JP2007266574A - 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層6と、活性層6上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するp側半導体層とを備える。活性層6の主面は、p側半導体層の(0001)面と略垂直であり、p側半導体層における電流通路部は、p側半導体層の(0001)面と略平行な結晶方位に延びる。また、電流通路部の側面となる第1側面と主面とのなす内側の角度と、第1側面と対向する第2側面と主面とのなす内側の角度とは、異なる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の構造を示した断面図であり、図2は、図1に示した第1実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の活性層の詳細図である。まず、図1および図2を参照して、第1実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の構造について説明する。第1実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約410nmである。
第2実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約530nmである。
第3実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約410nmである。
次に、図21を参照して、本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の構造について説明する。本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約270nmで、TE(水平偏光)モードある。
次に、図22を用いて、本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の構成について説明する。図22は、本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の活性層6の拡大断面図である。活性層6以外の他の構成については、上述した第1実施形態と同様である。本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約410nmである。
次に、図24を用いて、本実施形態に係るGaN半導体レーザ素子の構造について説明する。図24は、本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。本実施形態では、活性層6は、引っ張り歪を有する井戸層からなる量子井戸である。本実施形態に係るGaN系半導体レーザ素子の発振波長は、約530nmで、TM(垂直偏光)モードある。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…n型層
3…n型クラッド層
3a、3b…側面
4…n型キャリアブロック層
5…n型光ガイド層
6…活性層
6a…障壁層
6b…障壁層
6c…井戸層
7…p型光ガイド層
8…p型キャップ層
9…p型クラッド層
10…p型コンタクト層
11…リッジ部
11a、11b…側面
12…p側オーミック電極
13、13a、13b…電流狭窄層
14…p側パッド電極
16…n側電極
21…SiO2膜21
22、24…レジスト
32…サファイア基板
33…低温バッファ層
34…GaN層
35…SiO2膜
36…選択成長下地
37…InGaN層
115…n側光ガイド層
117…p側光ガイド層
127…p側光ガイド層
Claims (8)
- 活性層と、該活性層上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有する半導体層とを備える半導体レーザ素子であって、
前記活性層の主面は、前記半導体層の(0001)面と略垂直であり、
前記半導体層における電流通路部は、前記半導体層の(0001)面と略平行な結晶方位に延び、
前記電流通路部の側面となる第1側面と前記主面とのなす内側の角度と、前記第1側面と対向する第2側面と前記主面とのなす内側の角度とは、異なることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記半導体層は、窒化物系半導体からなるとともに、
前記第1側面はN極性面からなり、
前記第2側面はGa極性面からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 前記半導体層は、前記第1側面と前記第2側面とを有する凸部を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記凸部の両側に続く平坦部の厚みは、前記凸部の両側で異なることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層の側面は、前記電流通路部の側面と同一面上に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層の主面は、前記半導体層の(11−20)面と略平行であり、
前記半導体層の(1−100)面と平行な劈開面を共振器端面として有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記基板は、六方晶構造を有する半導体からなり、
前記活性層は、前記基板の(11−20)面上に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 活性層と、該活性層上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有する半導体層とを備える半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記半導体層の(0001)面と略垂直の主面を有する前記活性層上に、前記半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に、前記半導体層の(0001)面と略平行な結晶方位に延びる電流通路部を形成する工程とを備え、
前記電流通路部を形成する工程は、当該電流通路部の側面となる第1側面と、該第1側面と対向する第2側面とを、異方性エッチングにより互いに異なる面方位に形成する工程を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
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