JP3768943B2 - Iii族窒化物エピタキシャル基板、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板及びiii族窒化物素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、III族窒化物エピタキシャル基板、III族窒化物素子用エピタキシャル基板及びIII族窒化物素子に関し、詳しくは、フォトニックデバイス及び電子デバイスなどの半導体素子、並びにフィールドエミッタなどの素子を構成する基板として好適に用いることのできるIII族窒化物エピタキシャル基板、並びにそのIII族窒化物エピタキシャル基板を用いて作製した前記フォトニックデバイスなどのIII族窒化物素子及びこれに用いるIII族窒化物素子用エピタキシャル基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
III族窒化物膜は、フォトニックデバイス及び電子デバイスなどの半導体素子を構成する半導体膜として用いられており、近年においては、携帯電話などに用いられる高速ICチップなどを構成する半導体膜としても注目を浴びている。また、特にAlを含むIII族窒化物膜は、フィールドエミッタへの応用材料として注目されている。
【0003】
このようなIII族窒化物膜を形成する基板として、所定の基材上にエピタキシャル成長により形成した下地膜を具える、いわゆるエピタキシャル基板がある。前記基材としては安価であり入手が容易であることから、サファイア単結晶が用いることが好ましい。
【0004】
また、前記下地膜は、特にAlを含有したIII族窒化物膜のエピタキシャル成長を容易にすべく、Alを含有したIII族窒化物から構成することが好ましい。さらに、Al含有窒化物は大きなバンドギャップを有するため、このようなバンドギャップの大きな材料からなる下地膜をIII族窒化物膜と基材との間に挿入することにより、半導体素子などの効率を向上させることもできる。
【0005】
そして、上記エピタキシャル基板を反応管内に設けられたサセプタ上に設置した後、前記サセプタ内外の加熱機構によって所定の温度に加熱する。次いで、III族金属供給原料及び窒素供給原料、並びに必要に応じて他の元素の供給原料をキャリアガスとともに前記反応管内に導入するとともに、前記エピタキシャル基板上に供給し、MOCVD法にしたがってIII族窒化物膜を形成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したエピタキシャル基板においては、サファイア単結晶基材とAl含有III族窒化物下地膜との格子定数差に起因してミスフィット転位が発生してしまい、このミスフィット転位が貫通転位として前記III族窒化物下地膜中を貫通し、その表面、すなわちエピタキシャル基板の表面に到達してしまう。このため、前記III族窒化物下地膜上、すなわち前記エピタキシャル基板上に形成されるAl含有III族窒化物膜にも、前記ミスフィット転位に起因した多量の転位が生成されてしまう。
【0007】
同様の現象は、サファイア単結晶基材上にAl含有III族窒化物からなる下地膜を形成する場合のみならず、Ga含有及びその他のIII族窒化物からなる下地膜を形成する場合においても観察された。
【0008】
すなわち、サファイア単結晶基板を用いた場合においては、比較的多量の転位を含有し、低結晶性のIII族窒化物膜しか得ることができず、これらのIII族窒化物膜から、例えば半導体発光素子などを構成した場合においては、その発光効率が劣化していまい、所望の特性を有する半導体発光素子を得ることができないでいた。
【0009】
本発明は、低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にはAl含有窒化物膜を形成することのできる、サファイア単結晶基材及びAl含有III族窒化物下地膜を含む新規なエピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明は、
主面の結晶方位が<0001>方向より0.02〜0.3度傾斜するとともに、前記主面側の表層部分において表面窒化層を有するサファイア単結晶基材と、このサファイア単結晶基板の前記主面上に前記表面窒化層を介して形成された少なくともAlを含み、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下であり、5μm範囲における表面粗さ(Ra)が3.5Å以下であるIII族窒化物下地膜とを具えることを特徴とする、III族窒化物エピタキシャル基板に関する。
【0011】
本発明者らは、低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にAl含有窒化物膜を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板を得るべく鋭意検討を実施した。その結果、エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶基材に関して膨大な研究を行ない、その基材の、前記窒化物膜を形成すべき主面の結晶性及び物理的状態が、前記サファイア単結晶基材及び前記Al含有III族窒化物下地膜間の転位の生成並びに伝播と密接な関係があることを見出し、本発明をするに至ったものである。
【0012】
本発明のエピタキシャル基板は、転位量が低減されて良好な結晶性を示すため、この上に形成される特にAlを含むIII族窒化物膜の転位量をも低減することができ、その結晶性を良好な状態に保持することができる。
【0013】
なお、特開平2000−82676号公報においては、サファイア単結晶基板の主面において表面窒化層を形成することなく、その結晶方位のみを<0001>方向から、0.05〜0.20度傾斜させ、このサファイア単結晶基板の前記主面上にIII族窒化物膜を形成することによって、その膜内の転位量を低減させることが記載されている。しかしながら、上記技術は、サファイア単結晶単独で基板を構成し、主としてGa系窒化物膜からなる半導体層群を形成するための基板を提供するものである。
【0014】
しかしながら、上述したサファイア単結晶基板に対して、上述したような特にAlを含有するAl系窒化物膜からなる半導体層群を形成しても、前記窒化物膜中の転位の低減を十分に行なうことができない。Al系窒化物膜中の転位量を低減させるためには、本発明に従って、エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶基材の主面を上記同様に傾斜させるとともに、その主面において表面窒化層を形成することが必要である。さらに、前記主面上においてAl含有III族窒化物膜を有することが必要である。
【0015】
また、上述したような表面窒化層を形成することにより、サファイア単結晶基板の傾斜角度を従来の0.05〜0.20度から0.05〜0.25、さらには0.02〜0.3度まで拡大することができる。その結果、使用するサファイア単結晶基板の選択における自由度が増大するとともに、半導体素子を設計する際の自由度も向上する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【0017】
本発明においては、エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶基材の主面の結晶方位が<0001>方向、すなわちC軸方向より、0.02〜0.3度、好ましくは0.05〜0.25度、さらに好ましくは0.07〜0.2度傾斜していることが必要である。すなわち、前記エピタキシャル基板が、上記角度でオフしたC面サファイア単結晶基材から構成されることが必要である。
【0018】
このようなC面サファイア単結晶基材が、その主面側の表層部分において表面窒化層を有することにより、前記基材上に形成されるAl含有III族窒化物下地膜中の転位密度、すなわちエピタキシャル基板全体の転位密度が低減される。具体的には、5×1010/cm2以下、さらには109/cm2以下、特には108/cm2以下まで低減される。
【0019】
また、前記III族窒化物下地膜は、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下、さらには1700秒以下、特には1500秒以下となり、5μm範囲での表面粗さ(Ra)が3.5Å以下、さらには2.5Å以下、特には2.0Å以下となって、良好な結晶品質を有するようになる。
【0020】
なお、前記C面サファイア単結晶基材のオフ角度が、上述したより好ましい範囲内にある場合において、前記表面窒化層の作用効果が最も良く発揮され、エピタキシャル基板内の転位量を最も低減することができる。
【0021】
また、前記C面サファイア単結晶基材のオフ角度が0.3度を超えると、前記基材の表面が荒れてしまい、結果的にAl含有III族窒化物下地膜及びこの下地膜上に形成すべき、特にAl含有のIII族窒化物膜の結晶性を劣化させてしまう。
【0022】
また、前記C面サファイア単結晶基材の傾斜方向は、<1−100>方向、すなわちm軸方向であることが好ましい。これによって、前記表面窒化層の作用効果を有効に機能させることができ、エピタキシャル基板内の転位密度を十分に低減させることができる。
【0023】
なお、サファイア単結晶基板は、図1に示すように六方晶系の結晶構造を呈し、C軸、m軸、a軸は図示したような位置関係にある。したがって、C面(C軸)はm軸に対して角度θの方向へ上述した範囲の角度で傾斜することが好ましい。
【0024】
本発明においては、上記角度でオフしたC面サファイア単結晶基材の前記主面側の表層部分において表面窒化層を有していることが必要である。この表面窒化層は、前記主面から1nmにおける深さにおける窒素含有量が2原子%以上、好ましくは5原子%以上、50原子%以下となるように厚く形成する。
【0025】
なお、表面窒化層の窒素含有量及び厚さは、Arイオンを用いて前記C面サファイア単結晶基材を厚さ方向にエッチングすると同時に、ESCAによる組成分析を行って得た、厚さ方向の組成分析より求めたものである。
【0026】
詳細なESCA測定条件は以下に示す通りである。X線源として、Mgターゲットを用いたエネルギー1253.6eVのX線を用いた。分析は、測定領域1.1mmφ、検出角45度、及びパスエネルギー35.75eVで行ない、窒素原子の同定には、N1sスペクトルを用いた。測定の際の真空度は3×10−9Torrであった。エッチングには加速電圧3.0kVのAr+イオンを用い、その際、ラスター領域は3mm×3mmである。
【0027】
本条件でのエッチング速度は、SiO2で40Å/分であり、Al2O3のスパッタ速度はSiO2の場合の1/3であることが確認された。そこで、窒化表面のスパッタ速度を便宜上Al2O3換算エッチングレートから計算し、1nmエッチングするための時間を逆算して、そのエッチング時点の窒素濃度を上記窒素含有量としたものである。
【0028】
上述した表面窒化層は、前記上記角度でオフしたC面サファイア単結晶基材をアンモニアなどの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって行なう。そして、窒素濃度や窒化温度、窒化時間を適宜に制御することによって形成する。
【0029】
本発明のエピタキシャル基板においては、上述したオフC面サファイア単結晶基材の前記主面上において、前記表面窒化層を介して少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜を有することが必要である。この下地膜は転位密度などの結晶品質が良好で、高結晶性の特にAlを含むIII族窒化物膜を形成するに際して要求されるものである。したがって、前記III族窒化物下地膜の結晶性も高いほど好ましく、具体的には、前記下地膜の(0002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅で100秒以下の高結晶性を呈することが好ましい。
【0030】
このような高結晶性のIII族窒化物下地膜は、例えば、MOCVD法により前記オフC面サファイア単結晶基材を1100℃以上、好ましくは1250℃以下に加熱して形成する。
【0031】
前記III族窒化物下地膜は、サファイア単結晶基材と形成すべきIII族窒化物膜との間に位置し、いわばバッファ層的な役割をも果たすものである。従来、Ga系窒化物膜を作製するに際しては、この窒化物膜とサファイア単結晶基板との格子定数差を緩和してミスフィット転位の発生を抑制すべき低結晶性、例えば、MOCVD法を用い、前記サファイア単結晶基板を500〜600℃に加熱して、低結晶性のAlN又はGaNからなるバッファ層などを形成することが試みられていた。
【0032】
しかしながら、本発明においては、上述したような要件を満足するオフC面サファイア単結晶基材を用いているため、上述したような高結晶性のIII族窒化物下地膜を形成しても、格子定数差に起因したミスフィット転位を発生させることなく、その高結晶性に起因した上記利益を得ることができる。
【0033】
また、このような傾向は前記III族窒化物下地膜中のAl含有量が多くなるほど顕著になり、特にIII族元素中のAl含有量が50原子%以上、さらには前記III族窒化物下地膜がAlN膜(III族元素中のAl含有量が100原子%)であることが好ましい。
【0034】
なお、前記III族窒化物下地膜は、Alの他にGa及びInなどのIII族元素を含有することができ、必要に応じてMg、Si、又はBなどの元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む。
【0035】
また、前記III族窒化物下地膜の厚さは0.5μm以上であることが好ましく、さらには0.7μm〜3μmであることが好ましい。本発明のエピタキシャル基板を構成する前記サファイア単結晶基材が上述したような要件を満足することにより、前記III族窒化物下地膜を上記のように厚く形成してもクラックの発生や剥離などを生じることがない。
【0036】
また、本発明のエピタキシャル基板を用い、この基板上に目的に応じて単層のIII族窒化物膜又は複数のIII族窒化物膜が積層されてなる多層膜構造を基板として用いることにより、半導体発光素子や半導体受光素子などのフォトニックデバイスや電子デバイス、フィールドエミッタなどのIII族窒化物素子を作製することができる。
【0037】
これらのIII族窒化物素子を構成するIII族窒化物膜は、本発明のエピタキシャル基板上に形成されていることによって、低転位で結晶性に優れるため、前記III族窒化物素子を高い効率で駆動させることができるようになる。
【0038】
なお、エピタキシャル基板上へのIII族窒化物膜の形成は、前記エピタキシャル基板を作製した際に用いた同一の装置、例えば同一のMOCVD装置を用いて同一バッチで行なうこともできるし、異なる装置を用いて別バッチで行なうこともできる。
【0039】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
(実施例1)
基材としてm軸方向に0.15度オフさせたC面サファイア単結晶を用い、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定し、1200℃まで加熱した。
【0040】
そして、アンモニアガス(NH3)を水素キャリアガスとともに5分間流し、前記基材の主面を窒化させた。なお、ESCAによる分析の結果、この表面窒化処理によって、前記主面には窒化層が形成されており、前記主面から深さ1nmにおける窒素含有量が7原子%であることが判明した。
【0041】
次いで、Al供給原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)を用い、窒素供給原料としてアンモニアガス(NH3)を用い、これら原料ガスを水素キャリアガスとともに、NH3/TMAモル比=500の流量で、前記反応管内に導入するとともに、前記基材上に供給してAlN下地膜を厚さ1μmに形成し、エピタキシャル基板を作製した。なお、NH3及びTMAの流量は、前記モル比を満足するように成膜速度に応じて適宜に選択する。
【0042】
このようにして得たAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1000秒であり、良好な結晶性を有していることが判明した。表面の平坦性は、5μm角の範囲内でのRaが1.5Åと非常に良好であった。また、膜中の転位密度は5×109/cm2であった。
【0043】
次いで、Ga供給原料としてトリメチルガリウム(TMG)を導入し、NH3/(TMA+TMG)モル比=2000の流量で前記AlN下地膜上に供給し、Al0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。このAl0.1Ga0.9N膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、1×108/cm2であることが判明した。
【0044】
(実施例2)
エピタキシャル基板の基材をm軸方向に0.07度傾斜させたC面サファイア単結晶から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1300秒であることが判明した。表面平坦性は、5μm角の範囲内でのRaが1.5Åと非常に良好であった。また、膜中の転位密度は7×109/cm2であった。
【0045】
次いで、前記AlN下地膜上に実施例1と同じ条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、2×108/cm2であることが判明した。
【0046】
(実施例3)
エピタキシャル基板の基材をa軸方向に0.15度傾斜させたC面サファイア単結晶から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1300秒であることが判明した。表面平坦性は、5μm角の範囲内でのRaが1.5Åと非常に良好であった。また、膜中の転位密度は7×109/cm2であった。
【0047】
次いで、前記AlN下地膜上に実施例1と同じ条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、2×108/cm2であることが判明した。
【0048】
(実施例4)
エピタキシャル基板の基材をm軸方向に0.02度傾斜させたC面サファイア単結晶から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1800秒であることが判明した。表面平坦性は、5μm角の範囲内でのRaが1.5Åと非常に良好であった。また、膜中の転位密度は3×1010/cm2であった。
【0049】
次いで、前記AlN下地膜上に実施例1と同じ条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、5×108/cm2であることが判明した。
【0050】
(実施例5)
エピタキシャル基板の基材をm軸方向に0.3傾斜させたC面サファイア単結晶から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1500秒であることが判明した。表面の平坦性は、5μm角のRaが3.0Åと良好であった。
【0051】
次いで、前記AlN下地膜上に実施例1と同じ条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、5×108/cm2であることが判明した。
【0052】
(比較例1)
実施例1において、m軸方向に0.15度傾斜させたC面サファイア単結晶基材に対して表面窒化処理を行なうことなく、実施例1と同一の条件で直接的にAlN下地膜を形成してエピタキシャル基板を作製した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約250秒であり、(10−12)面の半値幅は約1800秒であった。また、表面の平坦性は、5μm角の範囲内でのRaが1.5Åであった。さらに、膜中の転位密度は3×1010/cm2であった。
【0053】
さらに、前記AlN下地膜上に実施例1と同一の条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、8×109/cm2であることが判明した。
【0054】
(比較例2)
エピタキシャル基板の基材をm軸方向に0.4度傾斜させたC面サファイア単結晶基材から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約1500秒であることが判明した。しかしながら、表面の平坦性は5μm角の範囲内でのRaが4.0Åであり、多くのピット及びステップバンチングが観察された。さらに、膜中の転位密度は7×1010/cm2であった。
【0055】
さらに、前記AlN下地膜上に実施例1と同一の条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、8×109/cm2であることが判明した。
【0056】
(比較例2)
エピタキシャル基板の基材をm軸方向に0.01度以下で傾斜させたC面サファイア単結晶基材から構成し、実施例1と同一の条件で表面窒化処理を施すとともに、AlN下地膜を形成した。このAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面の半値幅は約70秒であり、(10−12)面の半値幅は約2500秒であることが判明した。また、表面の平坦性は5μm角の範囲内でのRaが1.5Åであり、ピットが観察された。さらに、膜中の転位密度は5×1010/cm2であった。
【0057】
さらに、前記AlN下地膜上に実施例1と同一の条件でAl0.1Ga0.9N膜を厚さ3μmに形成した。この膜内の転位密度をTEM観察によって調べたところ、1×1010/cm2であることが判明した。
【0058】
以上、実施例及び比較例から明らかなように、本発明に従って得たエピタキシャル基板を構成するAlN下地膜は、結晶性及び表面平坦性に優れるとともに、膜中の転位密度も十分に低減されていることが分かる。したがって、このエピタキシャル基板上に形成したAl0.1Ga0.9N膜中の転位密度も低減され、良好な結晶品質を示すことが分かる。
【0059】
さらに、実施例1〜3から、エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶の主面であるC面の傾斜角度、すなわちオフ角度を0.07〜0.20度内に設定することにより、AlN下地膜の結晶性及び転位密度がより改善され、Al0.1Ga0.9N膜中の転位密度も低減されていることが分かる。
【0060】
同様に、実施例1及び3から、サファイア単結晶のC面をa軸方向よりもm軸方向に傾斜させた場合に、AlN下地膜中における結晶性向上及び転位密度低減などの効果が助長され、Al0.1Ga0.9N膜中の転位密度もより低減されていることが分かる。
【0061】
以上、具体例を挙げながら、本発明を発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の実施に形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。例えば、形成すべきAl含有窒化物膜とエピタキシャル基板との間にバッファ層やひずみ超格子などの多層積層膜を挿入し、前記Al含有窒化物膜の結晶性をさらに向上させることもできる。
【0062】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低転位で結晶性に優れた窒化物膜を形成することのできる、サファイア単結晶基材及びAl含有III族窒化物下地膜を含む新規なエピタキシャル基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】サファイア単結晶の結晶構造を示す図である。
Claims (13)
- 主面の結晶方位が<0001>方向より0.02〜0.3度傾斜するとともに、前記主面側の表層部分において表面窒化層を有するサファイア単結晶基材と、このサファイア単結晶基板の前記主面上に前記表面窒化層を介して形成された少なくともAlを含み、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下であり、5μm範囲における表面粗さ(Ra)が3.5Å以下であるIII族窒化物下地膜とを具えることを特徴とする、III族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記サファイア単結晶基材の前記主面の結晶方位は、<0001>方向より0.05〜0.25度傾斜していることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記サファイア単結晶基材の前記主面の結晶方位は、<0001>方向より0.07〜0.20度傾斜していることを特徴とする、請求項2に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記サファイア単結晶基材の前記主面の結晶方位は、<0001>方向から<1−100>方向に傾斜していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物膜の(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が1700秒以下であり、5μmにおける表面粗さ(Ra)が2.5Å以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物膜の(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が1500秒以下であり、5μmにおける表面粗さ(Ra)が2.0Å以下であることを特徴とする、請求項5に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記表面窒化層の窒素含有量が、前記サファイア単結晶基材の前記主面から1nmの深さにおいて2原子%以上であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記表面窒化層の窒素含有量が、前記サファイア単結晶基材の前記主面から1nmの深さにおいて2〜50原子%であることを特徴とする、請求項7に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜の(0002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が、100秒以下であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜の、III族元素中におけるAl含有量が50原子%以上であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜はAlN膜であることを特徴とする、請求項10に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板。
- 請求項1〜11のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板を含むことを特徴とする、III族窒化物素子用エピタキシャル基板。
- 請求項1〜11のいずれか一に記載のIII族窒化物エピタキシャル基板を含むことを特徴とする、III族窒化物素子。
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