JP4714087B2 - GaN基板の保存方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明にかかるGaN基板の保存方法は、GaN基板を酸素濃度が18体積%以下および/または水蒸気濃度が25g/m3以下の雰囲気下で保存することを特徴とする。
本発明にかかる半導体デバイスは、図2を参照して、実施形態1の方法で保存されたGaN基板1の第1の主面上に少なくとも1層の半導体層210が形成されている。また、本発明にかかる半導体デバイスの製造方法は、図2を参照して、実施形態1の方法で保存されたGaN基板1を基板として選択し、このGaN基板1上に少なくとも1層の半導体層210を成長させる工程を含む。
図1を参照して、HVPE法により成長させた直径50.8mm×厚さ400μm、第1の主面の表面粗さRaが33nm、第2の主面の表面粗さRaが32.1μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に2.5°、<11−20>方向に1.2°のGaN基板1を、保存装置10に収納し、ガス導入管20およびガス導入弁29を介して酸素濃度が20体積%で水蒸気濃度が30g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置10内に導入し、保存装置10内の酸素濃度および水蒸気濃度の高いガスをガス排出管40およびガス排出弁49を介して排出することにより、保存装置10内の雰囲気の酸素濃度を20体積%、水蒸気濃度を30g/m3とした。かかる保存装置10中で、GaN基板1をウエハトレイ(図示せず)に入れた後、GaN基板1をウエハトレイとともにアルミニウム製の袋(図示せず)に封入した後、35℃で6ヶ月間保存した。
図1を参照して、HVPE法により成長させた直径50.8mm×厚さ400μm、第1の主面の表面粗さRaが17nm、第2の主面の表面粗さRaが15μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に1.1°、<11−20>方向に0.8°のGaN基板1を、保存装置10に収納し、ガス導入管20およびガス導入弁29を介して酸素濃度が20体積%で水蒸気濃度が30g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置10内に導入し、保存装置10内の酸素濃度および水蒸気濃度の高いガスをガス排出管40およびガス排出弁49を介して排出することにより、保存装置10内の雰囲気の酸素濃度を20体積%、水蒸気濃度を30g/m3とした。かかる保存装置10中で、GaN基板1をウエハトレイ(図示せず)に入れた後、GaN基板1をウエハトレイとともにアルミニウム製の袋(図示せず)に封入した後、35℃で6ヶ月間保存した。その後、比較例1と同様にして、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.01であった。結果を表1にまとめた。
酸素濃度が18体積%で水蒸気濃度が25g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置10内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を18体積%、水蒸気濃度を25g/m3とした以外は、比較例1と同様にして、比較例1と同じ面粗さRaおよびオフ角を有するGaN基板をGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.05であった。結果を表1にまとめた。
保存するGaN基板が、第1の主面が方面粗さRaが17nm、第2の主面の表面粗さが15μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に2.5°、<11−20>方向に1.2°である以外は、実施例1と同様の条件でGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.05であった。結果を表1にまとめた。
保存するGaN基板が、第1の主面が方面粗さRaが33nm、第2の主面の表面粗さが32.1μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に1.1°、<11−20>方向に0.8°である以外は、実施例1と同様の条件でGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.12であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが17nm、第2の主面の表面粗さRaが15μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に1.1°、<11−20>方向に0.8°であるGaN基板を、酸素濃度が3体積%で水蒸気濃度が12g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を3体積%、水蒸気濃度を12g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.15であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが2nm、第2の主面の表面粗さRaが2.4μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.5°、<11−20>方向に0.2°であるGaN基板を、酸素濃度が0.6体積%で水蒸気濃度が1g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を0.6体積%、水蒸気濃度を1g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.19であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが2nm、第2の主面の表面粗さRaが2.4μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.5°、<11−20>方向に0.2°であるGaN基板を、酸素濃度が0.6体積%で水蒸気濃度が30g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を0.6体積%、水蒸気濃度を30g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.09であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが2nm、第2の主面の表面粗さRaが2.4μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.5°、<11−20>方向に0.2°であるGaN基板を、酸素濃度が20体積%で水蒸気濃度が1g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を20体積%、水蒸気濃度を1g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.12であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが2nm、第2の主面の表面粗さRaが2.4μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.1°、<11−20>方向に0.05°であるGaN基板を、酸素濃度が0.6体積%で水蒸気濃度が1g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を0.6体積%、水蒸気濃度を1g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.19であった。結果を表1にまとめた。
基板の第1の主面の表面粗さRaが2nm、第2の主面の表面粗さRaが2.4μm、主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.7°、<11−20>方向に0.6°であるGaN基板を、酸素濃度が0.6体積%で水蒸気濃度が1g/m3の窒素および酸素の混合ガスを保存装置内に導入し、保存装置内の雰囲気の酸素濃度を0.6体積%、水蒸気濃度を1g/m3とした以外は、比較例1と同様にしてGaN基板を保存し、半導体デバイスであるLEDを作製した。得られたLEDの相対発光強度は、比較例1のLEDの相対発光強度1.0に対して、1.19であった。結果を表1にまとめた。
Claims (7)
- GaN基板を、酸素濃度が0.6体積%以上18体積%以下および水蒸気濃度が1g/m 3 以上25g/m3以下の水蒸気を含有する不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスの雰囲気下で保存するGaN基板の保存方法。
- 前記酸素濃度が5体積%以下および/または前記水蒸気濃度が17g/m3以下である請求項1に記載のGaN基板の保存方法。
- 前記GaN基板において、第1の主面の表面粗さRaが20nm以下であり、第2の主面の表面粗さRaが20μm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のGaN基板の保存方法。
- 前記第1の主面の表面粗さRaが5nm以下であり、前記第2の主面の表面粗さRaが10μm以下であることを特徴とする請求項3に記載のGaN基板の保存方法。
- 前記GaN基板の主面と(0001)面とのなすオフ角が、<1−100>方向に0.05°以上2°以下であり、<11−20>方向に0°以上1°以下であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載のGaN基板の保存方法。
- 前記オフ角が、<1−100>方向に0.1°以上0.8°以下であり、<11−20>方向に0°以上0.6°以下であることを特徴とする請求項5に記載のGaN基板の保存方法。
- 請求項1から請求項6までのいずれかの保存方法で保存されたGaN基板を基板として選択し、前記GaN基板の前記第1の主面上に少なくとも1層の半導体層を成長させる工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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