JP3816942B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、窒化ガリウム(GaN)基板上に窒化物系半導体層を備える半導体素子の製造方法に関する。
窒化ガリウム等の窒化物系半導体は発光素子やその他の電子デバイスとして利用または研究されており、その特性を利用して既に青色発光ダイオードや緑色発光ダイオードが実用化されている。また、窒化物系半導体を利用して次世代の高密度光ディスク光源としての青紫色半導体レーザが開発されている。
従来、窒化物系半導体を利用した発光素子を作製する場合、基板として主にサファイア基板が用いられてきた。しかしながら、サファイア基板とその上に形成される窒化物系半導体との格子不整合率が約13%と非常に大きく、当該窒化物系半導体には転位等の欠陥が高密度に存在しており、良質の窒化物系半導体を得ることは困難であった。
また近年、欠陥密度の少ない窒化ガリウム基板(以後、「GaN基板」と呼ぶ)が開発され、GaN基板の利用方法に関する研究開発が盛んに行われている。GaN基板は主に半導体レーザ用基板としての利用が提案されている。
GaN基板上に窒化物系半導体を成長させる場合、窒化物系半導体をC面、つまり(0001)面上に成長させると良好な結晶性が得られないという問題が生じる。この問題に対して、特許文献1では、GaN基板の上面をC面に対して0.03°以上10°以下で傾斜させることで、当該GaN基板上に形成される窒化物系半導体発光素子での結晶性を向上し、長寿命化を可能にする技術が提案されている。
なお、窒化物系半導体を利用して半導体素子を形成する技術については、例えば特許文献2,3にも開示されている。
特開2000−223743号公報 特開2000−82676号公報 特開2003−60318号公報
さて、GaN基板を利用して半導体レーザ等の半導体素子を形成する場合には、GaN基板上に形成される窒化物系半導体層での結晶性のみならず、その表面での平坦性も良好であることが望まれる。しかしながら、特許文献1の技術を利用してGaN基板上に窒化物系半導体層を成長させた場合には、当該窒化物系半導体層の表面での平坦性が不十分であり、更にはその結晶性を十分に確保できないことがあった。そのため、当該窒化物系半導体層を利用して半導体素子を形成した場合には、その電気的特性が悪化したり、信頼性が低下するという問題が生じる。また、半導体素子の製造性の観点から、GaN基板の上面を大きく傾斜させることは好ましくない。
そこで、本発明は上述の問題に鑑みて成されたものであり、GaN基板を利用した半導体素子の製造性を向上しつつ、GaN基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能な技術を提供することを目的とする。
の発明の半導体素子の製造方法は、(a)上面が(0001)面に対して<1−100>方向に0.2°よりも大きく1.0°以下のオフ角度を有する窒化ガリウム基板を準備する工程と、(b)前記窒化ガリウム基板の前記上面上に、不純物濃度が1×10 17 cm -3 以上1×10 19 cm -3 以下であるn型半導体層を前記窒化ガリウム基板と接触して形成する工程と、(c)前記工程(a),(b)の間に、少なくともNH 3 を含むガス、あるいは少なくともNH 3 とH 2 とを含むガスの雰囲気中において、前記窒化ガリウム基板に対して、800℃以上1200℃以下で5分以上の間熱処理を実行する工程とを備え、前記工程(c)において、少なくともNH 3 とH 2 とを含むガスを使用する場合には、当該ガスにおけるH 2 の割合は10%以下に設定されている。
この発明の半導体素子の製造方法によれば、窒化ガリウム基板の上面は、(0001)面に対して<1−100>方向に0.2°よりも大きく1.0°以下のオフ角度を有するため、本発明の半導体素子の製造性を向上しつつ、窒化ガリウム基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することができる。

図1は本発明の実施の形態に係るGaN基板10の構造を示す斜視図である。本実施の形態に係るGaN基板10は六方晶系の結晶構造を有し、当該GaN基板10を利用して、半導体レーザや発光ダイオードなどの発光素子や高周波電子デバイスなどの半導体素子が形成される。
図1に示されるように、GaN基板10の上面10aは、C面、つまり(0001)面に対して<1−100>方向にオフ角度θを有する。従って、GaN基板10の上面10aは、<1−100>方向に垂直であってかつC面に平行な<11−20>方向を回転軸として、C面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となる。本実施の形態では、オフ角度θは0.1°以上1.0°以下に設定される。
本実施の形態に係るGaN基板10を含めて、一般的にGaN基板の表面には、図1に示されるように、転位密度の高い領域21と転位密度の低い領域22とが、<11−20>方向に沿って交互に並んでいる。このようなGaN基板を利用して半導体素子を形成する場合には、転位密度の低い領域22を利用するのが通例である。
次に、GaN基板10を利用して形成した半導体素子の一例について説明する。図2はGaN基板10を利用して形成した窒化物系半導体レーザの構造を示す斜視図である。図2に示されるように、GaN基板10の上面10a上には複数の窒化物系半導体層が積層されている。具体的には、GaN基板10の上面10a上には、n型半導体層11と、n型クラッド層12と、n型光ガイド層13と、多重量子井戸(MQW)活性層14と、p型電子障壁層15と、p型光ガイド層16と、p型クラッド層17と、p型コンタクト層18とがこの順で積層されている。そして、GaN基板10の下面にはn電極19が設けられており、p型コンタクト層18の上面上にはp電極20が設けられている。
n型半導体層11は、例えば厚さ1.0μmでn型のGaNやn型の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)から成る。n型クラッド層12は、例えば厚さ1.0μmでn型のAl0.07Ga0.93Nから成る。n型光ガイド層13は、例えば厚さ0.1μmでn型のGaNから成る。多重量子井戸活性層14は、例えば、窒化インジウムガリウム(In0.12Ga0.88N)から成る厚さ3.5nmの井戸層と、GaNからなる厚さ7.0nmの障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を備えている。
p型電子障壁層15は、例えば厚さ0.02μmでp型のAl0.2Ga0.8Nから成る。p型光ガイド層16は、例えば厚さ0.1μmでp型のGaNから成る。p型クラッド層17は、例えば厚さ0.4μmでp型のAl0.07Ga0.93Nから成る。そして、p型コンタクト層18は、厚さ0.1μmでp型のGaNから成る。
このような構造を備える本実施の形態に係る窒化物系半導体レーザは、(1−100)面でへき開されており、当該(1−100)面に共振器ミラーを備えている。そして、n電極19とp電極20間に電圧を印加すると、多重量子井戸活性層14からレーザが出力される。
図3は、本実施の形態に係る半導体レーザの構造の変形例を示す斜視図である。図3に示される半導体レーザはリッジ導波型の半導体レーザであって、図1に示される半導体レーザにおいて、p型クラッド層17、p型コンタクト層18及びp電極20の形状を変形し、更にシリコン酸化膜52を備えるものである。以下に、図3に示される半導体レーザの製造方法について説明する。
なお、n型半導体層11やn型クラッド層12などの窒化物系半導体層の結晶成長方法には、有機金属気相成長法(MOCVD法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、ハイライド気相成長法(HVPE法)などがあるが、以下の例では、MOCVD法を使用する。また、III族原料には、トリメチルガリウム(以下、「TMG」と呼ぶ)やトリメチルアルミニウム(以下、「TMA」と呼ぶ)、あるいはトリメチルインジウム(以下、「TMI」と呼ぶ)を使用し、V族原料にはアンモニア(NH3)ガスを使用する。また、n型不純物原料には例えばモノシラン(SiH4)を用い、p型不純物原料には例えばシクロペンタジエニルマグネシウム(CP2Mg)を使用する。そして、これらの原料ガスを運ぶキャリアガスには水素(H2)ガス及び窒素(N2)ガスを使用する。
図4は図3に示される半導体レーザの製造方法を示すフローチャートである。まずステップs1において、例えばオフ角度θが0.5°に設定された図1に示されるGaN基板10を準備する。そして、ステップs2においてGaN基板10を熱処理する。ステップs2では、まずGaN基板10をMOCVD装置内に設置する。次に、装置内にNH3ガスを供給しながら装置内温度を1000℃まで昇温する。昇温後、装置内にNH3ガス、N2ガス及びH2ガスを含む混合ガスを供給し、当該混合ガス雰囲気中で15分間、GaN基板10を熱処理する。このとき、混合ガス中でのH2ガスが占める割合は例えば5%に設定される。
次にステップs3において、n型半導体層11等を含む複数の窒化物系半導体層をGaN基板10上に積層する。ステップs3では、まずMOCVD装置内へのTMGガスとSiH4ガスの供給を開始し、GaN基板10の上面10a上にn型のGaNから成るn型半導体層11を成長させる。そして、更にTMAガスの供給を開始して、n型のAl0.07Ga0.93Nから成るn型クラッド層12をn型半導体層11上に成長させる。
次に、TMAガスの供給を停止して、n型のGaNから成るn型光ガイド層13をn型クラッド層12上に成長させる。その後、TMGガスとSiH4ガスの供給を停止して、装置内温度を700℃まで降温する。そして、n型光ガイド層13上に多重量子井戸活性層14を成長させる。具体的には、TMGガス、TMIガス及びNH3ガスを供給することでIn0.12Ga0.88Nから成る井戸層を成長し、TMGガスとNH3ガスを供給することでGaNから成る障壁層を成長する。この処理を繰り返し実行することによって、井戸層及び障壁層の対を3対備える多重量子井戸活性層14を形成する。
その後、NH3ガスを供給しながら装置内温度を1000℃にまで再び昇温した後、TMGガス、TMAガス、CP2Mgガスの供給を開始し、p型のAl0.2Ga0.8Nから成るp型電子障壁層15を多重量子井戸活性層14上に成長させる。次に、TMAガスの供給を停止し、p型のGaNから成るp型光ガイド層16をp型電子障壁層15上に成長させる。次に、TMAガスの供給を再度開始し、p型のAl0.07Ga0.93Nから成る厚さ0.4μmのp型クラッド層17をp型光ガイド層16上に成長させる。
次に、TMAガスの供給を停止して、p型のGaNから成る厚さ0.1μmのp型コンタクト層18層をp型クラッド層17上に成長させる。その後、TMGガス及びCP2Mgガスの供給を停止して装置内温度を室温にまで冷却する。
以上のようにして、すべての窒化物系半導体層の結晶成長が終了しステップs3が完了すると、ステップs4において、光導波路となるリッジ部51を形成する。ステップs4では、まずウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィー工程を実行することによりメサ部の形状に対応した所定形状のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、例えば反応性イオンエッチング(RIE)法により、p型コンタクト層18及びp型クラッド層17を順次エッチングする。これにより、光導波路となるリッジ部51が形成される。なお、このときのエッチングガスとしては例えば塩素系ガスが使用される。
次に、ステップs5においてp電極20及びn電極19を形成する。ステップs5では、まず、ステップs4でマスクとして用いたレジストパターンを残したまま、CVD法や真空蒸着法、あるいはスパッタリング法などにより、例えば厚さが0.2μmのシリコン酸化膜(SiO2膜)52をウェハ全面に形成し、レジストパターンの除去と同時にリッジ部51上にあるシリコン酸化膜52を除去する。この処理は「リフトオフ」と呼ばれる。これにより、リッジ部51を露出する開口部5がシリコン酸化膜52に形成される。
次に、ウェハ全面に例えば真空蒸着法により白金(Pt)から成る金属膜と金(Au)から成る金属膜とを順次形成した後、レジスト塗布工程およびリソグラフィー工程を実行し、その後、ウエットエッチングあるいはドライエッチングを実行することにより、開口部53内にp電極20を形成する。
その後、GaN基板10の下面全面に、例えば真空蒸着法によりチタン(Ti)から成る金属膜とアルミニウム(Al)から成る金属膜とを順次形成し、形成された積層膜をエッチングしてn電極19を形成する。そして、n電極19をGaN基板10にオーミック接触させるためのアロイ処理を行う。
以上のようにして形成された構造をへき開などによりバー状に加工して、当該構造に両共振器端面を形成する。そして、これらの共振器端面に端面コーティングを施した後、このバー状の構造をへき開などによりチップ状に分割する。これにより、図3に示される半導体レーザが完成する。
以上のように、本実施の形態では、GaN基板10の上面10aが、(0001)面に対して<1−100>方向に0.1°以上のオフ角度θを備えているため、当該上面10a上に形成されるn型半導体層11の平坦性及び結晶性が向上する。その結果、n型半導体層11を利用して形成された本実施の形態に係る半導体素子の電気的特性が向上し、信頼性が向上する。
図5は、GaN基板10の上面10aのオフ角度θと、当該上面10a上に形成されるn型半導体層11の上面での最大高低差との関係を示す図である。図5中のひし形印は、本実施の形態のようにGaN基板10の上面10aが<1−100>方向にオフ角度θを備える場合のデータであり、四角印は、本実施の形態とは異なり、GaN基板10の上面10aが<11−20>方向にオフ角度θを備える場合のデータである。後述の図9,10中のひし形印及び四角印も同様である。
なお、図5中の縦軸の最大高低差は、n型半導体層11を厚さ4μmまで成長させ、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:AFM)を用いて当該n型半導体層11を縦200μm×横200μmの範囲で表面観察した際の値を示している。後述する図6,10についても同様である。
図5に示されるように、オフ角度θが0.1°以上になると、n型半導体層11の上面での最大高低差が大幅に小さくなり表面モフォロジが良好となる。そして、GaN基板10の上面10aを<1−100>方向に傾けた場合には、オフ角度θが0.25°以上となると、更にn型半導体層11での最大高低差が減少し、当該n型半導体層11の表面モフォロジが良好となる。一方で、図5に示されるように、オフ角度θが1.0°よりも大きくなると、n型半導体層11の上面での最大高低差が大きくなる。
なお、オフ角度θが0.05°以下の場合には、n型半導体層11の表面に六角ヒロックが発生するためその表面での凹凸が大きり、平坦なモフォロジは得られない。
また、オフ角度θが0.05°以上0.25°未満では、オフ角度θの方向に垂直な方向、つまり<1−100>方向あるいは<11−20>方向に垂直な方向に沿ってステップ状の段差が生じる。しかしながら、オフ角度θの方向が<1−100>方向の場合には、オフ角度θが0.25°以上になると、ステップ状の段差は減少し、より平坦なモフォロジが得られる。このとき、n型半導体層11での平均表面粗さは0.5nm以下に抑えることができる。
一方で、オフ角度θの方向が<11−20>方向の場合には、オフ角度θが0.25°以上になっても、図1に示したGaN基板10の表面上の転位密度の高い領域21によって、ステップフロー成長が阻害されるために、ステップ状の段差が残ってしまい、良好な表面モフォロジは得られない。このような表面の凹凸は、例えば本実施の形態のような半導体レーザを作製した場合には、n型半導体層11のみならず多重量子井戸活性層14にも段差が生じてしまい、レーザの共振器内での損失が大きくなり、しきい値電流密度が悪化する等の問題が生じる。
以上のように、GaN基板10の上面10aのオフ角度θとその方向とが、当該上面10a上に形成される成長層の表面凹凸や結晶性に大きな影響を与える。本実施の形態のように、<1−100>方向に0.1°以上傾いたGaN基板10の上面10a上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性が良好でかつ安定な素子特性が得られる。そして、<1−100>方向に0.25°以上傾いたGaN基板10の上面10a上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性がより良好となり、<1−100>方向に0.3°以上傾いたGaN基板10の上面10a上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性がさらに良好となる。
更に、本実施の形態では、オフ角度θは1.0°以下に設定されているため、GaN基板10を加工してオフ角度θを設ける際の加工性が向上し、更には、GaN基板10上に積層される複数の窒化物系半導体層を形成し易くなる。従って、GaN基板10を利用した半導体素子の製造性が向上する。
なお、通常、半導体レーザは(1−100)面に共振器ミラーを有するが、この場合には、<1−100>方向のオフ角度θが大きくなるとミラー損失が大きくなる。従って、半導体レーザでのミラー損失を低減するという観点からも、オフ角度θは1.0°以下に設定することが好ましい。
図1に示されるGaN基板10では、<1−100>方向にのみオフ角度θを設けていたが、<11−20>方向にもオフ角度θ1を設けても良い。図6は、GaN基板10の上面10aが<1−100>方向に0.25°のオフ角度θを備え、更に<11−20>方向にオフ角度θ1を備える場合での、当該オフ角度θ1と、当該上面10a上に形成されるn型半導体層11の上面での最大高低差との関係を示す図である。
図6に示されるように、GaN基板10の上面10aが<1−100>方向に0.25°傾いている状態において、<11−20>方向のオフ角度θ1を0°以上0.1°以下に設定すると、n型半導体層11の上面での最大高低差はほとんど変化することがなく、当該n型半導体層11の表面モフォロジは良好である。図6に示される結果はオフ角度θが0.25°のときの結果であるが、当該オフ角度θが0.25°以上であれば同様の結果となる。なお、図2に示される窒化物形半導体レーザにおいて、<1−100>方向にオフ角度θを、<11−20>方向にオフ角度θ1をそれぞれ備えるGaN基板10を利用した場合の当該窒化物系半導体レーザの構造を図7に示す。
図8は、GaN基板10を成長炉内でNH3ガス、N2ガス及びH2ガスを含む混合ガス雰囲気中、あるいはNH3ガス及びN2ガスを含む混合ガス雰囲気中で1000℃で熱処理を行ったときの、GaN基板10の上面10aでの最大高低差と熱処理時間との関係を、混合ガス中におけるH2ガスの割合をパラメータとして示す図である。
図8中の丸印はH2ガスの分圧が0%の場合、つまり混合ガス中にH2ガスが含まれていない場合のデータを示しており、図8中の四角印、三角印、バツ印、*印及びひし形印は、H2ガスの分圧が5%、10%、20%、30%及び40%に設定された場合のデータをそれぞれ示している。また、図8中の縦軸の最大高低差は、GaN基板10の上面10aを縦10μm×横10μmの範囲でAFMを用いて表面観察した際の値を示している。後述する図9についても同様である。
図8に示されるように、上述のステップ2において、H2ガスの分圧が30%以下で5分以上熱処理を行うと、GaN基板10の上面10aの凹凸は大きく減少する。
また、H2ガスの分圧が0%以上10%以下で10分以上熱処理を行うことで、GaN基板10の上面10aの凹凸は1nm以下まで低減できる。本発明のように、<1−100>方向に0.1°以上傾いたGaN基板10の上面10a上に窒化物系半導体層を形成する場合においては、GaN基板10の上面10aに2nm以上の凹凸があると、平坦性の向上および結晶品質向上の効果が最大限に発揮することができないことがある。従って、本発明の効果を最大限に確実に発揮させるためには、窒化物系半導体層の成長前にGaN基板10の上面10aの凹凸を熱処理によって1nm以下まで低減させることは非常に重要である。
また、GaN基板10に対する熱処理を長時間行うと、GaN基板10中での窒化ガリウムの分解が促進され、当該GaN基板10から窒素が抜けてしまい、その結果、GaN基板10の上面10aの平坦性があまり向上しないことがある。図8より、熱処理時間が30分を超えると、GaN基板10の上面10aの凹凸が急激に大きくなることがわかる。従って、GaN基板10の平坦性を確実に向上させるためには熱処理時間は30分以下が好ましい。
また熱処理温度については、800℃以上1200℃以下であれば同様の効果を生じ、GaN基板10の上面10aの凹凸は減少する。そして、熱処理温度を1000℃以上1200℃以下に設定することによってGaN基板10の上面10aの凹凸は更に減少する。図9は、NH3ガス、N2ガス及びH2ガスを含み、H2ガスの分圧が20%に設定された混合ガス雰囲気中でGaN基板10を成長炉内で5分間熱処理を行ったときの、GaN基板10の上面10aでの最大高低差と熱処理温度との関係を示す図である。図9に示されるように、熱処理温度が700℃以下の場合には、GaN基板10の上面10aでのGa原子のマストランスポーテーションがほとんど生じないため、当該上面10aでの凹凸の低減が見られないが、熱処理温度が800度以上となると当該上面10aでの凹凸が大きく低減される。そして、熱処理温度が1000℃以上になるとGaN基板10の上面10aでの最大高低差はさらに小さくなる。一方、熱処理温度を1200℃よりも高く設定すると、MOCVD装置内の基板加熱用ヒータへの負荷が著しく高まり、頻繁にヒータ交換を要することになり好ましくない。さらに、GaN基板10の上面10aから窒素原子が再蒸発する確率は、加熱温度に対して指数関数的に増加するため、1200℃よりも高い温度で熱処理を行う場合には、窒素原子の再蒸発を防止するために必要なNH3ガスの流量を増加させる必要があるため、生産性の観点からも好ましくない。
なお、H2ガスの分圧が30%以下では、GaN基板10中において、ガリウム(Ga)原子のマイグレーションが促進されることから、GaN基板10の上面10aの凹凸は減少する。
また、H2ガスの分圧が30%以上では、熱処理による基板表面に対するサーマルエッチングが強く作用するため、GaN基板10の上面10aの凹凸はほとんど変化しない。
以上のように、ステップs2において、NH3を含むガス、あるいはH2の割合が30%以下に設定されている、NH3とH2とを含むガスの雰囲気中において、GaN基板10に対して、800℃以上1200℃以下で5分以上の間熱処理を実行することによって、当該GaN基板10の上面10aの平坦性は向上する。従って、GaN基板10の上面10a上に形成される窒化物系半導体層の平坦性も更に向上し、当該窒化物系半導体層を利用して電気的特性が良好な半導体素子を形成することができる。
また、熱処理時間を30分以下に設定することによって、GaN基板10の平坦性を確実に向上させることができる。
なお、GaN基板10を熱処理する際には、上記の例で使用した混合ガス中に含まれるN2ガスはキャリアガスとして機能するため、当該N2ガスはGaN基板10の上面10aでの平坦性の向上にほとんど寄与しないことから、N2ガスは必ずしも混合ガス中に含まれる必要はない。
図10は本実施の形態に係るn型半導体層11の不純物濃度と当該n型半導体層11の上面での最大高低差との関係を示す図である。図10に示されるように、n型半導体層11の不純物濃度を、1×1016cm-3以上1×1020cm-3以下に設定することによって、その上面での最大高低差は小さくなり、n型半導体層11の表面モフォロジは更に良好となる。また、n型半導体層11の不純物濃度を、1×1017cm-3以上1×1019cm-3以下に設定することによって、その上面での最大高低差は10nmよりも小さい値となり、n型半導体層11の表面モフォロジは更に良好となる。そして、n型半導体層11の不純物濃度を、1×1017cm-3以上5×1018cm-3以下に設定することによって、その上面での最大高低差は更に小さい値となり、n型半導体層11の表面モフォロジは更に良好となる。

本発明は半導体レーザ以外の他の半導体発光素子だけでなく、その他の電子デバイスにも適用可能である。
以上のように、本発明によれば、GaN基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能となる。ここでいう結晶性とは、結晶の原子配列の規則性、すなわち結晶の構造的規則性に起因する当該結晶の電気的光学的特性を意味する。窒化物系半導体層での構造的規則性が確保されない場合には、GaN基板の平坦性には依存しない異常構造が窒化物系半導体層に形成される。異常構造は、窒化物系半導体層の表面での不規則的な凹凸と、ヒロックと呼ばれる、基板の結晶学的対称性を反映した規則性が認められる表面形状とに主に大別でき、ヒロックは本質的にはファセットの一種であると考えられる。不規則的な凹凸は、結晶成長の過程において、III族原子の表面マイグレーションが不十分であるために形成される。表面マイグレーションが不十分な場合、結晶学的に本来III族原子が配置されるべきサイトに、当該III族原子が位置する確率が減少する。このため、原子スケールでの微視的構造で規定される特性が悪化する。具体的には、原子空孔や格子間原子などの格子欠陥によって、電気的特性としては、キャリアの散乱確率によって規定されるキャリア移動度が低減する。また、不純物による発光中心が形成される結果、光学的特性が劣化する。一方、ファセットの形成は、III族原子の表面マイグレーションの微視的異方性を誘引する。このため、半導体レーザの多重量子井戸活性層の膜厚に空間的な揺らぎが引き起こされる。この揺らぎはナノメータースケールであっても、発光波長に重大な影響を及ぼす。
従って、窒化物系半導体層に異常構造を形成させない結晶成長を実現することが良好な半導体レーザ特性を得る上で本質的に重要である。異常構造の形成を防ぐためには、本発明のように予めGaN基板に適切なオフ角度を設けて、いわゆるステップフロー成長を生じさせることが有効である。特に、図1に示されるGaN基板10のように、一方向だけにオフ角度を設けて、一方向性のステップフロー成長を生じさせることによって、異常構造の形成は確実に抑制できる。理論的に理想的なオフ角度を定量的に予測することは、結晶成長という動的な物理化学的現象が極めて複雑であることから、非常に困難である。本実施の形態のように、実験的手法により適切なオフ角度を調査することが現実性の高い手法と考えられる。
本発明の実施の形態に係る窒化ガリウム基板の構造を示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係る半導体素子の構造を示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係る半導体素子の構造の変形例を示す斜視図である。 本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法を示すフローチャートである。 窒化ガリウム基板の上面でのオフ角度と、窒化物系半導体層の表面での最大高低差との関係を示す図である。 窒化ガリウム基板の上面が<1−100>方向にオフ角度を備える場合の、<11−20>方向のオフ角度と窒化物系半導体層の上面での最大高低差との関係を示す図である。 本発明の実施の形態に係る半導体素子の構造の変形例を示す斜視図である。 窒化ガリウム基板に対する熱処理時間と、当該窒化ガリウム基板の上面での最大高低差との関係を示す図である。 窒化ガリウム基板に対する熱処理温度と、当該窒化ガリウム基板の上面での最大高低差との関係を示す図である。 窒化物系半導体層の不純物濃度と、当該窒化物系半導体層の上面での最大高低差との関係を示す図である。
符号の説明
1 窒化ガリウム基板、10a 上面、11 n型半導体層、θ,θ1 オフ角度。

Claims (5)

  1. (a)上面が(0001)面に対して<1−100>方向に0.2°よりも大きく1.0°以下のオフ角度を有する窒化ガリウム基板を準備する工程と、
    (b)前記窒化ガリウム基板の前記上面上に、不純物濃度が1×10 17 cm -3 以上1×10 19 cm -3 以下であるn型半導体層を前記窒化ガリウム基板と接触して形成する工程と、
    (c)前記工程(a),(b)の間に、少なくともNH 3 を含むガス、あるいは少なくともNH 3 とH 2 とを含むガスの雰囲気中において、前記窒化ガリウム基板に対して、800℃以上1200℃以下で5分以上の間熱処理を実行する工程と
    を備え、
    前記工程(c)において、少なくともNH 3 とH 2 とを含むガスを使用する場合には、当該ガスにおけるH 2 の割合は10%以下に設定されている、半導体素子の製造方法
  2. 請求項1に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記工程(c)において、前記窒化ガリウム基板に対して5分以上30分以下の間熱処理を実行する、半導体素子の製造方法
  3. 請求項1及び請求項2のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記工程(c)において、前記窒化ガリウム基板に対して1000℃以上1200℃以下で熱処理を実行する、半導体素子の製造方法
  4. 請求項及び請求項のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記工程(c)において、前記窒化ガリウム基板に対して1000℃で10分以上熱処理を実行する、半導体素子の製造方法
  5. 請求項1に記載の半導体素子の製造方法であって、
    前記n型半導体層は、不純物濃度が1×10 17 cm-3以上5×10 18 cm-3下である、半導体素子の製造方法
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