WO2012157683A1 - Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

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宇田川　隆
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Definitions

  • the present invention relates to a group III nitride semiconductor light emitting device having a light emitting layer made of gallium nitride and indium, and more particularly to a group III nitride semiconductor light emitting diode that emits short wavelength light in the ultraviolet band and near ultraviolet band. (Abbreviation: LED).
  • Al aluminum
  • gallium such as aluminum nitride (AlN), gallium nitride (GaN), or gallium nitride indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X ⁇ 1)
  • Group III nitride semiconductors containing Group III elements such as indium (element symbol: In) as constituent elements are Group III nitride semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (English abbreviation: LD). It is used to configure an element (see, for example, Patent Document 1).
  • a gallium nitride / indium layer is used as a light emitting layer for emitting visible light such as dark green or blue (see Patent Document 1).
  • a Ga 0.4 In 0.6 N layer having a large indium composition to which zinc (element symbol: Zn) is added (doping) has been shown to be useful as a material for red light emission (patent) Reference 1).
  • a gallium nitride / indium layer having a small indium composition is used as a light-emitting layer for emitting ultraviolet light (see Patent Document 2).
  • DH Korean abbreviation DH
  • n-type impurities include silicon (element symbol: Si), germanium (element symbol: Ge), tellurium (element symbol: Te), and selenium (element symbol: Se) (patent) (Ref. Paragraph (0008) of Reference 3).
  • Germanium is also used as a dopant when manufacturing a layered product made of a group III nitride semiconductor having different atomic concentrations (see Patent Document 4).
  • Patent Document 5 describes sulfur (element symbol: S) as an n-type impurity (see paragraph (0022) of Patent Document 5).
  • Japanese Patent Publication No.55-3834 JP 2003-249664 A Japanese Patent No. 2576819 Japanese Patent No. 3874779 Japanese Patent No. 3500762
  • Hexagonal wurtzite gallium nitride has an a-axis of 0.318 nanometers (unit of length: nm) (written by Isao Akasaki, “III-V Group Compound Semiconductors” (May 1994)
  • the a-axis of hexagonal indium nitride is 0.035 nm larger than that of gallium nitride and is 0.353 nm.
  • Gallium indium compositional formula Ga X In 1-
  • the phenomenon of hindering contamination is remarkably observed when a gallium nitride / indium layer emitting ultraviolet light having a short emission wavelength or near ultraviolet light is grown on, for example, a gallium nitride underlayer due to its small indium composition. It is done.
  • Short-wavelength light such as ultraviolet light and near-ultraviolet light generated from the deep part of the light emitting layer in the vicinity of the junction surface with the clad layer made of n-type gallium nitride is formed above, has a high indium composition, and has a forbidden band width. It causes a situation where it is absorbed by a small light emitting layer. That is, it means that the light emitting layer is not suitable for taking out light efficiently.
  • the incorporation of indium into the light emitting layer was not promoted due to the lattice constant of the group III nitride semiconductor material constituting each layer, and was set in advance.
  • the object is to solve the problem that it is difficult to obtain a light-emitting layer having a numerical indium composition.
  • the present invention is an ingenuity that has been made to solve the problems associated with the prior art described above.
  • a gallium nitride layer that promotes indium uptake in the vicinity of the junction surface with the gallium nitride layer on the gallium nitride layer.
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device including an indium layer as a light-emitting layer, particularly a technology for providing a light-emitting layer having a configuration capable of efficiently extracting short-wavelength light such as ultraviolet light to the outside.
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device having a pn junction heterostructure is disposed in contact with an n-type aluminum nitride / gallium / indium layer and the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer.
  • a light emitting layer comprising a gallium nitride / indium layer including a crystal having a lattice constant larger than that of the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, and a p-type aluminum nitride / gallium / indium layer provided on the light emitting layer,
  • the atomic concentration of the donor impurity made of an element having an atomic radius smaller than that of indium in the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer is higher than that in the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer.
  • the atomic concentration of the donor impurity in the light emitting layer is greater than the interface between the light emitting layer and the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, and the interface between the light emitting layer and the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer.
  • the Group III nitride semiconductor light-emitting device is provided.
  • the light emitting layer increases the atomic concentration of the donor impurity from the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer toward the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer.
  • the gallium nitride is preferably composed of indium nitride.
  • the indium composition of the light emitting layer is lower at the interface between the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer and the light emitting layer than at the interface between the n type aluminum nitride / gallium / indium layer and the light emitting layer. preferable.
  • the junction region with the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer inside the light emitting layer is preferably an undoped region to which the donor impurity is not added.
  • the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer is provided on a buffer layer formed on a substrate that is not lattice-matched with aluminum nitride / gallium / indium, and the buffer layer is an aluminum (Al) thin film layer.
  • Al aluminum
  • an aluminum nitride gallium layer provided on the thin film layer and having a gradient in the aluminum composition.
  • the light emitting layer is preferably composed of a gallium nitride indium layer that emits light having a continuous wavelength having a width of 10 nm or more.
  • the light emitting layer is preferably composed of the gallium nitride / indium layer that emits light having a continuous wavelength in a wavelength range of 360 nm to 420 nm.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device includes an n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, A light emitting layer comprising a gallium nitride / indium layer disposed in contact with the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer and including a crystal having a lattice constant larger than that of the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer; A p-type aluminum nitride / gallium / indium layer provided on the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, wherein the n-type nitride layer has an atomic concentration of a donor impurity comprising an element having an atomic radius smaller than that of indium in the n-type aluminum nit
  • the n-type aluminum nitride, gallium The atomic concentration of the donor impurity in the light emitting layer is lower than the interface between the light emitting layer and the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer at the interface between the light emitting layer and the light emitting layer. It is high at the interface with the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer, and when the light emitting layer is formed, the atomic concentration of the donor impurity added to the inside of the light emitting layer is increased with time III A method for manufacturing a group nitride semiconductor light emitting device is provided.
  • the light-emitting layer is configured to change the atomic concentration of the donor impurity over time while maintaining a constant supply amount of gallium (Ga) and indium (In) into a formation environment. It is preferable to increase the thickness.
  • the light emitting layer is preferably formed by decreasing the supply amount of indium (In) over time while keeping the supply amount of gallium (Ga) into the formation environment constant.
  • the light emitting layer is formed in a region where the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer of the light emitting layer is joined as an undoped region to which the donor impurity is not added, and then added to the inside of the light emitting layer. It is preferably formed while increasing the atomic concentration of the donor impurity over time.
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device including a gallium nitride / indium layer that promotes indium uptake in the vicinity of a joint surface with the gallium nitride layer as a light emitting layer on the gallium nitride layer can be obtained.
  • an impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium has a function of reducing the size of the crystal lattice. For this reason, when the concentration of the donor impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium contained in the gallium nitride / indium layer is reduced, shrinkage of the crystal lattice is suppressed. Then, the incorporation of indium into the crystal is promoted, and a gallium nitride / indium layer having a large indium composition is obtained.
  • Gallium indium nitride (compositional formula Ga X In 1 ) having a lattice constant larger than that of the group III nitride semiconductor material constituting the aluminum / gallium / indium layer and having an indium composition that decreases in the thickness direction of the layer -X N: 0 ⁇ X ⁇ 1)
  • n-type aluminum nitride there is an advantage that a gallium nitride indium layer having a large indium composition can be stacked on the gallium indium layer.
  • the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer on which the gallium nitride / indium layer is provided if the atomic concentration of the donor impurity having an atomic radius smaller than that of indium is lower than the inside of the layer, the surface of the same layer In the region, an effect of suppressing the reduction of the crystal lattice can be obtained.
  • a gallium nitride / indium layer is laminated on the layer, an effect of suppressing a decrease in indium uptake due to diffusion of the donor impurity into the gallium nitride / indium layer can be obtained. Therefore, a gallium nitride / indium layer having a large indium composition can be stably disposed on the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer. As a result, a group III nitride semiconductor light emitting device that can efficiently extract emitted light to the outside can be obtained.
  • the indium composition decreases toward the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer in response to the concentration change. An indium layer is obtained.
  • the forbidden band width is sequentially increased in the emission extraction direction, and, for example, a group III nitride semiconductor light-emitting element that emits a continuous spectrum in the ultraviolet band is obtained.
  • the lattice constant is larger than that of the gallium nitride / indium layer.
  • the mismatch with the lattice of the small p-type aluminum nitride / gallium / indium layer is alleviated.
  • a gallium nitride / indium layer distributed so that the concentration of the donor impurity continuously increases toward the p-type aluminum nitride / gallium / indium layer as a light emitting layer
  • a p-type clad layer made of a p-type aluminum nitride / gallium / indium layer having less lattice distortion due to lattice mismatch and good crystallinity can be formed.
  • a high-breakdown voltage group III nitride semiconductor ultraviolet LED with low leakage of device operating current and high reverse voltage can be obtained.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device of the present invention has a gallium nitride indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X) in which the indium composition decreases sequentially in the direction of taking out the emitted light as the light emitting layer. ⁇ 1)
  • the light-emitting layer can have a structure in which gallium nitride / indium layers whose band gap (forbidden band width) is sequentially increased are sequentially stacked in the increasing direction of the layer thickness.
  • a group III nitride semiconductor LED capable of efficiently extracting light emission in the light emission extraction direction corresponding to the increasing direction of the thickness of the gallium nitride / indium layer can be manufactured.
  • a group III nitride semiconductor LED that emits light having a band-like spectral shape that is continuous in wavelength in the ultraviolet band can be produced.
  • the LED emitting such a continuous spectrum can be applied to, for example, an ink dryer that solidifies by receiving light energy of ultraviolet rays, for example, an ink material, particularly an ink material having a different absorption band.
  • the width of the continuous spectrum emitted from the light emitting layer composed of the gallium nitride / indium layer is set to 10 nm or more in terms of wavelength, for example, ink materials having different absorption bands are generally solidified. Therefore, it is possible to provide a group III nitride semiconductor ultraviolet LED that can be used in an ink dryer or the like.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a vertical cross-sectional structure of an LED chip used in Example 1.
  • FIG. 3 is a SIMS analysis diagram showing atomic concentration distributions of indium and silicon in the depth direction inside the lower cladding layer and the light emitting layer of the LED chip used in Example 1.
  • FIG. 2 is a spelling of light emission from an LED used in Example 1.
  • 6 is a schematic diagram showing a vertical cross-sectional structure of an LED chip used in Example 2.
  • FIG. It is a SIMS analysis figure which shows distribution of the atomic concentration of the indium of the LED chip used for Example 2, and the depth direction of silicon. 4 is a belt-like spectrum of light emission from the LED used in Example 2.
  • FIG. It is a SIMS analysis figure which shows the concentration distribution of the depth direction of the indium atom of the LED chip used for the comparative example 1.
  • FIG. It is a SIMS analysis figure which shows the concentration distribution of the depth direction of the indium atom of the LED chip used for the comparative example 2.
  • FIG. It is a photoluminescence (PL) spectrum of the light emitting layer of the LED chip used in Comparative Example 2.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device to which the present embodiment is applied is manufactured using a stacked body made of a group III nitride semiconductor formed on a substrate.
  • a substrate a glass substrate, a metal oxide crystal substrate such as sapphire ( ⁇ -Al 2 O 3 single crystal) or zinc oxide (ZnO) having a polar or nonpolar crystal plane as a surface, hexagonal 6H type or 4H type or Examples include substrates made of semiconductor crystals such as cubic 3C-type silicon carbide (SiC), silicon (Si), and gallium nitride (GaN).
  • the substrate is not limited to a bulk crystal substrate.
  • an epitaxial growth layer made of a group III-V compound semiconductor such as a group III nitride semiconductor layer such as GaN or a boron phosphide (BP) layer is used as the substrate.
  • BP boron phosphide
  • aluminum nitride / gallium / indium (compositional formula Al ⁇ Ga ⁇ In ⁇ N: 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1) for forming a light-emitting element having a pn junction type DH (double hetero) structure is provided over the substrate.
  • 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, ⁇ + ⁇ + ⁇ 1) is formed as a lower cladding layer.
  • the lower cladding layer is composed of an aluminum nitride / gallium / indium layer exhibiting n-type conductivity.
  • a small atomic radius means a small shared radius.
  • the layer thickness of the lower clad layer is preferably several ⁇ m to several tens of ⁇ m.
  • the lower cladding layer is thickened to suppress the propagation of crystal defects such as dislocation caused by the mismatch with the substrate to the light emitting layer. It is desirable to do.
  • the lower clad layer when the lower clad layer is provided on a heterogeneous substrate made of a material having a lattice constant different from that of aluminum nitride, gallium, and indium, between the two layers between the substrate and the lower clad layer. Insert a buffer layer to increase consistency.
  • Al ⁇ Ga ⁇ N (0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, 0 ⁇ ) in which the aluminum composition ( ⁇ ) (or gallium composition ( ⁇ )) for reducing the lattice mismatch between the two is given a gradient in the layer thickness direction.
  • the surface of the buffer layer on the side in contact with the lower clad layer is preferably made of a material having the same lattice constant as that of the semiconductor material constituting the lower clad layer.
  • the lower cladding layer is composed of a gallium nitride layer
  • a multilayer composed of a metal aluminum thin film layer and an Al ⁇ Ga ⁇ N (0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, 0 ⁇ ⁇ ⁇ 1, ⁇ + ⁇ 1) composition gradient layer thereon.
  • the atomic concentration of the donor impurity inside the lower cladding layer is substantially constant, but in this embodiment, the atomic concentration of silicon or the like having an atomic radius smaller than that of indium is lower on the surface than inside the layer.
  • the group III nitride semiconductor layer thus formed is preferably used as the lower cladding layer. In this case, the shrinkage of the lattice of the crystal constituting the surface of the lower cladding layer is suppressed, and the gallium / indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X ⁇ 1) layer provided on the lower cladding layer is suppressed. Indium uptake is promoted.
  • the inside of the lower cladding layer is a region where the depth from the surface of the same layer exceeds about 120 times the lattice spacing of the group III nitride semiconductor crystal constituting the surface of the same layer. It is.
  • the surface region of the lower clad layer has a depth from the surface within about 120 times the interplanar spacing of the crystals forming the surface. According to the study of the present inventors, it has been found that a gallium nitride / indium layer in which indium can be easily taken in is formed on the surface of the lower cladding layer by reducing the atomic concentration of the donor impurity at least in this surface region. Yes.
  • the interplanar spacing (d C) forming the surface of the lower cladding layer ) Is calculated based on the following formula (1) (CW Van, translated by Yoshio Hamada, “Chemical Crystallography”, published on June 15, 1971, Bafukan, first edition, page 115).
  • d C a / (h 2 + k 2 + l 2 ) 1/2 ...
  • the atomic concentration of the donor impurity that is included in the surface region of the lower cladding layer and that has an atomic radius smaller than that of indium is 1/5 or less of the region inside the lower cladding layer.
  • the atomic concentration of silicon is 4 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 inside the lower cladding layer
  • the atomic concentration of silicon on the surface of the lower cladding layer is 6 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3. Is preferred.
  • the atomic concentration of the donor impurity is desirably 1/10 or less of the region inside the lower cladding layer.
  • the atomic concentration of silicon in the inner region of the same layer is 3 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3
  • the atomic concentration of silicon in the surface region from the depth of 30 nm to the surface of the same layer is preferably 6 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 or less, and more preferably 3 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 or less.
  • the atomic concentration of the donor impurity can be quantified by an analysis method such as secondary ion mass spectrometry (abbreviation: SIMS).
  • the atomic concentration of the donor impurity in the surface region of the lower cladding layer is usually 8 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or more so as not to have a large electrical resistance to the forward current flowing through the light emitting element. Is preferred.
  • the carrier concentration can be measured by a general capacitance-voltage (CV) method using a Schottky junction electrode.
  • an n-type gallium nitride indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X ⁇ 1) layer containing a donor impurity is formed on the lower cladding layer in which the concentration of the donor impurity is reduced in the surface region.
  • a light emitting layer is formed. Thereby, high-intensity light emission can be obtained from the n-type gallium nitride / indium layer containing a donor impurity such as silicon.
  • the actual indium composition of the gallium nitride indium layer can be investigated by using a composition analysis technique such as electron probe microanalysis (English abbreviation: EPMA).
  • the thickness of the light-emitting layer is optimally 50 nm or more and 300 nm or less. It is.
  • the layer thickness of the light emitting layer is in the above range, a pseudomorphism-like influence caused by the size of the crystal lattice between the light emitting layer and the lower cladding layer can be eliminated.
  • the atomic concentration of a donor impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium is reduced on the surface of the lower cladding layer composed of n-type aluminum nitride, gallium, and indium, and nitriding is performed on the lower cladding layer.
  • a light-emitting layer composed of a gallium-indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X ⁇ 1) layer nitriding with a desired indium composition is performed in the vicinity of the junction interface between the light-emitting layer and the lower cladding layer.
  • a gallium indium layer can be obtained.
  • the region near the bonding interface (sometimes referred to as “bonding region”) is an internal region of about 30 nm from the bonding interface with the lower cladding layer in the light emitting layer.
  • the region near the bonding interface is a region where indium ingestion defects are prominent.
  • a light emitting layer is formed with a compound having a relatively small amount of indium compared to gallium that can emit light in the ultraviolet band, such as a Ga 0.98 In 0.02 N layer.
  • a gallium nitride / indium layer having such a small indium composition indium is usually “swept out” due to shrinkage of the crystal lattice caused by a pseudomorphism-like phenomenon.
  • gallium nitride indium composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X is formed on the lower cladding layer. ⁇ 1
  • the lower clad layer is formed of a compound having a lattice constant smaller than a crystal contained in the gallium nitride / indium layer constituting the light emitting layer, for example, gallium nitride.
  • the atomic concentration of the donor impurity made of an element having an atomic radius smaller than that of indium is increased from the junction interface between the light emitting layer and the lower cladding layer toward the surface of the light emitting layer.
  • the junction region between the light emitting layer and the lower cladding layer may be a so-called undoped region in which a donor impurity made of an element having an atomic radius smaller than that of indium, such as silicon, is not added. it can.
  • a donor impurity made of an element having an atomic radius smaller than that of indium, such as silicon
  • the conductivity in the region near the junction interface of the light emitting layer is ensured, and the forward voltage does not increase, the junction region of the light emitting layer with the lower cladding layer should be an undoped region. Is preferred.
  • the amount of indium taken up increases or decreases in accordance with the increase or decrease in the concentration of donor impurities composed of elements having an atomic radius smaller than that of indium. Therefore, in the direction of increasing the layer thickness of the gallium nitride indium (composition formula Ga X In 1-X N: 0 ⁇ X ⁇ 1) constituting the light emitting layer, donor impurities composed of elements having an atomic radius smaller than that of indium.
  • the light emitting layer can be formed so that the indium composition decreases sequentially toward the surface of the gallium nitride / indium layer.
  • the light emitting layer can be formed as a layer in which the forbidden band width sequentially increases in the direction in which the thickness of the light emitting layer increases.
  • the concentration gradient of the donor impurity in the light emitting layer is not particularly limited, and examples thereof include a linear shape, a curved shape, a stepped shape, or a combination of these.
  • the gallium nitride / indium layer having a constant indium composition
  • the gallium nitride / indium layer Advantages of simply forming a gallium nitride / indium layer with a progressively smaller indium composition toward the surface of the layer by simply increasing the amount of donor impurities supplied to the growth reaction system over time There is.
  • the light emitting layer is formed so that the forbidden band width gradually increases toward the surface of the layer, and a layer having a larger forbidden band width than the lower clad layer side is disposed on the surface side, thereby emitting light to the outside. It can be taken out efficiently.
  • the concentration of the donor impurity is provided as described above, and the indium composition is changed so as to decrease toward the surface of the light emitting layer, so that the emitted light is extracted to the outside. It is advantageous to form a p-type upper cladding layer made of aluminum nitride, gallium or the like having a lattice constant smaller than that of the crystal constituting the light emitting layer on the light emitting layer. That is, by increasing the donor impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium and decreasing the indium composition, p-type aluminum nitride having a lattice constant smaller than that of the crystal constituting the light emitting layer is formed on the surface of the light emitting layer.
  • film formation is performed by changing the supply amount of gallium and indium supplied into the formation environment of the light emitting layer over time. For example, a method of decreasing the supply amount of indium over time while keeping the supply amount of gallium into the formation environment constant may be mentioned.
  • the donor impurity and the indium composition when the donor impurity and the indium composition are changed, for example, exponentially or linearly toward the surface of the light emitting layer made of gallium nitride / indium, a band-like continuous band in a predetermined wavelength band from the light emitting layer. Spectral emission is obtained.
  • the wavelength range in which the band spectrum can be obtained is expanded.
  • the wavelength range in which the band spectrum is generated is expanded.
  • the wavelength band range in which a band-like spectrum is obtained as continuous wavelength light is 10 nm or more.
  • continuous wavelength light refers to light that exhibits a band-like spectrum that is continuous in wavelength with no interval since the emission wavelengths are close to each other. Specifically, it is defined as a range in which light having an intensity of 80% or more of the maximum peak continues.
  • a gallium nitride / indium layer for example, as in the case of an n-type or p-type aluminum nitride / gallium / indium layer, chemical vapor deposition (abbreviation: CVD); physical vapor deposition (English) Abbreviation: PVD) method; for example, organometallic pyrolysis gas phase using trimethylgallium (molecular formula: (CH 3 ) 3 Ga) as a gallium source and trimethylindium (molecular formula: (CH 3 ) 3 In) as an indium source Examples thereof include film formation techniques such as a growth method (English abbreviation: MOCVD, MOVPE, etc.). In the MOCVD method, a nitrogen-containing compound such as ammonia (molecular formula: NH 3 ) can be used as a nitrogen (element symbol: N) source.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • a nitrogen-containing compound such as ammonia (molecular formula
  • the indium composition inside the gallium nitride / indium layer is adjusted by, for example, changing the ratio of the supply amount of indium to the total amount of gallium and indium supplied to the film formation reaction system.
  • the ratio of the supply amount of the nitrogen source to the total supply amount of gallium and indium is preferably set to be larger as a gallium nitride / indium layer having a larger indium composition is formed.
  • examples of the doping source include the following compounds.
  • Examples of the silicon doping source include inorganic silicon compounds such as silane (molecular formula: SiH 4 ) and disilane (molecular formula: Si 2 H 6 ); and organic silicon compounds such as methylsilane (molecular formula: CH 3 SiH 3 ).
  • Examples of germanium doping sources include germane (molecular formula: GeH 4 ). In the case of providing a concentration gradient in the atomic concentration of the donor impurity in the gallium nitride / indium layer or the n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, for example, it is preferable to increase or decrease the amount of the doping source supplied to the film formation reaction system.
  • silicon and germanium can be added to the light-emitting layer to form an n-type gallium nitride / indium layer.
  • an n-type gallium nitride layer containing both germanium and silicon in the light emitting layer and having a germanium atomic concentration higher than silicon in the surface region provides a gallium nitride / indium layer having a high indium composition in the junction region. Can contribute.
  • a method of forming a gallium nitride / indium layer, an n-type aluminum nitride / gallium / indium layer, and a p-type aluminum nitride / gallium / indium layer for example, a general high-frequency plasma molecular beam epitaxial (English Abbreviations: MBE), PVD methods such as ECR (Electron Cyclotron Resonance) type high frequency plasma MBE method.
  • MBE general high-frequency plasma molecular beam epitaxial
  • PVD methods such as ECR (Electron Cyclotron Resonance) type high frequency plasma MBE method.
  • ECR Electro Cyclotron Resonance
  • the group III element source include simple metals such as aluminum, gallium, and indium.
  • the nitrogen source include plasma containing nitrogen atoms such as nitrogen plasma.
  • a doping source a single metal of high purity silicon or germanium is used.
  • nitrogen plasma that generates little light emission (including the case where it does not occur) derived from the second positive molecular series of nitrogen molecules is the most suitable nitrogen source. Since nitrogen plasma does not generate nitrogen ions, sputtering of members containing tantalum (element symbol: Ta), molybdenum (element symbol: Mo) and tungsten (element symbol: W) constituting the vacuum growth reaction part can be suppressed. A growth layer with a small amount of transition metal mixed in can be obtained.
  • the surface region is made of indium. It is preferable to form an n-type aluminum nitride / gallium / indium layer having a low atomic concentration of donor impurities made of an element having a small atomic radius. Specifically, when reducing the flux amount, the temperature of the cell (crucible) containing the donor impurity is lowered to reduce the evaporation amount of the doping source.
  • the atomic concentration of the donor impurity is rapidly decreased in the direction in which the layer thickness of the lower cladding layer is increased.
  • the amount of the doping source added to the film formation reaction system can be changed with time.
  • the temperature of the cell containing the donor impurity is increased with time, and the evaporation amount of the doping source is increased.
  • the atomic concentration of the donor impurity is continuously changed, and as a result, a band-like continuous spectrum is emitted from the light emitting layer made of the gallium nitride / indium layer.
  • the ratio of the indium supply amount to the total amount of gallium and indium supplied to the film formation reaction system is started. Decrease over time from time. Thus, a concentration gradient is provided so that the concentration of the indium composition decreases toward the surface of the light emitting layer. The greater the rate at which the supply ratio of indium decreases over time, the wider the wavelength range of the band spectrum emitted from the gallium nitride / indium layer.
  • the temperature of the substrate is increased with time while maintaining the quantitative ratio of gallium and indium to be supplied to the film formation reaction system.
  • a concentration gradient can be provided so that the concentration of the composition decreases toward the surface of the light emitting layer.
  • the indium composition can be changed abruptly as the temperature increase rate of the substrate increases.
  • the supply ratio of the group III element is changed or the temperature of the substrate is changed, a gallium nitride / indium layer having the highest indium composition is obtained in the junction region of the light emitting layer with the lower cladding layer.
  • the ratio or temperature to be taken is the starting point for the change.
  • the ratio or temperature at which the gallium nitride indium layer having the lowest indium composition is obtained in the surface region of the light emitting layer is defined as the end point for change.
  • the start point of the change in the supply ratio of the group III element or the substrate temperature does not necessarily coincide with the point in time when the film formation of the gallium nitride / indium layer is started.
  • the end point of the change in the supply ratio of the group III element or the substrate temperature does not necessarily need to coincide with the time when the film formation is completed. For example, it is allowed to raise the temperature of the substrate after a lapse of time from the start of the film formation of the gallium nitride / indium layer, and to end the temperature increase of the substrate before the film formation is completed.
  • a p-side-up type LED is configured using a group III nitride semiconductor light emitting device having a gallium nitride / indium layer to which the present embodiment is applied as a light emitting layer.
  • an anode (+) ohmic electrode is provided in electrical contact with an upper clad layer made of p-type aluminum nitride, gallium, and indium provided on the light emitting layer.
  • a cathode ( ⁇ ) ohmic electrode that is in electrical contact with the lower cladding layer made of n-type aluminum nitride, gallium, and indium under the light emitting layer is provided.
  • the p-type upper cladding layer and the light emitting layer in the region where the cathode electrode is provided are removed by a dry etching method or the like.
  • a transparent conductive oxide film or the like is disposed on the upper clad layer within a range that does not hinder the extraction of emitted light to the outside, and the anode electrode is disposed through these films. It may be provided.
  • the conductive oxide film include an indium / tin composite oxide (English abbreviation: ITO) film, an indium / zinc (element symbol: Zn) / tin composite oxide (English abbreviation: IZTO) film, and the like. .
  • Example 1 a group III nitride semiconductor light emitting device to which the present embodiment is applied will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • an n-type gallium nitride layer to which silicon having an atomic radius smaller than that of indium is added as a donor impurity serves as a lower cladding layer, and is provided on the lower cladding layer and has a concentration gradient in silicon atom concentration.
  • the case of an LED having a pn junction type DH structure provided with an indium layer as a light emitting layer will be described.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a vertical sectional structure of an LED chip.
  • FIG. 2 is a SIMS analysis diagram showing atomic concentration distributions of indium and silicon in the depth direction inside the lower cladding layer and the light emitting layer.
  • the location where the atomic concentration of silicon (Si) decreasing toward the surface of the lower cladding layer starts to increase is the junction interface between the lower cladding layer and the light emitting layer. It is.
  • FIG. 3 is a spectrum of light emission from the LED.
  • Sb antimony
  • Si n-type substrate 101 having a (111) crystal plane as the surface by molecular beam epitaxy
  • MBE molecular beam epitaxy
  • the pressure in the MBE growth chamber during growth was 4 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • a lower clad layer 103 made of a silicon (Si) -doped n-type gallium nitride (GaN) layer is formed on the aluminum nitride layer 102 using silicon (Si) alone as a doping source and the temperature of the Si substrate 101 at 750 ° C. Grown up.
  • the amount of flux of gallium was 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa.
  • the flow rate of nitrogen gas was set to 3 cc per minute.
  • the pressure in the growth chamber during growth was set to 5 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • the temperature of a cell (crucible) (silicon cell) containing silicon is changed so that the atomic concentration of silicon inside the lower clad layer 103 is directed toward the junction interface with the light emitting layer 104.
  • a concentration gradient was applied so as to decrease.
  • the temperature of the silicon cell was maintained at a constant temperature of 1150 ° C. until about 170 minutes passed from the start of the growth of the lower cladding layer on the aluminum nitride layer 102. From the time when the thickness of the lower cladding layer 103 reached 2.8 ⁇ m, the temperature of the silicon cell was lowered to 950 ° C. at a rate of 20 ° C. per minute.
  • a surface region 103b in which the atomic concentration of silicon was gradually decreased was formed in a region extending from the surface 103a of the lower cladding layer 103 to a depth of 0.2 ⁇ m.
  • the atomic concentration of silicon on the surface 103a of the lower cladding layer was 2 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 , which was about two orders of magnitude lower than the atomic concentration in the deep part.
  • the atomic concentration of silicon in the deep part of the lower cladding layer grown with the temperature of the silicon cell set to 1150 ° C. was 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the atomic concentration of silicon was calculated from the ionic strength value of silicon shown in FIG.
  • the carrier concentration in the deep part of the lower cladding layer 103 measured by a general CV method was almost constant at 4 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 .
  • the carrier concentration gradually and gradually decreased in the surface region 103b, and the carrier concentration on the surface 103a of the lower cladding layer 103 was 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 .
  • the atomic arrangement structure of the surface 103a of the lower cladding layer 103 was investigated by means of high-energy electron diffraction (RHEED).
  • RHEED high-energy electron diffraction
  • a streak-like diffraction pattern indicating that the surface 103a is two-dimensionally smooth was obtained.
  • the linear diffraction pattern showed a (2 ⁇ 2) rearrangement structure indicating that gallium is present in a larger amount than nitrogen.
  • the pressure in the growth chamber during growth was 5 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • the flux amount of gallium was 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and the flux amount of indium was 2.4 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa. These flux amounts were kept constant during the growth of the light emitting layer 104. With this flux amount, when the atomic concentration of silicon is constant at 2 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 , a gallium nitride / indium layer having an indium composition of 0.04 (composition formula: Ga 0.96 In 0.04 N )was gotten.
  • the temperature of the silicon cell was set to 950 ° C., and the temperature of the silicon cell was increased to 1150 ° C. as the thickness of the gallium nitride / indium layer forming the light emitting layer 104 increased.
  • the temperature of the silicon cell is increased at a constant rate of 2.0 ° C. per minute. It was. Thereafter, the temperature of the silicon cell was increased at a constant rate of 3.6 ° C. per minute until the layer thickness reached 200 nm (growth time: 50 minutes).
  • the atomic concentration of silicon is 2 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3
  • the atomic concentration of silicon at the surface 104c of the light emitting layer 104 is 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 (FIG. 2).
  • the indium composition decreased as the amount of silicon added increased. Although it was 0.04 at the bonding interface 104a, it was 0.01 at the surface 104c due to the effect of sweeping indium due to shrinkage of the crystal lattice.
  • the MBE method using nitrogen plasma that does not generate light emission due to the second positive band of nitrogen molecules was used.
  • the atomic concentration of magnesium inside the p-type GaN layer was set to 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the upper clad layer 105 and the light emitting layer (Ga 0.96 In 0.04 N) 104 made of magnesium-doped p-type GaN in the portion where the n-type ohmic electrode 106 is formed are removed by a general dry etching method. did.
  • An n-type ohmic electrode 106 was formed on the surface of the lower cladding layer 103 made of n-type gallium nitride exposed by removing these layers.
  • the p-type ohmic electrode 107 made of an indium / zinc / tin composite oxide (IZTO) film is electrically connected to a part of the surface of the upper clad layer 105 made of the p-type GaN layer left after the etching.
  • the forward voltage was 3.6 volts (unit of voltage: V).
  • the LED 10 emitted light having a band-like spectrum in the ultraviolet band of wavelengths 365 nm to 377 nm.
  • the wavelength width that exhibits a band-like spectrum in which the light emission having substantially the same intensity is gathered although the wavelengths are slightly different from each other is 12 nm.
  • the junction region inside the light emitting layer is an undoped region to which a donor impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium is not added (doping), and
  • a donor impurity composed of an element having an atomic radius smaller than that of indium is not added (doping)
  • an LED having a gallium nitride / indium layer with a concentration gradient in indium composition as a light emitting layer will be described.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a vertical cross-sectional structure of the LED chip used in this example.
  • FIG. 5 is a SIMS analysis diagram showing atomic concentration distributions of indium and silicon in the depth direction inside the lower cladding layer and the light emitting layer.
  • FIG. 6 is a belt-like spectrum of light emitted from an LED.
  • boron (element symbol: B) -doped p-type silicon (Si) having a crystal plane orientation of (111) on the surface was formed on the substrate 201.
  • the surface of the substrate 201 was cleaned using an inorganic acid such as hydrofluoric acid (chemical formula: HF) and then transferred into the growth chamber of the MBE growth apparatus. After the transfer, the inside of the growth chamber was evacuated to an ultrahigh vacuum of 7 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa. Thereafter, while maintaining the inside of the growth chamber at the degree of vacuum, the temperature of the substrate 201 is raised to 780 ° C. until a rearranged structure having a (7 ⁇ 7) structure is formed on the surface of the substrate 201. Heated continuously.
  • On the aluminum film 202 was deposited an aluminum film 202 and the undoped aluminum gallium nitride constituting the buffer layer 210 of the multilayer structure (Al X Ga 1-X N ) compositional gradient layer 203.
  • the aluminum (Al) composition ratio (X) of the Al X Ga 1-X N composition gradient layer 203 is 0.30 to 0 (zero) from the bonding surface with the aluminum film 202 toward the surface of the composition gradient layer 203. Then, the aluminum composition was decreased linearly and continuously in proportion to the increase in the layer thickness of the composition gradient layer 203.
  • the flow rate of nitrogen gas was kept constant at 0.4 cc / min, and the flux amount of gallium was kept constant at 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa.
  • the flux amount of aluminum is set to 7.2 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa at the start of the growth of the undoped aluminum / gallium nitride (Al X Ga 1-X N) composition gradient layer 203, and the linear amount increases with the passage of the growth time. Reduced. Growth of undoped aluminum gallium nitride (Al X Ga 1-X N ) compositional gradient layer 203, was terminated by blocking the flux of gallium and aluminum.
  • the undoped aluminum gallium nitride (Al X Ga 1-X N) composition gradient layer 203 and the aluminum film 202 immediately below constitute a buffer layer having a multilayer structure. Even while the gallium and aluminum fluxes were cut off, the composition gradient layer 203 that had completed the growth was irradiated with nitrogen plasma.
  • Deposition of the lower cladding layer 204 made of (GaN) was started.
  • the layer thickness of the gallium nitride layer was 1500 nm.
  • nitrogen plasma was generated from two high-frequency nitrogen plasma generators attached to one MBE growth chamber. The flow rate of nitrogen gas was set to 1.5 cc / min for each generator.
  • the gallium flux was kept constant at 1.3 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa for 120 minutes, and the growth of the GaN layer was completed.
  • the surface rearrangement structure during and after the growth of the GaN layer was a (2 ⁇ 2) structure indicating that gallium was present on the surface more than nitrogen.
  • the temperature of the silicon cell is changed, and the atomic concentration of silicon inside the lower cladding layer 204 is decreased in the surface region 204b near the junction interface with the light emitting layer 205.
  • the temperature of the silicon cell from the time when the growth of the gallium nitride layer on the undoped aluminum gallium nitride (Al X Ga 1-X N) composition gradient layer 203 starts until the layer thickness reaches 1400 nm. was kept at a constant temperature of 1150 ° C. Thereafter, the supply of silicon and gallium flux was interrupted until the temperature of the silicon cell decreased to 950 ° C.
  • the supply of the silicon and gallium flux was resumed, and the surface region 204b of the gallium nitride layer was changed until the total layer thickness of gallium nitride reached a predetermined 1500 nm. Formed.
  • the lower clad layer in which the atomic concentration of silicon in the surface region 204b having a depth of about 100 nm from the surface is lower than the deep portion closer to the undoped aluminum nitride gallium nitride (Al X Ga 1-X N) composition gradient layer 203 204 was formed.
  • the atomic concentration of silicon on the surface 204a of the lower cladding layer 204 was 3 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 .
  • the atomic concentration of silicon in the deep portion of the lower cladding layer 204 grown with the temperature of the silicon cell set to 1150 ° C. was 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the carrier concentration in the deep part of the gallium nitride layer was 4 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3
  • the carrier concentration in the surface region 204b was 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 .
  • a gallium nitride / indium layer constituting the light emitting layer 205 was formed by the above-described high frequency nitrogen plasma MBE method.
  • the layer thickness of the light emitting layer 205 was set to 200 nm. Silicon was not added until the thickness of the light emitting layer 205 reached 20 nm. That is, the junction region 205b in the vicinity of the junction interface 205a with the lower cladding layer 204 is configured as an undoped gallium nitride / indium layer. Immediately after the formation of the junction region 205b, silicon doping was started.
  • the temperature of the silicon cell was 950 ° C. at the start of silicon doping, and increased linearly to 1150 ° C. when the formation of the light emitting layer 205 was completed.
  • the light emitting layer 205 having a concentration gradient of 3 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 at the junction region 205b and 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 at the surface 205c was formed.
  • the indium composition of gallium nitride and indium forming the light emitting layer 205 was also changed.
  • a junction region 205b having a thickness of about 20 nm from a junction interface 205a with the lower clad layer 204 made of an n-type GaN layer is an n-type gallium nitride indium (Ga 0.94 In 0.06 N) having an indium composition of 0.06. ).
  • the indium flux amount was relatively decreased while the gallium flux amount was kept constant so that a layer having a smaller indium composition was continuously formed between the junction region 205b and the surface 205c.
  • the indium composition was linearly decreased from the junction region 205b toward the surface 205c.
  • the indium composition was constant at 0.06 at the junction region 205b and 0.01 at the surface 205c.
  • the upper clad layer 206 made of magnesium-doped p-type GaN and the light emitting layer 205 made of Ga X In 1-X N in the portion where the n-type ohmic electrode 207 is to be formed were removed by a general dry etching method. Further, the surface region 204b having a low silicon atomic concentration was removed from the deep portion of the lower cladding layer 204, and the deep portion of the lower cladding layer 204 having a high silicon atomic concentration and a high carrier concentration was exposed. Thereafter, an n-type ohmic electrode 207 was formed on the exposed deep surface of the n-type gallium nitride lower cladding layer 204.
  • a p-type ohmic electrode 208 made of an indium / tin composite oxide (ITO) film and a pedestal (which is electrically connected thereto) pad) electrode 209 was formed on a part of the surface of the upper clad layer 206 made of the p-type GaN layer left after the etching.
  • a part of the bottom of the pedestal electrode 209 (a portion corresponding to a plane area of about 1 ⁇ 2 of the bottom area of the pedestal electrode 209) was provided in contact with the surface of the upper cladding layer 206. Then, it cut
  • the broadening of the emission spectrum width and the increase of the emission intensity are due to the increase in the indium incorporation in the junction region 205b by making the junction region 205b an undoped region to which a donor impurity made of silicon having an atomic radius smaller than that of indium is not added. It is thought to depend.
  • An n-type gallium nitride layer in which the atomic concentration of silicon is constant at 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 in the depth direction is used as a lower cladding layer, and a gallium nitride / indium layer is formed on the lower cladding layer by nitrogen plasma MBE method. Grown up. During the growth of the gallium nitride / indium layer, silicon was continuously added (doping). The temperature of the silicon cell during doping was maintained at a constant temperature (1150 ° C.).
  • the amount of flux of gallium and indium is the same as in Example 1 with the intention of forming a gallium nitride indium (Ga 0.96 In 0.04 N) layer having an indium composition of 0.04. 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa and 2.4 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa.
  • the thickness of the gallium nitride / indium layer used as the light emitting layer was 200 nm.
  • FIG. 7 is a SIMS analysis diagram showing atomic concentration distributions of indium and silicon in the depth direction inside the lower cladding layer and the light emitting layer.
  • the atomic concentration of silicon in the depth direction of the gallium nitride / indium layer was constant at 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 .
  • the indium atom concentration is low in the region near the junction interface with the lower cladding layer, and the atomic concentration of indium begins to increase far from the junction interface with the lower cladding layer.
  • the concentration transition distance necessary to reach a region where the atomic concentration of indium is substantially constant has reached 130 nm, which corresponds to about 2/3 of the thickness of the gallium nitride indium layer.
  • the indium composition monotonously decreases in the direction of increasing the thickness of the gallium nitride / indium layer, it is advantageous for extracting light emission from the surface side to the outside, but the indium composition has a gradient. A gallium nitride / indium layer could not be formed.
  • An n-type gallium nitride layer having a constant atomic concentration of silicon of 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 in the depth direction was used as a lower cladding layer, and a gallium nitride / indium layer was grown on the lower cladding layer by MBE. .
  • the supply amount (flux amount) of indium to gallium was increased.
  • the flux amount of gallium was set to 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa in the same manner as in Example 1, and the flux amount of indium was doubled to 4.8 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa.
  • the growth of the gallium nitride indium layer having a layer thickness of 200 nm was completed while maintaining the indium flux constant.
  • silicon doping was not performed during the formation of the gallium nitride / indium layer.
  • FIG. 8 is a SIMS analysis diagram showing atomic concentration distributions of indium and silicon in the depth direction inside the lower cladding layer and the light emitting layer. As shown in FIG. 8, it can be seen that a region in which the atomic concentration of gallium is low and the atomic concentration of indium is high, that is, the indium composition is high, is formed in the vicinity of the junction interface with the lower cladding layer. . However, although the indium composition is increased, it is only about 1/3 of the indium composition of Example 1 despite the fact that the amount of indium flux is doubled compared to the case of Example 1. It was.
  • the count number of the measured atomic concentration of indium rapidly increases in a region extending from the surface of the gallium nitride / indium layer to a depth of about 10 nm. It was judged that the concentration of indium atoms did not increase but was caused by analytical interference caused by oxygen adsorbed on the surface of the gallium nitride / indium layer.
  • FIG. 9 is a photoluminescence (PL) spectrum of the light emitting layer.
  • Gallium nitride that exhibits a function of providing a concentration gradient to the atomic concentration of donor impurities composed of elements having an indium composition or an atomic radius smaller than that of indium, and simultaneously emitting light of different wavelengths using this concentration gradient to produce a band-like emission spectrum
  • the indium layer can also be used as a functional layer that absorbs a plurality of lights having different wavelengths. Accordingly, the gallium nitride / indium layer included in the group III nitride semiconductor light emitting device according to the present invention is not only for light of a single wavelength but also for photoelectric conversion that efficiently absorbs a plurality of lights having different wavelengths. It can be used as a light absorption layer (light receiving layer), and is advantageous for, for example, constituting a light receiving element or a solar cell.

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Abstract

ｐｎ接合型ヘテロ構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に接して配置され且つｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、を備え、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層内のインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりもｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と発光層との界面において低く、且つ、発光層内のドナー不純物の原子濃度が、発光層とｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面よりも発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高い、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。

Description

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
　本発明は、窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子等に係り、特に、紫外帯域及び近紫外帯域の短波長光を出射するＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード（英略称：ＬＥＤ）等に関する。
　従来、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）あるいは窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）等の、アルミニウム（元素記号：Ａｌ）、ガリウム（元素記号：Ｇａ）またはインジウム（元素記号：Ｉｎ）等のＩＩＩ族元素を構成元素として含むＩＩＩ族窒化物半導体は、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（英略称：ＬＤ）等のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を構成するために利用されている（例えば、特許文献１参照）。
　例えば、ＬＥＤには、窒化ガリウム・インジウム層は、深緑色や青色等の可視光を出射するための発光層として利用されている（特許文献１参照）。また、例えば、亜鉛（元素記号：Ｚｎ）を添加（ドーピング）したインジウム組成が大きいＧａ０．４Ｉｎ０．６Ｎ層は、赤色発光用の材料として有用であることが示されている（特許文献１参照）。また、インジウム組成が小さい窒化ガリウム・インジウム層は、紫外光を出射するための発光層として利用されている（特許文献２参照）。
　従来の可視ＬＥＤ或いは紫外ＬＥＤを積層構造的にみると、例えば、窒化ガリウムからなるｎ形クラッド層上にｎ形の窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層を配置し、さらにその上に、例えば、窒化アルミニウム・ガリウム（組成式ＡｌδＧａεＮ：０≦δ≦１、０≦ε≦１、δ＋ε＝１）層からなるｐ形クラッド層を積層させたｐｎ接合型のダブルヘテロ（ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｔｅｒｏ：英略称ＤＨ）構造が一般的である（非特許文献１参照）。
　その様な構造を有するＬＥＤの発光層に用いられる窒化ガリウム・インジウム層では、ＬＥＤを駆動する電流の通流抵抗を調整するために、不純物を故意に添加、所謂、ドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）を施す場合がある。ＩＩＩ族窒化物半導体のｎ形不純物としては、珪素（元素記号：Ｓｉ）、ゲルマニウム（元素記号：Ｇｅ）、テルル（元素記号：Ｔｅ）、セレン（元素記号：Ｓｅ）が例示されている（特許文献３の段落（０００８）参照）。ゲルマニウムは、原子濃度を異にするＩＩＩ族窒化物半導体からなる層状物を製造する際のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）としても利用されている（特許文献４参照）。ゲルマニウムに加えて、特許文献５には、硫黄（元素記号：Ｓ）がｎ形不純物として記載されている（特許文献５の段落（００２２）参照）。
特公昭５５－３８３４号公報 特開２００３－２４９６６４号公報 特許第２５７６８１９号公報 特許第３８７４７７９号公報 特許第３５００７６２号公報
高橋清監修、長谷川文夫、吉川明彦編著、「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス」（２００６年３月３１日、森北出版発行、第１版第１刷）、１３３～１３９頁。
　ここで、前述したダブルヘテロ（ＤＨ）構造を構成するＩＩＩ族窒化物半導体材料の格子定数を比較する。六方晶（ｈｅｘａｇｏｎａｌ）ウルツ鉱型（ｗｕｒｔｚｉｔｅ）の窒化ガリウムのａ軸は０．３１８ナノメートル（長さの単位：ｎｍ）である（赤崎勇編著、「ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体」（１９９４年５月２０日培風館発行初版、１４８頁参照）。一方、六方晶窒化インジウムのａ軸は、窒化ガリウムのそれより０．０３５ｎｍ大きく０．３５３ｎｍである。窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）のａ軸は、窒化ガリウムと窒化インジウムとの中間の値となり、窒化アルミニウム（ａ軸＝０．３１１ｎｍ）とのａ軸の差は、最小でも０．００７ｎｍを超え、最大で０．０４２ｎｍに達する。
　このように、ＩＩＩ族窒化物半導体材料の格子定数に大きな差異があると、それらを積層させてｐｎ接合型ＤＨ構造を構成する場合に次のような問題が発生する。例えば、ｎ形窒化ガリウム層上に、より格子定数の大きな結晶を有する窒化ガリウム・インジウム層を積層すると、両層の接合面から窒化ガリウム・インジウム層の内部へ向かう所定の厚さの領域では、インジウムの取り込みが促進されない。このため、予め設定した数値よりもインジウム組成が小さい窒化ガリウム・インジウム層が形成されるという問題が生じる。インジウム組成が小さい程、窒化ガリウム・インジウムの禁止帯幅は大きくなり、従って、発せられる発光の波長は短くなる（上記の特許文献１参照）。
　上述した現象は、「窒化ガリウム・インジウム層の成長の初期段階に於いて、下地層の格子定数を受け継ぎつつ成長する。」とされるプシュードモーフィズム（ｐｓｅｕｕｄｏｍｏｒｐｈｉｓｍ）の現象（橋口隆吉、近角聡信編集、「薄膜・表面現象」（昭和４７年１２月１５日、朝倉書店発行、４版、第１１頁～第１４頁参照）にも一因があると推考される。この様なインジウムの取り込みや混入が阻害される現象は、インジウム組成が小さいことにより、発光波長が短い紫外光や近紫外光を発する窒化ガリウム・インジウム層を、例えば、窒化ガリウム下地層上に成長させる際に顕著に認められる。
　窒化ガリウム・インジウム層の成長が進行して層厚が増加するに伴い、プシュードモーフィズムの影響は薄れ、層内のインジウム組成は次第に増加する。しかし、このことは、ｎ形窒化ガリウムからなるクラッド層との接合面近傍において、発光層の深部の禁止帯幅が大きい領域上に、より禁止帯幅が小さい領域が形成されることを意味する。
　ｎ形窒化ガリウムからなるクラッド層との接合面近傍の発光層の深部から発生される紫外光や近紫外光等の短波長光は、より上方に形成され且つインジウム組成が高く、禁止帯幅が小さい発光層に吸収される事態を生ずる。つまり、発光を効率的に外部へ取り出すのに適さない発光層の積層構成となることを意味している。
　本発明の目的は、ＩＩＩ族窒化物半導体材料のなかでも、相対的に結晶格子の格子定数が小さい窒化ガリウム等からなるクラッド層等の下地層上に、窒化ガリウムより結晶格子の格子定数が大きい窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を設けるのに際し、各層を各々構成するＩＩＩ族窒化物半導体材料の格子定数の大小に起因して、発光層中へのインジウムの取り込みが促進されず、予め設定した数値のインジウム組成を有する発光層が得難いという問題を解決することにある。
　本発明は、上記の従来技術に伴う問題を解決するためになされた創意であって、例えば窒化ガリウム層上に、窒化ガリウム層との接合面の近傍においてインジウムの取り込みを促進させた窒化ガリウム・インジウム層を発光層として含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、特に、紫外光等の短波長発光を効率的に外部へ取り出せる構成からなる発光層を提供するための技術を開示するものである。
　かくして、本発明によれば、ｐｎ接合型ヘテロ構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に接して配置され且つ当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、前記発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、を備え、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層内のインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が、当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりも当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と前記発光層との界面において低く、且つ、前記発光層内の前記ドナー不純物の原子濃度が、当該発光層と前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面よりも当該発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高い、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が提供される。
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、前記発光層は、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層から前記ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に向けて、前記ドナー不純物の原子濃度を増加させた前記窒化ガリウム・インジウムから構成されていることが好ましい。
　前記発光層のインジウム組成は、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と当該発光層との界面よりも前記ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と当該発光層との界面の方において低いことが好ましい。
　前記発光層の内部であって前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との接合領域が、前記ドナー不純物が添加されていないアンドープの領域であることが好ましい。
　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層は、窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムとは格子整合しない基板上に成膜された緩衝層上に設けられており、前記緩衝層は、アルミニウム（Ａｌ）薄膜層と、当該薄膜層上に設けられ且つアルミニウム組成に勾配を付した窒化アルミニウム・ガリウム層との重層構造を有することが好ましい。
　前記発光層は、１０ｎｍ以上の幅を有する連続した波長の光を出射する窒化ガリウム・インジウム層から構成されていることが好ましい。
　前記発光層は、波長３６０ｎｍ以上波長４２０ｎｍ以下の範囲で、連続した波長の光を出射する前記窒化ガリウム・インジウム層から構成されていることが好ましい。
　次に、本発明によれば、ｐｎ接合型ヘテロ構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に接して配置され且つ当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、前記発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、を備え、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層内のインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が、当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりも当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と前記発光層との界面において低く、且つ、前記発光層内の前記ドナー不純物の原子濃度が、当該発光層と前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面よりも当該発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高く、前記発光層を形成する際に、当該発光層の内部に添加する前記ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法が提供される。
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記発光層は、形成環境内へのガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）の供給量を一定に保ちつつ、前記ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させて形成されることが好ましい。
　前記発光層は、形成環境内へのガリウム（Ｇａ）の供給量を一定に保ちつつ、インジウム（Ｉｎ）の供給量を経時的に減少させて形成されることが好ましい。
　前記発光層は、当該発光層の前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と接合する領域を、前記ドナー不純物を添加しないアンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の領域として形成した後、当該発光層の内部に添加する当該ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させつつ形成されることが好ましい。
　本発明によれば、窒化ガリウム層上に、窒化ガリウム層との接合面の近傍においてインジウムの取り込みを促進させた窒化ガリウム・インジウム層を発光層として含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が得られる。
　すなわち、インジウムより原子半径が小さい元素からなる不純物は、結晶格子の大きさを縮める作用を有する。このため、窒化ガリウム・インジウム層に含まれるインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の濃度を減少させると、結晶格子の縮みが抑制される。そして、インジウムの結晶中への取り込みが促進され、インジウム組成が大きい窒化ガリウム・インジウム層が得られる。
　従って、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌαＧａβＩｎγＮ：０≦α≦１、０≦β≦１、０≦γ＜１、α＋β＋γ＝１）層上に、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層を構成するＩＩＩ族窒化物半導体材料の格子定数より大きい格子定数を有し、且つ、インジウム組成が層の厚さ方向に減少する窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層を設けるに際し、インジウムより原子半径が小さいドナー不純物の原子濃度が発光層の厚さ方向に増加するように濃度勾配を付すことにより、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層上にインジウム組成が大きい窒化ガリウム・インジウム層を積層できる利点がある。
　また、窒化ガリウム・インジウム層を設けるｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の表面において、インジウムより原子半径を小とするドナー不純物の原子濃度を層の内部より低くしておけば、同層の表面領域において、結晶格子の縮小を抑制する効果が得られる。
　加えて、その層の上に窒化ガリウム・インジウム層を積層するに際し、そのドナー不純物の窒化ガリウム・インジウム層内への拡散によるインジウムの取り込み率の減少を抑制する効果が得られる。このため、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層上にインジウム組成が大きい窒化ガリウム・インジウム層を安定して配置することが可能となる。その結果、発光を効率的に外部へ取り出せるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が得られる。
　特に、本発明によれば、インジウムより原子半径が小さいドナー不純物の濃度をｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌδＧａεＩｎζＮ：０≦δ≦１、０≦ε≦１、０≦ζ＜１、δ＋ε＋ζ＝１）層に向けて連続的に増加させることにより、その濃度変化に対応して、インジウム組成がｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に向けて減少する窒化ガリウム・インジウム層が得られる。
　このため、ｐサイドアップ型のＬＥＤの場合、発光の取り出し方向に禁止帯幅が順次大きくなり、例えば、紫外帯域で連続的なスペクトルを出射するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が得られる。
　また、本発明によれば、インジウムよりも原子半径が小さいドナー不純物の濃度をｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に向けて連続的に増加させることにより、窒化ガリウム・インジウム層よりも格子定数が小さいｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の格子とのミスマッチが緩和される。
　このため、ドナー不純物の濃度がｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に向けて連続的に増加する様に分布した窒化ガリウム・インジウム層を発光層として用いることにより、その窒化ガリウム・インジウム層上に、格子ミスマッチに因る格子歪が少なく且つ結晶性が良好なｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層からなる、例えばｐ形クラッド層を形成することができる。その結果、素子動作電流の漏洩（ｌｅａｋ）が少なく且つ逆方向電圧が高い高耐圧のＩＩＩ族窒化物半導体紫外ＬＥＤが得られる。
　本発明のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、発光層として、発光の外部への取り出し方向に向けてインジウム組成が順次減少する窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層を用いることにより、発光層を、バンドギャップ（禁止帯幅）が順次大きくなる窒化ガリウム・インジウム層を層厚の増加方向に順次積層した構成とすることができる。
　この結果、窒化ガリウム・インジウム層の層厚の増加方向に相当する発光の取り出し方向に効率的に発光を取り出せるＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤを作製できる。
　本発明によれば、例えば、紫外帯域で波長的に連続した帯状スペクトル状の発光を呈するＩＩＩ族窒化物半導体ＬＥＤを作製できる。この様な連続スペクトルを発するＬＥＤは、紫外線の光エネルギーを受けて固化する、例えば、インク材料、とりわけ、吸収帯を相違するインク材料を固化するためのインク乾燥機等に応用できる。
　本発明によれば、窒化ガリウム・インジウム層により構成される発光層から発せられる連続スペクトルの幅を、波長にして１０ｎｍ以上としたので、例えば、吸収帯が相違するインク材料を全般的に固化するためのインク乾燥機等に利用可能なＩＩＩ族窒化物半導体紫外ＬＥＤを提供できる。
実施例１に用いたＬＥＤチップの垂直断面構造を示す模式図である。 実施例１に用いたＬＥＤチップの下部クラッド層及び発光層内部の深さ方向におけるインジウム及び珪素の原子濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。 実施例１に用いたＬＥＤからの発光のスペルトルである。 実施例２に用いたＬＥＤチップの垂直断面構造を示す模式図である。 実施例２に用いたＬＥＤチップのインジウム及び珪素の深さ方向の原子濃度の分布を示すＳＩＭＳ分析図である。 実施例２に用いたＬＥＤからの発光の帯状スペルトルである。 比較例１に用いたＬＥＤチップのインジウム原子の深さ方向の濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。 比較例２に用いたＬＥＤチップのインジウム原子の深さ方向の濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。 比較例２に用いたＬＥＤチップの発光層のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルである。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
　本実施の形態が適用されるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、基板上に形成したＩＩＩ族窒化物半導体からなる積層体を用いて作製する。
　基板として、ガラス基板、極性又は無極性の結晶面を表面とするサファイア（α－Ａｌ２Ｏ３単結晶）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物結晶基板、六方晶６Ｈ型又は４Ｈ型又は立方晶３Ｃ型炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の半導体結晶からなる基板を例示列挙できる。
　また、バルク（ｂｕｌｋ）結晶基板に限定されず、例えば、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物半導体層やリン化硼素（ＢＰ）層等のＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体からなるエピタキシャル（ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長層を基板として用いることができる。
　本実施の形態では、基板上には、ｐｎ接合型ＤＨ（ダブルヘテロ）構造の発光素子を構成するための窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌαＧａβＩｎγＮ：０≦α≦１、０≦β≦１、０≦γ＜１、α＋β＋γ＝１）層を下部クラッド層として形成する。
　例えば、ｐ形半導体層側から発光を外部に取り出すｐサイドアップ型のＬＥＤの場合、下部クラッド層はｎ形の伝導性を示す窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層から構成する。
　例えば、珪素（原子半径＝０．１３２ｎｍ）やゲルマニウム（原子半径＝０．１３７ｎｍ）等のインジウム（原子半径＝０．１６６ｎｍ）よりも原子半径が小さい元素からなるドナー不純物が添加されたｎ形の窒化ガリウム（ＧａＮ）から構成する。原子半径が小さいことは、共有半径も小さいことを意味する。
　本実施の形態では、下部クラッド層の層厚は、数μｍから十数μｍであることが好ましい。基板と下部クラッド層の構成材料との格子ミスマッチングが大きい場合、基板との不整合性により発生する転位（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）等の結晶欠陥の発光層への伝播を抑制するために下部クラッド層を厚くするのが望ましい。
　一方、昇華性の高い窒化インジウム（ＩｎＮ）を含む窒化アルミニウム・インジウム（組成式ＡｌαＩｎγＮ：０＜α≦１、０≦γ＜１、α＋γ＝１）混晶等により下部クラッド層を構成する場合、下部クラッド層の厚さが過度に大きいと、高温における成膜中に窒化インジウムが昇華することにより、平坦な表面の下部クラッド層が得られ難くい傾向がある。
　本実施の形態では、下部クラッド層を、窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムとは格子定数が異なる材料からなる異種基板上に設ける場合、その基板と下部クラッド層との上下方向の中間に、両層間の整合性を増すための緩衝（ｂｕｆｆｅｒ）層を挿入する。
　例えば、基板としてシリコン単結晶を用いる場合、同基板とＡｌαＧａβＩｎγＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、０≦γ＜１、α＋β＋γ＝１）からなる下部クラッド層との中間に、双方間の格子ミスマッチを緩和するためのアルミニウム組成（α）（或いはガリウム組成（β））に層厚方向に勾配を付したＡｌαＧａβＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、α＋β＝１）層からなる緩衝層を挿入する。
　さらに、シリコン単結晶基板とＡｌαＧａβＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、α＋β＝１）層からなる緩衝層との間に金属アルミニウム薄膜層を挿入してもよい。
　格子整合の観点から、緩衝層の下部クラッド層と接する側の表面は、下部クラッド層を構成する半導体材料と同一の格子定数を有する材料から構成することが好ましい。
　例えば、下部クラッド層を窒化ガリウム層により構成する場合、金属アルミニウム薄膜層とその上のＡｌαＧａβＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、α＋β＝１）組成勾配層からなる重層構造層を緩衝層とし、ＡｌαＧａβＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、α＋β＝１）組成勾配層の表面を窒化ガリウムにより構成することが好ましい。
　一般に、下部クラッド層内部のドナー不純物の原子濃度は略一定とされているが、本実施の形態では、インジウムより原子半径が小さい珪素等の原子濃度が、層内部より表面において低くなるように形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層を下部クラッド層として用いることが好ましい。この場合、下部クラッド層の表面を構成する結晶の格子の縮みが抑制され、下部クラッド層上に設ける窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層へのインジウムの取り込みが促進される。
　ここで、下部クラッド層の内部とは、同層の表面からの深さが、同層の表面を構成するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶の面間隔（ｌａｔｔｉｃｅ　ｓｐａｃｉｎｇ）の約１２０倍を超えた領域である。
　換言すれば、表面からの深さが、その表面を形成する結晶の面間隔の約１２０倍以内が下部クラッド層の表面領域である。本発明者の検討によれば、少なくともこの表面領域においてドナー不純物の原子濃度を低下させることにより、下部クラッド層の表面上にインジウムが取り込まれ易い窒化ガリウム・インジウム層が形成されることを見出している。
　下部クラッド層がミラー指数（Ｍｉｌｌｅｒ　ｉｎｄｅｃｉｅｓ）で｛ｈｋｌ｝により表記される格子定数をａとする立方晶の結晶面から構成される場合、下部クラッド層の表面をなす結晶面の面間隔（ｄＣ）は、下記式（１）に基づき求められる（Ｃ．Ｗ．バン著、笹田義夫訳、「化学結晶学」（昭和４５年６月１５日、培風館発行、初版、１１５頁参照）。
　　ｄＣ＝ａ／（ｈ２＋ｋ２＋ｌ２）１／２・・・・式（１）
　また、下部クラッド層の表面が、ａ軸とｃ軸の長さを、それぞれａとｃとする六方晶の結晶面から構成されている場合、面間隔（ｄＨ）は下記式（２）からを求められる（上記の「化学結晶学」、１１８頁参照）。
　　ｄＨ＝ａ／｛（４／３）（ｈ２＋ｈｋ＋ｌ２）＋（ａ／ｃ）２ｌ２｝１／２・・・式（２）
　例えば、（０００１）結晶面を表面とするウルツ鉱結晶型の窒化ガリウムからなる下部クラッド層の場合、その表面をなすＣ面（＝（０００１）結晶面）の面間隔は、０．２６ｎｍである。従って、この場合、面間隔（＝０．２６ｎｍ）の１２０倍の深さは、３１．２ｎｍとなる。
　本実施の形態では、上述した下部クラッド層の表面領域に含まれ、且つインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度は、下部クラッド層内部の領域の１／５以下とするのが望ましい。具体的には、例えば、下部クラッド層の内部において珪素の原子濃度が４×１０１８ｃｍ－３である場合、下部クラッド層の表面における珪素の原子濃度が６×１０１７ｃｍ－３であることが好ましい。
　更に、ドナー不純物の原子濃度は、下部クラッド層内部の領域の１／１０以下であることが望ましい。具体的には、例えば、珪素を添加したウルツ鉱結晶型のｎ形窒化ガリウムからなる下部クラッド層の場合、同層の内部の領域の珪素の原子濃度が３×１０１９ｃｍ－３であれば、例えば、深さ３０ｎｍから同層の表面に至る表面領域での珪素の原子濃度は６×１０１８ｃｍ－３以下であり、更に３×１０１８ｃｍ－３以下とすることが望ましい。ドナー不純物の原子濃度は、２次イオン質量分析（英略称：ＳＩＭＳ）等の分析手法に依り定量できる。
　下部クラッド層の表面領域におけるドナー不純物の原子濃度が過度に低いと、表面領域の電気的抵抗が増大する傾向がある。このため、発光素子に通流する順方向電流に対して大きな電気的抵抗とならないように、下部クラッド層の表面領域におけるドナー不純物の原子濃度は、通常８×１０１６ｃｍ－３以上とすることが好ましい。
　キャリア濃度はショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接合電極を利用する一般的な容量－電圧（Ｃ－Ｖ）法等により測定できる。
　上述したように、表面領域においてドナー不純物の濃度を減少させた下部クラッド層上に、ドナー不純物を含むｎ形窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層からなる発光層を形成する。これにより、珪素等のドナー不純物を含むｎ形窒化ガリウム・インジウム層から高強度の発光が得られる。
　発光層を形成する窒化ガリウム・インジウム層のインジウム組成（＝１－Ｘ）は、適宜、所望する発光波長により選択する。例えば、既述した特許文献１（特公昭５５－３８３４号公報）に記載されているように、インジウム組成と禁止帯幅（ｂａｎｄ　ｇａｐ）の関係に基づき決定する。インジウム組成が過度に小さいと、窒化ガリウム・インジウムの禁止帯幅がより大きくなり、そのため、より短波長の発光が得られる。窒化ガリウム・インジウム層の実際のインジウム組成は、例えば、エレクトロンプローブマイクロアナリシス（英略称：ＥＰＭＡ）等の組成分析手法を利用して調査できる。
　本実施の形態では、発光層を、紫外光や近紫外光等の短波長光を発するインジウム組成が小さい窒化ガリウム・インジウム層により構成する場合、発光層の層厚は、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が最適である。発光層の層厚が上記の範囲の場合、発光層と下部クラッド層との結晶の格子の大小に起因するプシュードモーフィズム様の影響を排除することができる。
　本実施の形態では、特に、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムからなる下部クラッド層の表面において、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を減少させ、その下部クラッド層上に窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層からなる発光層を設けることにより、発光層の下部クラッド層との接合界面近傍領域において、所望のインジウム組成の窒化ガリウム・インジウム層を得ることができる。
　ここで、接合界面近傍領域（「接合領域」と称することがある。）とは、発光層における、下部クラッド層との接合界面から約３０ｎｍ程度の内部領域である。従来、この接合界面近傍領域は、インジウムの取り込みの不良が顕著に生ずる領域である。
　上記の効果は、例えば、Ｇａ０．９８Ｉｎ０．０２Ｎ層のように、紫外帯域の発光が得られるガリウムに比べインジウムの量が相対的に少ない化合物により発光層を形成する際、特に顕著に現れる。
　従来、このようなインジウム組成が小さい窒化ガリウム・インジウム層の場合、通常、プシュードモーフィズム様の現象に起因する結晶格子の縮みにより、インジウムが“掃き出される”ため、接合界面近傍の領域は、略窒化ガリウム（ＧａＮ）から構成される。
　これに対し、本実施の形態では、下部クラッド層に結晶格子の縮みを抑制する技術手段を施し、その下部クラッド層上に窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層を形成することにより、発光層の下部クラッド層との接合界面近傍領域において、所定のインジウム組成を有する窒化ガリウム・インジウム層が得られる。
　即ち、下部クラッド層を、例えば、窒化ガリウムのように、発光層を構成する窒化ガリウム・インジウム層に含まれる結晶より格子定数が小さい化合物により形成し、その下部クラッド層上に形成した発光層において、発光層と下部クラッド層との接合界面から発光層の表面に向けて、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を増加させている。
　本実施の形態では、発光層の下部クラッド層との接合領域を、例えば珪素等のようにインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物を添加しない、所謂アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の領域とすることもできる。
　特に、他のドナー不純物が残留し、発光層の接合界面近傍領域の導電性が確保され、且つ順方向電圧が増加しない場合、発光層の下部クラッド層との接合領域をアンドープの領域とすることが好ましい。
　本実施の形態では、下部クラッド層上に形成した発光層において、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の濃度の増減に対応してインジウムの取り込み量は増減する。
　従って、発光層を構成する窒化ガリウム・インジウム（組成式ＧａＸＩｎ１－ＸＮ：０≦Ｘ＜１）層の層厚が増加する方向に、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の濃度が順次増加するように濃度勾配を付すことにより、発光層を、窒化ガリウム・インジウム層の表面に向けてインジウム組成が順次小さくなるように形成することができる。この場合、発光層は、発光層の層厚が増加する方向に禁止帯幅が順次大きくなる層として形成できる。
　発光層におけるドナー不純物の濃度勾配は特に限定されず、例えば、直線状、曲線状、階段状、またはこれらを組み合わせた勾配様式が挙げられる。
　具体的には、例えば、インジウム組成が一定の窒化ガリウム・インジウム層を得るために、成膜反応系へのガリウムとインジウムの供給比率を一定に維持しつつ成膜させる場合、窒化ガリウム・インジウム層の成膜時間の経過とともに、成長反応系へのドナー不純物の供給量を単純に増加させることにより、層の表面に向けてインジウム組成が順次小さくなる窒化ガリウム・インジウム層を簡便に成膜できる利点がある。
　このように、発光層を、層の表面に向けて禁止帯幅が順次大きくなるように形成し、下部クラッド層側より禁止帯幅が大きい層を表面側に配置することにより、発光を外部に効率良く取り出すことができる。
　本実施の形態では、発光層において、上記のようにドナー不純物の濃度に濃度勾配を設けると共に、インジウム組成が発光層の表面に向けて減少するように変化させることにより、発光を外部に取り出すのに優位であると共に、発光層を構成する結晶より格子定数が小さい窒化アルミニウム・ガリウム等からなるｐ形の上部クラッド層を発光層上に形成するのに好都合となる。すなわち、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物を増加させ、且つインジウム組成を減少させることにより、発光層の表面の領域に、発光層を構成する結晶より格子定数が小さいｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌδＧａεＩｎζＮ：０≦δ≦１、０≦ε≦１、０≦ζ＜１、δ＋ε＋ζ＝１）との格子ミスマッチが小さい結晶層を形成することができる。
　発光層において、ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層（組成式ＡｌδＧａεＩｎζＮ：０≦δ≦１、０≦ε≦１、０≦ζ＜１、δ＋ε＋ζ＝１）に向けて、層厚の増加方向にインジウム組成を減少させるには、発光層の形成環境内に供給するガリウム及びインジウムの原料供給量を経時的に変化させることにより成膜する。例えば、形成環境内へのガリウムの供給量を一定に保ちつつ、インジウムの供給量を経時的に減少させる方法が挙げられる。
　発光層において、ドナー不純物及びインジウム組成を、窒化ガリウム・インジウムからなる発光層の表面に向けて、例えば、指数関数的又は直線的に変化させると、発光層から所定の波長の帯域で帯状の連続スペクトル的な発光が得られる。
　ドナー不純物の原子濃度の濃度勾配を大きくすることにより、帯状スペクトルが得られる波長の範囲が拡大する。また、インジウム組成の変化量を増大させることにより、帯状スペクトルが発生する波長の範囲が拡大する。また、ドナー不純物の濃度勾配及びインジウム組成の変化量の双方を変化させることにより、ドナー不純物またはインジウム組成の一方を変化させた場合と比較して、より広い波長範囲で帯状の発光を得ることができる。
　本実施の形態では、連続した波長の光として帯状スペクトルが得られる波長の帯域範囲は、１０ｎｍ以上である。ここで、「連続した波長の光」とは、発光の波長が互いに近接しているため、それらの発光が合成されて、あたかも間隔無く波長的に連続した帯状スペクトルを呈する光のことである。具体的には、最大ピークの８０％以上の強度の光が連続する範囲として定義される。
　窒化ガリウム・インジウム層の成膜方法としては、例えば、ｎ形又はｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と同様に、化学的気相堆積（英略称：ＣＶＤ）法；物理的気相堆積（英略称：ＰＶＤ）法；例えばガリウム源としてのトリメチルガリウム（分子式：（ＣＨ３）３Ｇａ）とインジウム源としてのトリメチルインジウム（分子式：（ＣＨ３）３Ｉｎ）を各々使用する有機金属熱分解気相成長法（英略称：ＭＯＣＶＤ又はＭＯＶＰＥ等）等の成膜手法が挙げられる。ＭＯＣＶＤ法では、アンモニア（分子式：ＮＨ３）等の含窒素化合物を窒素（元素記号：Ｎ）源として利用できる。
　本実施の形態では、窒化ガリウム・インジウム層内部のインジウム組成は、例えば、成膜反応系に供給するガリウムとインジウムの総量に対するインジウムの供給量の比率を変化させることにより調整する。ガリウムとインジウムの供給量の合計量に対する窒素源の供給量の比率（所謂Ｖ／ＩＩＩ比率）は、インジウム組成が大きい窒化ガリウム・インジウム層を成膜する程大きく設定することが好ましい。
　本実施の形態では、ドーピング源として、例えば以下の化合物が挙げられる。珪素のドーピング源としては、例えば、シラン（分子式：ＳｉＨ４）、ジシラン（分子式：Ｓｉ２Ｈ６）等の無機珪素化合物；メチルシラン（分子式：ＣＨ３ＳｉＨ３）等の有機珪素化合物等が挙げられる。
　ゲルマニウムのドーピング源としては、例えば、ゲルマン（分子式：ＧｅＨ４）等が挙げられる。窒化ガリウム・インジウム層やｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層において、ドナー不純物の原子濃度に濃度勾配を設ける場合は、例えば、成膜反応系に供給するドーピング源の量を増減することが好ましい。
　本実施の形態では、発光層に珪素とゲルマニウムを併せて添加し、ｎ形窒化ガリウム・インジウム層を形成することができる。ゲルマニウムの原子半径（＝０．１３７ｎｍ）は、珪素の原子半径（＝０．１３２ｎｍ）より大きく、また、価数が４価のゲルマニウムイオン（Ｇｅ４＋）の半径（＝０．０５３ｎｍ）は珪素イオン（Ｓｉ４＋）の半径（＝０．０４２ｎｍ）より大きいため、インジウムの取り込みにはより効果を奏する。
　具体的には、例えば、発光層においてゲルマニウムと珪素を共に含み、表面領域で珪素よりゲルマニウムの原子濃度を高くしたｎ形窒化ガリウム層は、接合領域でインジウム組成が高い窒化ガリウム・インジウム層を得るのに貢献できる。
　本実施の形態では、窒化ガリウム・インジウム層、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層、ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の成膜方法としては、例えば、一般的な高周波プラズマ分子線エピタキシャル（英略称：ＭＢＥ）法、ＥＣＲ（エレクトロンサイクロトロンレゾナンス）方式高周波プラズマＭＢＥ法等のＰＶＤ法が挙げられる。
　さらに、ＩＩＩ族元素源と窒素源とを用いる固体ソース（ｓｏｕｒｃｅ）ＭＢＥ法が挙げられる。ＩＩＩ族元素源としては、例えば、アルミニウムやガリウムやインジウム等の単体金属が挙げられる。窒素源としては、窒素プラズマ等の窒素原子を含有するプラズマ（ｐｌａｓｍａ）が挙げられる。ドーピング源には、高純度の珪素やゲルマニウムの単体金属を用いる。
　窒素プラズマを用いるＭＢＥ法の場合、窒素分子の第二正帯（ｓｅｃｏｎｄ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｓｅｒｉｅｓ）に由来する発光を殆ど生じない（発生しない場合を含む。）窒素プラズマが、窒素源として最適である。窒素プラズマは窒素イオンを生じないため、真空成長反応部を構成するタンタル（元素記号：Ｔａ）、モリブデン（元素記号：Ｍｏ）やタングステン（元素記号：Ｗ）を含む部材のスパッタリングを抑制でき、これらの遷移金属の混入量が少ない成長層が得られる。
　本実施の形態では、ＭＢＥ法により下部クラッド層を形成する場合、ＩＩＩ族元素の原料を供給しつつ、例えば、珪素のフラックス（ｆｌｕｘ）量を経時的に減少させることにより、表面領域でインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が低いｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層を形成することが好ましい。
　具体的には、フラックス量を減少させる場合、ドナー不純物を収納するセル（坩堝）の温度を降下させ、ドーピング源の蒸発量を低下させることにより行う。セルの温度を素早く降下させ、ドーピング源の蒸発量を急激に低下させる程、下部クラッド層の層厚が増加する方向に向けてドナー不純物の原子濃度が急激に減少する。
　尚、ＭＯＣＶＤ法において、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の表面領域の形成中に、成膜反応系に添加するドーピング源の量を経時的に変化させることもできる。
　本実施の形態では、窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層において、発光層の表面に向けてドナー不純物の原子濃度が高くなるように濃度勾配を設ける場合、前述した下部クラッド層の成膜方法とは逆に、ドナー不純物を収納するセルの温度を経時的に昇温し、且つドーピング源の蒸発量を増加させる。
　この場合、セルの温度を間断なく滑らかに昇温することにより、ドナー不純物の原子濃度が連続的に変化させられ、その結果、窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層から帯状の連続スペクトルが発する。ドナー不純物のフラックスの変化量を大きくすると、インジウム組成の変化幅を大きくなり、帯状スペクトルの波長幅を広げることができる。
　本実施の形態では、窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層の成膜において、成膜反応系に供給するガリウムとインジウムの合計量に対するインジウムの供給量の比率を、同層の成膜を開始した時点から経時的に減少させる。これにより、インジウム組成の濃度が発光層の表面に向けて小さくなるように濃度勾配が設けられる。インジウムの供給比率が経時的に減少する割合が大きいほど、窒化ガリウム・インジウム層から発する帯状スペクトルの波長範囲が広がる。
　また、窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層の成膜において、成膜反応系に供給するガリウムとインジウムの量的比率を一定に保持しつつ、基板の温度を経時的に上昇させることにより、インジウム組成の濃度が発光層の表面に向けて小さくなるように濃度勾配を設けることができる。ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法による成膜では、共通して、基板の温度上昇率が大きいほど、インジウム組成を急激に変化させることができる。
　本実施の形態では、ＩＩＩ族元素の供給比率を変化させる場合、または基板の温度を変化させる場合、発光層の下部クラッド層との接合領域において、インジウム組成が最も高い窒化ガリウム・インジウム層が得られる比率又は温度を、変化のための始点とする。
　また、発光層の表面領域において、インジウム組成が最も低い窒化ガリウム・インジウム層が得られる比率又は温度を、変化のための終点とする。
　本実施の形態では、ＩＩＩ族元素の供給比率又は基板温度の変化の始点が、窒化ガリウム・インジウム層の成膜を開始する時点と一致する必要は必ずしもない。また、ＩＩＩ族元素の供給比率又は基板温度の変化の終点も、成膜を終了する時点と一致する必要は必ずしもない。例えば、窒化ガリウム・インジウム層の成膜を開始してから暫時経過後、基板の温度を上昇させ、成膜の終了前に基板温度の昇温を終了させることも許容される。
　本実施の形態が適用される窒化ガリウム・インジウム層を発光層とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を用い、ｐサイドアップ型ＬＥＤが構成される。
　ｐサイドアップ型ＬＥＤを構成する場合、例えば、発光層上に設けたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムからなる上部クラッド層に電気的に接して陽極（＋）オーミック（Ｏｈｍｉｃ）電極を設ける。また、発光層下のｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムからなる下部クラッド層に電気的に接触する陰極（－）オーミック電極を設ける。この場合、陰極電極を設ける領域に在るｐ形上部クラッド層及び発光層をドライエッチング法等により除去する。
　尚、本実施の形態では、発光の外部への取り出しに支障を来たさない範囲において、上部クラッド層上に透明な導電性酸化物膜等を配置し、それらの膜を介して陽極電極を設けても構わない。導電性酸化物膜等としては、例えば、インジウム・錫複合酸化物（英略称：ＩＴＯ）膜、インジウム・亜鉛（元素記号：Ｚｎ）・錫複合酸化物（英略称：ＩＺＴＯ）膜等が挙げられる。
　次に、本発明を、実施例および比較例を示してより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
　以下、図１乃至図３を用い、本実施の形態が適用されるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を説明する。ここでは、ドナー不純物としてインジウムより原子半径が小さい珪素が添加されたｎ形窒化ガリウム層を下部クラッド層とし、その下部クラッド層上に設けられ、且つ珪素原子濃度に濃度勾配を設けた窒化ガリウム・インジウム層を発光層として備えた、ｐｎ接合型ＤＨ構造を有するＬＥＤの場合について説明する。
　図１は、ＬＥＤチップの垂直断面構造を示す模式図である。図２は、下部クラッド層及び発光層内部の深さ方向におけるインジウム及び珪素の原子濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。本実施例では、図２のＳＩＭＳ分析図に示すように、下部クラッド層の表面に向けて減少する珪素（Ｓｉ）の原子濃度が増加に転ずる場所が、下部クラッド層と発光層との接合界面である。図３は、ＬＥＤからの発光のスペクトルである。
　（１１１）結晶面を表面とするアンチモン（元素記号：Ｓｂ）ドープｎ形（１１１）－シリコン（Ｓｉ）基板１０１の表面上に、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法により、ＬＥＤ１０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体各層を成長させた。窒素源には、窒素ガスを高周波（１３．５６ＭＨｚ）で励起した（励起電力＝３５０ワット（単位：Ｗ））窒素プラズマを用いた。２５０ｎｍ以上で３７０ｎｍ以下の波長領域の窒素分子の第二正帯に因る発光ピークの強度は、波長を７４５ｎｍとする原子状窒素の発光ピークの強度の１／１０以下であった。窒素ガスの流量は毎分１．５ｃｃ～３．０ｃｃの範囲で各層毎に適宜、調整した。
　上記のＳｉ基板１０１の（１１１）結晶面表面上には、アルミニウム単体金属をアルミニウム源として、基体温度を７８０℃としてアンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の高抵抗の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層（層厚＝２５ｎｍ）１０２を成長した。成長時のＭＢＥ成長用チャンバー内の圧力は４×１０－３Ｐａとした。
　次に、窒化アルミニウム層１０２上に、珪素（Ｓｉ）単体をドーピング源として、Ｓｉ基板１０１の温度を７５０℃として、珪素（Ｓｉ）ドープｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）層からなる下部クラッド層１０３を成長させた。ガリウムのフラックス（ｆｌｕｘ）量は１．１×１０－４Ｐａとした。層厚が３μｍの下部クラッド層を成長させる窒素プラズマを発生させるため、窒素ガスの流量は毎分３ｃｃに設定した。成長時の成長用チャンバー内の圧力は５×１０－３Ｐａとした。
　下部クラッド層１０３を成長する際に、珪素を収納するセル（坩堝）（珪素セル）の温度を変化させ、下部クラッド層１０３の内部の珪素の原子濃度が発光層１０４との接合界面に向けて減少するように濃度勾配を付した。窒化アルミニウム層１０２上への下部クラッド層の成長を開始した時点から約１７０分を経過する迄、珪素セルの温度を１１５０℃と一定の温度に保持した。下部クラッド層１０３の層厚が２．８μｍに到達した時点からは、珪素セルの温度を毎分２０℃の割合で９５０℃に低下させた。これにより、下部クラッド層１０３の表面１０３ａから０．２μｍの深さに至る領域に於いて、珪素の原子濃度を徐々に減少させた表面領域１０３ｂを形成した。
　下部クラッド層の表面１０３ａでの珪素の原子濃度は２×１０１７ｃｍ－３であり、深部の原子濃度より約２桁程度低かった。珪素セルの温度を１１５０℃に設定して成長させた下部クラッド層の深部の珪素の原子濃度は２×１０１９ｃｍ－３であった。尚、珪素の原子濃度は、図２に示す珪素のイオン強度値より換算して求めた。
　一般的なＣ－Ｖ法で測定した下部クラッド層１０３の深部のキャリア濃度は４×１０１８ｃｍ－３とほぼ一定であった。珪素セルの温度の下降に対応して、キャリア濃度は表面領域１０３ｂで滑らかに徐々に減少しており、下部クラッド層１０３の表面１０３ａでのキャリア濃度は１×１０１７ｃｍ－３であった。
　下部クラッド層１０３の表面１０３ａの原子配列構造を高速電子回折（ＲＨＥＥＤ）に依り調査した。表面１０３ａからのＲＨＥＥＤパターンは、表面１０３ａが２次元的に平滑であることを示すストリーク（ｓｔｒｅａｋ）状の回折パターンが得られた。また、その線状の回折パターンは、ガリウムが窒素より多く存在することを示す（２×２）再配列構造を示すものであった。
　次に、下部クラッド層１０３上には、窒化ガリウム・インジウム層（層厚＝２００ｎｍ）を発光層１０４として成長させた。成長時の成長チャンバー内の圧力は５×１０－３Ｐａとした。ガリウムのフラックス量は１．１×１０－４Ｐａとし、インジウムのフラックス量は２．４×１０－６Ｐａとした。これらのフラックス量は発光層１０４の成長中、一定に保った。このフラックス量では、珪素の原子濃度が２×１０１７ｃｍ－３と一定とした場合に、インジウム組成を０．０４とする窒化ガリウム・インジウム層（組成式：Ｇａ０．９６Ｉｎ０．０４Ｎ）が得られた。
　発光層１０４の成長の開始時には、珪素セルの温度を９５０℃とし、発光層１０４をなす窒化ガリウム・インジウム層の層厚が増加するに伴い、珪素セルの温度を１１５０℃に上昇させた。窒化ガリウム・インジウム層の層厚が３０ｎｍに達する迄の接合領域１０４ｂの形成過程（成長時間：１０分間）に於いては、珪素セルの温度は毎分２．０℃の一定の割合で上昇させた。以後、層厚が２００ｎｍに達する迄（成長時間：５０分間）は、毎分３．６℃の一定の割合で珪素セルの温度を上昇させた。
　下部クラッド層１０３との接合界面１０４ａで珪素の原子濃度は２×１０１７ｃｍ－３であり、発光層１０４の表面１０４ｃでの珪素の原子濃度は２×１０１９ｃｍ－３となった（図２参照）。また、珪素の添加量の増大と共に、インジウム組成は低下した。接合界面１０４ａでは０．０４であったが、表面１０４ｃでは、結晶格子の縮みに因るインジウムの掃き出し効果に依り、０．０１であった。
　発光層１０４上には、Ｓｉ基板１０１の温度を５２０℃として、マグネシウムをドープしたｐ形ＧａＮ層（層厚＝９０ｎｍ）を上部クラッド層１０５として設け、図１に示すＬＥＤ１０用途のｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の積層体を形成した。このｐ形ＧａＮ層からなる上部クラッド層１０５を成長させる際に、窒素分子の第２正帯に因る発光を生じない窒素プラズマを窒素源としたＭＢＥ法を利用した。ｐ形ＧａＮ層の内部のマグネシウムの原子濃度は１×１０１９ｃｍ－３となるように設定した。
　その後、一般的なドライエッチング法により、ｎ形オーミック電極１０６を形成する部分に在るマグネシウムドープｐ形ＧａＮからなる上部クラッド層１０５及び発光層（Ｇａ０．９６Ｉｎ０．０４Ｎ）１０４を除去した。
　これらの層を除去して露出させたｎ形窒化ガリウムからなる下部クラッド層１０３の表面には、ｎ形オーミック電極１０６を形成した。一方、エッチング後に残置したｐ形ＧａＮ層からなる上部クラッド層１０５の表面の一部には、インジウム・亜鉛・錫複合酸化物（ＩＺＴＯ）膜からなるｐ形オーミック電極１０７とそれに電気的に導通する台座（ｐａｄ）電極１０８を形成した。その後、個別の素子（ｃｈｉｐ）とするために裁断し、一辺の長さを約３５０μｍとする正方形の平面形状のＬＥＤ１０とした。
　順方向電流を２０ミリアンペア（電流の単位：ｍＡ）とした際の順方向電圧は３．６ボルト（電圧のの単位：Ｖ）となった。図３に示すように、ＬＥＤ１０からは、波長３６５ｎｍから３７７ｎｍの紫外帯域で帯状のスペクトルを呈する発光が出射された。波長を互いに僅かながら異にしながらも略同等の強度の発光が集合してなる帯状スペクトルを呈する波長幅は１２ｎｍとなった。
（実施例２）
　本実施例では、接合領域に於けるインジウムの取り込みを促進させるために、発光層の内部の接合領域をインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物を添加（ドーピング）しないアンドープの領域とし、且つインジウム組成に濃度勾配を付した窒化ガリウム・インジウム層を発光層として有するＬＥＤについて説明する。
　図４は、本実施例で用いるＬＥＤチップの垂直断面構造を示す模式図である。図５は、下部クラッド層及び発光層内部の深さ方向におけるインジウム及び珪素の原子濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。図６は、ＬＥＤからの発光の帯状スペルトルである。
　ＬＥＤ用途の積層体は、表面の結晶面方位を（１１１）とする硼素（元素記号：Ｂ）ドープｐ形シリコン（Ｓｉ）を基板２０１上に形成した。基板２０１の表面は、弗化水素酸（化学式：ＨＦ）等の無機酸を使用して洗浄後、ＭＢＥ成長装置の成長チャンバー内に搬送した。搬送後、成長チャンバーの内部を７×１０－５Ｐａの超高真空に排気した。その後、成長チャンバーの内部を、その真空度に維持しつつ、基板２０１の温度を７８０℃に昇温して、基板２０１の表面に（７×７）構造の再配列構造が形成される迄、継続して加熱した。
　（７×７）構造の再配列構造が形成されるように清浄化された（（１１１）－シリコン）基板２０１の表面上には、高周波（＝１３．５６ＭＨｚ）を印加してプラズマ化させた窒素プラズマを用いたＭＢＥ法に依り、アルミニウム（Ａｌ）膜（層厚＝５ｎｍ）２０２を７６０℃で形成した。アルミニウムのフラックス量は７．２×１０－６Ｐａとした。アルミニウム膜２０２上には、アルミニウム膜２０２と重層構造の緩衝層２１０を構成するアンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３を堆積した。
　アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３（層厚＝３００ｎｍ）は、上記の高周波窒素プラズマＭＢＥ法に依り７６０℃で堆積した。ＡｌＸＧａ１－ＸＮ組成勾配層２０３のアルミニウム（Ａｌ）組成比（Ｘ）は、アルミニウム膜２０２との接合面から組成勾配層２０３の表面に向けて、０．３０から０（零）へと、組成勾配層２０３の層厚の増加に比例してアルミニウム組成を直線的に連続的に減少させた。組成勾配層２０３の成長時には、窒素ガスの流量は毎分０．４ｃｃと一定とし、また、ガリウムのフラックス量も１．３×１０－４Ｐａと一定とした。
　一方で、アルミニウムのフラックス量は、アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３の成長開始時には７．２×１０－６Ｐａとし、それより成長時間の経過と共に直線的に減少させた。アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３の成長は、ガリウム及びアルミニウムのフラックスを遮断して終了させた。アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３と直下にあるアルミニウム膜２０２とから重層構造の緩衝層を構成した。ガリウム及びアルミニウムのフラックスを遮断した間に於いても、成長を終了した組成勾配層２０３への窒素プラズマの照射を継続した。
　次に、ガリウムのフラックスの供給を再開して、アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３（Ｘ＝０．３→０）上への珪素ドープｎ形窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる下部クラッド層２０４の堆積を開始した。窒化ガリウム層の層厚は１５００ｎｍとした。この窒化ガリウム層の成長時に限り、一つのＭＢＥ成長チャンバーに取り付けた２機の高周波窒素プラズマ発生装置から窒素プラズマを発生させた。窒素ガスの流量は各々の発生装置につき毎分１．５ｃｃに設定した。ガリウムのフラックス量を、１２０分間に亘り一定の１．３×１０－４Ｐａとし、ＧａＮ層の成長を終了した。ＧａＮ層の成長の途中時及び終了時での表面再配列構造は、表面にガリウムが窒素よりも多く存在することを示す（２×２）構造であった。
　下部クラッド層２０４をなすＧａＮ層を成長する際に、珪素セルの温度を変化させて、下部クラッド層２０４の内部の珪素の原子濃度を、発光層２０５との接合界面近傍の表面領域２０４ｂで減少させた。アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３上への窒化ガリウム層の成長を開始した時点から、同層の層厚が１４００ｎｍに到達する迄は、珪素セルの温度を１１５０℃の一定温度に保持した。以後、珪素セルの温度が９５０℃に低下する迄、珪素及びガリウムのフラックスの供給を中断した。珪素セルの温度が９５０℃に安定したのを認めた後、珪素及びガリウムのフラックスの供給を再開し、窒化ガリウムが合計の層厚が所定の１５００ｎｍに達する迄、窒化ガリウム層の表面領域２０４ｂを形成した。
　これにより、表面から深さ１００ｎｍ程度の表面領域２０４ｂの珪素の原子濃度を、アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層２０３により近い深部より低濃度とする下部クラッド層２０４を形成した。ＳＩＭＳ分析の結果、下部クラッド層２０４の表面２０４ａでの珪素の原子濃度は３×１０１７ｃｍ－３であった。珪素セルの温度を１１５０℃に設定して成長させた下部クラッド層２０４の深部の珪素の原子濃度は１×１０１９ｃｍ－３であった。また、電解Ｃ－Ｖ法による測定では、窒化ガリウム層の深部のキャリア濃度は４×１０１８ｃｍ－３であり、表面領域２０４ｂのキャリア濃度は１×１０１７ｃｍ－３であった。
　（２×２）再配列構造を有するｎ形ＧａＮからなる下部クラッド層２０４の表面２０４ａ上には、上記の高周波窒素プラズマＭＢＥ法により、発光層２０５を構成する窒化ガリウム・インジウム層を形成した。発光層２０５の層厚は２００ｎｍに設定した。発光層２０５の層厚が２０ｎｍに達する迄は、珪素は添加しなかった。即ち、下部クラッド層２０４との接合界面２０５ａの近傍の接合領域２０５ｂはアンドープの窒化ガリウム・インジウム層として構成した。接合領域２０５ｂの形成を終えた直後から、珪素のドーピングを開始した。珪素セルの温度は、珪素のドーピングを開始した時点では９５０℃とし、発光層２０５の形成を終了する時点で１１５０℃となる様に直線的に上昇させた。これにより、珪素の原子濃度を、接合領域２０５ｂで３×１０１７ｃｍ－３とし、表面２０５ｃで２×１０１９ｃｍ－３となる濃度勾配が付された発光層２０５を形成した。
　発光層２０５内の珪素の原子濃度に勾配を付すのに加えて、発光層２０５をなす窒化ガリウム・インジウムのインジウム組成も変化させた。ｎ形ＧａＮ層からなる下部クラッド層２０４との接合界面２０５ａから厚さ２０ｎｍ程度の接合領域２０５ｂは、インジウム組成を０．０６とするｎ形窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ０．９４Ｉｎ０．０６Ｎ）から構成した。接合領域２０５ｂから表面２０５ｃに至る間に、より小さなインジウム組成の層が連続的に形成される様に、ガリウムのフラックス量を一定に保ちつつ、インジウムのフラックス量を相対的に減少させた。これにより、図５に示す様に、インジウム組成を接合領域２０５ｂから表面２０５ｃに向けて直線的に減少させた。インジウム組成は接合領域２０５ｂで０．０６と一定であり、表面２０５ｃでは０．０１であった。
　インジウム組成（１－Ｘ）に減少勾配を付し（１－Ｘ＝０．０６→０．０１）、及びドナー不純物としての珪素の原子濃度に増加勾配を配付した（３×１０１７ｃｍ－３→２×１０１９ｃｍ－３）ＧａＸＩｎ１－ＸＮ層からなる発光層２０５上には、基板温度を５５０℃として、マグネシウムをドープしたｐ形ＧａＮ層（層厚＝１００ｎｍ）を上部クラッド層２０６として設け、ＬＥＤ用途のｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の積層体を形成した。このｐ形ＧａＮ層上部クラッド層２０６を成長させる際にも、窒素分子の第２正帯に因る発光を生じない窒素プラズマを窒素源としたＭＢＥ法を利用した。ｐ形ＧａＮ層の内部のマグネシウムの原子濃度は９×１０１８ｃｍ－３であった。
　その後、一般的なドライエッチング法により、ｎ形オーミック電極２０７を形成する部分に在るマグネシウムドープｐ形ＧａＮからなる上部クラッド層２０６及びＧａＸＩｎ１－ＸＮからなる発光層２０５を除去した。更に、下部クラッド層２０４の深部より珪素の原子濃度の低い表面領域２０４ｂを除去して、珪素の原子濃度が高く、合わせてキャリア濃度の高い下部クラッド層２０４の深部を露出させた。その後、露出させたｎ形窒化ガリウム下部クラッド層２０４の深部の表面に、ｎ形オーミック電極２０７を形成した。一方、エッチング後に残置したｐ形ＧａＮ層からなる上部クラッド層２０６の表面の一部には、インジウム・錫複合酸化物（ＩＴＯ）膜からなるｐ形オーミック電極２０８とそれに電気的に導通する台座（ｐａｄ）電極２０９を形成した。台座電極２０９の底部の一部（台座電極２０９の底面積の約１／２の平面積に相当する部分）は、上部クラッド層２０６の表面に接触させて設けた。その後、個別の素子（ｃｈｉｐ）とするために裁断し、一辺の長さを約３５０μｍとする正方形の平面形状のＬＥＤ２０とした。
　順方向に３．５Ｖの電圧を印加し、２０ｍＡの順方向流を通流した際のＬＥＤ２０から、図６に示すように、波長３６５ｎｍから３８０ｎｍの紫外帯域で帯状のスペクトルを呈する発光が出射された。波長を互いに僅かながら異にしながらも略同等の強度の発光が集合してなる帯状スペクトルを生ずる波長の幅は１５ｎｍとなった。また、この発光の強度も実施例１の場合と相対して３倍の高さとなった（図３及び図６参照）。この発光スペクトル幅の拡幅と発光強度の増加は、接合領域２０５ｂをインジウムより原子半径が小さい珪素からなるドナー不純物を添加しないアンドープ領域として、接合領域２０５ｂでのインジウムの取り込みを増大させられたことに依るものと考えられる。
（比較例１）
　ここでは、従来技術の如く、深さ方向に珪素の原子濃度が一定である窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる下部クラッド層に、窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層を設ける場合を例にして説明する。
　珪素の原子濃度が深さ方向に２×１０１９ｃｍ－３と一定であるｎ形窒化ガリウム層を下部クラッド層として用い、その下部クラッド層上に窒素プラズマＭＢＥ法に依り窒化ガリウム・インジウム層を成長させた。窒化ガリウム・インジウム層の成長中には、継続して珪素を添加（ドーピング）した。ドーピング時の珪素セルの温度は、一定の温度（１１５０℃）に保持した。
　また、インジウム組成を０．０４とする窒化ガリウム・インジウム（Ｇａ０．９６Ｉｎ０．０４Ｎ）層を形成することを意図して、ガリウム及びインジウムのフラックス量は、上記の実施例１と同様に１．１×１０－４Ｐａ及び２．４×１０－６Ｐａとした。発光層とした窒化ガリウム・インジウム層の層厚は２００ｎｍとした。
　図７は、下部クラッド層及び発光層内部の深さ方向におけるインジウム及び珪素の原子濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。
　図７に示すように、窒化ガリウム・インジウム層の深さ方向の珪素の原子濃度は、２×１０１９ｃｍ－３と一定であった。一方、インジウム原子濃度は、下部クラッド層との接合界面近傍の領域ではインジウムの原子濃度は低く、インジウムの原子濃度が増加し始めるのは下部クラッド層との接合界面から遠方となっていた。
　インジウムの原子濃度が略一定である領域に達するのに必要な濃度的な遷移距離は、窒化ガリウム・インジウム層の層厚の約２／３に相当する１３０ｎｍに及んでいた。尚、図７に示すように、窒化ガリウム・インジウム層の表面から約２０ｎｍの深さに至る領域では、計測されるインジウムの原子濃度のカウント数が急激に増加している。しかし、これは実際にインジウム原子の濃度が増加しているのではなく、窒化ガリウム・インジウム層の表面に吸着した酸素等に因る分析上の干渉に因るものと判断された。
　また、窒化ガリウム・インジウム層の層厚の増加方向に向けてインジウム組成が単調に減少する場合は、表面側から発光を外部へ取り出すのに優位となるが、そのようなインジウム組成に勾配を有する窒化ガリウム・インジウム層を形成するに至らなかった。
（比較例２）
　ここでは、結晶格子の縮みによるインジウムの取り込み量の減少を予想し、所望するよりもインジウム組成が高い窒化ガリウム・インジウム層を、下部クラッド層上に積層する場合について説明する。
　珪素の原子濃度が深さ方向に１×１０１９ｃｍ－３と一定であるｎ形窒化ガリウム層を下部クラッド層として用い、その下部クラッド層上にＭＢＥ法により窒化ガリウム・インジウム層を成長させた。下部クラッド層との接合領域でインジウム組成が高い窒化ガリウム・インジウム層を形成するため、ガリウムに対するインジウムの供給量（フラックス量）を増加させた。ここでは、ガリウムのフラックス量を実施例１と同様に１．１×１０－４Ｐａと同じくしつつ、インジウムのフラックス量を２倍の４．８×１０－６Ｐａとした。
　インジウムのフラックス量を一定に保持し、層厚を２００ｎｍとする窒化ガリム・インジウム層の成長を終了した。尚、接合領域にインジウム組成が高い窒化ガリウム・インジウム層を形成したことに因る影響を知るために、窒化ガリム・インジウム層を形成する間は珪素のドーピングを行わなかった。
　図８は、下部クラッド層及び発光層内部の深さ方向におけるインジウム及び珪素の原子濃度分布を示すＳＩＭＳ分析図である。図８に示すように、下部クラッド層との接合界面の近傍には、ガリウムの原子濃度が低く、逆にインジウムの原子濃度が高い、即ち、インジウム組成が高い領域が形成されていることが分かる。尤も、インジウム組成は増加しているが、実施例１の場合と比較して、インジウムのフラックス量を２倍に増量したにも拘わらず、実施例１のインジウム組成の約１／３程度にとどまっていた。
　図８に示すように、接合界面から表面に向けて遠ざかるに伴い、インジウム組成は一旦減少するものの、その後、増加に転じており、層厚の増加方向にインジウム組成が連続的に減少する窒化ガリウム・インジウム層が得られないことが分かる。即ち、発光の取り出し方向にインジウム組成が高いため、従って、禁止帯幅の狭い窒化ガリウム・インジウムを配置することになり、外部への発光の取り出しに優れるＬＥＤは得られないことが分かる。尚、図８に示すように、窒化ガリウム・インジウム層の表面から約１０ｎｍの深さに至る領域で、計測されるインジウムの原子濃度のカウント数が急激に増加しているが、これは実際にインジウム原子の濃度が増加しているのではなく、窒化ガリウム・インジウム層の表面に吸着した酸素等に因る分析上の干渉に因るものと判断された。
　図９は、発光層のフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルである。図９に示すように、短波長のヘリウム（元素記号：Ｈｅ）・カドミウム（元素記号：Ｃｄ）レーザー光（波長＝３２５ｎｍ）により励起されたルミネッセンス光の強度は、実施例１の場合に比べ総じて小さいことが分かる。また、図９に示すように、層厚方向のインジウム原子の変曲的な濃度分布のため、広い波長範囲で強度的に略同等な発光により帰結される帯状スペクトルは得られなかった。
　インジウム組成又はインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度に濃度勾配を設け、この濃度勾配を利用した異なる波長の光を同時に発し、帯状の発光スペクトルをもたらす機能を発揮する窒化ガリウム・インジウム層は、波長を相違する複数の光を吸収する機能層としても利用できる。従って、本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が備える窒化ガリウム・インジウム層は、単一の波長の光のみでなく、波長を相違する複数の光を効率的に吸収する光電変換のための光吸収層（受光層）として利用でき、例えば、受光素子や太陽電池を構成するのにも優位となる。
１０，２０…ＬＥＤ、１０１…シリコン（Ｓｉ）基板、１０２…窒化アルミニウム層、１０３，２０４…下部クラッド層、１０３ａ，２０４ａ…表面、１０３ｂ，２０４ｂ…表面領域、１０４，２０５…発光層、１０４ａ，２０５ａ…接合界面、１０４ｂ，２０５ｂ…接合領域、１０４ｃ，２０５ｃ…表面、１０５，２０６…上部クラッド層、１０６，２０７…ｎ形オーミック電極、１０７，２０８…ｐ形オーミック電極、１０８，２０９…台座電極、２０１…基板、２０２…アルミニウム膜、２０３…アンドープの窒化アルミニウム・ガリウム（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ）組成勾配層、２１０…緩衝層

Claims (11)

  1. 　ｐｎ接合型ヘテロ構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、
    　ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、
    　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に接して配置され且つ当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、
    　前記発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、を備え、
    　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層内のインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が、当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりも当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と前記発光層との界面において低く、且つ、
    　前記発光層内の前記ドナー不純物の原子濃度が、当該発光層と前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面よりも当該発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高い、
    ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  2. 　前記発光層は、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層から前記ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に向けて、前記ドナー不純物の原子濃度を増加させた前記窒化ガリウム・インジウムから構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  3. 　前記発光層のインジウム組成は、前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と当該発光層との界面よりも前記ｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と当該発光層との界面の方において低いことを特徴とする請求項１又は２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  4. 　前記発光層の内部であって前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との接合領域が、前記ドナー不純物が添加されていないアンドープの領域であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  5. 　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層は、窒化アルミニウム・ガリウム・インジウムとは格子整合しない基板上に成膜された緩衝層上に設けられており、
    　前記緩衝層は、アルミニウム（Ａｌ）薄膜層と、当該薄膜層上に設けられ且つアルミニウム組成に勾配を付した窒化アルミニウム・ガリウム層との重層構造を有することを特徴とする請求項４に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  6. 　前記発光層は、１０ｎｍ以上の幅を有する連続した波長の光を出射する窒化ガリウム・インジウム層から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  7. 　前記発光層は、波長３６０ｎｍ以上波長４２０ｎｍ以下の範囲で、連続した波長の光を出射する前記窒化ガリウム・インジウム層から構成されていることを特徴とする請求項６に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  8. 　ｐｎ接合型ヘテロ構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
    　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、
    　ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、
    　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層に接して配置され且つ当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、
    　前記発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、
    を備え、
    　前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層内のインジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度が、当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりも当該ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と前記発光層との界面において低く、且つ、前記発光層内の前記ドナー不純物の原子濃度が、当該発光層と前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面よりも当該発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高く、
    　前記発光層を形成する際に、当該発光層の内部に添加する前記ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
  9. 　前記発光層は、形成環境内へのガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）の供給量を一定に保ちつつ、前記ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させて形成されることを特徴とする請求項８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
  10. 　前記発光層は、形成環境内へのガリウム（Ｇａ）の供給量を一定に保ちつつ、インジウム（Ｉｎ）の供給量を経時的に減少させて形成されることを特徴とする請求項８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
  11. 　前記発光層は、当該発光層の前記ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と接合する領域を、前記ドナー不純物を添加しないアンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の領域として形成した後、当該発光層の内部に添加する当該ドナー不純物の原子濃度を経時的に増加させつつ形成されることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016021492A1 (ja) * 2014-08-08 2016-02-11 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3012675B1 (fr) * 2013-10-25 2015-12-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente
WO2017179868A1 (ko) * 2016-04-12 2017-10-19 주식회사 루미스탈 반절연 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 기판
KR101889001B1 (ko) * 2017-03-30 2018-08-16 주식회사 루미스탈 반절연 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 기판
JP6736513B2 (ja) * 2017-04-24 2020-08-05 株式会社東芝 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ
CN107369749B (zh) * 2017-06-20 2020-03-20 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管的外延结构
KR102594206B1 (ko) * 2018-09-04 2023-10-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
JP7203390B2 (ja) * 2020-10-13 2023-01-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP2023057215A (ja) * 2021-10-11 2023-04-21 国立研究開発法人産業技術総合研究所 窒素化合物の製造方法及び製造装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996003776A1 (fr) * 1994-07-21 1996-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci
JPH09167857A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Toshiba Corp 半導体素子及びその製造方法
JPH1022525A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP2002314129A (ja) * 2001-03-29 2002-10-25 Lumileds Lighting Us Llc Ｉｉｉ族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造
JP2004047867A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Sony Corp 窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2005056973A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子及びそれを作製するための半導体発光素子用エピタキシャルウェハ
JP2006294706A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Hitachi Cable Ltd 半導体発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS553834B2 (ja) 1972-02-26 1980-01-26
US5164798A (en) * 1991-07-05 1992-11-17 Hewlett-Packard Company Diffusion control of P-N junction location in multilayer heterostructure light emitting devices
US6136626A (en) * 1994-06-09 2000-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and production method thereof
JP3500762B2 (ja) 1995-03-17 2004-02-23 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6541797B1 (en) * 1997-12-04 2003-04-01 Showa Denko K. K. Group-III nitride semiconductor light-emitting device
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
JP2003249664A (ja) 2002-02-22 2003-09-05 Seiko Instruments Inc ショットキーバリアダイオード
JP3874779B2 (ja) 2004-04-27 2007-01-31 昭和電工株式会社 Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物及びその製造方法、ならびにそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
CN101390201B (zh) * 2005-12-28 2010-12-08 日本电气株式会社 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
KR20090034169A (ko) * 2007-10-02 2009-04-07 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
CN102484047A (zh) * 2009-08-21 2012-05-30 加利福尼亚大学董事会 在异质界面处具有错配位错的部分或完全驰豫合金上的基于半极性氮化物的装置
US8692261B2 (en) * 2010-05-19 2014-04-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device grown on a relaxed layer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996003776A1 (fr) * 1994-07-21 1996-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteur emettant de la lumiere et procede de production de celui-ci
JPH09167857A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Toshiba Corp 半導体素子及びその製造方法
JPH1022525A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP2002314129A (ja) * 2001-03-29 2002-10-25 Lumileds Lighting Us Llc Ｉｉｉ族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造
JP2004047867A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Sony Corp 窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2005056973A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子及びそれを作製するための半導体発光素子用エピタキシャルウェハ
JP2006294706A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Hitachi Cable Ltd 半導体発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016021492A1 (ja) * 2014-08-08 2016-02-11 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2016039326A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子

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