JP2004087565A5 - - Google Patents

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  1. 基板上に、順次、ＭＯＣＶＤ法により、インジウムを実質的に含まない第１の窒化ガリウム系化合物半導体層、インジウムを含有する第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、及びインジウムを実質的に含まない第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造を形成する工程を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、
    窒素原料としてＮＨ3 を用い、９００℃を越える成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
    次に、窒素原料としてＮＨ3 を用い、９００℃以下の第１の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
    次に、窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第１の成長温度以上９００℃以下の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と
    を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  2. 前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、次いで前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる際の成長温度と、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる際の成長温度とが同じであることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  3. 前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層が、多重量子井戸構造の活性層であって、当該井戸層が III 族金属の２０原子％以上５０原子％以下のインジウムを含む層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  4. 前記有機窒素化合物は、ヒドラジン（Ｎ 2 Ｈ 4 ）又はヒドラジンの置換体であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  5. 窒素原料としてＮＨ 3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、窒素原料としてＮＨ 3 以外の有機窒素化合物に加えて、同時にＮＨ 3 を用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  6. 基板上に、順次、ＭＯＣＶＤ法により、インジウムを実質的に含まない第１の窒化ガリウム系化合物半導体層、インジウムを含有する第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、及びインジウムを実質的に含まない第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造を形成する工程を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、
    窒素原料としてＮＨ 3 を用い、９００℃を越える成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
    続いて、窒素原料としてＮＨ 3 以外の有機窒素化合物を用い、９００℃以下の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、次いで前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と
    を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  7. 前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層が、多重量子井戸構造の活性層であって、当該井戸層が III 族金属の２０原子％以上５０原子％以下のインジウムを含む層であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  8. 前記有機窒素化合物は、ヒドラジン（Ｎ 2 Ｈ 4 ）又はヒドラジンの置換体であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
  9. 窒素原料としてＮＨ 3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、窒素原料としてＮＨ 3 以外の有機 窒素化合物に加えて、同時にＮＨ 3 を用いることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
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