JP4919401B2 - 素子基板とその製造方法 - Google Patents
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その問題を解決するために二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)(特許文献1)などGaNと格子定数の近い基板が提案され、良質のGaNの成長が報告されている。
この焼結棒から図1に模式的に示したような高周波加熱浮遊帯域法によりCrB2単結晶棒を育成した。即ち、原料焼結棒5を高周波コイル4によって加熱溶融し融帯6を形成し、これを徐々に移動させることにより結晶7を成長させる。
育成に要した加熱エネルギーは同じ方法、同じ装置で同サイズのZrB2結晶を育成する場合の1/3であり、大型結晶の育成が容易であることを確認した。
(参考文献)
[1] S. Otani and T. Ohsawa, J. Cryst. Growth, 200, 472 (1999).
対照実験として、CrB2 (0001)表面に清浄化後アルミニウムを蒸着せずにGaNを同条件で成長させた場合は、AESではGaNの形成が確認できるが、RHEEDは図4のようなリング状パターンを示し、多結晶のGaN膜が成長していることが確かめられた。
[2] S. Otani, M. M. Korsukova, and T. Mitsuhashi, J. Cryst. Growth, 194, 430 (1998).
図6の様にRHEEDは下地と同様な1×1のパターンを示し、表面が比較的滑らかで結晶方位は下地とそろったGaN膜がエピタキシャル成長していることがわかった。AESでもGaとNしか検出されずGaNの成長を示している。膜厚は240 nmであった。
これは下地表面に存在したホウ素面がNラジカルと直接反応して形成されたものと考えられる。hBNは化学的に不活性なため、Gaの吸着を抑制しそのためGaNの成長を阻害したのであろう。
図7に示すようにRHEEDではhBNの他に若干の微粒子状のGaNが認められたが非常に微量であった。
1’下軸駆動部
2 上軸
2’下軸
3 ホルダー
3’ホルダー
4 ワークコイル
5 原料焼結棒
6 融帯
7 単結晶
8 種結晶または初期融帯形成用の焼結棒
Claims (2)
- 遷移金属二ホウ化物のホウ素面に1〜2原子層のアルミニウム膜を成長させ、前記アルミニウム膜を介して窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させて形成されてなることを特徴とする素子基板。
- 請求項1の素子基板の製造方法であって、遷移金属二ホウ化物のホウ素面に、1〜2原子層のアルミニウム膜をエピタキシャル成長させ、次に、窒化物半導体膜をエピタキシャル成長させたことを特徴とする素子基板の製造方法。
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