JP2004146525A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、９００〜１１００℃で、５〜１８０秒間、熱処理を行うことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
- 気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体を成長させた後、アンモニアを０．１〜５ｖｏｌ％の割合で含む不活性ガス雰囲気下、６００〜８００℃で、５〜３０分間、熱処理を行う（ただし、８００℃で２０分間の熱処理を除く）ことを特徴とするｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。
- 上記ｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体の成長が行われる結晶成長用雰囲気が、不活性ガスを７０〜９０ｖｏｌ％の割合で有することを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002308673A JP2004146525A (ja) | 2002-10-23 | 2002-10-23 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002308673A JP2004146525A (ja) | 2002-10-23 | 2002-10-23 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
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| JP2004146525A JP2004146525A (ja) | 2004-05-20 |
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Family Applications (1)
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| JP2002308673A Pending JP2004146525A (ja) | 2002-10-23 | 2002-10-23 | ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 |
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2002
- 2002-10-23 JP JP2002308673A patent/JP2004146525A/ja active Pending
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