JP4425871B2 - Iii族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法 - Google Patents
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(実施例)
基板としてC面サファイア基板を用い、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。次いで、前記サセプタ内のヒータにより、前記基板を1200℃まで加熱した。
上記実施例と同様にして、C面サファイア基板上に、NH3/TMA流量モル比が450であり、圧力が15Torrであるように前記原料ガスを供給するとともに、前記基板を1200℃に加熱して、AlN下地膜を厚さ1μmに形成した。
上記実施例と同様にして、C面サファイア基板上に、NH3/TMA流量モル比が700であり、圧力が15Torrであるように前記原料ガスを供給するとともに、前記基板を1200℃に加熱して、AlN下地膜を厚さ1μmに形成した。
Claims (3)
- N供給原料及びAl供給原料を、N供給原料/Al供給原料の流量比が600以下となるように供給して、AlNを、所定の基板上に所定時間エピタキシャル成長させた後に、N供給原料/Al供給原料の流量比が600より大きくなるように供給し、AlNを所定時間エピタキシャル成長させて、凹凸状の表面を有する2層のAlNからなるIII族窒化物膜の製造用下地膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法。
- N供給原料及びAl供給原料を、圧力が20Torr以下となるように供給して、AlNを、所定の基板上に所定時間エピタキシャル成長させた後に、N供給原料及びAl供給原料を、圧力が20Torrより大きくなるように供給し、AlNを所定時間エピタキシャル成長させて、凹凸状の表面を有する2層のAlNからなるIII族窒化物膜の製造用下地膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法。
- N供給原料及びAl供給原料を供給することにより、1100℃以上の温度で、AlNを、所定の基板上に所定時間エピタキシャル成長させた後に、1100℃よりも低い温度で、AlNを所定時間エピタキシャル成長させて、凹凸状の表面を有する2層のAlNからなるIII族窒化物膜の製造用下地膜を製造することを特徴とする、III族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法。
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