TWI453852B - ＧａＮ基板之保存方法、經保存基板與半導體元件及其製造方法 - Google Patents

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Description

GaN基板之保存方法、經保存基板與半導體元件及其製造方法
本發明係關於用於半導體元件製造之GaN基板之保存方法、藉由該保存方法所保存之GaN基板、在該GaN基板上至少形成有1層半導體層之半導體元件、及其半導體元件之製造方法者。
GaN基板廣泛用於發光二極體(Light Emitting Diode，以下稱為LED)，及雷射二極體(Laser Diode，以下稱為LD)等半導體元件。
此處，製造GaN基板之步驟與使用所製造之GaN基板製造半導體元件之步驟通常為不同之步驟，製成之GaN基板保存特定期間之後，用於半導體元件之製造。因此，提出有用於收存製成之GaN基板的方法(例如，參照日本特開2000－355392號公報)。
但是，先前之GaN基板保存方法，由於是在清潔大氣中之環境下進行收存者，故因長期之保存，GaN基板之表面被氧化，製造特性好的半導體元件變得困難。
本發明之目的在於解決上述之問題，提供一種可製造特性好的半導體元件之GaN基板之保存方法、藉由該保存方法所保存之GaN基板、在該GaN基板上至少形成有1層半導體層之半導體元件、及其半導體元件之製造方法。
本發明之保存方法，係在氧濃度為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之環境下保存GaN基板者。
本發明之GaN基板保存方法中，可使氧濃度為5體積%以下、及/或水蒸氣濃度為17 g/m3 以下。
此外，藉由本發明之保存方法所保存之GaN基板中，可使其第1主面之表面粗糙度Ra為20 nm以下，第2主面之表面粗糙度Ra為20 μm以下。此外，可使其第1主面之表面粗糙度Ra為5 nm以下，第2主面之表面粗糙度Ra為10 μm以下。
此外，本發明之GaN基板保存方法中，GaN基板之主面與(0001)面所形成之偏移角(off－angle)於<1－100>方向上可為0.05°以上、2°以下，於<11－20>方向上可為0°以上、1°以下。此外，該偏移角於<1－100>方向上可為0.1°以上、0.8°以下，於<11－20>方向上可為0°以上、0.6°以下。此處，所謂主面係指第1主面及第2主面兩者。
此外，本發明之GaN基板係藉由上述方法所保存者。此外，本發明之半導體元件係在藉由上述保存方法所保存之GaN基板之第1主面上至少形成有1層半導體層者。此外，本發明之製造方法包含選擇藉由上述保存方法所保存之GaN基板作為基板，使至少1層半導體層在前述GaN基板之前述第1主面上生長之步驟。
 (實施形態1)
本發明之GaN基板保存方法，其特徵在於其係在氧濃度為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之環境下保存GaN基板。
藉由在氧濃度為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之環境下保存GaN基板，可抑制GaN基板表面之氧化，能夠製造特性好的半導體元件。從該觀點考量，以氧濃度為5體積%以下、及/或水蒸氣濃度為17 g/m3 以下為佳，以氧濃度為1體積%以下、及/或水蒸氣濃度為4 g/m3 以下更佳。
此處，對於使保存GaN基板之環境的氧濃度成為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度成為25 g/m3 下以之方法，無特別之限制，例如，可使用圖1所示之保存裝置10。此處，圖1之保存裝置10具有氣體導入管20、氣體導入閥29、氣體排出管40、及氣體排出閥41。
作為使保存GaN基板之環境的氧濃度降低為18體積%以下之方法，例如，參照圖1，有一種方法(稱為方法A－1，以下相同)，其係在保存裝置10內配置GaN基板1，經由氣體導入管20及氣體導入閥29向保存裝置10內導入氧濃度為18體積%以下之氣體21，從保存裝置10內經由氣體排出管40及氣體排出閥41排出氧濃度高於18體積%之氣體41。此外，尚有在保存裝置10內與GaN基板1一起配置去氧劑31之方法(稱為方法A－2，以下相同)。此外，亦可將方法A－1與方法A－2並用。
此處，對於氧濃度為18體積%以下之氣體，雖無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以氧濃度為18體積%以下之氮氣、氬氣等惰性氣體等為佳。此外，對於去氧劑，雖無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以活性氧化鐵、活性炭等為佳。
此外，作為使保存GaN基板之環境的水蒸氣濃度降低為25 g/m3 以下之方法，例如，參照圖1，有一種方法(稱為方法B－1，以下相同)，其係在保存裝置10內配置GaN基板1，向該保存裝置10內導入水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之氣體22，從保存裝置10排出水蒸氣濃度高於25 g/m3 之氣體42。此外，尚有在保存裝置10內與GaN基板1一起配置脫水劑32之方法(稱為方法B－2，以下相同)。此外，亦可將方法B－1與方法B－2並用。
此處，對水蒸氣濃度為25 g/m3 以下以下之氣體，雖無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以作為雜質之水蒸氣之濃度為1體積%以下之氮氣、氬氣等惰性氣體等為佳。此外，對脫水劑，雖無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以矽膠、活性炭等為佳。
此外，作為使保存GaN基板之環境的氧濃度成為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之方法，有一種方法(稱為方法C－1，以下相同)，其係在保存裝置10內配置GaN基板1，向該保存裝置10內導入氧濃度為18體積%以下、且水蒸氣濃度為低於25 g/m3 以下之氣體23，排出氧濃度高於18體積%、且水蒸氣濃度高於25 g/m3 之氣體43者。此外，尚有在保存裝置10內與GaN基板1一起配置去氧劑31與脫水劑32之方法(稱為方法C－2，以下相同)。此外，亦可將方法C－1與方法C－2並用。
此處，對氧濃度及水蒸氣濃度分別為18體積%以下及25 g/m3 以下以下之氣體，雖無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以氧及水蒸氣之濃度分別為18體積%以下及25 g/m3 以下之氮氣、氬氣等惰性氣體等為佳。
此外，對氧濃度之測定，無特別之限制，可藉由電流式氧濃度計等進行。此外，對水蒸氣濃度之測定，無特別之限制，可藉由介電率水分計、卡爾－費希爾(Karl－Fischer)式水分計等進行。
此外，對保存GaN基板之環境溫度，無特別之限制，但從不與GaN基板之表面產生化學反應之觀點考量，以60℃以下為佳，40℃以下更佳。此外，從防止結露之觀點考量，以5℃以上為佳，10℃以上更佳。
此外，實施形態1之保存方法中所保存之GaN基板，從抑制保存裝置內之氧、及/或水蒸氣與GaN基板表面之反應，且降低向GaN基板表面之氧、及/或水蒸氣之吸附量之觀點考量，以第1主面之表面粗糙度Ra為20 nm以下、第2主面之表面粗糙度Ra為20 μm以下為佳。從上述觀點考量，以第1主面之表面粗糙度Ra為5 nm以下、第2主面之表面粗糙度Ra為10 μm以下為更佳。雖然GaN基板主面(指第1主面及第2主面兩者，以下相同)之表面粗糙度Ra，與氧及/水蒸氣對於GaN基板主面之反應性及吸附性之相關尚不明確，但作為原因之一，可以認為藉由減小表面粗糙度Ra，而表面積減少是相關的。此處，所謂第1主面係指在其上使半導體層外延生長之主面，所謂第2主面係指與上述第1主面相反側之主面。此外，所謂表面粗糙度Ra，係指從粗糙曲面在其平均面之方向抽取之特定之基準面積，合計從該抽取部分之平均面至測定曲面之偏差之絕對值，將其用基準面積進行平均的值。該表面粗糙度Ra可使用非接觸式干涉儀、3D－SEM(立體影像掃描型電子顯微鏡)測定。
此外，對於實施形態1之保存方法中所保存之GaN基板，從抑制保存裝置內之氧、及/或水蒸氣與GaN基板表面之反應，且降低向GaN基板表面之氧、及/或水蒸氣之吸附量之觀點考量，GaN基板之主面與(0001)面形成之偏移角以在<1－100>方向上為0.05°以上、2°以下，在<11－20>方向上為0°以上、1°以下為佳。從上述觀點考量，上述偏移角以在<1－100>方向上為0.1°以上、0.8°以下，在<11－20>方向上為0°以上、0.6°以下更佳。GaN基板主面與(0001)面形成之偏移角與氧及/水蒸氣對於GaN基板主面之反應性及吸附性之相關尚不明確，但作為原因之一，可以認為藉由具有特定之偏移角，GaN基板主面上可與氧及/或水蒸氣結合之點的數量變化是相關的。GaN基板主面與(0001)面形成之偏移角可藉由XRD(X線解析)法測定。
再者，上述實施形態1中，參照圖1，將收容GaN基板1之保存裝置1內之環境設定為本發明之保存條件(例如，氧濃度為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下)，在保存裝置1中，可藉由將GaN基板1封入可遮斷氧及水蒸氣之保存容器(未圖示)(例如，鋁製袋等)內，保存GaN基板1。藉由保存容器所密封之GaN基板，亦可從保存裝置1取出保存。
(實施形態2)
本發明之半導體元件，參照圖2，在藉由實施形態1之方法所保存之GaN基板1之第1主面上至少形成有1層半導體層210。此外，本發明之半導體元件之製造方法，參照圖2，其包含選擇藉由實施形態1之方法所保存之GaN基板1作為基板，使至少1層半導體層210在該GaN基板1上生長之步驟。
藉由實施形態1之保存方法所保存之GaN基板，藉由抑制其表面之氧化，並使至少1層半導體層6在該GaN基板上生長，可得到特性高的半導體元件。
對於GaN基板上生長之半導體層無特別之限制，但從在GaN基板上晶柵之整合性高的觀點考量，以Alx Gay In1－x－y N(0≦x、0≦y、x＋y≦1)等III族氮化物層為佳。此外，對半導體層之生長方法無特別之限制，但從使半導體層在GaN基板上容易外延生長之觀點考量，最好使用HVPE(鹵化物(halide)氣相生長)法、MOCVD(有機金屬化學沈積)法，MBE(分子線外延生長)法等。
參照圖2，更具體而言，本實施形態之半導體元件200，在GaN基板1上，作為半導體層210依次形成n型GaN層211、In0.2 Ga0.8 N層212、Al0.2 Ga0.8 N層213、及p型GaN層214，進一步在GaN基板1之下麵(未形成半導體層210的面)形成有n側電極221，在p型GaN層214之上面形成有p側電極222，而發出光230。
[實施例]
根據以下之實施例及比較例，就本發明之GaN基板之保存方法，及包含選擇藉由該保存方法所保存之GaN基板作為基板、使至少1層之半導體層在前述GaN基板上生長之步驟之半導體元件，進行更具體之說明。
(比較例1)
參照圖1，將GaN基板1收容於保存裝置10，經由氣體導入管20及氣體導入閥29向保存裝置10內導入氧濃度為20體積%、水蒸氣濃度為30 g/m3 之氮及氧的混合氣體，經由氣體排出管40及氣體排出閥49排出保存裝置10內之氧濃度及水蒸氣濃度高的氣體，藉此使得保存裝置10內之環境之氧濃度成為20體積%、水蒸氣濃度成為30 g/m3 ，而上述GaN基板1係藉由HVPE法生長之直徑為50.8 mm×厚度400 μm者，其第1主面之表面粗糙度Ra為33 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為32.1 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為2.5°、在<11－20>方向上為1.2°。在該保存裝置10中，將GaN基板1放入晶圓託盤(未圖示)後，將GaN基板1與晶圓託盤一起封入鋁製袋內(未圖示)後，以35℃之溫度保存6個月。
其次，參照圖2，在以上述條件保存6個月之GaN基板1上，藉由MOCVD法，作為半導體層210，依次生長厚度為5 μm之n型GaN層211、厚度為3 nm之In0.2 Ga0.8 N層212、厚度為60 nm之Al0.2 Ga0 .8 N層213、及厚度為150 nm之p型GaN層214。然後，在p型GaN層214上面形成厚度為100 nm之p側電極222後，在GaN基板之下麵(未形成有半導體層210之面)之中央部形成直徑為80 μm×厚度100 nm之n側電極221，分割成為500 μm×500 μm大小之晶片後，得到作為半導體元件200之LED。藉由分光光度計測定比較例1之LED在峰值波長450 nm之發光強度，設該LED 10個之平均發光強度為1，求得以下之比較例2及實施例1~9之LED之相對發光強度。將其結果整理成表。
(比較例2)
參照圖1，將GaN基板1收容於保存裝置10，經由氣體導入管20及氣體導入閥29向保存裝置10內導入氧濃度為20體積%、水蒸氣濃度為30 g/m3 之氮及氧的混合氣體，經由氣體排出管40及氣體排出閥49排出保存裝置10內之氧濃度及水蒸氣濃度高的氣體，藉此使保存裝置10內之環境之氧濃度成為20體積%、水蒸氣濃度成為30 g/m3 。上述GaN基板1係藉由HVPE法生長之直徑50.8 mm×厚度400 μm者，其第1主面之表面粗糙度Ra為17 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為15 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為1.1°、在<11－20>方向上為0.8°。在該保存裝置10中，將GaN基板1放入晶圓託盤(未圖示)後，將GaN基板1與晶圓託盤一起封入鋁製袋(未圖示)後，以35℃之溫度保存6個月。其後，與比較例同樣地製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.01。將結果整理成表。
(實施例1)
除向保存裝置10內導入氧濃度為18體積%、水蒸氣濃度為25 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置10內之環境之氧濃度成為18體積%、水蒸氣濃度成為25 g/m3 之外，其他均與比較例1同樣地進行，保存具有與比較例1相同之面粗糙度Ra及偏移角之GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.05。將結果整理成表。
(實施例2)
保存之GaN基板，除第1主面之表面粗糙度Ra為17 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為15 μm，主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為2.5°、在<11－20>方向上為1.2°，除此之外，均以與實施例1相同之條件保存，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.05。將結果整理成表。
(實施例3)
保存之GaN基板，除第1主面之表面粗糙度Ra為33 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為32.1 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為1.1°、在<11－20>方向上為0.8°之外，其他均以與實施例1相同之條件保存，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.12。將結果整理成表。
(實施例4)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為17 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為15 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為1.1°、在<11－20>方向上為0.8°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為3體積%、水蒸氣濃度為12 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為3體積%、水蒸氣濃度成為12 g/m3 ，除此之外，均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.15。將結果整理成表。
(實施例5)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為2 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為2.4 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為0.5°、在<11－20>方向上為0.2°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為0.6體積%、水蒸氣濃度為1 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為0.6體積%、水蒸氣濃度成為1 g/m3 ，除此之外，均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.19。將結果整理成表。
(實施例6)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為2 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為2.4 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為0.5°、在<11－20>方向上為0.2°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為0.6體積%、水蒸氣濃度為30 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為0.6體積%、水蒸氣濃度成為30 g/m3 ，除此之外均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.09。將結果整理成表。
(實施例7)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為2 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為2.4 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為0.5°、在<11－20>方向上為0.2°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為20體積%、水蒸氣濃度為1 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為20體積%、水蒸氣濃度成為1 g/m3 ，除此之外均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.12。將結果整理成表。
(實施例8)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為2 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為2.4 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為0.1°、在<11－20>方向上為0.05°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為0.6體積%、水蒸氣濃度為1 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為0.6體積%、水蒸氣濃度成為1 g/m3 ，除此之外均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.19。將結果整理成表。
(實施例9)
將基板之第1主面之表面粗糙度Ra為2 nm、第2主面之表面粗糙度Ra為2.4 μm，且主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上為0.7°、在<11－20>方向上為0.6°之GaN基板，收容於保存裝置，向保存裝置內導入氧濃度為0.6體積%、水蒸氣濃度為1 g/m3 之氮及氧的混合氣體，使保存裝置內環境之氧濃度成為0.6體積%、水蒸氣濃度成為1 g/m3 ，除此之外均與比較例1同樣，保存GaN基板，製成作為半導體元件之LED。所得到之LED之相對發光強度，相對於比較例1之LED之相對發光強度1.0為1.19。將結果整理成表。
將表的結果整理成圖3。圖3係在以氧濃度(體積%)為橫軸，以水蒸氣濃度(g/m3 )為縱軸之座標中，繪製比較例1、2(白色圓點)及實施例1~9(黑色圓點)者。而且，各點之數值顯示比較例1、2，實施例1~9之任一LED之相對發光強度。
如從表及圖3之比較例1、2及實施例1~9所明白的，在藉由氧濃度為18體積%以下、及/或水蒸氣濃度為25 g/m3 以下之環境保存之GaN基板上，至少形成有1層以上之半導體層之半導體元件，較在藉由氧濃度高於18體積%、及水蒸氣濃度高於25 g/m3 之環境保存之GaN基板上，至少形成有1層以上之半導體層之半導體元件，其特性提高。此外，如從實施例4~9所明白的，藉由使GaN基板之保存環境成為氧濃度為5體積%以下、及/或水蒸氣濃度為17 g/m3 以下，半導體元件之特性進一步提高。此外，藉由使GaN基板之第1主面之表面粗糙度Ra為20 nm以下、第2主面之表面粗糙度Ra為20 μm以下，或藉由使GaN基板之主面與(0001)面之偏移角在<1－100>方向上成為0.05°以上、2°以下，在<11－20>方向上成為0°以上、1°以下，半導體元件之特性亦可提高。
再者，上述實施例及比較例係使GaN基板之保管期間為6個月，但，即使保管期間不足6個月，或超過6個月業已確認其亦可獲得同樣之效果。
此次揭示之實施形態及實施例應認為是在所有點上均為例示而不是限制者。本發明之範圍不是藉由上述說明，而是藉由專利申請範圍所顯示，意圖包含與專利申請範圍均等意義及範圍內之所有變更。
[發明之效果]
根據本發明可提供能夠製造特性好的半導體元件之GaN基板之保存方法、藉由該保存方法所保存之GaN基板、在該GaN基板上至少形成有1層半導體層之半導體元件、及其半導體元件之製造方法。
1．．．GaN基板
10．．．保存裝置
20．．．氣體導入管
21．．．氣體
22．．．氣體
23．．．氣體
29．．．氣體導入閥
31．．．去氧劑
32．．．脫水劑
40．．．氣體排出管
41．．．氣體
42．．．氣體
43．．．氣體
49．．．氣體排出閥
200．．．半導體元件
210．．．半導體層
211．．．n型GaN層
212．．．In0.2 Ga0.8 N層
213．．．Al0.2 Ga0.8 N層
214．．．p型GaN層
221．．．n側電極
222．．．p側電極
230．．．發光
圖1係顯示本發明之GaN基板之保存方法之一實施形態之模式圖。
圖2係顯示本發明之半導體元件之製造方法之一實施形態之模式剖面圖。
圖3係顯示GaN基板之保存環境之氧濃度及水蒸氣濃度與半導體元件特性之相關圖。
10．．．保存裝置
20．．．氣體導入管
21．．．氣體
22．．．氣體
23．．．氣體
29．．．氣體導入閥
31．．．去氧劑
32．．．脫水劑
40．．．氣體排出管
41．．．氣體
42．．．氣體
43．．．氣體
49．．．氣體排出閥

Claims (15)

  1. 一種GaN基板之保存方法，其包含以下步驟：準備第1主面之表面粗糙度Ra為20nm以下、第2主面之表面粗糙度Ra為20μm以下之GaN基板；及在氧濃度為0.6體積%以上18體積%以下、及水蒸氣濃度為1g/m3 以上25g/m3 以下之含水蒸氣之惰性氣體與氧氣之混合氣體之環境下保存前述GaN基板。
  2. 如請求項1之GaN基板之保存方法，其中前述氧濃度為5體積%以下、及/或前述水蒸氣濃度為17g/m3 以下。
  3. 如請求項1之GaN基板之保存方法，其中在前述保存步驟中，保存前述GaN基板之環境溫度為60℃以下5℃以上。
  4. 如請求項1之GaN基板之保存方法，其中前述第1主面之表面粗糙度Ra為5nm以下，前述第2主面之表面粗糙度Ra為10μm以下。
  5. 如請求項1之GaN基板之保存方法，其中前述GaN基板之主面與(0001)面所形成之偏移角於<1-100>方向上為0.05°以上、2°以下，於<11-20>方向上為0°以上、1°以下。
  6. 如請求項5之GaN基板之保存方法，其中前述偏移角於<1-100>方向上為0.1°以上、0.8°以下，於<11-20>方向上為0°以上、0.6°以下。
  7. 一種GaN基板，其係藉由請求項1之保存方法所保存者。
  8. 一種GaN基板，其係藉由請求項3之保存方法所保存者。
  9. 一種GaN基板，其係藉由請求項5之保存方法所保存者。
  10. 一種半導體元件，其係在請求項7之GaN基板之前述第1 主面上至少形成有1層半導體層者。
  11. 一種半導體元件，其係在請求項8之GaN基板之前述第1主面上至少形成有1層半導體層者。
  12. 一種半導體元件，其係在請求項9之GaN基板之前述第1主面上至少形成有1層半導體層者。
  13. 一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟：選擇請求項7之GaN基板作為基板，在前述GaN基板之前述第1主面上生長至少1層之半導體層。
  14. 一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟：選擇請求項8之GaN基板作為基板，在前述GaN基板之前述第1主面上生長至少1層之半導體層。
  15. 一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟：選擇請求項9之GaN基板作為基板，在前述GaN基板之前述第1主面上生長至少1層之半導體層。
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