JP4624064B2 - Iii族窒化物半導体積層物 - Google Patents
Iii族窒化物半導体積層物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4624064B2 JP4624064B2 JP2004298871A JP2004298871A JP4624064B2 JP 4624064 B2 JP4624064 B2 JP 4624064B2 JP 2004298871 A JP2004298871 A JP 2004298871A JP 2004298871 A JP2004298871 A JP 2004298871A JP 4624064 B2 JP4624064 B2 JP 4624064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor layer
- layer
- group iii
- iii nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
(1)基板上にAlNからなる第1窒化物半導体層、該第1窒化物半導体層上のAlx1Ga1-x1N(0≦x1≦0.1)からなる第2窒化物半導体層および該第2窒化物半導体層上のAlx2Ga1-x2N(0<x2<1かつx1+0.02≦x2)からなる第3窒化物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体積層物。
また、AlGaN層成長後の後処理を必要としないため、生産性に優れている。
窒化物半導体の組成は、X線回折より求めた。なお、図4〜6の縦軸における窒化物半導体のAl組成は、厚膜AlGaNを用いて、エネルギー分散型X線分光分析(EDX)により求めたEDX強度比とX線回折から求めるAl組成との関係式を求めておき、この関係式を用いて実際の該当位置のEDX強度比をAl組成に換算した。
層の厚さは、透過型電子顕微鏡による拡大観察から求めた。
図3は本実施例で製作したIII族窒化物半導体発光素子の断面構造を模式的に示す図である。この図において、III族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10上に、よく知られたMOCVD法で各層を順次積層して形成した。基板はサファイアC面、オフ角0.2°を用いた。このサファイア基板をMOCVD装置のリアクターにセットし、水素雰囲気中で温度を1000℃で10分間保持し、サファイア基板のクリーニングを行なった。
第1窒化物半導体層1に低温AlNバッファ層を用いた。サセプタ温度を500℃としてTMAおよびNH3を供給してAlNバッファ層を形成した。キャリアガスのH2を22リットル/分、NH3を0.5リットル/分、TMAを80μモル/分で供給し、MOCVD成長炉内の圧力は15kPaとした。膜厚約30nmのAlN層を積層した。これ以外は、実施例1と全く同様にして発光ダイオード素子を作製したところ、実施例1とほぼ同等の特性を示す発光ダイオード素子が得られた。
第2窒化物半導体層2を形成させない以外は実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を作製した。この発光ダイオード素子の発光出力は、20mA導通時で0.3mWであり、ピーク波長は375nmであった。
2 第2窒化物半導体層
3 第3窒化物半導体層
4 第4窒化物半導体層
10 基板
20 負極
30 正極
Claims (13)
- 基板上に単結晶AlNからなる第1窒化物半導体層、該第1窒化物半導体層上のAlx1Ga1-x1N(0≦x1≦0.1)からなる第2窒化物半導体層および該第2窒化物半導体層上のAlx2Ga1-x2N(0<x2<1かつx1+0.02≦x2)からなる第3窒化物半導体層を有し、第2窒化物半導体層が、高さの異なる結晶が部分的に島状に存在する構造であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層物。
- 基板がサファイア、SiC、Si、GaN単結晶およびAlN単結晶からなる群から選ばれた一種であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層がAl濃度の低い領域とAl濃度の高い領域からなることを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層がAl x1 Ga 1-x1 N(0≦x1≦0.05)からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層がAl x1 Ga 1-x1 N(0≦x1≦0.02)からなることを特徴とする請求項4に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層の厚さが1〜500nmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層の厚さが1〜400nmであることを特徴とする請求項6に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層の厚さが1〜300nmであることを特徴とする請求項7に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 第2窒化物半導体層がアンドープの半導体であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層物。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層物の第3窒化物半導体層上にn型層、発光層およびp型層をこの順序で含む第4窒化物半導体層を有し、該n型層およびp型層がそれぞれ負極および正極を有していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 請求項10に記載のIII族窒化物半導体発光素子を有してなる発光ダイオード。
- 請求項10記載のIII族窒化物半導体発光素子を有してなるレーザーダイオード。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体積層物を有してなる電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004298871A JP4624064B2 (ja) | 2003-10-14 | 2004-10-13 | Iii族窒化物半導体積層物 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003354237 | 2003-10-14 | ||
JP2004298871A JP4624064B2 (ja) | 2003-10-14 | 2004-10-13 | Iii族窒化物半導体積層物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005142543A JP2005142543A (ja) | 2005-06-02 |
JP4624064B2 true JP4624064B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=34702836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004298871A Active JP4624064B2 (ja) | 2003-10-14 | 2004-10-13 | Iii族窒化物半導体積層物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4624064B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100616686B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 장치의 제조 방법 |
DE102005035722B9 (de) * | 2005-07-29 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4978921B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-07-18 | 日本碍子株式会社 | 受光素子の作製方法 |
JP4919401B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-04-18 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 素子基板とその製造方法 |
JP5834495B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
JP2002170991A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-06-14 | United Epitaxy Co Ltd | 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長 |
JP2003133246A (ja) * | 1996-01-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
-
2004
- 2004-10-13 JP JP2004298871A patent/JP4624064B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5192987A (en) * | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
JP2003133246A (ja) * | 1996-01-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
JP2002170991A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-06-14 | United Epitaxy Co Ltd | 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005142543A (ja) | 2005-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8816322B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor | |
JP5306254B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US9190268B2 (en) | Method for producing Ga-containing group III nitride semiconductor | |
US7951617B2 (en) | Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof | |
US7547910B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device | |
US8134168B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
CN115360277B (zh) | 一种深紫外发光二极管外延片、制备方法及led | |
JP2007103774A (ja) | Iii族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法 | |
JP2012151472A (ja) | メタモルフィック基板システム、メタモルフィック基板システムの形成方法、および、第3族窒化物の半導体素子 | |
JP2010192865A (ja) | 窒化物半導体発光素子、エピタキシャル基板、及び窒化物半導体発光素子を作製する方法 | |
US8465997B2 (en) | Manufacturing method of group III nitride semiconductor | |
CN110289343B (zh) | 一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用 | |
JP5401145B2 (ja) | Iii族窒化物積層体の製造方法 | |
EP1869717B1 (en) | Production method of group iii nitride semioconductor element | |
JP4624064B2 (ja) | Iii族窒化物半導体積層物 | |
JP4900336B2 (ja) | Iii族窒化物発光素子を製造する方法、及びiii族窒化物発光素子 | |
JP2004014587A (ja) | 窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子 | |
US20200144451A1 (en) | Nitride semiconductor crystal and method of fabricating the same | |
JP3831322B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
JP2006344930A (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP4897285B2 (ja) | 半導体装置用基材およびその製造方法 | |
JP4514727B2 (ja) | Iii族窒化物膜の製造方法、iii族窒化物膜、iii族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びiii族窒化物素子 | |
JP4107889B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2004289180A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP2009026956A (ja) | 発光素子、発光素子のための基板生産物、および発光素子を作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101005 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4624064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |