JP2003282450A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 結晶基板の表面上に、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素系半導体層を気相成長させるリン化硼素系半導体層の製造方法に於いて、結晶基板の表面に、硼素またはリンの何れかを含む粒子を予め形成し、その後結晶基板の表面上に、リン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とするリン化硼素系半導体層の製造方法。
2. 硼素またはリンの何れかを含む粒子の直径が、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
3. 結晶基板が、ｎ形またはｐ形の導電性の単結晶からなることを特徴とする請求項１または２に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
4. 硼素またはリンの何れかを含む粒子が、多結晶から形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
5. 硼素またはリンの何れかを含む粒子が、結晶基板の表面との接合界面の領域に非晶質体を含む多結晶体から形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
6. 硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成する温度を超え、且つ、１２００℃以下の温度で、結晶基板の表面上にリン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
7. 硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成するのに用いる硼素原料またはリン原料と同一の原料を用いて、硼素またはリンの何れかを含む粒子を形成するのと同一の気相成長手段により、リン化硼素系半導体層を気相成長させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
8. 気相成長手段が有機金属化学的気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法であることを特徴とする請求項７に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法。
9. 請求項１ないし８のいずれか１項に記載のリン化硼素系半導体層の製造方法を用いて作製したリン化硼素系半導体層。
10. 請求項９に記載のリン化硼素系半導体層を用いた半導体素子。
11. 請求項１０に記載の半導体素子を用いたＬＥＤ。