JP2004047867A5 - - Google Patents

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  1. 窒化物系化合物半導体層の積層構造を備え、かつ当該積層構造中の他の窒化物系化合物半導体層よりＩｎ組成の高い窒化物系化合物半導体層を活性層として有する窒化物系半導体発光素子の製造方法において、
    ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層及び活性層を成長させる際、前記活性層の成長温度との温度差が１５０℃以内の成長温度で前記下層の窒化物系化合物半導体層を成長させ、次いで前記下層の窒化物系化合物半導体層上に前記活性層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
  2. 前記下層の窒化物系化合物半導体層を９００℃以下の成長温度でＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により成長させ、次いで前記下層の窒化物系化合物半導体層の成長温度との温度差が１５０℃以内の成長温度で前記下層の窒化物系化合物半導体層上にＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により前記活性層を成長させることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
  3. ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）、モノメチルヒドラジン（ＣＨ6 Ｎ2 ）、１，１−ジメチルヒドラジン（Ｃ2 Ｈ8 Ｎ2 ）、１，２−ジメチルヒドラジンを含むヒドラジンの置換体、及び、ｔ−ブチルアミン（（ＣＨ3 ）3 ＣＮＨ2 ）等のアミン系窒素化合物からなるグループから選択された一つの窒素化合物、又は前記グループから選択された相互に異なる二つ以上の窒素化合物の混合物を窒素原料として用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
  4. 窒素化合物の混合物を窒素原料として用いる際には、前記グループにアンモニア（ＮＨ3 ）を含めることを特徴とする請求項３に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
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