JP2004006587A - Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 - Google Patents
Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006587A JP2004006587A JP2002257864A JP2002257864A JP2004006587A JP 2004006587 A JP2004006587 A JP 2004006587A JP 2002257864 A JP2002257864 A JP 2002257864A JP 2002257864 A JP2002257864 A JP 2002257864A JP 2004006587 A JP2004006587 A JP 2004006587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iii nitride
- nitride film
- group iii
- substrate
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 80
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 9
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】所定の単結晶基板の主面上に、AlNからなる針状構造を形成する。次いで、前記単結晶基板の前記主面上において、前記針状構造を介してAl含有III族窒化物膜を形成する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、III族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、及びIII族窒化物膜に関し、詳しくは、各種半導体素子の半導体膜形成及び基板として好適に用いることのできる、III族窒化物膜の製造方法及びエピタキシャル成長用基板、並びに前記半導体素子の前記半導体膜として好適に用いることのできるIII族窒化物膜に関する。また、本発明は、前記III族窒化物膜を用いた半導体素子用エピタキシャル基板及びIII族窒化物素子に関する。
【0002】
【従来の技術】Alを含むIII族窒化物膜は、半導体発光素子や半導体受光素子を構成する半導体膜として用いられており、近年においては、携帯電話などに用いられる高速ICチップなどの電子デバイスを構成する半導体膜としても注目を浴びている。
【0003】上記半導体素子は、サファイア単結晶などからなる単結晶基板上に、必要に応じてIII族窒化物からなる緩衝膜を形成した後、この緩衝膜上に同じくAl含有III族窒化物膜からなる下地膜を形成し、この下地膜上に目的とする機能を有する各種Al含有III族窒化物膜を形成することによって得る。また、通常においては、前記基板、前記緩衝膜、及び前記下地膜を一体と見なし、これをエピタキシャル成長用基板として呼んでいる。また、前記エピタキシャル成長用基板上に単層又は複数のIII族窒化物膜を形成してなる多層膜構造を半導体素子用エピタキシャル基板として呼んでいる。
【0004】前記緩衝膜は、前記基板と前記下地膜との格子定数差を補完して緩衝効果を発揮させるべく、その結晶性を無視して500〜700℃の低温において、MOCVD法によって形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、緩衝膜は上述したような低温度で形成されるために結晶性が低く、前記緩衝膜上に形成した下地膜及び各種機能が付与されたAl含有窒化物膜の結晶性を十分に高めることができないでいた。さらに、前記緩衝膜中には比較的多量の転位が存在するため、前記下地膜及び前記Al含有半導体膜にも前記転位に起因した多量の転位が生成されてしまうとともに、X線ロッキングカーブで評価することのできるモザイク性が大きくなってしまっていた。さらに緩衝膜形成とIII族窒化物膜形成との間の温度履歴により、Al含有III族窒化物膜の結晶性や転位密度などの結晶品質が大きくばらついてしまうという問題もあった。
【0006】この結果、各種機能が付与されたAl含有III族窒化物膜の結晶性や転位密度などの結晶品質を十分に高めることができず、これらのAl含有III族窒化物膜を含む半導体素子、例えば半導体発光素子などにおいては、その発光効率が劣化してしまうという問題があった。
【0007】本発明は、所定の単結晶基板上において、高い結晶品質のAl含有III族窒化物膜を形成することが可能な、新規なIII族窒化物膜の製造方法を提供するとともに、前記高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を形成することができる新規な構成のエピタキシャル成長用基板を提供することを目的とする。さらには、各種半導体素子を構成する半導体膜として好適に用いることのできる高結晶品質のIII族窒化物膜を提供することを目的とする。
【0008】さらには、前記III族窒化物膜を含む半導体素子並びに半導体素子用エピタキシャル基板を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、本発明は、少なくともAlを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、AlNからなる針状構造を主面に有する単結晶基板の、前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法に関する。
【0010】また、本発明は、所定の単結晶基板と、この単結晶基板の主面上においてAlNからなる針状構造とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板に関する。
【0011】本発明者らは、単結晶基板上において結晶品質に優れたAl含有III族窒化物膜を形成すべく鋭意検討を実施した。そして、単結晶基板の、前記Al含有窒化物膜を形成すべき主面の状態に着目した。その結果、前記単結晶基板の前記主面上にAlNからなる針状構造を設け、前記主面上において前記針状構造を介して所定のAl含有III族窒化物膜を形成することにより、上述したような
【0012】すなわち、本発明の製造方法及びエピタキシャル成長用基板を用いることによって、高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を得ることができる。具体的には、本発明に従って、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下、さらには1500秒以下であるAl含有III族窒化物膜を得ることができる。また、転位密度は5×1010/cm2、さらには1×1010/cm2まで低減することができる。
【0013】また、前記Al含有III族窒化物膜上に追加のIII族窒化物膜を設けた場合、その膜中の転位密度を1×109/cm2以下、さらには1×108/cm2以下まで低減することができる。なお、この転位密度削減の効果は、前記追加のIII族窒化物膜の、前記Al含有III族窒化物膜に対するAl組成差が0.5以上、さらには0.8以上と大きくなるに従って顕著になる。特には、前記追加のIII族窒化物膜がAlを含まない場合において、前記転位削減効果はより顕著となる。
【0014】したがって、本発明のAl含有III族窒化物を用いることによって、優れた特性の半導体素子を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態に即して詳細に説明する。
図1は、本発明のエピタキシャル成長用基板の一部を概念的に示す平面図であり、図2は、エピタキシャル成長用基板の一部を概念的に示す断面図である。図1及び図2に示すように、本発明のエピタキシャル成長用基板5は、所定の単結晶基板1と、この単結晶基板1の主面1A上においてAlNからなる針状構造2とを具えている。
【0016】針状構造2の高さhは、本発明に従って高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を得ることができれば特には限定されないが、0.5nm以上であることが好ましく、さらには1nm以上であることが好ましい。これによって、前記Al含有III族窒化物膜の組成や厚さ、さらには形成条件などに依存することなく、高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を簡易に形成することができる。
【0017】また、針状構造2の高さの上限は特に限定されるものではないが、現状においては、5nmであることが好ましい。すなわち、針状構造2の高さhが前記値を超えて増大しても、前記Al含有III族窒化物膜の結晶品質はほとんど向上しない。さらに、現状の技術では、上記値を超えた針状構造を作製することは極めて困難である。
【0018】同様に、針状構造2の密度も、本発明に従って高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を得ることができれば特には限定されない。しかしながら、1個/μm2以上であることが好ましく、さらには10個/μm2以上であることが好ましい。これによって、前記Al含有III族窒化物膜において、特にAl組成の多い領域において高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を簡易に形成することができる。
【0019】また、針状構造2の密度の上限についても特に限定されるものではないが、現状においては1000個/μm2であることが好ましい。すなわち、針状構造2の密度が前記値を超えて増大しても、前記Al含有III族窒化物膜の結晶品質はほとんど向上しない。さらに、現状の技術では、上記値を超えた針状構造を作製することは極めて困難である。
【0020】針状構造2は、例えば、単結晶基板1に対して表面処理を施すことによって形成することができる。具体的には、単結晶基板1を還元性の窒素を含む雰囲気中に配置して加熱することによって形成することができる。また、塩素系やフッ素系のガスを用いた表面処理によっても形成することができる。表面処理条件は、使用する単結晶基板1の種類並びに針状構造2の高さ及び密度などに応じて適宜に選択する。
【0021】また、トリメチルアルミニウム(TMA)又はトリエチルアルミニウム(TEA)などのAl供給原料ガスと、アンモニア(NH3)などの窒素供給原料ガスとを用いたCVD法によっても形成することができる。この場合においても、使用する単結晶基板1の種類並びに針状構造2の高さ及び密度などに応じて前記CVD法の諸条件を設定する。
【0022】さらには、針状の微結晶体を別個に作製し、単結晶基板1の主面1A上に撒布することによっても形成することができる。
【0023】針状構造2内には、例えばGa、In、Si、Ge、Be、Mg、Zn、H、C、及びOなどの不純物を意図的に含ませることができる。また、配管内、反応管内、基板、及びサセプタ部品からの意図しない不純物を含むこともある。
【0024】なお、単結晶基板1は、サファイア単結晶、ZnO単結晶、LiAlO2単結晶、LiGaO2単結晶、MgAl2O4単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶などのIV族あるいはIV−IV族単結晶、GaAs単結晶、AlN単結晶、GaN単結晶、及びAlGaN単結晶などのIII−V族単結晶、ZrB2などのホウ化物単結晶などの、公知の基板材料から構成することができる。
【0025】さらに、上述した単結晶からなる下地基材上に、ZnO単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単結晶、SiC単結晶などのIV族あるいはIV−IV族単結晶、GaAs単結晶、InP単結晶などのIII−V族単結晶、あるいはこれらの混晶からなるエピタキシャル成長膜を具えることもできる。
【0026】本発明の製造方法は、図1及び図2に示すエピタキシャル成長用基板5上にAl含有III族窒化物膜を形成する。すなわち、図1及び図2に示す単結晶基板1の主面1A上に、針状構造2を介してAl含有III族窒化物膜を形成する。このようにして得たAl含有III族窒化物膜は、結晶性及び転位密度ともに改善され、優れた結晶品質を有するようになる。
【0027】具体的には、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅で100秒以下を確保した上で、(102)面の半値幅で2000秒以下、さらには1500秒以下となるまで結晶性が向上する。また、転位密度は5×1010/cm2、さらには1×1010/cm2以下にまで低減することができる。
【0028】前記Al含有III族窒化物膜は、例えば、CVD法によって形成することができる。この場合は、図1及び図2に示すエピタキシャル成長用基板5を所定のCVD装置内に配置させた後に所定の温度に加熱し、Al供給原料ガスとしてのトリメチルアルミニウム(TMA)又はトリエチルアルミニウム(TEA)、及び窒素供給原料ガスとしてのアンモニア(NH3)を、所定のキャリアガスとともに前記CVD装置内に導入するとともに、エピタキシャル成長用基板5上に供給する。
【0029】また、前記III族窒化物膜中にAl以外のGa及び/又はInを含める場合は、Ga供給原料ガス及び/又はIn供給原料ガスとして、トリメチルガリウム(TMG)及びトリメチルインジウム(TMI)などを用い、これらのガスを前記Al供給原料ガスなどとともにエピタキシャル成長用基板5上に供給する。すると、これらの原料ガスがエピタキシャル成長用基板5上において互いに熱化学的に反応して、目的とするAl含有III族窒化物膜を得ることができる。
【0030】上記のようにCVD法を用いてAl含有III族窒化物膜を作製する際、エピタキシャル成長用基板5は1100℃以上に加熱することが好ましく、さらには1150℃以上に加熱することが好ましい。これによって、前記Al含有III族窒化物自体の結晶性をさらに向上させることができる。ここでの温度は基板表面温度を意味する。
【0031】また、エピタキシャル成長用基板5は1250℃以下に設定することが好ましい。この温度を超えてエピタキシャル成長用基板5を加熱しても、前記Al含有III族窒化物膜の結晶性に向上には寄与しない。さらには、材料成分の拡散により前記Al含有III族窒化物膜の表面が荒れてしまい、結晶品質が劣化してしまう場合がある。
【0032】なお、Al含有III族窒化物膜の厚さは0.5μm以上であることが好ましく、さらには1μm〜3μmであることが好ましい。これによってクラックの発生やエピタキシャル成長用基板5からの剥離を抑制した状態において、前記Al含有III族窒化物膜の結晶性をより効果的に高めることができる。
【0033】本発明に従って形成すべきIII族窒化物膜は、Alを含むことが要求されるが、好ましくは全III族元素に対して50原子%以上のAlを含むことが好ましい。特には前記III族窒化物膜がAlNから構成される(100原子%のAl)ことが好ましい。本発明はAlを含む総てのIII族窒化物膜に適用することができるが、Al含有量が増大するにつれて本発明の作用効果を顕著に発現するようになる。
【0034】但し、エピタキシャル基板5上に針状構造2を介して前記Al含有III族窒化物膜を形成した場合、針状構造2は明確に観察されなくなる。むしろ、エピタキシャル基板5を構成する単結晶基板1と前記Al含有III族窒化物膜の界面を断面観察した場合に、前記界面が急峻となるようにして針状構造2を構成することが重要となる。界面の急峻性を保つことにより、格子ミスマッチから発生する転位が界面のみに規則正しく配列し、前記Al含有III族窒化物膜内での転位の発生を抑制することができる。
【0035】なお、上述したIII族窒化物膜はAlの他、Ga及びInなどを含むことができる。さらに、必要に応じてGe、Si、Mg、Zn、Be、P、及びBなどの添加元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件などに依存して必然的に取り込まれる微量元素、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含むこともできる。
【0036】
図3は、本発明のエピタキシャル成長用基板を用いて作製したいわゆるPIN型の半導体発光素子の一例を示す構成図である。
【0037】図3に示す半導体発光素子20においては、基板11上において、下地層12、n型導電層13、発光層14、p型クラッド層15、p型導電層16がこの順に形成されている。n型導電層13の一部は露出しており、この露出した部分にAl/Tiなどのn型電極17が形成されるとともに、p型導電層16上にはAu/Niなどのp型電極18が形成されている。
【0038】そして、n型電極17及びp型電極18間に所定の電圧を印加することにより、発光層14内でキャリアの再結合が生じ、所定の波長の光を発光する。なお、前記波長は、発光層の構造及び組成などによって決定される。
【0039】図3に示す半導体発光素子20において、基板11は図1及び図2に示すような本発明のエピタキシャル成長用基板から構成する。また、下地層12は、上述したAl含有III族窒化物膜から構成する。したがって、下地層12は上述したような本発明の要件を満足することが要求される。
【0040】なお、下地層12上に形成されたn型導電層13からp型導電層16までは、下地層12に対してAl組成差が0.5以上、さらには0.8以上となるIII族窒化物から構成することが好ましい。これによって、上述したように、n型導電層13中などにおける転位密度を効果的に削減することができる。なお、転位密度削減効果をより顕著ならしめるためには、n型導電層13などをAlを含まないIII族窒化物から構成することが好ましい。
【0041】図3に示す半導体発光素子20は、基板11を本発明のエピタキシャル成長用基板から構成し、下地層12を本発明の高結晶品質のAl含有III族窒化物膜から構成しているので、下地層12上に形成されたn型導電層13からp型導電層16までの結晶品質も向上し、従来に比較して高い発光効率を呈するようになる。
【0042】なお、下地層12からp型導電層16は例えばMOCVD法を用いてエピタキシャル成長により形成することができる。
【0043】
【実施例】
(実施例1〜3)
単結晶基板としてC面サファイア基板を用い、これを反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。そして、水素ガスを10slmの流量で流しながら前記C面サファイア基板を1150℃まで加熱し、10分間保持して表面をクリーニングした。次いで、アンモニアガス(NH3)1000sccmを全ガス流量が5slm、圧力が20Torrとなるように導入し、0.5分、3分、及び5分間保持して、前記C面サファイア基板の主面に対して表面処理を施した。
【0044】このときの、前記C面サファイア基板の前記主面の状態をAFMによって観察したところ、図4及び図5に示すような結果が得られた。図4及び図5は、それぞれ1μm角及び5μm角の領域を示す。また、図4(a)及び図5(a)が表面処理時間0.5分の場合のAFM像であり、図4(b)及び図5(b)が表面処理時間3分の場合のAFM像である。また、図4(c)及び図5(c)が表面処理時間5分の場合のAFM像である。なお、図4及び図5に示す写真において、白い斑点部分が針状構造に相当する。
【0045】図4及び図5から明らかなように、上述のような表面処理を行なうことにより、C面サファイア基板の主面上に針状構造が形成され、さらに、表面処理時間が長くなるにつれて針状構造の密度が増大していることが分かる。
【0046】次いで、TMA及びNH3を、全ガス流量が10slm、圧力が15Torr、流量比(NH3/TMA)=500となるようにして導入し、図4及び図5に示すような針状構造を有するC面サファイア基板、すなわち、エピタキシャル成長用基板の主面上に、前記針状構造を介してAlN膜を厚さ2μmに形成した。このようにして得たAlN膜中の結晶性を調べたところ、表1に示すような結果が得られた。
【0047】これらのサンプルに対して断面TEM観察を行い、AlN膜とサファイア基板との界面の原子像を観察したところ、100nmの範囲内で原子3ステップ以下に対応する界面の粗れしか観察されず、急峻な界面を有することが確認された。また、格子ミスマッチに起因する転位もAlNの8原子層おきにほぼ等間隔に存在することが確認された。なお、TEM像を図6に示す。
【0048】次いで、基板温度を1120℃に設定した後、圧力を常圧に設定し、TMA、NH3及びSiH4を全ガス平均流速1m/secで流して、n型導電層としてのSiドープn−Al0.05Ga0.95N層を厚さ3μmに成長させた。原料供給量は成膜速度が3μm/hrとなるように設定した。なお、SiH4は、キャリア濃度が5×1017/cm3となるように供給した。
【0049】次いで、各原料ガスの供給を停止し、キャリアガスを窒素に変更した後、基板温度を700℃とした。前記n−Al0.05Ga0.95N層上に、TMI、TMG、及びNH3を全ガス流速1m/secで流して、のi−InGaN層からなるMQW構造の発光層を形成した。次いで、TMIをTMAに切り替えるとともに、Cp2Mgをキャリア濃度が2×1017/cm3となるようにして供給することにより、p型クラッド層としてのp−Al0.15Ga0.85N層を厚さ20nmに成長させた。その後、TMAの供給を停止して基板温度を1100℃に上昇させた後、TMG、NH3及びCp2Mgを供給し、p型導電層としてのMgドープp−Al0.05Ga0.95N層を厚さ0.2μmに形成した。
【0050】n型導電層などを構成する前記n−AlGaN層、前記i−InGaN層及び前記p−AlGaN層(追加のIII族窒化物膜)の転位密度を断面TEM観察によって調べたところ、表1に示すような結果が得られた。
【0051】(比較例)
NH3を用いた表面処理を行なわず、C面サファイア基板上にAlN膜を上記実施例と同様の条件で直接的に形成した。このようにして得たAlN膜の結晶性を調べたところ、表1に示すような結果が得られた。なお、サンプルによっては、(102)面からのX線回折ピークにおいてピーク分裂が観察された。
【0052】本サンプルについても断面TEM観察を行い、AlN膜とサファイア基板の界面の原子像を観察したところ、100nmの範囲内で原子5ステップに対応する界面の粗れが観察され、非常に粗い界面を有することが確認された。、また、格子ミスマッチに起因する転位は明確に観察されなかった。なお、TEM像を図7に示す。
【0053】
【表1】
【0054】表1から明らかなように、C面サファイア基板の主面上に針状構造を有するエピタキシャル成長用基板に作製したAlN膜は、針状構造を有しないC面サファイア基板上に直接的に作製したAlN膜と比較して、転位密度が低減されているとともに、結晶性が向上していることが分かる。具体的には、針状構造を有するエピタキシャル成長用基板上に形成した総てのAlN膜において、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下を確保した上で、(102)面の半値幅が2000秒以下となっており、高い結晶性を示すことが分かる。
【0055】また、上記AlN膜上に形成したn−AlGaN層からなるn型導電層などの転位密度も一様に向上していることが分かる。
【0056】以上、具体例を挙げながら、発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。例えば、単結晶基板上に、所定の緩衝層やひずみ超格子などの多層積層膜を挿入し、前記単結晶基板上に形成すべきAl含有III族窒化物膜の結晶性をさらに向上させることもできる。
【0057】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、所定の単結晶基板上において、高い結晶品質のAl含有III族窒化物膜を形成することが可能な、III族窒化物膜の製造方法を提供することができる。また、前記高結晶品質のAl含有III族窒化物膜を形成することができるエピタキシャル成長用基板を提供することができる。さらには、各種半導体素子を構成する半導体膜として好適に用いることのできる高結晶品質のIII族窒化物膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のエピタキシャル成長用基板の一部を概念的に示す平面図である。
【図2】本発明のエピタキシャル成長用基板の一部を概念的に示す断面図である。
【図3】本発明のエピタキシャル成長用基板を用いて作製した半導体発光素子の一例を示す構成図である。
【図4】本発明のエピタキシャル成長用基板の主面の状態を示すAFM像である。
【図5】本発明のエピタキシャル成長用基板の主面の状態を示すAFM像である。
【図6】本発明のエピタキシャル成長用基板の断面TEM像である。
【図7】従来のエピタキシャル成長用基板の断面TEM像である。
【符号の説明】
1 単結晶基板、1A 単結晶基板の主面、2 針状構造、5 エピタキシャル成長用基板
Claims (16)
- 少なくともAlを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、
AlNからなる針状構造を主面に有する単結晶基板の、前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。 - 前記針状構造の高さが0.5nm以上であることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記針状構造の針状部の密度が1個/μm2以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、Alを全III族元素に対して50原子%以上の割合で含有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、AlNから構成されることを特徴とする、請求項4に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、CVD法を用いて1100℃以上の温度で形成することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜は、1100〜1250℃で形成することを特徴とする、請求項6に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 前記III族窒化物膜のX線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
- 所定の単結晶基板と、この単結晶基板の主面上においてAlNからなる針状構造とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板。
- 前記針状構造の高さが0.5nm以上であることを特徴とする、請求項9に記載のエピタキシャル成長用基板。
- 前記針状構造の針状部の密度が1個/μm2以上であることを特徴とする、請求項9又は10に記載のエピタキシャル成長用基板。
- 少なくともAlを含み、X線ロッキングカーブにおける(002)面の半値幅が100秒以下であり、(102)面の半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。
- 前記III族窒化物膜は、Alを全III族元素に対して50原子%以上の割合で含有することを特徴とする、請求項12に記載のIII族窒化物膜。
- 前記III族窒化物膜は、AlNから構成されることを特徴とする、請求項13に記載のIII族窒化物膜。
- 請求項12〜14のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物膜素子用エピタキシャル基板。
- 請求項12〜14のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002257864A JP3831322B2 (ja) | 2001-12-25 | 2002-09-03 | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
US10/321,658 US6749957B2 (en) | 2001-12-25 | 2002-12-18 | Method for fabricating a III nitride film, substrate for epitaxial growth, III nitride film, epitaxial growth substrate for III nitride element and III nitride element |
EP02028869.2A EP1323851B1 (en) | 2001-12-25 | 2002-12-23 | Method for fabricating a III nitride film |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001390844 | 2001-12-25 | ||
JP2002080745 | 2002-03-22 | ||
JP2002257864A JP3831322B2 (ja) | 2001-12-25 | 2002-09-03 | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006112479A Division JP4514727B2 (ja) | 2001-12-25 | 2006-04-14 | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006587A true JP2004006587A (ja) | 2004-01-08 |
JP3831322B2 JP3831322B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=27347989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002257864A Expired - Lifetime JP3831322B2 (ja) | 2001-12-25 | 2002-09-03 | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6749957B2 (ja) |
EP (1) | EP1323851B1 (ja) |
JP (1) | JP3831322B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260230A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Siltron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4712450B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-06-29 | 日本碍子株式会社 | AlN結晶の表面平坦性改善方法 |
CN101589454B (zh) * | 2006-12-12 | 2012-05-16 | 怡得乐Qlp公司 | 电子元件的塑料封装体 |
JP5095253B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-12-12 | 富士通株式会社 | 半導体エピタキシャル基板、化合物半導体装置、およびそれらの製造方法 |
KR101317735B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2013-10-15 | 도꾸리쯔교세이호징 리가가쿠 겐큐소 | 질화물 반도체 다층 구조체 및 그 제조 방법과, 질화물 반도체 발광 소자 |
CN102054916B (zh) * | 2010-10-29 | 2012-11-28 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 反射器及其制作方法,以及包含该反射器的发光器件 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07144920A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-06-06 | Takeshi Masumoto | 窒化物複合超微粒子及びその製造方法と超微粒子焼結体 |
JPH07138086A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Toshiba Corp | 表面導電性窒化アルミニウム基体およびその製造方法 |
JPH07235692A (ja) * | 1993-12-30 | 1995-09-05 | Sony Corp | 化合物半導体装置及びその形成方法 |
US5656832A (en) * | 1994-03-09 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness |
KR100304881B1 (ko) * | 1998-10-15 | 2001-10-12 | 구자홍 | Gan계화합물반도체및그의결정성장방법 |
KR20010029852A (ko) | 1999-06-30 | 2001-04-16 | 도다 다다히데 | Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
US6495894B2 (en) * | 2000-05-22 | 2002-12-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Photonic device, a substrate for fabricating a photonic device, a method for fabricating the photonic device and a method for manufacturing the photonic device-fabricating substrate |
JP2002124472A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法 |
JP2002222771A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-08-09 | Ngk Insulators Ltd | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法 |
JP4001262B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2007-10-31 | 日本碍子株式会社 | 窒化物膜の製造方法 |
JP4209097B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2009-01-14 | 日本碍子株式会社 | 半導体受光素子 |
JP4260380B2 (ja) | 2001-06-12 | 2009-04-30 | 日本碍子株式会社 | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜製造用サファイア単結晶基板、及びエピタキシャル成長用基板 |
JP3954335B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2007-08-08 | 日本碍子株式会社 | Iii族窒化物多層膜 |
-
2002
- 2002-09-03 JP JP2002257864A patent/JP3831322B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-18 US US10/321,658 patent/US6749957B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-23 EP EP02028869.2A patent/EP1323851B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260230A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Siltron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030124393A1 (en) | 2003-07-03 |
EP1323851B1 (en) | 2015-07-01 |
US6749957B2 (en) | 2004-06-15 |
EP1323851A3 (en) | 2006-09-06 |
EP1323851A2 (en) | 2003-07-02 |
JP3831322B2 (ja) | 2006-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5928366B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
TW486829B (en) | Epitaxial growth of nitride semiconductor | |
US7172956B2 (en) | Substrate for semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting element fabrication method | |
US9190268B2 (en) | Method for producing Ga-containing group III nitride semiconductor | |
US8143154B2 (en) | Relaxed InGaN/AlGaN templates | |
JP4963763B2 (ja) | 半導体素子 | |
KR100898553B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 소자 | |
JP4940670B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子を作製する方法 | |
US7005685B2 (en) | Gallium-nitride-based compound semiconductor device | |
JP3831322B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
JP3634255B2 (ja) | 窒化物半導体素子のエピタキシャル成長 | |
GB2529594A (en) | Active region including nanodots (referred to also as "quantum dots") in matrix crystal grown on SI substrate and constituted of zincblende | |
JP2003077835A (ja) | Iii族窒化物素子及びiii族窒化物エピタキシャル基板 | |
JP2006128653A (ja) | 3−5族化合物半導体、その製造方法及びその用途 | |
JP4794799B2 (ja) | エピタキシャル基板及び半導体積層構造 | |
JP4624064B2 (ja) | Iii族窒化物半導体積層物 | |
JP4514727B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
JP2004047867A (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 | |
JP4099107B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001308464A (ja) | 窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板 | |
JP2002075880A (ja) | 窒化物系半導体層の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP2004165469A (ja) | 半導体素子用基板、半導体素子、及び半導体素子の製造方法 | |
JP4107889B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4609334B2 (ja) | 窒化物系半導体基板の製造方法、窒化物系半導体基板、及び窒化物系半導体発光素子 | |
JP2009026956A (ja) | 発光素子、発光素子のための基板生産物、および発光素子を作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060414 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3831322 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090721 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |