歪みが
緩和されないという問題が生じる可能性がある。もちろ
ん、ＧａＮ系化合物半導体の層厚が小さい場合にはこの
ような歪みの問題は顕在化しないが、層厚が大きくなっ
て歪みも大きくなると例えば膜が割れる等の問題が生じ
る可能性がある。
【００１６】そこで、本発明では、転位密度を減じると
ともに、ＧａＮ系化合物半導体の歪みを緩和するため
に、バッファ層の形成に先だって基板上に離散的にＳｉ
Ｏ2やＳｉＮ、Ｓｉ等、結晶の核発生を阻害する物質を
形成し、あるいはＧａＮ系化合物半導体を形成した後に
ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎＧａＮ膜や量子井戸構造
を有する超格子膜を形成する。基板上に離散的に結晶核
発生阻害層を形成した後にバッファ体、バッファ層及び
ＧａＮ系化合物半導体を形成することで、ＧａＮ系化合
物半導体は結晶核発生阻害層が形成されていない基板上
から成長し、やがて結晶核発生阻害層上を覆うように横
方向に成長して会合する。この会合部においてＧａＮ系
化合物半導体膜中の歪みを緩和することができる。ま
た、ＧａＮ系化合物半導体上に形成されたＩｎＧａＮ
は、ＧａＮに比べて硬度が小さいためＧａＮ系化合物半
導体の歪みをＩｎＧａＮで緩和することができる。さら
に、ＧａＮ系化合物半導体上に形成された量子井戸構造
の超格子層は格子不整合により非常に大きな歪みを有し
ているため、ＧａＮ系化合物半導体の歪みを緩和するこ
とができる。
ともに、ＧａＮ系化合物半導体の歪みを緩和するため
に、バッファ層の形成に先だって基板上に離散的にＳｉ
Ｏ2やＳｉＮ、Ｓｉ等、結晶の核発生を阻害する物質を
形成し、あるいはＧａＮ系化合物半導体を形成した後に
ＧａＮ系化合物半導体上にＩｎＧａＮ膜や量子井戸構造
を有する超格子膜を形成する。基板上に離散的に結晶核
発生阻害層を形成した後にバッファ体、バッファ層及び
ＧａＮ系化合物半導体を形成することで、ＧａＮ系化合
物半導体は結晶核発生阻害層が形成されていない基板上
から成長し、やがて結晶核発生阻害層上を覆うように横
方向に成長して会合する。この会合部においてＧａＮ系
化合物半導体膜中の歪みを緩和することができる。ま
た、ＧａＮ系化合物半導体上に形成されたＩｎＧａＮ
は、ＧａＮに比べて硬度が小さいためＧａＮ系化合物半
導体の歪みをＩｎＧａＮで緩和することができる。さら
に、ＧａＮ系化合物半導体上に形成された量子井戸構造
の超格子層は格子不整合により非常に大きな歪みを有し
ているため、ＧａＮ系化合物半導体の歪みを緩和するこ
とができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。
形態について説明する。
【００１８】図１には、本実施形態において前提となる
窒化ガリウム系化合物半導体の構成が示されている。サ
ファイア等の基板１０上にＳｉＮバッファ体１２が離散
的に形成されている。ＳｉＮバッファ体１２上に低温
（例えば５００度）でＧａＮバッファ層１４が約２０ｎ
ｍ形成され、さらにＧａＮバッファ層１４上に高温（例
えば１０７５度）でＧａＮ半導体層１６が約２μｍ形成
される。
窒化ガリウム系化合物半導体の構成が示されている。サ
ファイア等の基板１０上にＳｉＮバッファ体１２が離散
的に形成されている。ＳｉＮバッファ体１２上に低温
（例えば５００度）でＧａＮバッファ層１４が約２０ｎ
ｍ形成され、さらにＧａＮバッファ層１４上に高温（例
えば１０７５度）でＧａＮ半導体層１６が約２μｍ形成
される。
【００１９】図２には、基板１０上にＳｉＮバッファ体
１２が形成された時の模式的な平面図が示されている。
ＳｉＮバッファ体１２は、基板１０を覆うように層状に
形成されるのではなく、図示の如く、離散的あるいは孔
１１を有するように形成されている。孔１１の部分はＳ
ｉＮバッファ体１２が形成されておらず、基板１０が露
出している。基板１０上に形成されたＳｉＮバッファ体
１２は非晶質状態あるいは結晶状態のいずれでもよく、
その上に形成される低温のＧａＮバッファ層１４の結晶
成長を阻害する機能を有する。
１２が形成された時の模式的な平面図が示されている。
ＳｉＮバッファ体１２は、基板１０を覆うように層状に
形成されるのではなく、図示の如く、離散的あるいは孔
１１を有するように形成されている。孔１１の部分はＳ
ｉＮバッファ体１２が形成されておらず、基板１０が露
出している。基板１０上に形成されたＳｉＮバッファ体
１２は非晶質状態あるいは結晶状態のいずれでもよく、
その上に形成される低温のＧａＮバッファ層１４の結晶
成長を阻害する機能を有する。
【００２０】図３には、図１及び図２に示された窒化ガ
リウム系化合物半導体の結晶化メカニズムが模式的に示
されている。基板上に形成されたＳｉＮバッファ体１２
は非晶質であるため、低温形成ＧａＮバッファ層１４
は、図中矢印アで示されるようにＳｉＮバッファ体１２
の上では結晶成長せず、ＳｉＮバッファ体１２の間１２
ａ、１２ｂ（図２における孔１１に相当する）から垂直
方向に結晶成長していく。この結晶成長は、基板１０の
結晶方位に依存した、方位がばらついた結晶である。Ｓ
ｉＮバッファ体１２の間１２ａ、１２ｂから始まった結
晶成長は、やがて横方向に広がり、ＳｉＮバッファ体１
２の上部に回り込む。ここで、ＳｉＮバッファ体１２自
体は特定の結晶方位を有しない非晶質状態なので、Ｓｉ
Ｎバッファ体の上部は、基板１０の影響もＳｉＮバッフ
ァ体１２の影響も受けにくいため単結晶化し易く、この
部分のＧａＮバッファ層１４には転位は生じない。そし
て、ＧａＮバッファ層１４のこの部分を種結晶として図
中矢印イの如くＧａＮ半導体層１６は成長していく。こ
のように、本実施形態ではＳｉＮバッファ体１２を用い
て低温ＧａＮバッファ層１４の単結晶化を促すことで、
ＧａＮ半導体層１６の結晶性を向上させている。
リウム系化合物半導体の結晶化メカニズムが模式的に示
されている。基板上に形成されたＳｉＮバッファ体１２
は非晶質であるため、低温形成ＧａＮバッファ層１４
は、図中矢印アで示されるようにＳｉＮバッファ体１２
の上では結晶成長せず、ＳｉＮバッファ体１２の間１２
ａ、１２ｂ（図２における孔１１に相当する）から垂直
方向に結晶成長していく。この結晶成長は、基板１０の
結晶方位に依存した、方位がばらついた結晶である。Ｓ
ｉＮバッファ体１２の間１２ａ、１２ｂから始まった結
晶成長は、やがて横方向に広がり、ＳｉＮバッファ体１
２の上部に回り込む。ここで、ＳｉＮバッファ体１２自
体は特定の結晶方位を有しない非晶質状態なので、Ｓｉ
Ｎバッファ体の上部は、基板１０の影響もＳｉＮバッフ
ァ体１２の影響も受けにくいため単結晶化し易く、この
部分のＧａＮバッファ層１４には転位は生じない。そし
て、ＧａＮバッファ層１４のこの部分を種結晶として図
中矢印イの如くＧａＮ半導体層１６は成長していく。こ
のように、本実施形態ではＳｉＮバッファ体１２を用い
て低温ＧａＮバッファ層１４の単結晶化を促すことで、
ＧａＮ半導体層１６の結晶性を向上させている。
【００２１】図４には、本実施形態における窒化ガリウ
ム系化合物半導体の製造装置の概念図が示されており、
図５には、本実施形態において前提となる製造方法のフ
ローチャートが示されている。まず、反応管２０内にサ
ファイア基板１０をサセプタ２１上に載置し、Ｈ2雰囲
気下でヒータ２２を用いてサファイア基板を１１５０度
まで加熱して熱処理する。熱処理した後、温度を５００
度まで下げ、ガス導入部２４から通気性を有する微多孔
質部材２５を介してＨ2とＮ2の混合ガスを導入し、ガス
導入部２３からシランガス（ＳｉＨ4）、アンモニアガ
ス（ＨＮ3）及びＨ2を供給してＳｉＮバッファ体１２を
形成する（Ｓ１０１）。ＳｉＨ4の流量は２０ｓｃｃ
ｍ、ＮＨ3の流量は５ｓｌｍ程度である。次に、ＳｉＨ4
の供給を停止し、ガス導入部２３からトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）、ＮＨ3、Ｈ2を供給して基板温度を４５０
度に維持しながらＧａＮバッファ層１４を成長させる
（Ｓ１０２）。ＧａＮバッファ層１４の成長時間は約７
５ｓｅｃであり、２０ｎｍ成長させる。次に、ヒータ２
２で基板１０を１０７５度まで加熱し、同様にガス導入
部２３からＴＭＧ、ＮＨ3、Ｈ2を供給してＧａＮ半導体
層を成長させる（Ｓ１０３）。すなわち、基板上に低温
（５００度程度）でＧａＮバッファ層を成長させ、さら
に高温（１０００度以上）でＧａＮ層を成長させる従来
の方法に対し、本実施形態では低温バッファ層の成長に
先だって基板１０にＳｉＨ4とＮＨ3を供給して反応させ
る点が異なっている。
ム系化合物半導体の製造装置の概念図が示されており、
図５には、本実施形態において前提となる製造方法のフ
ローチャートが示されている。まず、反応管２０内にサ
ファイア基板１０をサセプタ２１上に載置し、Ｈ2雰囲
気下でヒータ２２を用いてサファイア基板を１１５０度
まで加熱して熱処理する。熱処理した後、温度を５００
度まで下げ、ガス導入部２４から通気性を有する微多孔
質部材２５を介してＨ2とＮ2の混合ガスを導入し、ガス
導入部２３からシランガス（ＳｉＨ4）、アンモニアガ
ス（ＨＮ3）及びＨ2を供給してＳｉＮバッファ体１２を
形成する（Ｓ１０１）。ＳｉＨ4の流量は２０ｓｃｃ
ｍ、ＮＨ3の流量は５ｓｌｍ程度である。次に、ＳｉＨ4
の供給を停止し、ガス導入部２３からトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）、ＮＨ3、Ｈ2を供給して基板温度を４５０
度に維持しながらＧａＮバッファ層１４を成長させる
（Ｓ１０２）。ＧａＮバッファ層１４の成長時間は約７
５ｓｅｃであり、２０ｎｍ成長させる。次に、ヒータ２
２で基板１０を１０７５度まで加熱し、同様にガス導入
部２３からＴＭＧ、ＮＨ3、Ｈ2を供給してＧａＮ半導体
層を成長させる（Ｓ１０３）。すなわち、基板上に低温
（５００度程度）でＧａＮバッファ層を成長させ、さら
に高温（１０００度以上）でＧａＮ層を成長させる従来
の方法に対し、本実施形態では低温バッファ層の成長に
先だって基板１０にＳｉＨ4とＮＨ3を供給して反応させ
る点が異なっている。
【００２２】表１には、ＳｉＮバッファ体１２の形成時
間、すなわち形成量を種々変化させて製造したＧａＮ半
導体の特性が示されている。
間、すなわち形成量を種々変化させて製造したＧａＮ半
導体の特性が示されている。
【００２３】
【表１】
【００２４】表において、サンプルとしてはサンプルＮ
ｏ．１、２、３、４、５の５個製造し、それぞれＳｉＮ
バッファ体１２の形成時間を５０ｓ、１００ｓ、１５０
ｓ、１２５ｓ、７５ｓに設定した。測定した特性は移動
度（ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ）、Ｘ線ロッキングカーブの半
値幅（Ｘ−ＦＷＭＨ）、及び顕微鏡による表面性状（表
面モフォロジー）観察結果である。ＳｉＮ形成時間は５
０ｓ、７５ｓ、１００ｓと比較的短時間のサンプルＮ
ｏ．１、２、５については、表面性状は比較的よく（Ｇ
ｏｏｄ）、Ｘ線の半値幅も小さな値が得られている。一
方、ＳｉＮ形成時間が１５０ｓと比較的長いサンプルＮ
ｏ．３については、表面性状はあまり良好ではなく（Ｆ
ａｉｒ）、Ｘ線半値幅も比較的大きい。これは、ＳｉＮ
形成時間が長いと、離散的なＳｉＮバッファ体１２では
なく、基板１０上にＳｉＮが層として形成されてしま
い、ＧａＮバッファ層１４及びＧａＮ半導体層１６の結
晶成長を阻害したためと考えられる。これに対し、Ｓｉ
Ｎ形成時間が１２５ｓのサンプルＮｏ．４については、
表面の結晶性は極めて良好（Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）なも
のであり、Ｘ線半値幅も２４０と極めて小さな値が得ら
れている。また、移動度についても３９２と大きな値で
あり、結晶性の改善に伴い電気特性も向上していること
を示している。
ｏ．１、２、３、４、５の５個製造し、それぞれＳｉＮ
バッファ体１２の形成時間を５０ｓ、１００ｓ、１５０
ｓ、１２５ｓ、７５ｓに設定した。測定した特性は移動
度（ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ）、Ｘ線ロッキングカーブの半
値幅（Ｘ−ＦＷＭＨ）、及び顕微鏡による表面性状（表
面モフォロジー）観察結果である。ＳｉＮ形成時間は５
０ｓ、７５ｓ、１００ｓと比較的短時間のサンプルＮ
ｏ．１、２、５については、表面性状は比較的よく（Ｇ
ｏｏｄ）、Ｘ線の半値幅も小さな値が得られている。一
方、ＳｉＮ形成時間が１５０ｓと比較的長いサンプルＮ
ｏ．３については、表面性状はあまり良好ではなく（Ｆ
ａｉｒ）、Ｘ線半値幅も比較的大きい。これは、ＳｉＮ
形成時間が長いと、離散的なＳｉＮバッファ体１２では
なく、基板１０上にＳｉＮが層として形成されてしま
い、ＧａＮバッファ層１４及びＧａＮ半導体層１６の結
晶成長を阻害したためと考えられる。これに対し、Ｓｉ
Ｎ形成時間が１２５ｓのサンプルＮｏ．４については、
表面の結晶性は極めて良好（Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）なも
のであり、Ｘ線半値幅も２４０と極めて小さな値が得ら
れている。また、移動度についても３９２と大きな値で
あり、結晶性の改善に伴い電気特性も向上していること
を示している。
【００２５】このように、ＳｉＮバッファ体１２の形成
時間、すなわち形成量を調整し、ＳｉＮバッファ１２を
層状ではなく離散的に基板１０上に形成することで、Ｇ
ａＮ半導体層１６の結晶性を向上させることができる。
時間、すなわち形成量を調整し、ＳｉＮバッファ１２を
層状ではなく離散的に基板１０上に形成することで、Ｇ
ａＮ半導体層１６の結晶性を向上させることができる。
【００２６】しかしながら、このようにしてＧａＮ半導
体層１６を形成した場合、転位密度は著しく減少する
が、ＧａＮ半導体層１６に歪みが残存し、ＧａＮ半導体
層１６の層厚を大きくした場合にはその応力も増大し、
場合によってはＧａＮ半導体層１６に亀裂が生じる場合
もあり得る。
体層１６を形成した場合、転位密度は著しく減少する
が、ＧａＮ半導体層１６に歪みが残存し、ＧａＮ半導体
層１６の層厚を大きくした場合にはその応力も増大し、
場合によってはＧａＮ半導体層１６に亀裂が生じる場合
もあり得る。
【００２７】そこで、本実施形態では、上述した製造方
法を基本としつつ、さらに別の製造工程を付加して転位
密度の減少と歪みの緩和を同時に達成している。
法を基本としつつ、さらに別の製造工程を付加して転位
密度の減少と歪みの緩和を同時に達成している。
【００２８】図６には、本実施形態の製造方法により製
造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示されている。
図１と異なる点は、サファイア等の基板１０上にＳｉＮ
バッファ体１２及び低温のＧａＮバッファ層１４を形成
する前に、基板１０上に離散的に結晶核発生阻害層とし
てのＳｉＯ2３０が形成されていることである。すなわ
ち、基板１０上にまずＳｉＯ2３０を離散的に形成し、
その後、図５に示されたフローチャートに従ってＧａＮ
系化合物半導体を形成する。ＳｉＯ2３０は、例えば蒸
着やＣＶＤなどで基板１０上に形成し、その後エッチン
グ等を用いて部分的に除去することで離散的に形成する
ことができる。一例として、ＳｉＯ2３０をストライプ
状に形成し、その幅を２〜５０μｍ、好ましくは５〜２
０μｍとし、間隔も幅と同程度とすることができる。
造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示されている。
図１と異なる点は、サファイア等の基板１０上にＳｉＮ
バッファ体１２及び低温のＧａＮバッファ層１４を形成
する前に、基板１０上に離散的に結晶核発生阻害層とし
てのＳｉＯ2３０が形成されていることである。すなわ
ち、基板１０上にまずＳｉＯ2３０を離散的に形成し、
その後、図５に示されたフローチャートに従ってＧａＮ
系化合物半導体を形成する。ＳｉＯ2３０は、例えば蒸
着やＣＶＤなどで基板１０上に形成し、その後エッチン
グ等を用いて部分的に除去することで離散的に形成する
ことができる。一例として、ＳｉＯ2３０をストライプ
状に形成し、その幅を２〜５０μｍ、好ましくは５〜２
０μｍとし、間隔も幅と同程度とすることができる。
【００２９】このようにＳｉＯ2３０を形成してその上
にバッファ体１２、ＧａＮバッファ層１４及びＧａＮ半
導体層１６を形成すると、これらの層はＳｉＯ2３０の
開口部、すなわちＳｉＯ2３０が存在していない基板１
０上から成長し、やがて横方向に成長してＳｉＯ2３０
を覆うようになり、他の開口部から成長してきた層と会
合する。この会合部（図中ａで示す部位）においてＧａ
Ｎ半導体層１６内の歪みが緩和され、転位密度とともに
歪みも小さい良好なＧａＮ半導体層１６を得ることがで
きる。
にバッファ体１２、ＧａＮバッファ層１４及びＧａＮ半
導体層１６を形成すると、これらの層はＳｉＯ2３０の
開口部、すなわちＳｉＯ2３０が存在していない基板１
０上から成長し、やがて横方向に成長してＳｉＯ2３０
を覆うようになり、他の開口部から成長してきた層と会
合する。この会合部（図中ａで示す部位）においてＧａ
Ｎ半導体層１６内の歪みが緩和され、転位密度とともに
歪みも小さい良好なＧａＮ半導体層１６を得ることがで
きる。
【００３０】なお、ＳｉＯ2の代わりに、ＳｉＮ、Ｓｉ
など結晶の核発生がない、あるいは少ない材料を用いる
ことも可能である。
など結晶の核発生がない、あるいは少ない材料を用いる
ことも可能である。
【００３１】また、図７には、他の実施形態の製造方法
により製造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示され
ている。図１と異なる点は、ＧａＮ半導体層１６上にＩ
ｎＧａＮ層３２を形成し、さらにＩｎＧａＮ層３２上に
ＡｌＧａＮ層３４を形成してデバイス構造としたことで
ある。すなわち、図５に示されたフローチャートに従っ
てＧａＮ半導体層１６を形成した後に、ＩｎＧａＮ層３
２を形成し、さらにＡｌＧａＮ層３４を形成する。Ｇａ
Ｎ半導体層１６には歪みを緩和する転位が少ないことか
ら歪みが残存している場合があるが、その上に形成され
たＩｎＧａＮ層３２の硬度はＧａＮ半導体層１６よりも
小さい（ＩｎＧａＮはＧａＮよりも柔らかい）ため、Ｇ
ａＮ半導体層１６の歪みはＩｎＧａＮ層３２で吸収さ
れ、デバイス構造としても割れのないものを得ることが
できる。
により製造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示され
ている。図１と異なる点は、ＧａＮ半導体層１６上にＩ
ｎＧａＮ層３２を形成し、さらにＩｎＧａＮ層３２上に
ＡｌＧａＮ層３４を形成してデバイス構造としたことで
ある。すなわち、図５に示されたフローチャートに従っ
てＧａＮ半導体層１６を形成した後に、ＩｎＧａＮ層３
２を形成し、さらにＡｌＧａＮ層３４を形成する。Ｇａ
Ｎ半導体層１６には歪みを緩和する転位が少ないことか
ら歪みが残存している場合があるが、その上に形成され
たＩｎＧａＮ層３２の硬度はＧａＮ半導体層１６よりも
小さい（ＩｎＧａＮはＧａＮよりも柔らかい）ため、Ｇ
ａＮ半導体層１６の歪みはＩｎＧａＮ層３２で吸収さ
れ、デバイス構造としても割れのないものを得ることが
できる。
【００３２】なお、ＧａＮ半導体層１６はその歪みによ
り割れない程度の厚さ、例えば０．１〜３μｍ程度と
し、ＩｎＧａＮ層３２の厚さは例えば０．００１〜１μ
ｍとすることができる。また、ＩｎＧａＮ層３２のＩｎ
組成は、例えば０．０２〜０．５重量％、好ましくは
０．０５〜０．２重量％とすることができる。
り割れない程度の厚さ、例えば０．１〜３μｍ程度と
し、ＩｎＧａＮ層３２の厚さは例えば０．００１〜１μ
ｍとすることができる。また、ＩｎＧａＮ層３２のＩｎ
組成は、例えば０．０２〜０．５重量％、好ましくは
０．０５〜０．２重量％とすることができる。
【００３３】また、ＡｌＧａＮ層３４の代わりにＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ層を用いることも可能である。
Ｎ、ＩｎＧａＮ層を用いることも可能である。
【００３４】図８には、さらに他の実施形態の製造方法
により製造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示され
ている。図１と異なる点は、ＧａＮ半導体層１６上に量
子井戸構造の超格子層３６（あるいは多層量子井戸ＭＱ
Ｗ）を形成し、さらに超格子層３６上にＡｌＧａＮ層３
４を形成してデバイス構造としたことである。すなわ
ち、図５に示されたフローチャートに従ってＧａＮ半導
体層１６を形成した後に、超格子層３６を形成し、さら
にＡｌＧａＮ層３４を形成する。超格子層３６は、例え
ば図示の如くＩｎＧａＮとＧａＮを交互に積層して構成
することができ、超格子層３６の各層の厚さは１〜１０
０ｎｍ、好ましくは２〜３ｎｍとすることができる。な
お、図ではＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層３６は２ピッチ
のみ示されているが、もちろんこれは便宜上であり、ｎ
ピッチ（ｎは１〜３００、好ましくは２０程度）とする
ことができる。超格子層３６（あるいは多層量子井戸Ｍ
ＱＷ）内には格子不整合により大きな歪みが存在してお
り、したがってこの層によりＧａＮ半導体層１６の歪み
がＡｌＧａＮ層３４に影響を及ぼすことを抑制すること
ができる。
により製造されたＧａＮ系化合物半導体の構成が示され
ている。図１と異なる点は、ＧａＮ半導体層１６上に量
子井戸構造の超格子層３６（あるいは多層量子井戸ＭＱ
Ｗ）を形成し、さらに超格子層３６上にＡｌＧａＮ層３
４を形成してデバイス構造としたことである。すなわ
ち、図５に示されたフローチャートに従ってＧａＮ半導
体層１６を形成した後に、超格子層３６を形成し、さら
にＡｌＧａＮ層３４を形成する。超格子層３６は、例え
ば図示の如くＩｎＧａＮとＧａＮを交互に積層して構成
することができ、超格子層３６の各層の厚さは１〜１０
０ｎｍ、好ましくは２〜３ｎｍとすることができる。な
お、図ではＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子層３６は２ピッチ
のみ示されているが、もちろんこれは便宜上であり、ｎ
ピッチ（ｎは１〜３００、好ましくは２０程度）とする
ことができる。超格子層３６（あるいは多層量子井戸Ｍ
ＱＷ）内には格子不整合により大きな歪みが存在してお
り、したがってこの層によりＧａＮ半導体層１６の歪み
がＡｌＧａＮ層３４に影響を及ぼすことを抑制すること
ができる。
【００３５】なお、超格子層３６の組み合わせとして
は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの他にＡｌＧａＮ／ＧａＮ、あ
るいはＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮを用いることもできる。
は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの他にＡｌＧａＮ／ＧａＮ、あ
るいはＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮを用いることもできる。
【００３６】また、ＡｌＧａＮ層３４の代わりにＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ層を用いることも可能である。
Ｎ、ＩｎＧａＮ層を用いることも可能である。
【００３７】なお、各実施形態ではバッファ体としてＳ
ｉＮを用いているが、バッファ層の結晶成長を阻害する
もの、具体的にはＳｉやＳｉＯ2を用いることも可能で
ある。
ｉＮを用いているが、バッファ層の結晶成長を阻害する
もの、具体的にはＳｉやＳｉＯ2を用いることも可能で
ある。
【００３８】また、各実施形態ではバッファ層としてＧ
ａＮを用いたが、ＧａＡｌＮあるいはＡｌＮを用いるこ
とも可能であり、バッファ層の層厚も、２０ｎｍより薄
く形成することもできる。窒化ガリウム系化合物半導体
層についても同様であり、ＧａＮではなくＧａＡｌＮを
用いることもできる。
ａＮを用いたが、ＧａＡｌＮあるいはＡｌＮを用いるこ
とも可能であり、バッファ層の層厚も、２０ｎｍより薄
く形成することもできる。窒化ガリウム系化合物半導体
層についても同様であり、ＧａＮではなくＧａＡｌＮを
用いることもできる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を向上させること
ができるとともに、歪みを緩和することができ、これに
より特性に優れた半導体デバイスを提供することができ
る。
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を向上させること
ができるとともに、歪みを緩和することができ、これに
より特性に優れた半導体デバイスを提供することができ
る。
【図１】 実施形態の前提となるＧａＮ系化合物半導体
の構成図である。
の構成図である。
【図２】 実施形態のＳｉＮバッファ体の配置を示す平
面図である。
面図である。
【図３】 実施形態の結晶化を示す説明図である。
【図４】 実施形態の製造装置の概念構成図である。
【図５】 実施形態の前提となる製造処理フローチャー
トである。
トである。
【図６】 実施形態のＧａＮ系化合物半導体の構成図で
ある。
ある。
【図７】 他の実施形態のＧａＮ系化合物半導体の構成
図である。
図である。
【図８】 他の実施形態のＧａＮ系化合物半導体の構成
図である。
図である。
１０ 基板、１２ ＳｉＮバッファ体、１４ ＧａＮバ
ッファ層、１６ ＧａＮ半導体層、３０ ＳｉＯ2、３
２ ＩｎＧａＮ層、３６ 超格子層。
ッファ層、１６ ＧａＮ半導体層、３０ ＳｉＯ2、３
２ ＩｎＧａＮ層、３６ 超格子層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2000−21789（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−312971（ＪＰ，Ａ) 特開2000−340511（ＪＰ，Ａ) 特開2001−185498（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 33/00
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、 前記基板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、か
つ、 前記離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に離
散的にバッファ体を形成することを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、 前記基板上に離散的に結晶核発生阻害層を形成し、か
つ、 前記離散的に結晶核発生阻害層が形成された基板上に複
数の孔を有するバッファ体を形成することを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１、２のいずれかに記載の方法に
おいて、 前記結晶核発生阻害層はストライプ状の所定間隔で形成
されたＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｓｉのいずれかであることを
特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項４】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板に原料ガス
を、前記基板上に化合物が離散的に形成される程度に制
限された供給量だけ供給することで離散的にバッファ体
を形成し、 前記ＧａＮ系化合物半導体を形成した後に前記ＧａＮ系
化合物半導体上にＩｎＧａＮを形成することを特徴とす
る窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項５】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板に原料ガス
を、前記基板上に化合物が離散的に形成される程度に制
限された供給量だけ供給することで複数の孔を有するバ
ッファ体を形成し、 前記ＧａＮ系化合物半導体を形成した後に前記ＧａＮ系
化合物半導体上にＩｎＧａＮを形成することを特徴とす
る窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項６】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板に原料ガス
を、前記基板上に化合物が離散的に形成される程度に制
限された供給量だけ供給することで離散的にバッファ体
を形成し、 前記ＧａＮ系化合物半導体を形成した後に前記ＧａＮ系
化合物半導体上に量子井戸構造の超格子層を形成するこ
とを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法。 - 【請求項７】 基板上にバッファ層を低温で成長させ、
さらに前記バッファ層上にＧａＮ系化合物半導体を形成
する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、 前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板に原料ガス
を、前記基板上に化合物が離散的に形成される程度に制
限された供給量だけ供給することで複数の孔を有するバ
ッファ体を形成し、 前記ＧａＮ系化合物半導体を形成した後に前記ＧａＮ系
化合物半導体上に量子井戸構造の超格子層を形成するこ
とを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項４〜７のいずれかに記載の方法に
おいて、 前記原料ガスはシランガスとアンモニアガスを含むこと
を特徴とする窒化ガリ ウム系化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2000143826A JP3274674B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| US09/650,949 US6475882B1 (en) | 1999-12-20 | 2000-08-29 | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
| US09/650,994 US6332801B1 (en) | 1999-09-01 | 2000-08-31 | Insulation replacement electrical connector |
| EP00311022A EP1111663A3 (en) | 1999-12-20 | 2000-12-11 | GaN-based compound semiconductor device and method of producing the same |
| KR10-2000-0076283A KR100453210B1 (ko) | 1999-12-20 | 2000-12-14 | ＧａＮ계 화합물 반도체의 제조 방법과 ＧａＮ계 화합물반도체 디바이스 |
| TW089126868A TW493207B (en) | 1999-12-20 | 2000-12-15 | Method for producing GaN-based compound semiconductor and GaN-based compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000143826A JP3274674B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326384A JP2001326384A (ja) | 2001-11-22 |
| JP3274674B2 true JP3274674B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=18650586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000143826A Expired - Lifetime JP3274674B2 (ja) | 1999-09-01 | 2000-05-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3274674B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2840452B1 (fr) * | 2002-05-28 | 2005-10-14 | Lumilog | Procede de realisation par epitaxie d'un film de nitrure de gallium separe de son substrat |
| WO2004105108A2 (en) * | 2003-05-21 | 2004-12-02 | Lumilog | Manufacturing gallium nitride substrates by lateral overgrowth through masks and devices fabricated thereof |
| FR2878535B1 (fr) * | 2004-11-29 | 2007-01-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un substrat demontable |
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| FR2936903B1 (fr) * | 2008-10-07 | 2011-01-14 | Soitec Silicon On Insulator | Relaxation d'une couche de materiau contraint avec application d'un raidisseur |
| US8637383B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-01-28 | Soitec | Strain relaxation using metal materials and related structures |
| US8278193B2 (en) | 2008-10-30 | 2012-10-02 | Soitec | Methods of forming layers of semiconductor material having reduced lattice strain, semiconductor structures, devices and engineered substrates including same |
| JP5321395B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-10-23 | 沖電気工業株式会社 | 窒化物薄膜成膜装置 |
-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143826A patent/JP3274674B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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