JP2001322899A - 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法Info
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- JP2001322899A JP2001322899A JP2000138667A JP2000138667A JP2001322899A JP 2001322899 A JP2001322899 A JP 2001322899A JP 2000138667 A JP2000138667 A JP 2000138667A JP 2000138667 A JP2000138667 A JP 2000138667A JP 2001322899 A JP2001322899 A JP 2001322899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピットの少ない、表面平坦性のすぐれた窒化
ガリウム系化合物半導体基板を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 粒径が非常に小さい砥粒を用いて、研磨
速度を徐々に遅くしながら窒化ガリウム系化合物半導体
基板の表面を研磨することにより、表面のピットおよび
スクラッチラインを低減する。また、研磨後の窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板の表面をＲＩＥを用いて、低い
エッチングレートでエッチングして表面ダメージ層を除
去することにより、研磨後のすぐれた表面平坦性を維持
した状態で、窒化ガリウム系化合物半導体基板表面の結
晶性を改善する。
ガリウム系化合物半導体基板を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 粒径が非常に小さい砥粒を用いて、研磨
速度を徐々に遅くしながら窒化ガリウム系化合物半導体
基板の表面を研磨することにより、表面のピットおよび
スクラッチラインを低減する。また、研磨後の窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板の表面をＲＩＥを用いて、低い
エッチングレートでエッチングして表面ダメージ層を除
去することにより、研磨後のすぐれた表面平坦性を維持
した状態で、窒化ガリウム系化合物半導体基板表面の結
晶性を改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードや
レーザーダイオード等のデバイスに利用される窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板及びその製造方法に関する。
レーザーダイオード等のデバイスに利用される窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化ガリウム系化合物半導体は、
青色発光ダイオードや青紫色半導体レーザー等の可視発
光デバイスとして精力的に利用されるようになってき
た。
青色発光ダイオードや青紫色半導体レーザー等の可視発
光デバイスとして精力的に利用されるようになってき
た。
【０００３】これらのデバイスは、一般的に、サファイ
ア基板上に半導体薄膜を積層した構造が用いられてお
り、有機金属気相成長法を用いてサファイア基板上にＡ
ｌＮやＧａＮ等の低温バッファ層を成長した後、およそ
１１００℃の成長温度で窒化ガリウム系化合物半導体よ
りなる多層膜を成長して形成することによって作製され
ている。
ア基板上に半導体薄膜を積層した構造が用いられてお
り、有機金属気相成長法を用いてサファイア基板上にＡ
ｌＮやＧａＮ等の低温バッファ層を成長した後、およそ
１１００℃の成長温度で窒化ガリウム系化合物半導体よ
りなる多層膜を成長して形成することによって作製され
ている。
【０００４】ところで、サファイア基板と窒化ガリウム
系化合物半導体の間には十数％の格子不整があり、現状
の窒化ガリウム系化合物半導体には１０9〜１０10ｃｍ
-3程度の結晶欠陥が存在している。このような高密度の
結晶欠陥は、デバイスの特性低下や低寿命化を引き起こ
し、問題となっている。
系化合物半導体の間には十数％の格子不整があり、現状
の窒化ガリウム系化合物半導体には１０9〜１０10ｃｍ
-3程度の結晶欠陥が存在している。このような高密度の
結晶欠陥は、デバイスの特性低下や低寿命化を引き起こ
し、問題となっている。
【０００５】そこで、結晶欠陥密度を低減する目的で、
ＥＬＯ（エピタキシャル−ラテラル−オーバーグロウ
ス）が提案されている。これは、サファイア基板上にＧ
ａＮバッファ層、ＧａＮ層を順次積層し、その上にＳｉ
Ｏ2よりなるストライプのマスクを形成し、更にその上
にＧａＮ層を成長したものである。この方法によれば、
ＧａＮ層の結晶欠陥密度が従来よりもかなり低減され
る。
ＥＬＯ（エピタキシャル−ラテラル−オーバーグロウ
ス）が提案されている。これは、サファイア基板上にＧ
ａＮバッファ層、ＧａＮ層を順次積層し、その上にＳｉ
Ｏ2よりなるストライプのマスクを形成し、更にその上
にＧａＮ層を成長したものである。この方法によれば、
ＧａＮ層の結晶欠陥密度が従来よりもかなり低減され
る。
【０００６】しかしながら、他の材料系よりなる半導体
デバイスに比較すると、窒化ガリウム系化合物半導体の
結晶欠陥密度は依然として高い。
デバイスに比較すると、窒化ガリウム系化合物半導体の
結晶欠陥密度は依然として高い。
【０００７】そこで最近では、結晶欠陥密度を大幅に低
減するための新たな試みとして、ＧａＮ基板の開発が精
力的に行われるようになってきた。ＧａＮ基板は、その
上に堆積する窒化ガリウム系化合物半導体との格子不整
合を低減あるいは無くすだけでなく、透光性、通電性が
あり、劈開性にもすぐれているため、デバイス作製上の
メリットは大きい。
減するための新たな試みとして、ＧａＮ基板の開発が精
力的に行われるようになってきた。ＧａＮ基板は、その
上に堆積する窒化ガリウム系化合物半導体との格子不整
合を低減あるいは無くすだけでなく、透光性、通電性が
あり、劈開性にもすぐれているため、デバイス作製上の
メリットは大きい。
【０００８】単結晶のＧａＮ基板の製造方法には、Ｇａ
に少量のＧａＮを添加し、超高温および超高圧でＧａ−
ＧａＮ融液とする方法があるが、成長速度が遅く、基板
サイズが小さくなる等の問題がある。そのため、現状で
はサファイア等の基板上に厚膜のＧａＮをＨＶＰＥ法
（ハイドライド気相成長法）を用いて成長する方法が主
流となっている。例えば特開平９−３３５５８０号公報
に開示されているように、前処理済みの酸化物基板上に
ＧａＮを成長させて、一定の厚さの１次のＧａＮ層を形
成し、その１次のＧａＮ層が成長された酸化物基板を研
磨して、酸化物基板の一部を除去し、その１次のＧａＮ
層の上に２次のＧａＮ層を成長し、酸化物基板を完全に
除去し、その２次のＧａＮ層の上の３次のＧａＮ層を成
長することでＧａＮ基板を作製できることが提案されて
いる。
に少量のＧａＮを添加し、超高温および超高圧でＧａ−
ＧａＮ融液とする方法があるが、成長速度が遅く、基板
サイズが小さくなる等の問題がある。そのため、現状で
はサファイア等の基板上に厚膜のＧａＮをＨＶＰＥ法
（ハイドライド気相成長法）を用いて成長する方法が主
流となっている。例えば特開平９−３３５５８０号公報
に開示されているように、前処理済みの酸化物基板上に
ＧａＮを成長させて、一定の厚さの１次のＧａＮ層を形
成し、その１次のＧａＮ層が成長された酸化物基板を研
磨して、酸化物基板の一部を除去し、その１次のＧａＮ
層の上に２次のＧａＮ層を成長し、酸化物基板を完全に
除去し、その２次のＧａＮ層の上の３次のＧａＮ層を成
長することでＧａＮ基板を作製できることが提案されて
いる。
【０００９】また、特開平９−２３７１６７号公報に
は、サファイア基板ではなく、Ｚカット面を表面とする
水晶基板を用いることで、クラックが入りにくく、基板
を除去しやすいＧａＮ基板を作製できることが提案され
ている。
は、サファイア基板ではなく、Ｚカット面を表面とする
水晶基板を用いることで、クラックが入りにくく、基板
を除去しやすいＧａＮ基板を作製できることが提案され
ている。
【００１０】さらに最近の例では、特開２０００−１２
９００号公報や特開２０００−２２２１２号公報に開示
されているように、（１１１）ＧａＡｓ基板上に千鳥型
窓やストライプ窓を有するマスクを形成してＧａＮバッ
ファ層とＧａＮ層を順次に成長させ、ＧａＡｓ基板を除
去した後に、再びＧａＮを成長することによって、無色
透明で、反りの少ない大口径のＧａＮ基板が得られるこ
とが提案されている。
９００号公報や特開２０００−２２２１２号公報に開示
されているように、（１１１）ＧａＡｓ基板上に千鳥型
窓やストライプ窓を有するマスクを形成してＧａＮバッ
ファ層とＧａＮ層を順次に成長させ、ＧａＡｓ基板を除
去した後に、再びＧａＮを成長することによって、無色
透明で、反りの少ない大口径のＧａＮ基板が得られるこ
とが提案されている。
【００１１】ところが、上述のＨＶＰＥ法を用いた成長
で得られたＧａＮ基板の表面は凹凸が激しく、従来のサ
ファイア基板上に低温バッファ層およびＧａＮ層を順次
積層したＧａＮ層の表面に比較すると、格段に悪くなっ
ている。
で得られたＧａＮ基板の表面は凹凸が激しく、従来のサ
ファイア基板上に低温バッファ層およびＧａＮ層を順次
積層したＧａＮ層の表面に比較すると、格段に悪くなっ
ている。
【００１２】ＧａＮ基板の表面平坦性の改善には、ＫＯ
Ｈ等のアルカリを加熱して表面のＧａＮ層を化学的にエ
ッチングする方法がある。しかし、エッチングレートが
遅い上、表面に多数のエッチピットが発生するため、実
用的ではない。そこで、最近ではＧａＮ基板を研磨する
ことによって表面平坦性を改善する試みがなされてい
る。
Ｈ等のアルカリを加熱して表面のＧａＮ層を化学的にエ
ッチングする方法がある。しかし、エッチングレートが
遅い上、表面に多数のエッチピットが発生するため、実
用的ではない。そこで、最近ではＧａＮ基板を研磨する
ことによって表面平坦性を改善する試みがなされてい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状の
研磨されたＧａＮ基板は、目視レベルでは鏡面に近くな
っているが、光学顕微鏡レベルでは、まだ大きなピット
やスクラッチライン等の凹凸が多数発生している。この
ようなＧａＮ基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体よ
りなるデバイスを作製した場合、その特性劣化だけでな
く面内均一性や歩留まりが従来のサファイア基板上のデ
バイスに比較して悪くなるという問題点がある。そのた
め、ピットが少なく、かつ表面平坦性のすぐれたＧａＮ
基板が熱望されている。
研磨されたＧａＮ基板は、目視レベルでは鏡面に近くな
っているが、光学顕微鏡レベルでは、まだ大きなピット
やスクラッチライン等の凹凸が多数発生している。この
ようなＧａＮ基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体よ
りなるデバイスを作製した場合、その特性劣化だけでな
く面内均一性や歩留まりが従来のサファイア基板上のデ
バイスに比較して悪くなるという問題点がある。そのた
め、ピットが少なく、かつ表面平坦性のすぐれたＧａＮ
基板が熱望されている。
【００１４】本発明は、上記問題を解決するものであ
り、ピットの少ない、表面平坦性のすぐれたＧａＮ基板
等の窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供することを
目的とする。
り、ピットの少ない、表面平坦性のすぐれたＧａＮ基板
等の窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】現状では、表面平坦性の
すぐれた窒化ガリウム系化合物半導体基板を成長だけで
得ることは困難である。そこで本発明者らは、研磨によ
って基板の表面平坦性を改善するための鋭意検討を行っ
た。
すぐれた窒化ガリウム系化合物半導体基板を成長だけで
得ることは困難である。そこで本発明者らは、研磨によ
って基板の表面平坦性を改善するための鋭意検討を行っ
た。
【００１６】その結果、粒径が非常に小さい砥粒を用い
て、研磨速度を徐々に遅くしながら表面を研磨すること
により、基板の表面平坦性が大幅に改善されることを見
い出した。
て、研磨速度を徐々に遅くしながら表面を研磨すること
により、基板の表面平坦性が大幅に改善されることを見
い出した。
【００１７】また、研磨後の基板には、研磨によって表
面に物理的なダメージを受けているため、表面ダメージ
層が発生している。そこで、ＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング装置）を用いて、低いエッチングレートで基板の
表面をエッチングし、表面ダメージ層を除去することに
より、研磨直後のピットの少ない、かつ平坦性のすぐれ
た表面を維持した状態で、基板表面の結晶性が改善され
ること見いだした。
面に物理的なダメージを受けているため、表面ダメージ
層が発生している。そこで、ＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング装置）を用いて、低いエッチングレートで基板の
表面をエッチングし、表面ダメージ層を除去することに
より、研磨直後のピットの少ない、かつ平坦性のすぐれ
た表面を維持した状態で、基板表面の結晶性が改善され
ること見いだした。
【００１８】このような構成によれば、ピットが少な
く、表面の平坦性および結晶性にすぐれた本発明の窒化
ガリウム系化合物半導体基板を得ることができる。
く、表面の平坦性および結晶性にすぐれた本発明の窒化
ガリウム系化合物半導体基板を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、表面が
平滑に研磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であ
って、その表面の深さが２０Å以上のスクラッチライン
の線密度が１０5本／ｃｍ以下であることを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生
するスクラッチラインの密度が低減され、窒化ガリウム
系化合物半導体基板の表面平坦性が向上するという作用
を有する。
平滑に研磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であ
って、その表面の深さが２０Å以上のスクラッチライン
の線密度が１０5本／ｃｍ以下であることを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生
するスクラッチラインの密度が低減され、窒化ガリウム
系化合物半導体基板の表面平坦性が向上するという作用
を有する。
【００２０】請求項２に記載の発明は、表面が平滑に研
磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、そ
の表面の深さが５０Å以上のスクラッチラインの線密度
が１０4本／ｃｍ以下であることを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するスク
ラッチラインの密度が低減され、窒化ガリウム系化合物
半導体基板の表面平坦性が向上するという作用を有す
る。
磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、そ
の表面の深さが５０Å以上のスクラッチラインの線密度
が１０4本／ｃｍ以下であることを特徴とする窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するスク
ラッチラインの密度が低減され、窒化ガリウム系化合物
半導体基板の表面平坦性が向上するという作用を有す
る。
【００２１】請求項３に記載の発明は、表面の深さが５
００Å以上のピット密度が１０5個／ｃｍ2以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するピット密
度が低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
平坦性が向上するという作用を有する。
００Å以上のピット密度が１０5個／ｃｍ2以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するピット密
度が低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
平坦性が向上するという作用を有する。
【００２２】請求項４に記載の発明は、表面の深さが１
０００Å以上のピット密度が１０4個／ｃｍ2以下である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウ
ム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するピット
密度が低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表
面平坦性が向上するという作用を有する。
０００Å以上のピット密度が１０4個／ｃｍ2以下である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウ
ム系化合物半導体基板であり、研磨時に発生するピット
密度が低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表
面平坦性が向上するという作用を有する。
【００２３】請求項５に記載の発明は、基板上に気相成
長法を用いて厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体層を成
長して形成されたものである請求項１から４のいずれか
に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、下地
に基板を有する窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
平坦性が向上するという作用を有する。
長法を用いて厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体層を成
長して形成されたものである請求項１から４のいずれか
に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、下地
に基板を有する窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
平坦性が向上するという作用を有する。
【００２４】請求項６に記載の発明は、研磨後に、さら
に表面が反応性イオンエッチング装置によりエッチング
されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか
に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、研磨
直後のピットやスクラッチラインの少ない平坦な表面を
維持した状態で、前記基板の研磨前と同等レベルの結晶
性が得られるという作用を有する。
に表面が反応性イオンエッチング装置によりエッチング
されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか
に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板であり、研磨
直後のピットやスクラッチラインの少ない平坦な表面を
維持した状態で、前記基板の研磨前と同等レベルの結晶
性が得られるという作用を有する。
【００２５】請求項７に記載の発明は、窒化ガリウム系
化合物半導体基板の表面を、粒径が１μｍ以上の砥粒に
よって研磨した後に、さらに粒径が１μｍ以下の砥粒に
よって研磨することを特徴とする窒化ガリウム系化合物
半導体基板の製造方法であり、粒径が１μｍ以上の砥粒
で研磨することで、短い研磨時間で表面のバックグラウ
ンドの大きな凹凸が除去され、さらに粒径が１μｍ以下
の砥粒で研磨することで細かいピットが除去されること
により、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面平坦性
が向上するという作用を有する。
化合物半導体基板の表面を、粒径が１μｍ以上の砥粒に
よって研磨した後に、さらに粒径が１μｍ以下の砥粒に
よって研磨することを特徴とする窒化ガリウム系化合物
半導体基板の製造方法であり、粒径が１μｍ以上の砥粒
で研磨することで、短い研磨時間で表面のバックグラウ
ンドの大きな凹凸が除去され、さらに粒径が１μｍ以下
の砥粒で研磨することで細かいピットが除去されること
により、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面平坦性
が向上するという作用を有する。
【００２６】請求項８に記載の発明は、窒化ガリウム系
化合物半導体基板の表面を、最初から粒径が１μｍより
も小さい砥粒によって研磨することを特徴とする窒化ガ
リウム系化合物半導体基板の製造方法であり、研磨時に
発生する細かいピットを最初の研磨段階から抑制するこ
とにより、ピットがさらに低減され、窒化ガリウム系化
合物半導体基板の表面平坦性が向上するという作用を有
する。
化合物半導体基板の表面を、最初から粒径が１μｍより
も小さい砥粒によって研磨することを特徴とする窒化ガ
リウム系化合物半導体基板の製造方法であり、研磨時に
発生する細かいピットを最初の研磨段階から抑制するこ
とにより、ピットがさらに低減され、窒化ガリウム系化
合物半導体基板の表面平坦性が向上するという作用を有
する。
【００２７】請求項９に記載の発明は、前記砥粒の粒径
が０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下であることを特徴
とする請求項８に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基
板の製造方法であり、窒化ガリウム系化合物半導体基板
表面のピットおよびスクラッチラインがさらに低減され
るという作用を有する。
が０．０１μｍ以上、０．５μｍ以下であることを特徴
とする請求項８に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基
板の製造方法であり、窒化ガリウム系化合物半導体基板
表面のピットおよびスクラッチラインがさらに低減され
るという作用を有する。
【００２８】請求項１０に記載の発明は、研磨速度を研
磨時間の経過とともに遅くすることを特徴とする請求項
７から９のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導
体基板の製造方法であり、表面のバックグラウンドの凹
凸の大きさに関わらず、短い研磨時間でピットが大幅に
低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面平坦
性が向上するという作用を有する。
磨時間の経過とともに遅くすることを特徴とする請求項
７から９のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導
体基板の製造方法であり、表面のバックグラウンドの凹
凸の大きさに関わらず、短い研磨時間でピットが大幅に
低減され、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面平坦
性が向上するという作用を有する。
【００２９】請求項１１に記載の発明は、前記研磨速度
が３μｍ／ｈ以下であることを特徴とする請求項１０に
記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法であ
り、研磨速度を徐々に遅くすることにより、研磨時に発
生する細かいピットを抑制し、窒化ガリウム系化合物半
導体基板の表面が平坦化されるまでの研磨量を少なくす
ることができるという作用を有する。
が３μｍ／ｈ以下であることを特徴とする請求項１０に
記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法であ
り、研磨速度を徐々に遅くすることにより、研磨時に発
生する細かいピットを抑制し、窒化ガリウム系化合物半
導体基板の表面が平坦化されるまでの研磨量を少なくす
ることができるという作用を有する。
【００３０】請求項１２に記載の発明は、前記窒化ガリ
ウム系化合物半導体基板が、基板上に気相成長法を用い
て厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長して形成
されたものである請求項７から１１のいずれかに記載の
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法であり、下
地に基板を有する窒化ガリウム系化合物半導体基板の表
面平坦性が向上するという作用を有する。
ウム系化合物半導体基板が、基板上に気相成長法を用い
て厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長して形成
されたものである請求項７から１１のいずれかに記載の
窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法であり、下
地に基板を有する窒化ガリウム系化合物半導体基板の表
面平坦性が向上するという作用を有する。
【００３１】請求項１３に記載の発明は、研磨後の窒化
ガリウム系化合物半導体基板の表面を、さらに反応性イ
オンエッチング装置によりエッチングすることで、研磨
による表面ダメージ層を除去することを特徴とする請求
項７から１２のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物
半導体基板の製造方法であり、研磨直後のピットやスク
ラッチラインの少ない平坦な表面を維持した状態で、前
記基板の研磨前と同等レベルの結晶性が得られるという
作用を有する。
ガリウム系化合物半導体基板の表面を、さらに反応性イ
オンエッチング装置によりエッチングすることで、研磨
による表面ダメージ層を除去することを特徴とする請求
項７から１２のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物
半導体基板の製造方法であり、研磨直後のピットやスク
ラッチラインの少ない平坦な表面を維持した状態で、前
記基板の研磨前と同等レベルの結晶性が得られるという
作用を有する。
【００３２】以下、本発明の実施の形態の具体例ついて
図面を用いながら説明する。
図面を用いながら説明する。
【００３３】（実施の形態１）窒化ガリウム系化合物半
導体基板すなわち、ＩｎxＧａyＡｌ1−x−yＮ（０≦ｘ
＜１、０＜ｙ≦１）基板の一例として、ＧａＮ基板（ｘ
＝０、ｙ＝１）の研磨方法を図２および図３に示す。
導体基板すなわち、ＩｎxＧａyＡｌ1−x−yＮ（０≦ｘ
＜１、０＜ｙ≦１）基板の一例として、ＧａＮ基板（ｘ
＝０、ｙ＝１）の研磨方法を図２および図３に示す。
【００３４】図２は本発明の実施の形態で用いる研磨装
置の主要部を表す図で、図３は本発明の実施の形態で用
いる研磨装置の概略図である。図２において、セラミッ
ク製の基板貼り付け盤１の中央には、表面を表にしたＧ
ａＮの基板２がワックスにて均一に貼り付けられてい
る。修正リング３は研磨時に研磨剤をラップ定盤に平均
的にチャージするためのものであり、センターポール式
のおもり４は基板２にかかる荷重を調整するためのもの
である。
置の主要部を表す図で、図３は本発明の実施の形態で用
いる研磨装置の概略図である。図２において、セラミッ
ク製の基板貼り付け盤１の中央には、表面を表にしたＧ
ａＮの基板２がワックスにて均一に貼り付けられてい
る。修正リング３は研磨時に研磨剤をラップ定盤に平均
的にチャージするためのものであり、センターポール式
のおもり４は基板２にかかる荷重を調整するためのもの
である。
【００３５】まず、図３において、ダイヤモンド刃によ
るフェイシング（面出し）によって十分に平坦化された
銅製のラップ定盤５を５０ｒｐｍで回転させ、潤滑油６
を高圧窒素７を用いてノズル８より霧状にして吹き付
け、ラップ定盤５全体を潤滑油６で満遍なく覆ってお
く。
るフェイシング（面出し）によって十分に平坦化された
銅製のラップ定盤５を５０ｒｐｍで回転させ、潤滑油６
を高圧窒素７を用いてノズル８より霧状にして吹き付
け、ラップ定盤５全体を潤滑油６で満遍なく覆ってお
く。
【００３６】次に、回転を止めたラップ定盤５の上に、
基板貼り付け盤１をＧａＮ基板２が下向きになるように
して置き、修正リング３を周りからはめ込む。そして、
基板貼り付け盤１の上に重さ１０ｋｇ（基板２の単位面
積あたりの荷重は４ｋｇ／ｃｍ2）のおもり４を載せ
る。
基板貼り付け盤１をＧａＮ基板２が下向きになるように
して置き、修正リング３を周りからはめ込む。そして、
基板貼り付け盤１の上に重さ１０ｋｇ（基板２の単位面
積あたりの荷重は４ｋｇ／ｃｍ2）のおもり４を載せ
る。
【００３７】ここで、ＧａＮの基板２の単位面積あたり
の荷重は０．１ｋｇ／ｃｍ2〜４０ｋｇ／ｃｍ2の範囲内
にあることが望ましい。前記荷重が０．１ｋｇ／ｃｍ2
よりも小さいと研磨速度が大幅に遅くなり、研磨に長い
時間を要する。また、前記荷重が４０ｋｇ／ｃｍ2より
も大きいと、研磨速度は速くなるが、過度の荷重による
基板２の割れや欠けの原因となるため、好ましくない。
の荷重は０．１ｋｇ／ｃｍ2〜４０ｋｇ／ｃｍ2の範囲内
にあることが望ましい。前記荷重が０．１ｋｇ／ｃｍ2
よりも小さいと研磨速度が大幅に遅くなり、研磨に長い
時間を要する。また、前記荷重が４０ｋｇ／ｃｍ2より
も大きいと、研磨速度は速くなるが、過度の荷重による
基板２の割れや欠けの原因となるため、好ましくない。
【００３８】次に、ラップ定盤５を５０ｒｐｍで回転さ
せると同時に、修正リング３をモーター９により、基板
貼り付け盤１とともに３０ｒｐｍで回転させる。なお、
ラップ定盤５と修正リング３の回転方向は同一（反時計
回り）にしている。
せると同時に、修正リング３をモーター９により、基板
貼り付け盤１とともに３０ｒｐｍで回転させる。なお、
ラップ定盤５と修正リング３の回転方向は同一（反時計
回り）にしている。
【００３９】そして、スティラー（回転体）１０によっ
て十分撹拌された研磨剤となる砥粒１１（灯油中に混合
されたもの）を１ｓｃｃｍの流量でノズル１２より３秒
間ラップ定盤５に霧状にして吹き付け、潤滑油６を１ｓ
ｃｃｍの流量でノズル８より２秒間ラップ定盤５上に霧
状にして吹き付ける。
て十分撹拌された研磨剤となる砥粒１１（灯油中に混合
されたもの）を１ｓｃｃｍの流量でノズル１２より３秒
間ラップ定盤５に霧状にして吹き付け、潤滑油６を１ｓ
ｃｃｍの流量でノズル８より２秒間ラップ定盤５上に霧
状にして吹き付ける。
【００４０】ここで、研磨に用いる研磨剤には、シリカ
やアルミナ等の砥粒が考えられるが、硬度の高いＧａＮ
の基板２の研磨には、より望ましいと思われる多結晶ダ
イヤモンドよりなる砥粒を用いた。
やアルミナ等の砥粒が考えられるが、硬度の高いＧａＮ
の基板２の研磨には、より望ましいと思われる多結晶ダ
イヤモンドよりなる砥粒を用いた。
【００４１】また、砥粒１１および潤滑油６の供給量
は、吹き付け時間と高圧窒素７の吹き付け圧の両方で制
御可能である。
は、吹き付け時間と高圧窒素７の吹き付け圧の両方で制
御可能である。
【００４２】砥粒１１および潤滑油６については吹き付
け後毎に６０秒間のインターバルをとり、その間、修正
リング３によって砥粒１１を平均的にラップ定盤５にな
じませるようにして研磨を行った。
け後毎に６０秒間のインターバルをとり、その間、修正
リング３によって砥粒１１を平均的にラップ定盤５にな
じませるようにして研磨を行った。
【００４３】研磨終了後は、十分に水洗した基板貼り付
け盤１をホットプレートに載せ、１５０℃に加熱して、
基板ワックスを溶かし、基板２を基板貼り付け盤１から
取り外す。取り外した後は、基板２に付着したワックス
をアルコールで十分に洗い流しておく。
け盤１をホットプレートに載せ、１５０℃に加熱して、
基板ワックスを溶かし、基板２を基板貼り付け盤１から
取り外す。取り外した後は、基板２に付着したワックス
をアルコールで十分に洗い流しておく。
【００４４】また、研磨に用いた基板２は、大きさが１
０ｍｍ角〜１５ｍｍ角程度で、凹凸が大きく、最大高低
差（Ｐ−Ｖ）が１μｍ〜１．５μｍのＧａＮ基板を用い
た。ＧａＮ基板は４枚準備し、砥粒の粒径が６μｍ、３
μｍ、１μｍ、０．７５μｍの各場合について３０分間
の研磨を行った。ただし、用いた砥粒の「粒径」は、
「平均粒径」のことを指している。いずれの粒径の砥粒
で研磨したＧａＮ基板も目視では鏡面に近いが、ノマル
スキー微分干渉顕微鏡を用いて詳細に観察したところ、
砥粒の粒径によって表面状態に大きな違いが見られた。
図４は本発明の実施の形態で用いる未研磨および研磨済
みのＧａＮ基板表面を表す図で、図５は本発明の実施の
形態で用いる研磨済みのＧａＮ基板表面を表す図で、図
６は本発明の実施の形態で用いる研磨済みのＧａＮ基板
表面を表す図である。図４〜図６には倍率１００倍にお
ける研磨済みＧａＮ基板の表面写真（図４（Ａ）を除
く）を示す。図４（Ａ）は研磨する前の最初のＧａＮ基
板の表面状態であり、谷１３および山１４からなる大き
な凹凸を示している。
０ｍｍ角〜１５ｍｍ角程度で、凹凸が大きく、最大高低
差（Ｐ−Ｖ）が１μｍ〜１．５μｍのＧａＮ基板を用い
た。ＧａＮ基板は４枚準備し、砥粒の粒径が６μｍ、３
μｍ、１μｍ、０．７５μｍの各場合について３０分間
の研磨を行った。ただし、用いた砥粒の「粒径」は、
「平均粒径」のことを指している。いずれの粒径の砥粒
で研磨したＧａＮ基板も目視では鏡面に近いが、ノマル
スキー微分干渉顕微鏡を用いて詳細に観察したところ、
砥粒の粒径によって表面状態に大きな違いが見られた。
図４は本発明の実施の形態で用いる未研磨および研磨済
みのＧａＮ基板表面を表す図で、図５は本発明の実施の
形態で用いる研磨済みのＧａＮ基板表面を表す図で、図
６は本発明の実施の形態で用いる研磨済みのＧａＮ基板
表面を表す図である。図４〜図６には倍率１００倍にお
ける研磨済みＧａＮ基板の表面写真（図４（Ａ）を除
く）を示す。図４（Ａ）は研磨する前の最初のＧａＮ基
板の表面状態であり、谷１３および山１４からなる大き
な凹凸を示している。
【００４５】まず、粒径６μｍの研磨表面（図４
（Ｂ））および粒径３μｍの研磨表面（図４（Ｃ））で
は、研磨前の表面（図４（Ａ））のような大きな山状の
凹凸が消滅し、細かいえぐれ（以下「ピット１５」と称
する。）及びスクラッチライン１６が発生している。
（Ｂ））および粒径３μｍの研磨表面（図４（Ｃ））で
は、研磨前の表面（図４（Ａ））のような大きな山状の
凹凸が消滅し、細かいえぐれ（以下「ピット１５」と称
する。）及びスクラッチライン１６が発生している。
【００４６】次に、粒径１μｍの研磨表面（図４
（Ｄ））では未だ山状の起伏の跡１７が少し残っている
が、細かいピット１５が大幅に低減され、表面のバック
グラウンドの平坦性は大きく向上している。
（Ｄ））では未だ山状の起伏の跡１７が少し残っている
が、細かいピット１５が大幅に低減され、表面のバック
グラウンドの平坦性は大きく向上している。
【００４７】さらに、図４（Ｅ）に示すように粒径０．
７５μｍの研磨表面では、バックグラウンドの平坦性は
大きく向上しているものの、粒径１μｍの研磨表面に比
較して山状の起伏の跡１７がさらに顕著に残っている。
７５μｍの研磨表面では、バックグラウンドの平坦性は
大きく向上しているものの、粒径１μｍの研磨表面に比
較して山状の起伏の跡１７がさらに顕著に残っている。
【００４８】次に、粒径３μｍの砥粒で研磨した基板
（研磨表面は図４（Ｃ）と同等）を３枚準備し、粒径が
３μｍ、１μｍ、０．７５μｍのそれぞれについて６０
分の研磨を行った。
（研磨表面は図４（Ｃ）と同等）を３枚準備し、粒径が
３μｍ、１μｍ、０．７５μｍのそれぞれについて６０
分の研磨を行った。
【００４９】その結果、再度粒径３μｍの砥粒で研磨し
た基板は、図５（Ａ）に示すように細かいピット１５の
密度が少し低減した程度であったが、粒径１μｍと粒径
０．７５μｍの研磨により基板は共に図５（Ｂ）の表面
状態となり、スクラッチライン１６はあるものの、表面
のバックグラウンドの細かいピット１５が激減し、表面
平坦性が大きく改善された。
た基板は、図５（Ａ）に示すように細かいピット１５の
密度が少し低減した程度であったが、粒径１μｍと粒径
０．７５μｍの研磨により基板は共に図５（Ｂ）の表面
状態となり、スクラッチライン１６はあるものの、表面
のバックグラウンドの細かいピット１５が激減し、表面
平坦性が大きく改善された。
【００５０】また、バックグラウンドの凹凸が少し残っ
た粒径１μｍの砥粒で研磨した基板（研磨表面は図４
（Ｄ）と同等）を粒径１μｍあるいは粒径０．７５μｍ
の砥粒で６０分間研磨しても図５（Ｂ）と同等レベルの
表面が得られた。
た粒径１μｍの砥粒で研磨した基板（研磨表面は図４
（Ｄ）と同等）を粒径１μｍあるいは粒径０．７５μｍ
の砥粒で６０分間研磨しても図５（Ｂ）と同等レベルの
表面が得られた。
【００５１】逆に、粒径１μｍの砥粒で研磨した基板を
粒径３μｍの砥粒で６０分研磨した場合、図５（Ａ）に
近い表面状態となり、新たに細かいピット１５が発生し
た。
粒径３μｍの砥粒で６０分研磨した場合、図５（Ａ）に
近い表面状態となり、新たに細かいピット１５が発生し
た。
【００５２】以上の結果より、ＧａＮ基板を粒径が１μ
ｍ以上の砥粒で研磨することにより、短い研磨時間（３
０分）で表面のバックグラウンドを平坦化することがで
きた。
ｍ以上の砥粒で研磨することにより、短い研磨時間（３
０分）で表面のバックグラウンドを平坦化することがで
きた。
【００５３】さらに、前記方法で表面のバックグラウン
ドの大きな凹凸が平坦化されたＧａＮ基板（図４
（Ｂ）、図４（Ｃ）に相当）またはバックグラウンドの
大きな凹凸の大半が平坦化されたＧａＮ基板（図４
（Ｄ）に相当）を粒径が１μｍ以下の砥粒で研磨するこ
とにより、細かいピット１５まで平坦化し、ＧａＮ基板
の表面平坦性が大きく向上した。
ドの大きな凹凸が平坦化されたＧａＮ基板（図４
（Ｂ）、図４（Ｃ）に相当）またはバックグラウンドの
大きな凹凸の大半が平坦化されたＧａＮ基板（図４
（Ｄ）に相当）を粒径が１μｍ以下の砥粒で研磨するこ
とにより、細かいピット１５まで平坦化し、ＧａＮ基板
の表面平坦性が大きく向上した。
【００５４】また、上述のように、図４（Ａ）に示す未
研磨ＧａＮ基板を、粒径が１μｍの砥粒で最初から９０
分間研磨（上述では３０分間研磨後、再度６０分間研
磨）しても、図５（Ｂ）のようなピット１５の激減した
平坦性のよい表面が得られたが、砥粒の粒径を最初から
０．７５μｍにして研磨することにより、図５（Ｃ）に
示すように、細かいピット１５がさらに低減した。
研磨ＧａＮ基板を、粒径が１μｍの砥粒で最初から９０
分間研磨（上述では３０分間研磨後、再度６０分間研
磨）しても、図５（Ｂ）のようなピット１５の激減した
平坦性のよい表面が得られたが、砥粒の粒径を最初から
０．７５μｍにして研磨することにより、図５（Ｃ）に
示すように、細かいピット１５がさらに低減した。
【００５５】従って、最初から粒径が１μｍよりも小さ
い砥粒を用いて研磨した場合、表面のバックグラウンド
の凹凸が大きければ、表面平坦化に長い時間を要する
が、表面のバックグラウンドの凹凸の状態にかかわらず
研磨時に発生する細かいピット１５を最初の研磨段階か
ら抑制することができるため、ピット１５が大幅に低減
され、ＧａＮ基板の表面平坦性がさらに向上する。
い砥粒を用いて研磨した場合、表面のバックグラウンド
の凹凸が大きければ、表面平坦化に長い時間を要する
が、表面のバックグラウンドの凹凸の状態にかかわらず
研磨時に発生する細かいピット１５を最初の研磨段階か
ら抑制することができるため、ピット１５が大幅に低減
され、ＧａＮ基板の表面平坦性がさらに向上する。
【００５６】次に、最初から同一粒径の砥粒で研磨する
場合では、図４（Ａ）から図４（Ｅ）までの表面状態の
ＧａＮ基板を各１枚（計５枚）準備し、さらに小さい粒
径の０．５μｍおよび０．１μｍの砥粒で９０分間以上
研磨したところ、粒径０．５μｍの研磨表面（図６
（Ａ））および粒径０．１μｍの研磨表面（図６
（Ｂ））に示すようにスクラッチライン１６の密度がさ
らに低減でき、スクラッチライン１６の深さも浅くなっ
ていることが確認できた。
場合では、図４（Ａ）から図４（Ｅ）までの表面状態の
ＧａＮ基板を各１枚（計５枚）準備し、さらに小さい粒
径の０．５μｍおよび０．１μｍの砥粒で９０分間以上
研磨したところ、粒径０．５μｍの研磨表面（図６
（Ａ））および粒径０．１μｍの研磨表面（図６
（Ｂ））に示すようにスクラッチライン１６の密度がさ
らに低減でき、スクラッチライン１６の深さも浅くなっ
ていることが確認できた。
【００５７】また、粒径が０．１μｍよりも小さい砥粒
については、粒径が０．０５μｍと０．０１μｍのコロ
イダルシリカを含むアルカリ性水溶液を用いて、メカノ
クロス（ポリシングクロス）上でポリッシュを実施（メ
カノクロスの回転速度は５０ｒｐｍ、基板の単位面積あ
たりの荷重は４ｋｇ／ｃｍ2、アルカリ性水溶液の流量
は０．１ｃｃ／秒）したところ、同様にスクラッチライ
ン密度の低い研磨表面（図６（Ｃ））が得られた。
については、粒径が０．０５μｍと０．０１μｍのコロ
イダルシリカを含むアルカリ性水溶液を用いて、メカノ
クロス（ポリシングクロス）上でポリッシュを実施（メ
カノクロスの回転速度は５０ｒｐｍ、基板の単位面積あ
たりの荷重は４ｋｇ／ｃｍ2、アルカリ性水溶液の流量
は０．１ｃｃ／秒）したところ、同様にスクラッチライ
ン密度の低い研磨表面（図６（Ｃ））が得られた。
【００５８】前述のように細かいピットは１μｍ〜０．
７５μｍの砥粒でも平坦化できるが、スクラッチライン
密度をより低減し、バックグラウンドの平坦性をより高
めるためには、粒径０．５μｍが以下の砥粒を用いるこ
とが望ましい。また、粒径が０．０１μｍより小さい砥
粒で研磨した場合は、粒径が０．０１μｍの砥粒で研磨
した場合と同等以下の表面状態となり、表面状態の改善
効果は得られなかった。
７５μｍの砥粒でも平坦化できるが、スクラッチライン
密度をより低減し、バックグラウンドの平坦性をより高
めるためには、粒径０．５μｍが以下の砥粒を用いるこ
とが望ましい。また、粒径が０．０１μｍより小さい砥
粒で研磨した場合は、粒径が０．０１μｍの砥粒で研磨
した場合と同等以下の表面状態となり、表面状態の改善
効果は得られなかった。
【００５９】ここで、図６（Ｂ）の研磨表面をもつＧａ
Ｎ基板の表面状態をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって
評価したので、その結果を（表１）に示す。また、用い
たＧａＮ基板は１５ｍｍ角、膜厚９５μｍ（５μｍ研
磨）であり、ＧａＮ基板の中央および端から５ｍｍのポ
イントを２０μｍの範囲でスキャンさせた。
Ｎ基板の表面状態をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって
評価したので、その結果を（表１）に示す。また、用い
たＧａＮ基板は１５ｍｍ角、膜厚９５μｍ（５μｍ研
磨）であり、ＧａＮ基板の中央および端から５ｍｍのポ
イントを２０μｍの範囲でスキャンさせた。
【００６０】
【表１】
【００６１】評価の結果、ＧａＮ基板表面のスクラッチ
ラインの大半は深さが５０Å以下であり、深さが２０Å
以上のスクラッチラインの線密度は約１０5本／ｃｍ以
下であった。また、深さが５０Å以上のスクラッチライ
ンの線密度は約１０4本／ｃｍ以下であった。
ラインの大半は深さが５０Å以下であり、深さが２０Å
以上のスクラッチラインの線密度は約１０5本／ｃｍ以
下であった。また、深さが５０Å以上のスクラッチライ
ンの線密度は約１０4本／ｃｍ以下であった。
【００６２】一方、ピットの深さはスクラッチラインよ
りも深く、深さが５００Å以上のピット密度は１０5個
／ｃｍ2以下であった。また、深さが１０００Å以上の
ピット密度は１０4個／ｃｍ2以下であった。
りも深く、深さが５００Å以上のピット密度は１０5個
／ｃｍ2以下であった。また、深さが１０００Å以上の
ピット密度は１０4個／ｃｍ2以下であった。
【００６３】さらに、ＧａＮ基板面内のＰ−Ｖ値につい
ては、ピットを除けば研磨前の２桁以上も低い値であ
り、表面平坦性が大幅に向上していることが明らかであ
る。
ては、ピットを除けば研磨前の２桁以上も低い値であ
り、表面平坦性が大幅に向上していることが明らかであ
る。
【００６４】（実施の形態２）次に、最初のＧａＮ基板
の表面の凹凸状態にかかわらず、より短時間で平坦性の
すぐれた表面を得るためには、表面のバックグラウンド
の大きな凹凸を平坦化するまでは、研磨速度はなるべく
速い方が望ましい。平坦化が進むに従って研磨速度を徐
々に遅くした方が、より短時間の研磨で表面平坦性のす
ぐれたＧａＮ基板を得ることができる。この時、研磨速
度は砥粒の粒径を小さくすれば遅くすることができる。
また、前述のように研磨時のおもり４の荷重を調整する
ことでも研磨速度を調整することができ、おもり４の荷
重を減らせば研磨速度は遅くなる。しかしながら、これ
らの方法では研磨速度を徐々に変えることは困難であ
る。
の表面の凹凸状態にかかわらず、より短時間で平坦性の
すぐれた表面を得るためには、表面のバックグラウンド
の大きな凹凸を平坦化するまでは、研磨速度はなるべく
速い方が望ましい。平坦化が進むに従って研磨速度を徐
々に遅くした方が、より短時間の研磨で表面平坦性のす
ぐれたＧａＮ基板を得ることができる。この時、研磨速
度は砥粒の粒径を小さくすれば遅くすることができる。
また、前述のように研磨時のおもり４の荷重を調整する
ことでも研磨速度を調整することができ、おもり４の荷
重を減らせば研磨速度は遅くなる。しかしながら、これ
らの方法では研磨速度を徐々に変えることは困難であ
る。
【００６５】そこで、砥粒１１や潤滑油６の供給量を徐
々に変化させる方法を用いれば、研磨速度を徐々に変化
させることができる。また、砥粒１１や潤滑油６の供給
量（吹き付け量）を一定にして、砥粒１１や潤滑油６の
吹き付けインターバルの時間を徐々に変化させる方法も
同様の効果を得ることができる。
々に変化させる方法を用いれば、研磨速度を徐々に変化
させることができる。また、砥粒１１や潤滑油６の供給
量（吹き付け量）を一定にして、砥粒１１や潤滑油６の
吹き付けインターバルの時間を徐々に変化させる方法も
同様の効果を得ることができる。
【００６６】まず、表面のバックグラウンドの凹凸の大
きいＧａＮ基板（図４（Ａ）と同等レベルの表面をもつ
未研磨基板）を２枚準備した。そして、粒径が０．５μ
ｍの砥粒を用い、砥粒の供給量を変えて、最初からの研
磨速度がそれぞれ１２μｍ／ｈ、３μｍ／ｈとなるよう
に研磨したところ、前者は１８０分間研磨したにもかか
わらず、表面状態は図５（Ｂ）のレベルにとどまった。
ところが、後者は１２０分間の研磨後には、図６（Ａ）
レベルの平坦性が得られた。これは、前者が研磨の途中
段階（約６０分経過）では、スクラッチラインが低減さ
れていないことより、研磨速度が速すぎると、バックグ
ラウンドが平坦化された後も細かいピットは低減される
が、スクラッチラインが研磨時に再発しやすくなるため
に、このまま研磨し続けても図６（Ａ）レベルの平坦性
は得られないと考えられる。
きいＧａＮ基板（図４（Ａ）と同等レベルの表面をもつ
未研磨基板）を２枚準備した。そして、粒径が０．５μ
ｍの砥粒を用い、砥粒の供給量を変えて、最初からの研
磨速度がそれぞれ１２μｍ／ｈ、３μｍ／ｈとなるよう
に研磨したところ、前者は１８０分間研磨したにもかか
わらず、表面状態は図５（Ｂ）のレベルにとどまった。
ところが、後者は１２０分間の研磨後には、図６（Ａ）
レベルの平坦性が得られた。これは、前者が研磨の途中
段階（約６０分経過）では、スクラッチラインが低減さ
れていないことより、研磨速度が速すぎると、バックグ
ラウンドが平坦化された後も細かいピットは低減される
が、スクラッチラインが研磨時に再発しやすくなるため
に、このまま研磨し続けても図６（Ａ）レベルの平坦性
は得られないと考えられる。
【００６７】また、粒径が１μｍ以上の砥粒で研磨速度
を３μｍ／ｈに低減した場合については、研磨の途中段
階でピットやスクラッチラインが多発するため、このま
ま研磨を継続しても、表面のバックグラウンドのピット
が激減しない（図５（Ａ）レベル）ことは確認してい
る。
を３μｍ／ｈに低減した場合については、研磨の途中段
階でピットやスクラッチラインが多発するため、このま
ま研磨を継続しても、表面のバックグラウンドのピット
が激減しない（図５（Ａ）レベル）ことは確認してい
る。
【００６８】以上の結果をもとに、砥粒１１の供給量を
徐々に減らし、研磨速度を１２μｍ／ｈから３μｍ／ｈ
に６０分間かけて徐々に変化させて前記の未研磨基板の
研磨を行った結果、図１（Ａ）に示すように９０分間で
図６（Ｂ）レベルの平坦な表面を得ることができた。
徐々に減らし、研磨速度を１２μｍ／ｈから３μｍ／ｈ
に６０分間かけて徐々に変化させて前記の未研磨基板の
研磨を行った結果、図１（Ａ）に示すように９０分間で
図６（Ｂ）レベルの平坦な表面を得ることができた。
【００６９】ここで、さらなる研磨時間短縮のために
は、図１（Ｂ）（この場合は約１０分間の研磨時間短
縮）に示すように、表面のバックグラウンドレベルの大
きな凹凸が、ある程度平坦化されるまで（この場合は研
磨開始後３０分間）は一定の速い研磨速度で研磨した方
がよいことがわかる。
は、図１（Ｂ）（この場合は約１０分間の研磨時間短
縮）に示すように、表面のバックグラウンドレベルの大
きな凹凸が、ある程度平坦化されるまで（この場合は研
磨開始後３０分間）は一定の速い研磨速度で研磨した方
がよいことがわかる。
【００７０】また、より短時間で平坦性のすぐれた表面
を得るためには、表面のバックグラウンドレベルの大き
な凹凸の深さをあらかじめ測定しておき、凹凸の深さが
深い場合（例えば図４（Ａ）レベル）は、最初の研磨速
度を速くし、凹凸の深さが浅い場合（例えば図４（Ｂ）
レベル）は、最初の研磨速度も低めにすることが望まし
い。
を得るためには、表面のバックグラウンドレベルの大き
な凹凸の深さをあらかじめ測定しておき、凹凸の深さが
深い場合（例えば図４（Ａ）レベル）は、最初の研磨速
度を速くし、凹凸の深さが浅い場合（例えば図４（Ｂ）
レベル）は、最初の研磨速度も低めにすることが望まし
い。
【００７１】一方、研磨速度を徐々に遅くする方法とし
て、砥粒の流量を一定にして、潤滑油を徐々に増やして
いく方法でも全く同様の効果を得ることができた。
て、砥粒の流量を一定にして、潤滑油を徐々に増やして
いく方法でも全く同様の効果を得ることができた。
【００７２】以上の結果より、表面の凹凸の大きさにか
かわらず、ＧａＮ基板を研磨する場合、研磨速度を時間
の経過とともに遅くすることにより、より短い研磨時間
で平坦性のすぐれた表面が得られることがわかった。
かわらず、ＧａＮ基板を研磨する場合、研磨速度を時間
の経過とともに遅くすることにより、より短い研磨時間
で平坦性のすぐれた表面が得られることがわかった。
【００７３】次に、研磨速度を徐々に遅くする研磨方法
において、初期の研磨速度を変えてみた。
において、初期の研磨速度を変えてみた。
【００７４】前記の未研磨基板を４枚準備し、粒径０．
５μｍの砥粒を用い、砥粒の供給量を変えて初期の研磨
速度を前記４枚のＧａＮ基板について各々１２μｍ／
ｈ、６μｍ／ｈ、３μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした。そし
て、それぞれの初期の研磨速度を６０分かけて１μｍ／
ｈまで下げ、各基板の細かいピットがほとんど見られな
くなるまで研磨を行った。
５μｍの砥粒を用い、砥粒の供給量を変えて初期の研磨
速度を前記４枚のＧａＮ基板について各々１２μｍ／
ｈ、６μｍ／ｈ、３μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした。そし
て、それぞれの初期の研磨速度を６０分かけて１μｍ／
ｈまで下げ、各基板の細かいピットがほとんど見られな
くなるまで研磨を行った。
【００７５】その結果、最終的に図６（Ｂ）のレベルま
で平坦化されるまでの研磨深さは、初期の研磨速度が速
いものから順に１２μｍ、８μｍ、３μｍ、２．５μｍ
となった。これは、初期の研磨速度が１μｍ／ｈだと、
深さが２．５μｍの研磨だけで平坦性のすぐれた表面が
得られることを示している。従って、この研磨に用いた
ＧａＮ基板表面のバックグラウンドの凹凸はＰ−Ｖ値が
非常に大きな値（１．５μｍ）であるが、初期のＧａＮ
基板の研磨速度が３μｍ／ｈ以下でも、非常に少ない研
磨量で平坦性のすぐれた表面を得ることができることが
わかった。現実問題として、研磨前のＧａＮ基板表面の
バックグラウンドの凹凸は、大きくても２μｍ以下であ
るため、研磨速度は３μｍ／ｈ以下であることがより望
ましいと考えられる。
で平坦化されるまでの研磨深さは、初期の研磨速度が速
いものから順に１２μｍ、８μｍ、３μｍ、２．５μｍ
となった。これは、初期の研磨速度が１μｍ／ｈだと、
深さが２．５μｍの研磨だけで平坦性のすぐれた表面が
得られることを示している。従って、この研磨に用いた
ＧａＮ基板表面のバックグラウンドの凹凸はＰ−Ｖ値が
非常に大きな値（１．５μｍ）であるが、初期のＧａＮ
基板の研磨速度が３μｍ／ｈ以下でも、非常に少ない研
磨量で平坦性のすぐれた表面を得ることができることが
わかった。現実問題として、研磨前のＧａＮ基板表面の
バックグラウンドの凹凸は、大きくても２μｍ以下であ
るため、研磨速度は３μｍ／ｈ以下であることがより望
ましいと考えられる。
【００７６】（実施の形態３）次に、基板上に気相成長
法を用いて厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体を成長し
た基板を研磨してどうなるかを調べた。例として、基板
をサファイアとし、気相成長法にはＨＶＰＥ法を用い、
窒化ガリウム系化合物半導体をＧａＮとした。サファイ
ア基板上に約５０μｍ積層したＧａＮの表面は、目視レ
ベルでは鏡面であるが、ノマルスキー微分干渉顕微鏡の
観察によれば、凹凸が大きいものとなっている。そこ
で、前記基板を０．５μｍの粒径よりなる砥粒を用い
て、２μｍ／ｈの研磨速度で約６μｍの研磨を実施し
た。その結果、ＧａＮ基板の研磨と同様に良好な平坦性
を有する表面を得ることができた。
法を用いて厚膜の窒化ガリウム系化合物半導体を成長し
た基板を研磨してどうなるかを調べた。例として、基板
をサファイアとし、気相成長法にはＨＶＰＥ法を用い、
窒化ガリウム系化合物半導体をＧａＮとした。サファイ
ア基板上に約５０μｍ積層したＧａＮの表面は、目視レ
ベルでは鏡面であるが、ノマルスキー微分干渉顕微鏡の
観察によれば、凹凸が大きいものとなっている。そこ
で、前記基板を０．５μｍの粒径よりなる砥粒を用い
て、２μｍ／ｈの研磨速度で約６μｍの研磨を実施し
た。その結果、ＧａＮ基板の研磨と同様に良好な平坦性
を有する表面を得ることができた。
【００７７】今回は、ＧａＮを成長するための基板をサ
ファイアとしたが、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ等を基板
に用いてもよい。また、前記基板上にＳｉＯ2よりなる
窓やストライプを設けたものを基板としてもよい。
ファイアとしたが、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ等を基板
に用いてもよい。また、前記基板上にＳｉＯ2よりなる
窓やストライプを設けたものを基板としてもよい。
【００７８】（実施の形態４）研磨によって平坦化され
たＧａＮ基板は、研磨時に物理的なダメージを受けてい
るため、ＧａＮ基板表面には少なくとも結晶性の悪化し
たダメージ層が残る。従って、研磨によって平坦化され
たＧａＮ基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体
薄膜を作製するためには、ダメージ層の除去が必要とな
る。
たＧａＮ基板は、研磨時に物理的なダメージを受けてい
るため、ＧａＮ基板表面には少なくとも結晶性の悪化し
たダメージ層が残る。従って、研磨によって平坦化され
たＧａＮ基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体
薄膜を作製するためには、ダメージ層の除去が必要とな
る。
【００７９】ダメージ層の除去は化学的に行うことが望
ましいが、ケミカルエッチングでは基板表面に多くのエ
ッチピットを形成するので、今回はＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング装置）を用いたエッチングを実施した。
ましいが、ケミカルエッチングでは基板表面に多くのエ
ッチピットを形成するので、今回はＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング装置）を用いたエッチングを実施した。
【００８０】まず、チャンバーにセットしたＧａＮ基板
をプロセスガスとして塩素ガスを１０ｓｃｃｍ流し、高
周波パワーを４００Ｗ、バイアスパワーを５０Ｗ、基板
温度を５０℃でエッチングを行った。図６（Ｂ）レベル
のＧａＮ基板を用いて、エッチング深さ１μｍまでエッ
チングしたところ、研磨直後のピットの少ない平坦な表
面を維持した状態で、前記基板の研磨前と同等レベルの
結晶性が得られることを確認した。
をプロセスガスとして塩素ガスを１０ｓｃｃｍ流し、高
周波パワーを４００Ｗ、バイアスパワーを５０Ｗ、基板
温度を５０℃でエッチングを行った。図６（Ｂ）レベル
のＧａＮ基板を用いて、エッチング深さ１μｍまでエッ
チングしたところ、研磨直後のピットの少ない平坦な表
面を維持した状態で、前記基板の研磨前と同等レベルの
結晶性が得られることを確認した。
【００８１】ここで、ＲＩＥのエッチングレートは３０
０ｎｍ／分以下に下げることが望ましく、３００ｎｍ／
分よりも大きい場合は、エッチング表面に多くのピット
が発生する。
０ｎｍ／分以下に下げることが望ましく、３００ｎｍ／
分よりも大きい場合は、エッチング表面に多くのピット
が発生する。
【００８２】結晶性については、２結晶Ｘ線強度の半値
幅を測定した結果、研磨前のＧａＮ基板と、研磨後にＲ
ＩＥでエッチングしたＧａＮ基板とではほとんど同等
（前者４３０秒、後者４４０秒）であった。表面平坦性
については、段差計およびＡＦＭを用いてＧａＮ基板面
内におけるスクラッチラインの線密度、ピット密度の平
均値および最大値を測定した結果、前者後者共に（表
１）に示す値と同等レベルであることがわかった。
幅を測定した結果、研磨前のＧａＮ基板と、研磨後にＲ
ＩＥでエッチングしたＧａＮ基板とではほとんど同等
（前者４３０秒、後者４４０秒）であった。表面平坦性
については、段差計およびＡＦＭを用いてＧａＮ基板面
内におけるスクラッチラインの線密度、ピット密度の平
均値および最大値を測定した結果、前者後者共に（表
１）に示す値と同等レベルであることがわかった。
【００８３】以上の結果より、研磨後にＲＩＥでエッチ
ングしたＧａＮ基板の結晶性は、研磨前のＧａＮ基板と
ほぼ同等であり、研磨後の優れた表面平坦性について
も、ＲＩＥ後も維持されていると判断できる。
ングしたＧａＮ基板の結晶性は、研磨前のＧａＮ基板と
ほぼ同等であり、研磨後の優れた表面平坦性について
も、ＲＩＥ後も維持されていると判断できる。
【００８４】次に、研磨後に上述のようにＲＩＥでエッ
チングしたＧａＮ基板と、研磨後にＲＩＥでエッチング
しなかったＧａＮ基板を準備し、各々のＧａＮ基板上に
有機金属気相成長法を用いてＧａＮエピタキシャル膜を
約２μｍ積層した。その結果、エッチングしなかったＧ
ａＮ基板上のエピタキシャル膜表面は白濁し凹凸の非常
に大きい表面であったのに対し、エッチングしたＧａＮ
基板上のエピタキシャル膜表面は鏡面で、かつエピタキ
シャル膜成長前に見られたスクラッチラインやピットが
エピタキシャル膜成長後には約１桁以上低減された。特
に、スクラッチラインの低減を含めたエピタキシャル膜
表面平坦性の改善に関しては、エピタキシャル膜成長直
前の熱処理が有効であり、その成長方法の一例を示す。
チングしたＧａＮ基板と、研磨後にＲＩＥでエッチング
しなかったＧａＮ基板を準備し、各々のＧａＮ基板上に
有機金属気相成長法を用いてＧａＮエピタキシャル膜を
約２μｍ積層した。その結果、エッチングしなかったＧ
ａＮ基板上のエピタキシャル膜表面は白濁し凹凸の非常
に大きい表面であったのに対し、エッチングしたＧａＮ
基板上のエピタキシャル膜表面は鏡面で、かつエピタキ
シャル膜成長前に見られたスクラッチラインやピットが
エピタキシャル膜成長後には約１桁以上低減された。特
に、スクラッチラインの低減を含めたエピタキシャル膜
表面平坦性の改善に関しては、エピタキシャル膜成長直
前の熱処理が有効であり、その成長方法の一例を示す。
【００８５】まず、研磨後にＲＩＥでエッチングしたＧ
ａＮ基板を有機洗浄（望ましくは有機洗浄後にフッ酸洗
浄）し、ＧａＮ基板上の塩化物や有機物等を除去した。
ａＮ基板を有機洗浄（望ましくは有機洗浄後にフッ酸洗
浄）し、ＧａＮ基板上の塩化物や有機物等を除去した。
【００８６】その後、洗浄済みのＧａＮ基板を有機金属
気相成長装置内にセットし、ＧａＮ基板表面の窒素抜け
防止のため、アンモニアを１ｓｌｍの流量で流しなが
ら、１０００℃まで昇温した。昇温後は、水素を１０％
〜９０％、アンモニアを０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍの流量
で１分〜５分間保持（熱処理）し、その後、ＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）を２０ｓｃｃｍ、アンモニアを２ｓ
ｌｍ流しながら、ＧａＮエピタキシャル膜を６０分間
（膜厚２μｍ）成長した。
気相成長装置内にセットし、ＧａＮ基板表面の窒素抜け
防止のため、アンモニアを１ｓｌｍの流量で流しなが
ら、１０００℃まで昇温した。昇温後は、水素を１０％
〜９０％、アンモニアを０．５ｓｌｍ〜５ｓｌｍの流量
で１分〜５分間保持（熱処理）し、その後、ＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）を２０ｓｃｃｍ、アンモニアを２ｓ
ｌｍ流しながら、ＧａＮエピタキシャル膜を６０分間
（膜厚２μｍ）成長した。
【００８７】以上のような熱処理を実施したＧａＮエピ
タキシャル膜では、熱処理をしなかったＧａＮエピタキ
シャル膜に比較して、スクラッチ密度が低減し、表面平
坦性がさらに向上した。ここで、熱処理条件について
は、水素が１０％以下では表面状態の改善はなく、水素
９０％以上ではＧａＮエピタキシャル膜表面のバックグ
ラウンドの凹凸が大きくなった。また、アンモニアは
０．５ｓｌｍ以下だとエピタキシャル膜表面の窒素抜け
が発生し、アンモニアが５ｓｌｍ以上では、平坦性の改
善効果は飽和の傾向が見られた。さらには、熱処理時間
が１分以内だと熱処理なしと同等レベルの平坦性であ
り、熱処理時間が５分以上だと、表面のバックグラウン
ドの凹凸が大きくなることがわかっている。
タキシャル膜では、熱処理をしなかったＧａＮエピタキ
シャル膜に比較して、スクラッチ密度が低減し、表面平
坦性がさらに向上した。ここで、熱処理条件について
は、水素が１０％以下では表面状態の改善はなく、水素
９０％以上ではＧａＮエピタキシャル膜表面のバックグ
ラウンドの凹凸が大きくなった。また、アンモニアは
０．５ｓｌｍ以下だとエピタキシャル膜表面の窒素抜け
が発生し、アンモニアが５ｓｌｍ以上では、平坦性の改
善効果は飽和の傾向が見られた。さらには、熱処理時間
が１分以内だと熱処理なしと同等レベルの平坦性であ
り、熱処理時間が５分以上だと、表面のバックグラウン
ドの凹凸が大きくなることがわかっている。
【００８８】このように、研磨後にＲＩＥでエッチング
したＧａＮ基板等の窒化ガリウム系化合物半導体基板に
熱処理を加え、その上にＧａＮエピタキシャル膜を成長
したものを基板として用い、窒化ガリウム系化合物半導
体よりなるデバイスを作製すれば、従来よりも結晶性お
よび平坦性が向上し、歩留まりやデバイス特性を向上さ
せることができる。
したＧａＮ基板等の窒化ガリウム系化合物半導体基板に
熱処理を加え、その上にＧａＮエピタキシャル膜を成長
したものを基板として用い、窒化ガリウム系化合物半導
体よりなるデバイスを作製すれば、従来よりも結晶性お
よび平坦性が向上し、歩留まりやデバイス特性を向上さ
せることができる。
【００８９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、凹凸の
大きい窒化ガリウム系化合物半導体よりなる基板を、粒
径が非常に小さい砥粒を用いて研磨速度を徐々に遅くし
ながら研磨することにより、短時間かつ少ない研磨量
で、表面平坦性が従来よりも大幅に向上した窒化ガリウ
ム系化合物半導体よりなる基板を得ることができる。ま
た、前記基板の研磨後にＲＩＥで低いエッチングレート
によってエッチングして表面ダメージ層を除去すること
により、研磨直後のピットやスクラッチラインの少ない
平坦な表面を維持した状態で、前記基板の研磨前と同等
レベルの結晶性を得ることができる。さらに、ＲＩＥで
エッチング後の前記基板に熱処理を加え、その上にＧａ
Ｎエピタキシャル膜を成長することによって得られた基
板上に結晶性および平坦性の優れた窒化ガリウム系化合
物半導体薄膜を成長させることができる。
大きい窒化ガリウム系化合物半導体よりなる基板を、粒
径が非常に小さい砥粒を用いて研磨速度を徐々に遅くし
ながら研磨することにより、短時間かつ少ない研磨量
で、表面平坦性が従来よりも大幅に向上した窒化ガリウ
ム系化合物半導体よりなる基板を得ることができる。ま
た、前記基板の研磨後にＲＩＥで低いエッチングレート
によってエッチングして表面ダメージ層を除去すること
により、研磨直後のピットやスクラッチラインの少ない
平坦な表面を維持した状態で、前記基板の研磨前と同等
レベルの結晶性を得ることができる。さらに、ＲＩＥで
エッチング後の前記基板に熱処理を加え、その上にＧａ
Ｎエピタキシャル膜を成長することによって得られた基
板上に結晶性および平坦性の優れた窒化ガリウム系化合
物半導体薄膜を成長させることができる。
【図１】本発明の実施の形態で用いる研磨方法を示す図
【図２】本発明の実施の形態で用いる研磨装置の主要部
を表す図
を表す図
【図３】本発明の実施の形態で用いる研磨装置の概略図
【図４】本発明の実施の形態で用いる未研磨および研磨
済みのＧａＮ基板表面を表す図
済みのＧａＮ基板表面を表す図
【図５】本発明の実施の形態で用いる研磨済みのＧａＮ
基板表面を表す図
基板表面を表す図
【図６】本発明の実施の形態で用いる研磨済みのＧａＮ
基板表面を表す図
基板表面を表す図
１ 基板貼り付け盤 ２ 基板 ３ 修正リング ４ おもり ５ ラップ定盤 ６ 潤滑油 ７ 高圧窒素 ８ ノズル ９ モーター １０ スティラー １１ 砥粒 １２ ノズル １３ 谷 １４ 山 １５ ピット １６ スクラッチライン １７ 山状の起伏の跡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｃ 33/00 33/00 Ｃ Ｈ０１Ｓ 5/323 Ｈ０１Ｓ 5/323 (72)発明者 品川 修一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 BA02 BA04 BA09 CB01 CB02 CB10 DA02 DA12 DA17 4G077 AA03 BE15 DB01 FG02 FG12 5F041 AA40 CA40 CA46 CA64 CA74 CA77 5F073 CA02 DA05 DA25 DA35
Claims (13)
- 【請求項１】表面が平滑に研磨された窒化ガリウム系化
合物半導体基板であって、その表面の深さが２０Å以上
のスクラッチラインの線密度が１０5本／ｃｍ以下であ
ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。 - 【請求項２】表面が平滑に研磨された窒化ガリウム系化
合物半導体基板であって、その表面の深さが５０Å以上
のスクラッチラインの線密度が１０4本／ｃｍ以下であ
ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。 - 【請求項３】表面の深さが５００Å以上のピット密度が
１０5個／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板。 - 【請求項４】表面の深さが１０００Å以上のピット密度
が１０4個／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項１
または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板。 - 【請求項５】基板上に気相成長法を用いて厚膜の窒化ガ
リウム系化合物半導体層を成長して形成されたものであ
る請求項１から４のいずれかに記載の窒化ガリウム系化
合物半導体基板。 - 【請求項６】研磨後に、さらに表面が反応性イオンエッ
チング装置によりエッチングされていることを特徴とす
る請求項１から５のいずれかに記載の窒化ガリウム系化
合物半導体基板。 - 【請求項７】窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
を、粒径が１μｍ以上の砥粒によって研磨した後に、さ
らに粒径が１μｍ以下の砥粒によって研磨することを特
徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項８】窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面
を、最初から粒径が１μｍよりも小さい砥粒によって研
磨することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基
板の製造方法。 - 【請求項９】前記砥粒の粒径が０．０１μｍ以上、０．
５μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の窒
化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項１０】研磨速度を研磨時間の経過とともに遅く
することを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載
の窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。 - 【請求項１１】前記研磨速度が３μｍ／ｈ以下であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の窒化ガリウム系化合
半導体基板の製造方法。 - 【請求項１２】前記窒化ガリウム系化合物半導体基板
が、基板上に気相成長法を用いて厚膜の窒化ガリウム系
化合物半導体層を成長して形成されたものである請求項
７から１１のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半
導体基板の製造方法。 - 【請求項１３】研磨後の窒化ガリウム系化合物半導体基
板の表面を、さらに反応性イオンエッチング装置により
エッチングすることで、研磨による表面ダメージ層を除
去することを特徴とする請求項７から１２のいずれかに
記載の窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138667A JP2001322899A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138667A JP2001322899A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001322899A true JP2001322899A (ja) | 2001-11-20 |
Family
ID=18646252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000138667A Pending JP2001322899A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001322899A (ja) |
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