JP2005159341A5 - - Google Patents

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  1. Ｈ2ガスおよび／またはＮＨ3ガスを用いるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法において、Ｈ2ガスおよび／またはＮＨ3ガス含有雰囲気中でｐ型ドーパント含有ＩＩＩ族窒化物半導体を１０００℃以上で成長させた後、降温しつつ、９００℃以上の温度で且つＩＩＩ族窒化物半導体の成長時の温度から５０℃以上降温させてＨ2ガスおよびＮＨ3ガスを不活性ガスに置換することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
  2. ＩＩＩ族窒化物半導体の成長時の温度が１０５０℃以上であり、不活性ガスへの置換が１０００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
  3. ＩＩＩ族窒化物半導体がＡｌ x Ｉｎ y Ｇａ 1-x-y Ｎ（ｘ＝０〜０．５、ｙ＝０〜０．１）であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
  4. ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体がｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。
  5. 基板上に少くともＩＩＩ族窒化物半導体の、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で有し、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接してそれぞれ負極および正極が設けられたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、ｐ型半導体層が請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたものであることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  6. 請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を有してなる発光ダイオード。
  7. 請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を有してなるレーザーダイオード。
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