JP2004047867A - 窒化物系半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化物系半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004047867A JP2004047867A JP2002205299A JP2002205299A JP2004047867A JP 2004047867 A JP2004047867 A JP 2004047867A JP 2002205299 A JP2002205299 A JP 2002205299A JP 2002205299 A JP2002205299 A JP 2002205299A JP 2004047867 A JP2004047867 A JP 2004047867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gan
- nitride
- active layer
- growth temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子の製造に際し、本方法では、c面サファイア基板上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)を低い成長温度で成長させ、次いでGaN第1バッファ(低温成長層)上に、順次、図700℃という一定の成長温度でMOCVD法により、GaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaNクラッド層20、及びn−GaN光ガイド層22、GaInN活性層24を成長させる。次いで、MOCVD法により従来と同じ成長温度で従来と同様にして、活性層上にp−GaN光ガイド層、p−GaN光ガイド層内に設けられた電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層、p−AlGaNクラッド層、及びp−GaNコンタクト層を成長させる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系半導体発光素子の製造方法に関し、更に詳細には、In組成が高く、かつ結晶欠陥が少ない活性層を備えた窒化物系半導体発光素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
AlGaInN系化合物半導体は、混晶組成を制御することにより、紫外域から赤色域にわたる広い範囲の直接遷移型のバンドギャップエネルギーを持つ結晶を得ることができる。
そこで、従来から、AlGaInN系化合物半導体を用いて、その広いバンドギャップエネルギー域に相当する波長域、つまり、紫外光、青色光を放出する半導体レーザ素子、或いは紫外光、青色光、緑色光を放出する発光ダイオードが開発されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、これらのAlGaInN系半導体発光素子は、組成の異なる化合物半導体からなるヘテロ接合として構成され、発光層にはInを含むAlGaInN混晶を用いることが多い。
AlN、GaN、及びInNは、格子定数が相互に異なるため、AlGaInN系半導体発光素子を構成する窒化物系化合物半導体層同士の間では、一般に、歪が発生し、歪は活性層にも発生する。
【0004】
そのため、活性層の結晶成長時に、歪の発生に起因して、次のような二つの効果が生じる。
一つは、組成引き込み効果と呼ばれるもので、活性層を成長するときに、活性層の格子定数(フリースタンディング(Free−Standing )での格子定数)が、活性層の下層の結晶の格子定数と異なると、設計通りの組成を有する活性層を成長させることが難しいという問題である。
これは、活性層内に発生する歪のエネルギーが小さい方が安定なために、歪が小さくなる方向に、活性層の組成が変化することに起因している。
【0005】
例えば、サファイア基板上にGaN層を成長した後に、GaInN層を成長させる際、GaInNの方がGaNに比較して、格子定数が大きいため、GaInNのIn組成を小さくして格子定数を小さくする方向に組成が変化し易い。つまり、Inが取り込まれ難くなるということが起こる(Phys.Rev.64,205311(2001)) 。
従って、所定のIn組成の活性層を得ようとすると、活性層自身に結晶欠陥が生じて歪を緩和することが必要になる。このような結晶欠陥は、窒化物系半導体発光素子の発光効率を低下させ、素子寿命を短縮させる原因となる。
【0006】
もう一つの問題は、活性層に生じる歪に起因する圧電効果である。AlGaInN系化合物半導体は、イオン結合が高いため、この圧電効果が出現し易い(Jpn.J.Appl.Phys.36,L382(1997) )。
圧電効果が生じると、内蔵電位が誘起されるので、シュタルク(Stark)効果が生じ、注入キャリアの発光再結合確率を減少させ、半導体レーザ素子の発光効率を下げたり、半導体レーザ素子の閾値を増大させるという問題を引き起こす。
【0007】
そこで、本発明の目的は、活性層での歪及び結晶欠陥の発生を抑制し、結晶性の良好な活性層を備え、発光効率が高い窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の問題点を解決するため、活性層の下層の窒化物系化合物半導体層の成長温度と活性層の成長温度の差に注目した。
通常、アンモニアを窒素原料としてMOCVD法により窒化物系化合物半導体層、例えばGaN層を成長させる場合、良好な結晶性のGaN層を成長させるためには、1000℃程度の成長温度が必要である。
一方、GaInN層からなる活性層の成長温度は、通常、GaN層の成長温度に比べて、200℃〜300℃以上低い。GaInN層の成長温度を低くする理由は、Inの飽和蒸気圧が高いので、成長温度が高いと、成長中にInが脱離し易いためである。成長温度を低くすることにより、Inを取り込み易くなり、所定のIn組成で高品質の活性層を得ることができるからである。
【0009】
先ず、本発明者は、アンモニアを窒素原料として、図4に示すように、サファイア基板42上に1000℃の成長温度でGaN層44を成長させ、次いで、降温過程を経て、1000℃以下の成長温度、例えば800℃でGaInN層46を成長させたときのGaNの格子定数の変化に注目した。図5はGaN層及びGaInN層の成長温度を示すグラフである。
【0010】
GaInN活性層の成長温度をGaN層の成長温度より下げることにより、GaInN活性層の下層のGaN層の格子定数が小さくなる。
温度差に対する格子定数の変化を計算した結果を図6に示す。図6は横軸に成長温度差(K)、縦軸にGaNの格子定数aの変位Δaを格子定数aで除した商(Δa/a)を取ったグラフである。
【0011】
格子定数の変化の要因には、二つの要因がある。その一つは、成長温度が1000℃から1000℃より低い温度に低下することに伴い、図6の“thermal expansion” と記した実線のグラフに示すように、GaN層自身が縮小することによる格子定数の変化である。もう一つは、図6の“stress”と記した実線に示したように、サファイア基板とGaN層の線膨張係数の差に基づいてサファイア基板とGaN層の界面に生じる応力により変化する格子定数の変化である。
従って、格子定数の変化は、図6の“thermal expansion +stress”と記した実線のグラフに示すように、GaN層自身の縮小による格子定数の変化と応力による格子定数の変化の和である。
【0012】
例えばGaInN層の成長温度が700℃とすると、温度差は300℃となり、図3からGaN層の格子定数の変化は0.22%となる。GaInN層とGaN層の成長温度の温度差を小さくできれば(負値を含む)、GaN層の格子定数の変化分は小さくなり、GaN層の上に成長するGaInN層との格子定数差を小さくすることができる。
更に、実験によれば、成長温度差が150℃以下であれば、GaN層とGaInN層との格子定数差が十分に小さくなることが判った。
【0013】
本発明者は、活性層と活性層の下地層との成長温度差をなるべく小さく設定することにより、問題を解決することを着想した。つまり、成長温度差を150℃以下にする成長温度制御により、窒化物系半導体発光素子の高品質化を図ることを着想した。
上述の着想を実現するためには、GaN層の成長温度を従来よりも低くするか、または、GaInN層の成長温度を高くすればよい。本発明方法では、好ましくは、GaN層の成長温度を従来より低くして、GaN層とGaInN活性層との成長温度差を150℃以内に制御する。
そのために、窒素原料として、アンモニアに代えて、低い温度で分解効率がアンモニアより高い原料、例えばヒドラジン、モノメチルヒドラジン、1,1−ジメチルヒドラジン、1,2−ジメチルヒドラジン等のヒドラジンの置換体、t−ブチルアミン等のアミン系窒素化合物を用いる。
【0014】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法は、窒化物系化合物半導体層の積層構造を備え、かつ積層構造中の他の窒化物系化合物半導体層よりIn組成の高い窒化物系化合物半導体層を活性層として有する窒化物系半導体発光素子の製造方法において、
MOCVD法又はMBE法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層及び活性層を成長させる際、活性層の成長温度との温度差が150℃以内の成長温度で活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を成長させ、次いで下層の窒化物系化合物半導体層上に活性層を成長させることを特徴としている。
【0015】
本発明方法で、活性層の下層の窒化物系化合物半導体層の成長温度との差を150℃以内としたのは、上述の考察及び実験結果に基づいている。また、窒化物系化合物半導体層の成長温度は、成長温度差が150℃以内である限り、活性層の成長温度より高くても、低くても良い。
活性層の成長温度との温度差が150℃以内の成長温度でMOCVD法又はMBE法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層上に成長させ、次いで下層の窒化物系化合物半導体層上に活性層を成長させることにより、歪が生じず、かつ圧電効果が生じない、In組成の高い活性層を成長させることができる。
【0016】
本発明方法で、窒化物系化合物半導体とは、V族として窒素(N)を有し、組成がAlaBbGacInd NxPyAsz(a+b+c+d=1、0≦a、b、c、d≦1、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y、z≦1)で表示される化合物半導体を言う。
本発明方法は、窒化物系化合物半導体層の積層構造を備える窒化物系半導体発光素子を製造する限り、窒化物系化合物半導体の組成に制約無く適用できるものの、In組成の高い活性層、例えば18%以上のIn組成の活性層を有する窒化物系半導体発光素子の製造に好適に適用できる。
【0017】
本発明の好適な実施態様では、活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を900℃以下の成長温度でMOCVD法又はMBE法により成長させ、次いで活性層の下層の窒化物系化合物半導体層の成長温度との温度差が150℃以内の成長温度で下層の窒化物系化合物半導体層上にMOCVD法又はMBE法により活性層を成長させる。
【0018】
本発明方法では、本発明方法で特定した温度範囲で窒化物系化合物半導体層を成長させるために、ヒドラジン(N2 H4 )、モノメチルヒドラジン(CH6 N2 )、1,1−ジメチルヒドラジン(C2 H8 N2 )、1,2−ジメチルヒドラジンを含むヒドラジンの置換体、及び、t−ブチルアミン((CH3 )3 CNH2 )等のアミン系窒素化合物からなるグループから選択された一つの窒素化合物、又は前記グループから選択された相互に異なる二つ以上の窒素化合物の混合物を窒素原料として用いる。
尚、窒素化合物の混合物を窒素原料として用いる際には、前記グループにアンモニア(NH3 )を含めても良い。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明方法の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。尚、以下の実施形態例で示した導電型、膜種、膜厚、成膜方法、その他寸法等は、本発明の理解を容易にするための例示であって、本発明はこれら例示に限定されるものではない。
実施形態例1
本実施形態例は、本発明方法に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を窒化物系半導体レーザ素子の製造に適用した実施形態の一例である。図1は本実施形態例の方法を適用して製造した窒化物系半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
本実施形態例の方法に従って製造する窒化物系半導体レーザ素子10は、発光波長が460nmのSCH構造の半導体レーザ素子であって、図1に示すように、c面サファイア基板12上に、順次、エピタキシャル成長させたGaN系化合物半導体の積層構造を備えている。
【0020】
積層構造は、GaN第1バッファ層(低温成長層)14、GaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層20、n−GaN光ガイド層22、GaInN活性層24、p−GaN光ガイド層26、p−GaN光ガイド層26内に設けられた電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層28、膜厚0.5μmのp−AlGaN(Al組成:6.0%)クラッド層30、及びp−GaNコンタクト層32を備えている。
【0021】
p−GaNコンタクト層32、p−AlGaNクラッド層30、AlGaN障壁層28、p−GaN光ガイド層26、GaInN活性層24、n−GaN光ガイド層22、n−AlGaNクラッド層20、及びn−GaNコンタクト層18の上部層は、メサ34として形成され、n−GaNコンタクト層18の下部層の一部はメサ34脇に露出している。
Pd/Pt/Auの積層金属膜からなるp側電極36がp−GaNコンタクト層32上に、またTi/Pt/Auの積層金属膜からなるn側電極38がn−GaNコンタクト層18の露出面に設けてある。
【0022】
GaInN活性層24は、膜厚3nmのGaInN層(In組成:18%)井戸層と、膜厚6nmのGaInN(In組成X:2%)バリア層とからなる井戸数が3個の多重量子井戸構造として構成されている。
【0023】
以下に本実施形態例の製造方法を説明する。本実施形態例の製造方法では、窒化物系化合物半導体層の成長方法として、MOCVD法及びMBE法を適用することができる。
MOCVD法
先ず、MOCVD法による窒化物系化合物半導体を成長させる例を説明する。ヒドラジン、その置換体、及びアミン系窒素化合物のいずれか、特に700℃以下の低い温度でも分解効率の高い窒素化合物を窒素原料として選択する。これらを混合したものでもよく、アンモニアを含んでいても良い。
また、Ga源としてTMG(トリメチルガリウム)、又はTEG(トリエチルガリウム)、In源としてTMI(トリメチルインジウム)、及びAl源としてTMA(トリメチルアルミニウム)を使用する。
n型ドーパントにはSiH4 を、p型ドーパントにはビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウムを使用する。
【0024】
次に、図2を参照して、各窒化物系化合物半導体層の成長工程と成長温度との関係を説明する。図2は各窒化物系化合物半導体層の成長工程と成長温度との関係を示すグラフである。
本実施形態例では、c面サファイア基板12上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)14を低い成長温度で成長させる。
次いで、GaN第1バッファ層(低温成長層)14上に、順次、図2に示すように、700℃という一定の成長温度でMOCVD法により、GaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaNクラッド層20、及びn−GaN光ガイド層22、GaInN活性層24を成長させる。
【0025】
次いで、MOCVD法により従来と同じ成長温度で従来と同様にして、GaInN活性層24上に、p−GaN光ガイド層26、p−GaN光ガイド層26内に設けられた電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層28、膜厚0.5μmのp−AlGaNクラッド層30、及びp−GaNコンタクト層32を成長させる。
【0026】
本方法の変形例として、c面サファイア基板12上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)14を低い成長温度で成長させた後、図3に示すように、GaInN活性層24の成長温度700℃より高く、かつ成長温度差が150℃以内の温度、例えば850℃で、MOCVD法によりGaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層20、及びn−GaN光ガイド層22を成長させ、次いでGaInN活性層24を成長温度700℃で成長させる。
以下、上述の例と同様にして、GaInN活性層24上に積層構造を形成する。
【0027】
MBE法
次に、MBE法によるGaN系化合物半導体を成長させる例を説明する。窒素原料として、MOCVD法と同様に、ヒドラジン、その置換体、及びアミン系化合物のいずれか、特に700℃以下の低い温度でも分解効率の高い窒素化合物を選択する。これらを混合したものでもよく、アンモニアを含んでいても良い。
また、Ga源としてGa金属、In源としてIn金属、及びAl源としてAl金属を使用する。
n型ドーパントにはSiを、p型ドーパントにはMgを使用する。
【0028】
本方法では、c面サファイア基板12上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)14を低い成長温度で成長させる。
次いで、GaN第1バッファ(低温成長層)14上に、順次、成長温度600℃でMBED法によりGaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層20、及びn−GaN光ガイド層22、GaInN活性層24を成長させる。
【0029】
次いで、MOCVD法により従来と同じ成長温度で従来と同様にして、GaInN活性層24上に、p−GaN光ガイド層26、p−GaN光ガイド層26内に設けられた電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層28、膜厚0.5μmのp−AlGaN(Al組成:6.0%)クラッド層30、及びp−GaNコンタクト層32を成長させる。
【0030】
本方法の変形例として、c面サファイア基板12上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)14を低い成長温度で成長させた後、GaInN活性層24の成長温度600℃より高く、かつ成長温度差が150℃以下の温度、例えば750℃で、MBE法によりGaN第2バッファ層16、n−GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層20、及びn−GaN光ガイド層22を成長させ、次いでGaInN活性層24を成長温度600℃で成長させる。
以下、上述の例と同様にして、GaInN活性層24上に、積層構造を形成する。
【0031】
本実施形態例の方法を適用することにより、Inが取り込み易くなり、GaInN活性層24に結晶欠陥を導入することなく、In組成の高いGaInN活性層24を成長させることができる。
また、GaInN活性層24に歪が入り難くなるので、窒化物系半導体レーザ素子10の所定波長での発光効率が上昇し、閾値を低減でき、スロープ効率を高めることができる。更に、発光波長の注入電流量に対するブルーシフトを抑制でき、素子寿命を長くすることができる。
また、副次的効果として、MOCVD装置の場合、従来に比較して成長温度を低くできるので、部品の高温下での耐性などMOCVD装置の設計の厳しい制約条件が緩和される。
【0032】
本実施形態例では、GaInN活性層に代えて4元混晶系のAlGaInN活性層を設けてもよい。
また、n−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層20、及びp−AlGaN(Al組成:6.0%)クラッド層30に代えて、AlGaN/GaN起格子層をクラッド層として設けてもよい。
【0033】
また、本実施形態例では、c面サファイア基板12上にGaN第1バッファ層(低温成長層)14を設け、GaN第1バッファ層(低温成長層)14上に窒化物系積層構造をもうけているが、GaN第1バッファ層(低温成長層)14に代えてELO法により形成したGaN−ELO構造層のウイング(Wing、種結晶部と会合部との間の領域)にレーザストライプを形成するように、本実施形態例の方法を適用して窒化物系系積層構造を形成しても良い。
【0034】
実施形態例2
本発明方法に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法は、窒化物系半導体レーザ素子の製造に限らず、例えば窒化物系化合物半導体層の積層構造を備え、活性層として積層構造中の他の化合物半導体層よりIn組成の高い化合物半導体層を有する発光ダイオードの製造にも適用できる。
適用する際には、実施形態例1で説明したように、活性層より下層の化合物半導体層及び活性層をMOCVD法又はMBE法により同じ成長温度、例えば700℃又は600℃で成長させる。
【0035】
また、別法として活性層より下層の化合物半導体層をMOCVD法又はMBE法により活性層の成長温度との温度差が150℃以内の高い温度で成長させ、次いでMOCVD法又はMBE法により活性層を700℃又は600℃で成長させても良い。
【0036】
本実施形態例の方法を適用することにより、Inが取り込み易くなり、活性層に結晶欠陥を導入することなく、In組成の高い活性層を成長させることができる。また、活性層に歪が入り難くなるので、窒化物系発光ダイオードの所定波長での発光効率が上昇する。
【0037】
【発明の効果】
本発明方法によれば、MOCVD法又はMBE法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層及び活性層を成長させる際、活性層の成長温度との差が150℃以内の成長温度で活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を成長させ、次いで活性層を下層の窒化物系化合物半導体層上に成長させることにより、Inが取り込み易くなり、活性層に結晶欠陥を導入することなく、In組成の高い活性層を成長させることができ、窒化物系半導体発光素子の所定発光波長での発光効率が上昇する。
また、活性層に歪が入り難くなるので、半導体レーザ素子では、閾値を低減でき、スロープ効率を高めることができる。更に、発光波長の注入電流量に対するブルーシフトを抑制でき、素子寿命を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例1の方法を適用して製造した窒化物系半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図2】各窒化物系化合物半導体層の成長工程と成長温度との関係を示すグラフである。
【図3】各窒化物系化合物半導体層の成長工程と成長温度との関係を示すグラフである。
【図4】試料とした積層構造の構成を示す断面図である。
【図5】GaN層及びGaInN層の成長工程と成長温度との関係を示すグラフである。
【図6】GaNの成長温度差(K)とGaNの格子定数aの変位Δaを格子定数aで除した商(Δa/a)を取ったグラフである。
【符号の説明】
10……実施形態例1の方法に従って製造する窒化物系半導体レーザ素子、12……c面サファイア基板、14……GaN第1バッファ層(低温成長層)、16……GaN第2バッファ層、18……n−GaNコンタクト層、20……n−AlGaN(Al組成:6.5%)クラッド層、22……n−GaN光ガイド層、24……GaInN活性層、26……p−GaN光ガイド層、28……電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層、30……p−AlGaN(Al組成:6.0%)クラッド層、32……p−GaNコンタクト層、34……メサ、36……p側電極、38……n側電極、42……サファイア基板、44……GaN層、46……GaInN層。
Claims (4)
- 窒化物系化合物半導体層の積層構造を備え、かつ積層構造中の他の窒化物系化合物半導体層よりIn組成の高い窒化物系化合物半導体層を活性層として有する窒化物系半導体発光素子の製造方法において、
MOCVD法又はMBE法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層及び活性層を成長させる際、活性層の成長温度との温度差が150℃以内の成長温度で活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を成長させ、次いで下層の窒化物系化合物半導体層上に活性層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。 - 活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を900℃以下の成長温度でMOCVD法又はMBE法により成長させ、次いで活性層の下層の窒化物系化合物半導体層の成長温度との温度差が150℃以内の成長温度で下層の窒化物系化合物半導体層上にMOCVD法又はMBE法により活性層を成長させることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- ヒドラジン(N2 H4 )、モノメチルヒドラジン(CH6 N2 )、1,1−ジメチルヒドラジン(C2 H8 N2 )、1,2−ジメチルヒドラジンを含むヒドラジンの置換体、及び、t−ブチルアミン((CH3 )3 CNH2 )等のアミン系窒素化合物からなるグループから選択された一つの窒素化合物、又は前記グループから選択された相互に異なる二つ以上の窒素化合物の混合物を窒素原料として用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
- 窒素化合物の混合物を窒素原料として用いる際には、前記グループにアンモニア(NH3 )を含めることを特徴とする請求項3に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002205299A JP2004047867A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002205299A JP2004047867A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047867A true JP2004047867A (ja) | 2004-02-12 |
JP2004047867A5 JP2004047867A5 (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=31710640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002205299A Pending JP2004047867A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004047867A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237254A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
US7763486B2 (en) | 2007-07-02 | 2010-07-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing nitride semiconductor stacked structure and semiconductor light-emitting device |
US7923742B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-04-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for production of a nitride semiconductor laminated structure and an optical semiconductor device |
JP2011151074A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置の製造方法 |
US8211726B2 (en) | 2006-02-27 | 2012-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device |
WO2012157683A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
CN107768493A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-06 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种发光效率高的led外延结构的制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316151A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体の製造方法 |
JPH09309796A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sony Corp | 窒素系iii−v族化合物半導体の成長方法 |
JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
JP2001148546A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2002064250A (ja) * | 2001-06-25 | 2002-02-28 | Sharp Corp | 化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子 |
-
2002
- 2002-07-15 JP JP2002205299A patent/JP2004047867A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316151A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体の製造方法 |
JPH09309796A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sony Corp | 窒素系iii−v族化合物半導体の成長方法 |
JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
JP2001148546A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2002064250A (ja) * | 2001-06-25 | 2002-02-28 | Sharp Corp | 化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237254A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP4645225B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2011-03-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US8211726B2 (en) | 2006-02-27 | 2012-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device |
US7763486B2 (en) | 2007-07-02 | 2010-07-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing nitride semiconductor stacked structure and semiconductor light-emitting device |
US7923742B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-04-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for production of a nitride semiconductor laminated structure and an optical semiconductor device |
JP2011151074A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置の製造方法 |
WO2012157683A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012243934A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
CN103518267A (zh) * | 2011-05-19 | 2014-01-15 | 丰田合成株式会社 | Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法 |
US9324912B2 (en) | 2011-05-19 | 2016-04-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same |
CN107768493A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-06 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种发光效率高的led外延结构的制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8882935B2 (en) | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures, and devices by metalorganic chemical vapor deposition | |
US7186302B2 (en) | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition | |
JP5434882B2 (ja) | GaN系III−V族化合物半導体発光素子 | |
US7550368B2 (en) | Group-III nitride semiconductor stack, method of manufacturing the same, and group-III nitride semiconductor device | |
JP5306254B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP3778609B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4063548B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US8048702B2 (en) | Method of fabricating nitride-based semiconductor optical device | |
JP2000232238A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20090029685A (ko) | 질화갈륨계 반도체 헤테로 구조체 성장 방법 | |
JP5861947B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20240038925A1 (en) | Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element | |
JP6128138B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP3773713B2 (ja) | 量子箱の形成方法 | |
CN102239574A (zh) | 制造发光元件的方法和发光元件 | |
JP2004247563A (ja) | 半導体素子 | |
JP2004047867A (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 | |
JP3634255B2 (ja) | 窒化物半導体素子のエピタキシャル成長 | |
JP4063838B2 (ja) | 半導体発光素子の転位密度低減方法 | |
JP4284944B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2007200933A (ja) | 窒化物系半導体素子の製造方法 | |
JP2004014587A (ja) | 窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子 | |
JP2001308464A (ja) | 窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板 | |
JP2000058980A (ja) | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子 | |
JP2004087762A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040316 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040604 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050629 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081030 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090303 |