JP4101510B2 - Iii族窒化物膜の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4101510B2 JP4101510B2 JP2001393655A JP2001393655A JP4101510B2 JP 4101510 B2 JP4101510 B2 JP 4101510B2 JP 2001393655 A JP2001393655 A JP 2001393655A JP 2001393655 A JP2001393655 A JP 2001393655A JP 4101510 B2 JP4101510 B2 JP 4101510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- nitride film
- iii nitride
- source gas
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、III族窒化物膜の製造方法に関し、詳しくは、半導体発光素子、半導体受光素子、及び電子デバイスなどに好適に用いることのできる、少なくともAlを含むIII族窒化物膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
Alを含むIII族窒化物膜は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子や半導体受光素子を構成する半導体膜として用いられており、近年においては、携帯電話などに用いられる高速ICチップなどの電子デバイスを構成する半導体膜としても注目を浴びている。
【0003】
従来、上記のようなAl含有III族窒化物膜は、Al供給原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)又はトリエチルアルミニウム(TEA)などを用い、窒素供給原料としてアンモニア(NH3)などを用い、さらに必要に応じてGa供給原料であるトリメチルガリウム(TMG)やIn供給原料であるトリメチルインジウム(TMI)などを用いたCVD法、すなわちMOCVD法により製造される。
【0004】
この場合において、前記Al含有III族窒化物膜を形成すべき基板は、所定の反応管内に設けられたサセプタ上に設置させるとともに、このサセプタ内に埋め込まれたヒータによって1000℃以上にまで加熱される。そして、前記反応管内に上述したような原料ガスをキャリアガスとともに導入し、前記基板上に供給する。
【0005】
すると、前記基板上で熱化学反応が生じて、前記各原料ガスは構成元素に分解されるとともに、これら構成元素同士が互いに反応し、目的とするAl含有III族窒化物膜が前記基板上に堆積されて製造されるものである。このAl含有III族窒化物膜は、これを用いて作製した半導体素子の特性、例えば、半導体発光素子などにおける発光効率を向上させるために、転位などの欠陥を極力低減し、膜特性を向上させることが好ましい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
III族窒化物膜中の転位密度を低減するために、例えば、基板と前記III族窒化物膜との間にバッファ層あるいは窒化層を介在させる技術や、基板上にSiO2からなるマスクパターンを形成した後、このマスクパターンを介して前記III族窒化物膜を形成する、いわゆるELO技術など、様々な技術が提案されている。
【0007】
このような技術をAl含有III族窒化物膜に適用した場合、その転位密度は全体的に大きく低減されるが、その変動幅は極めて大きいという問題があった。例えば、CVD装置を用いて複数のAl含有III族窒化物膜を長時間に亘って連続的に作製する場合、転位密度を所定の値以下に抑制すべく、当初の段階において、Al含有III族窒化物膜の作製条件、基板の種類、並びにバッファ層及び窒化層の材料や作製条件を適当に選択し、設定する。
【0008】
しかしながら、このような条件下で複数のAl含有III族窒化物膜を長時間に亘って連続的に作製すると、作製されたAl含有III族窒化物膜中に目的とする転位密度の値を大きく超えてしまうものが多数存在し、目的とする膜特性を有するAl含有III族窒化物膜を安定して得ることができないという問題があった。その結果、このようなAl含有III族窒化物膜、さらにはAl含有III族窒化物膜を具える半導体素子の製造歩留まりを大きく劣化させてしまう場合があった。
【0009】
本発明は、CVD法により、複数のAl含有III族窒化物膜を長時間に亘って連続して形成する場合に、得られたAl含有III族窒化物膜総ての転位密度などを一定の値以下とし、優れた膜特性のAl含有III族窒化物膜を安定して製造することのできる製造方法を提供し、前記Al含有III族窒化物膜、さらには前記Al含有III族窒化物膜を具える半導体素子の製造歩留まりを向上させることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、
CVD法により、基板上に少なくともAlを含有するIII族窒化物膜を製造する方法であって、
前記III族窒化物膜に対する、窒素元素原料ガス及びIII族元素原料ガスから構成される原料ガス中の酸素成分をモル濃度で1ppm以下とし、窒素元素原料ガス中の酸素成分がモル濃度で10ppb以下とするとともに、 前記III族窒化物膜をAlNから構成し、
前記III族窒化物膜中の転位密度が5×1010/cm2以下であることを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法に関する。ここで、前記原料ガスは、トリメチルアルミニウムなどのIII族原料ガスや、アンモニアガスなどのV族原料ガスを意味するものである。
【0011】
本発明者らは、CVD法により、複数のAl含有III族窒化物膜を長時間連続して作製した場合において、得られたAl含有III族窒化物膜の転位密度などの膜特性が変動する原因を解明すべく鋭意検討を実施した。そして、このような変動は必ずしも時間の経過とともに一様に大きくなるものではなく、ある特定の期間内に作製されたAl含有III族窒化物膜に対して顕著に増大するものであることを見出した。
【0012】
そこで、本発明者らはかかる事実に基づいてさらなる検討を行なった結果、Al含有III族窒化物膜の転位密度などの膜特性の変動が、原料ガス中の酸素成分濃度に起因していることを見出した。すなわち、Al含有III族窒化物膜の製造過程において、例えば、現在使用している原料ガスが充填されたボンベ内のガス量が消耗してくると、前記ボンベは新たなボンベと交換することになる。このとき、新規のボンベ内に充填されている原料ガスの純度、すなわち酸素などの不純物含有量が変化する場合がある。このため、上述したボンベの交換に伴って使用される原料ガス中の酸素成分濃度が変化し、これによってAl含有III族窒化物膜の転位密度などの膜特性が変動すること見出した。
【0013】
かかる観点より、本発明者らは原料ガス中の酸素成分濃度を極力一定に保持しなければならないことを突き止めた。一方、酸素成分濃度の増大は、Al含有III族窒化物膜における転位密度などの膜特性を劣化させる傾向にあることから、原料ガス中の酸素成分濃度を極力低減した状態で保持しなければならないことを見出し、本発明を想到するに至ったものである。
【0014】
本発明によれば、CVD法により、複数のAl含有III族窒化物膜であるAlN膜を長時間連続して作製した場合においても、得られたAlN膜総てにおいて、転位密度などを一定の値以下にすることができ、この結果、優れた膜特性のAlN膜を安定して得ることができる。したがって、AlN膜の製造歩留まりを向上させることができ、さらに、このようなAlN膜を含む半導体発光素子などの半導体素子の製造歩留まりをも向上させることができる。
【0015】
なお、上述した原料ガス中の酸素成分濃度は、下記式(1)に従って求められたものである。また、酸素成分濃度は、酸素ガスのみならず、水分及び酸素と結合した原料ガスをも含めた値である。
酸素成分濃度(モル濃度)=(Alを含むIII族元素原料ガス中の酸素成分濃度(モル濃度)×Alを含むIII族元素原料ガスのモル流量+窒素元素原料ガス中の酸素成分濃度(モル濃度)×窒素元素原料ガスのモル流量)/(Alを含むIII族元素原料ガスのモル流量+窒素元素原料ガスのモル流量) (1)
【0016】
なお、本発明においては、前記原料ガスにおける、Alを含むIII族元素原料ガス中の酸素成分をモル濃度で10ppm以下とする。これによって、Al含有III族窒化物膜の転位密度のみならず結晶性をも向上させることができる。
【0017】
さらに、本発明の他の好ましい態様においては、前記原料ガスにおける、窒素元素ガス中の酸素成分をモル濃度で10ppb以下とする。これによって、Al含有III族窒化物膜の転位密度のみならず表面平坦性をも向上させることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
本発明においては、CVD法によってAl含有III族窒化物膜を製造する際に、窒素元素原料ガス及び III 族元素原料ガスから構成される原料ガス中の酸素成分をモル濃度で1ppm以下にすることが必要であり、好ましくは100ppb以下、さらに好ましくは10ppb以下にする。これによって、長時間に亘って連続的に製造されたAl含有III族窒化物膜総ての転位密度を一定の値以下に抑制することができ、これらAl含有III族窒化物膜の膜特性を安定化させることができる。
【0019】
上記要件を満足すべく、前記原料ガス中におけるTMAなどのIII族元素原料ガスは、当初より酸素成分量が少なく高純度のものを用いる。前記原料ガス中におけるNH3などの窒素元素原料ガスは、所定のガス精製フィルタを用い、ボンベなどのガス源からCVD装置に導入される際に酸素成分を除去し、その含有量を低減させて用いる。また、高純度の窒素原料ガスを用いることもできる。
【0020】
また、原料ガス中の酸素成分濃度を上述した範囲内に設定することによって、長時間に亘って連続して作製した複数のAl含有III族窒化物膜のほとんど総てにおいて、転位密度を5×1010/cm2以下、さらには1×1010/cm2以下まで低減することができる。
【0021】
さらに、本発明においては、原料ガス全体の酸素成分濃度を上述した範囲内に設定した状態において、TMAなどのIII族元素原料ガス中の酸素成分をモル濃度で10ppm以下、さらには1ppm以下とすることが好ましい。これによって、Al含有III族窒化物膜の結晶性をも向上させることができる。具体的には、Al含有III族窒化物膜の、(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅で2000秒以下、さらには1500秒以下まで、その結晶性を向上させることができる。
【0022】
また、原料ガス全体の酸素成分濃度を上述した範囲内に設定した状態において、NH3などの窒素元素原料ガスの酸素成分をモル濃度で10ppb以下とし、さらには1ppb以下とすることが好ましい。これによって、Al含有III族窒化物膜の表面平坦性をも向上させることができる。具体的には、表面平均粗さRaで5Å以下、さらには2Å以下まで表面平坦性を向上させることができる。なお、前記表面平坦性はAFMを用いて測定した値である。
【0023】
上述したように、本発明の製造方法において、少なくともAlを含有するIII族窒化物膜を製造する際に用いることができるが、前記III族窒化物膜中のAl含有量が増大するほど、本発明の作用効果がより発揮される。したがって、本発明では、前記 III 族窒化物膜をAlNから構成する。
【0024】
しかしながら、前記AlN膜は、Alの他にGa及びInなどのIII族元素を含むこともできる。また、必要に応じてGe、Si、Mg、Zn、Be、P、及びBなどの添加元素を含むことができる。さらには、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件、原料、及び反応管材質に含まれる微量不純物を含むこともできる。
【0025】
また、前記AlN膜は、サファイア単結晶、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgAl2O4単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶などのIV族あるいはIV−IV族単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶、及びAlGaN単結晶などのIII−V族単結晶、ZrB2などのホウ化物単結晶などからなる基板上に直接的に形成することもできるし、所定のバッファ層及び/又は下地層を介して形成することもできる。さらには、ひずみ超格子などの多層膜構造を介して形成することもできる。
【0026】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
(実施例1)
基板としてc面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。その後、前記基板を1150℃まで加熱するとともに、Al供給原料としてTMA及び窒素供給原料としてNH3を前記反応管内に導入するとともに、前記基板上に供給してAlN膜を厚さ1.5μmに形成した。そして、このような過程を繰り返すことにより、前述した厚さ1.5μmのAlN膜を10サンプル作製した。
【0027】
なお、TMA中の酸素成分濃度をほぼ50ppmとし、NH3中の酸素成分濃度をほぼ1ppbとし、原料ガス全体の酸素成分濃度をほぼ2ppbとした。得られたAlN膜の転位密度は総て約5×1010/cm2以下であった。また、(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は総て約1900秒以下であり、平均表面粗さRaは総て2Å以下であった。
【0028】
(実施例2)
TMA中の酸素成分濃度をほぼ2ppmとし、NH3中の酸素成分濃度をほぼ1ppbとし、原料ガス全体の酸素成分濃度をほぼ5ppbとして、実施例1同様に厚さ1.5μmのAlN膜を10サンプル作製した。得られたAlN膜の転位密度は総て約1×1010/cm2以下であった。また、(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は総て約1600秒以下であり、平均表面粗さRaは総て2Å以下であった。
【0029】
(比較例)
TMA中の酸素成分濃度をほぼ50ppmとし、NH3中の酸素成分濃度をほぼ1ppmとし、原料ガス全体の酸素成分濃度をほぼ2ppmとして、実施例1同様に厚さ1.5μmのAlN膜を10サンプル作製した。得られたAlN膜の転位密度は総て約1×1011/cm2程度であった。また、(100)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は総て約2500秒以下であり、平均表面粗さRaは総て30Å以下であった。
【0030】
以上、実施例及び比較例から明らかなように、本発明に従ってAlN膜の原料ガスであるTMA及びNH3全体における酸素成分濃度を1ppm以下とすることにより、得られたAlN膜は総て5×1010/cm2以下の低い転位密度を有し、安定していることが分かる。また、実施例1〜4から明らかなように、原料ガス全体における原料ガス中の酸素成分濃度のみではなく、TMA中の酸素成分濃度を10ppm、及びNH3中の酸素成分濃度を10ppbとすることにより、優れた結晶性及び表面平坦性のAlN膜を安定して製造できることが分かる。
【0031】
以上、具体例を挙げながら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の実施に形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、CVD法により、複数のAl含有III族窒化物膜を長時間に亘って連続して形成する場合に、得られたAl含有III族窒化物膜総ての転位密度などを一定の値以下とし、優れた膜特性のAl含有III族窒化物膜を安定して製造することができる。その結果、前記Al含有III族窒化物膜、さらには前記Al含有III族窒化物膜を具える半導体素子の製造歩留まりを向上させることができる。
Claims (4)
- CVD法により、基板上に少なくともAlを含有するIII族窒化物膜を製造する方法であって、
前記III族窒化物膜に対する、窒素元素原料ガス及びIII族元素原料ガスから構成される原料ガス中の酸素成分をモル濃度で1ppm以下とし、窒素元素原料ガス中の酸素成分がモル濃度で10ppb以下とするとともに、
前記III族窒化物膜をAlNから構成し、
前記III族窒化物膜中の転位密度が5×1010/cm2以下であることを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。 - 前記原料ガスにおける、Alを含むIII族元素原料ガス中の酸素成分がモル濃度で10ppm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記 III 族窒化物膜の、(100)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の III 族窒化物膜の製造方法。
- 前記 III 族窒化物膜の平均表面粗さRaが5Å以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載の III 族窒化物膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001393655A JP4101510B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Iii族窒化物膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001393655A JP4101510B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Iii族窒化物膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003197540A JP2003197540A (ja) | 2003-07-11 |
JP4101510B2 true JP4101510B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=27600598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001393655A Expired - Lifetime JP4101510B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Iii族窒化物膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4101510B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011037251A1 (ja) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 株式会社トクヤマ | 積層体の製造方法 |
WO2011058968A1 (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-19 | 株式会社トクヤマ | 積層体の製造方法 |
JP2015070085A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001393655A patent/JP4101510B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003197540A (ja) | 2003-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8674399B2 (en) | Semiconductor layer | |
JP2002222771A (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法 | |
JP3768943B2 (ja) | Iii族窒化物エピタキシャル基板、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板及びiii族窒化物素子 | |
JP4963763B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP4555340B2 (ja) | GaN系窒化膜を形成する方法 | |
KR100884288B1 (ko) | 질화물 반도체, 질화물 반도체를 이용한 발광 소자, 발광다이오드, 레이저 소자 및 램프, 및 그 제조 방법 | |
JP3954335B2 (ja) | Iii族窒化物多層膜 | |
JP4331906B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法 | |
US6759715B2 (en) | Epitaxial base substrate and epitaxial substrate | |
JP4781599B2 (ja) | エピタキシャル基板、及び多層膜構造 | |
KR100447856B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 에피택셜 기판 및 그 사용 방법 | |
KR101008856B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 소자의 제조방법 | |
JP4101510B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法 | |
JP3946976B2 (ja) | 半導体素子、エピタキシャル基板、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板の製造方法 | |
JP3941449B2 (ja) | Iii族窒化物膜 | |
JP4001262B2 (ja) | 窒化物膜の製造方法 | |
JP4794799B2 (ja) | エピタキシャル基板及び半導体積層構造 | |
JP2004006587A (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
KR100765386B1 (ko) | 질화 갈륨계 화합물 반도체 및 이의 제조 방법 | |
JP2003218045A (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法 | |
KR20090030651A (ko) | 질화갈륨계 발광소자 | |
JP4425871B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法 | |
JP3905785B2 (ja) | エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP5366080B2 (ja) | 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子、その製造方法 | |
JP4514727B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060224 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060329 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060420 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060526 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4101510 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |