JP2872096B2 - 低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 - Google Patents
低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法Info
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Description
方法に属し、特に低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導
体の気相成長方法に属する。
ム系化合物半導体を得る方法としては、p型ドーパント
原料としてマグネシウム有機金属を用いる方法が一般的
である。マグネシウムは現在知られているp型不純物の
中で最も浅いアクセプタ準位を作ることが知られてい
る。
に含まれる水素がマグネシウムと結合してマグネシウム
を電気的に不活性化する水素パシベーションのために、
成長直後の結晶は高抵抗になることが知られている。
成長プロセスにおける結晶の温度プロファイルと、結晶
成長室中のガスの種類を表す模式図である(例えば、
S.Nakamura他、Japanese Jour
nal of AppliedPhysics vo
l.30,No.10A,L1708からL1711ペ
ージ、1991年)。図6において、結晶成長温度は1
030℃である。基板結晶はサファイア、成長中のキャ
リアガスは水素、ガリウム原料はトリメチルガリウム
(TMG)、窒素原料はアンモニア、p型ドーパント原
料はシクロペンタディエチルマグネシウム(CP2 M
g)である。
リアガスとアンモニアの雰囲気で行われる。図6におい
て、高温での結晶成長中に水素は結晶に取り込まれず、
主に成長終了後の基板結晶冷却中に水素が結晶表面から
拡散し、マグネシウムと結合して水素パシベーションを
引き起こす。基板結晶冷却中の水素源としては、アンモ
ニア中の窒素と直接結合した水素、水素キャリアガスの
水素がある。
方法を用いて製作される発光ダイオード結晶の層構造を
示している(例えば、S.Nakamura他、App
lied Physics Letters64,N
o.13,1687から1689ページ、1994
年)。
5上のGaNバッファ層16、Siドープn型GaN層
17、InGaN活性層18、Mgドープp型AlGa
N層19、Mgドープp型GaN層20とから成ってい
る。気相成長の結果水素パシベーションされた高抵抗の
p型窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗化する手法と
しては、低エネルギーの電子線照射を行う方法(特開平
3−218625号公報を参照)、水素原子を含まない
気相雰囲気中で400℃以上の温度、望ましくは700
℃程度の温度で熱アニールを行う方法(特開平5−18
3189号公報を参照)が提案されている。
成長後の処理を必要とせずに低抵抗p型を得る為の方法
として、Inx Aly Ga1-x-y N(0<x<1,0<
=y<1)層の上にマグネシウムドープ窒化ガリウムを
成長する方法(特開平6−232451号公報を参照)
が提案されている。
う分子ビームエピタキシー法では、低抵抗のp型窒化ガ
リウムが得られることが知られている。この場合は、ガ
リウム原料として金属ガリウム、窒素原料として窒素プ
ラズマを用いる。
ってp型窒化ガリウムの低抵抗化を行う場合、電子線照
射を用いると、電子線の進入深さ程度(0.5μm程
度)の厚さの層しか低抵抗化できず生産性が低いという
問題がある。
化できる層厚は数μm程度と厚く、生産性に優れるが、
熱アニールによって窒化ガリウムの窒素が脱離し、結晶
の熱劣化が避けられない。結晶の熱劣化は高温でアニー
ルするほど顕著である。
ている方法では、インジウムを含む窒化ガリウム系化合
物半導体が比較的やわらかいことを利用して、この上に
成長する窒化ガリウムの欠陥を低減して低抵抗p型層を
得るものであるが、結晶の層構造が制限され、この方法
による低抵抗化の効果は熱アニール程ではない。
得られる結晶が気相成長法によるものに及ばず、また量
産性を気相成長法の方が優れる。
成長法を用いて、高い結晶品質を持ちかつ低抵抗のp型
窒化ガリウム系化合物半導体を、熱アニール、電子線照
射等の余分のプロセスを必要とせずに得ることにあり、
結晶成長後の熱処理などの工程を用いずに量産性に優れ
た気相成長方法により低抵抗のp型窒化ガリウム系化合
物半導体を得る低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体
の気相成長方法を提供することにある。
窒素等のキャリアガス中に、III 属元素化合物の原料ガ
スと窒素化合物の原料ガスとp型ドーパントガスとを希
釈して、加熱した基板結晶上にp型窒化ガリウム系化合
物半導体を形成する工程を含む気相成長において、p型
窒化ガリウム系化合物半導体層を含む必要な多層膜を形
成した後に、前記基板結晶の温度が摂氏700度以上の
状態で、結晶表面層としてn型窒化ガリウム系化合物半
導体層を形成し、この後前記基板結晶の冷却を行うこと
を特徴とする低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の
気相成長方法が得られる。
ャリアガス中に、III 属元素化合物の原料ガスと窒素化
合物の原料ガスとp型ドーパントガスとを希釈して、加
熱した基板結晶上にp型窒化ガリウム系化合物半導体を
形成する工程を含む気相成長において、p型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層を含む必要な多層膜を形成した後
に、前記基板結晶の温度が摂氏700度以上の状態で、
V属元素としてAsのみ又はPのみ又はAsとPの双方
を含むn型III −V属化合物半導体層を形成し、この後
前記基板結晶を冷却することを特徴とする低抵抗p型窒
化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法が得られる。
キャリアガス中に、III 属元素化合物の原料ガスと窒素
化合物の原料ガスとp型ドーパントガスとを希釈して、
加熱した基板結晶上にp型窒化ガリウム系化合物半導体
を形成する工程を含む気相成長において、p−n接合を
持った窒化ガリウム系化合物半導体ダイオードを形成す
る際に、p型窒化ガリウム系化合物半導体の成長後にn
型窒化ガリウム系化合物半導体のみを形成することを特
徴とし、かつ成長終了時の前記基板結晶の温度が700
℃以上であることを特徴とする低抵抗p型窒化ガリウム
系化合物半導体の気相成長方法が得られる。
700度以上では起こりにくい。また、水素パシベーシ
ョンされたp型窒化ガリウム系化合物半導体は400度
から700度以上の温度で水素を放出する。400度か
ら700度での熱アニールによるp型層の低抵抗化が可
能なことがこれを物語っている。
したp型窒化ガリウムは、主に成長終了後の冷却時に水
素パシベーションされる。また、この場合の水素パシベ
ーションにおいては、結晶表面から水素が拡散するが、
負電荷に帯電したp型ドーパントと結合する水素は正電
荷に帯電している。従って、正電荷を持った水素の拡散
は、負電荷に帯電したアクセプタがないn型半導体層で
は遅くなる。
半導体の気相成長方法では、p型窒化ガリウム系化合物
半導体の結晶成長後に、結晶温度700度以上で雰囲気
ガスを窒素、ヘリウム、アルゴンなどの水素を含まない
不活性ガスのみに切り替え、結晶を冷却するものであ
る。これにより、結晶冷却中に水素が結晶に取り込まれ
るのを防止して水素パシベーションを防止する。
化合物半導体の気相成長方法では、前記記載の方法に加
えて、結晶冷却中の雰囲気ガスに窒素と水素の直接結合
の個数が3より少ない有機窒素化合物ガスを加える。こ
のような有機窒素化合物ガスは、水素源がアンモニアよ
り少ないために水素パシベーションが少なく、かつ活性
窒素を供給することができるため結晶冷却中の結晶の熱
劣化を抑制できる。
化合物半導体の気相成長方法では、p型層の結晶成長
後、結晶温度700度以上でn型窒化ガリウム系化合物
半導体層を結晶表面層として形成し、この後結晶を冷却
するものである。n型層の水素拡散が遅いことを利用し
て結晶表面層よりも基板側に水素が拡散することを抑制
する。結晶表面層は結晶冷却後エッチング除去する。
化合物半導体の気相成長方法は、前記結晶表面層とし
て、結晶温度700度以上で、ヒ素または燐をV属元素
として含むn型層を形成し、この後結晶を冷却するもの
である。これによって結晶冷却後に結晶表面層を選択的
にエッチング除去することが容易になる。
系化合物半導体の気相成長方法は、p−nダイオード結
晶を形成する際に、p型窒化ガリウム系化合物半導体の
成長後、成長温度700度以上でn型窒化ガリウム系化
合物半導体のみを形成し、この後結晶を冷却するもので
ある。n型層の水素拡散が遅いことを利用して、p型層
に水素が拡散することを抑制する。この場合、結晶冷却
後のエッチングは不要でとなる。
5の実施の形態例における低抵抗p型窒化ガリウム系化
合物半導体の気相成長方法は、水素、窒素等のキャリア
ガス中に、III 属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の
原料ガスとp型ドーパントガスとを希釈して、加熱した
基板結晶上にp型窒化ガリウム系化合物半導体を形成す
る工程を含む。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法は、
結晶成長終了直後の基板結晶の温度が摂氏700度以上
であり、かつ結晶成長終了後の基板結晶の摂氏700度
以下での冷却を、水素を含まないキャリアガスの雰囲気
中で行う。キャリアガスとしては、ヘリウム、窒素、ア
ルゴンなどの水素を含まない不活性ガスを用いる。
て低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方
法にかかる気相結晶成長プロセスにおける基板結晶の温
度プロファイルと、結晶成長室中のガスの種類を表す模
式図を示している。図1において、p型窒化ガリウムを
含む結晶成長時の結晶基板温度は1030度である。結
晶成長終了後の結晶基板冷却時には、700度以上にお
いては水素キャリアガスとアンモニアの気相雰囲気で行
い、700度において雰囲気ガスを窒素ガスのみに切り
替える。結晶表面は700度以下の冷却中に熱劣化を受
ける。結晶を冷却後、熱劣化した結晶表面層の窒化ガリ
ウム系化合物半導体層をエッチング除去する。
ニア雰囲気中での基板結晶冷却時の温度は、従来例の特
開平5−183189号公報におけるアニール温度(4
00−700℃)以上であるため、この時点では水素パ
シベーションは起こらない。700度以下での基板結晶
冷却時には、雰囲気ガスが窒素のみであるため、結晶表
面から水素が拡散することはない。但し、結晶表面層は
冷却中に熱劣化を受ける。結晶を冷却後、熱劣化した結
晶表面層の窒化ガリウム系化合物半導体層をエッチング
除去すれば、所望の層構造を持ち、かつ低抵抗p型層を
持った結晶が得られる。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法は、
第1の実施の形態例の気相成長方法において、結晶成長
終了後の基板結晶の摂氏700度以下での冷却を、水素
を含まないキャリアガスに、窒素と水素の直接結合の個
数が3より少ない有機窒素化合物ガスを混合したガスの
雰囲気中で行う。有機窒素源としては、例えばターシャ
ル・ブチル・アミン、アジ化エチル、ジメチルヒドラジ
ン等を用いる。
抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法に
かかる気相結晶成長プロセスにおける基板結晶の温度プ
ロファイルと、結晶成長室中のガスの種類を表す模式図
である。図2において、p型窒化ガリウムを含む結晶成
長時の結晶基板温度は1030度である。結晶成長終了
後の結晶基板冷却時には、700度以上においては水素
キャリアガスとアンモニアの気相雰囲気で行い、700
度において雰囲気ガスを窒素ガスとジメチルヒドラジン
の混合ガスに切り替え、室温まで基板結晶を冷却する。
ウム系化合物半導体の気相成長方法において、結晶成長
中、及び結晶成長終了後のアンモニア雰囲気中での基板
結晶冷却時の温度は、従来例の特開平5−183189
号公報におけるアニール温度(400−700℃)以上
であるため、この時点では水素パシベーションは起こら
ない。700度以下での基板結晶冷却時には、雰囲気ガ
スが窒素とジメチルヒドラジンのみであるため、アンモ
ニア雰囲気中での冷却に比べて水素パシベーションは少
ない。ジメチルヒドラジンの水素−窒素直接結合の数は
2であり、アンモニアの場合の3に比べて少ないためで
ある。
メチルヒドラジンの熱分解により得られる活性窒素雰囲
気中で結晶を冷却するため、結晶表面の熱劣化は抑制さ
れる。この第2の実施の形態例では、所望の結晶の層構
造に依存せず、生産性が高い。ちなみに、有機窒素源を
用いた窒化ガリウム化合物半導体の気相成長ではアンモ
ニアを用いるものほどよい結晶が得られていないが、表
面保護のみに用いる場合は問題ない。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法は、
p型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む必要な多層膜
を形成した後に、基板結晶の温度が摂氏700度以上の
状態で、結晶表面層としてn型窒化ガリウム系化合物半
導体層を形成し、この後基板結晶の冷却を行うものであ
る。
ける低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体にかかる気
相結晶成長プロセスを用いて作成される発光ダイオード
結晶の層構造を示している。図3において、発光ダイオ
ード結晶は、サファイア基板1上のGaNバッファ層
2、Siドープn型GaN層3、InGaN活性層4、
Mgドープp型AlGaN層5、Mgドープp型GaN
層6、Siドープn型GaN結晶表面層7とから成って
いる。Mgドープp型AlGaN層5、Mgドープp型
GaN層6、Siドープn型GaN結晶表面層7の結晶
成長時の結晶基板温度は1030度である。結晶成長終
了後の冷却時には、従来技術の冷却プロセスを用いる。
この気相成長方法においては、第1及び第2の実施形態
例で説明した冷却プロセスを用いてもよい。結晶を室温
に冷却後、結晶表面層7はエッチング除去される。
面層7の結晶成長終了時の温度は、従来例の特開平5−
183189号公報におけるアニール温度(400−7
00℃)以上であるため、この時点までには水素パシベ
ーションは起こらない。結晶成長終了後の冷却時には結
晶表面から水素が拡散するが、負電荷に帯電したアクセ
プタ(Mg)と結合する水素は正電荷に帯電している。
正電荷を持った水素の拡散は、負電荷に帯電したアクセ
プタがないSiドープn型半導体層7では遅くなるた
め、正電荷を持った水素は結晶最表面のSiドープn型
GaN層7に蓄積され、Mgドープp型AlGaN層
5,Mgドープp型GaN層6が水素パシベーションさ
れることはない。結晶を室温に冷却後、結晶表面層をエ
ッチング除去すれば、所望の層構造を持ち、かつ低抵抗
p型層を持った結晶が得られる。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法は、
p型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む必要な多層膜
を形成した後に、基板結晶の温度が摂氏700度以上の
状態で、V属元素としてAsのみ又はPのみ又はAsと
Pの双方を含むn型III −V属化合物半導体層を形成
し、この後前記基板結晶を冷却するものである。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体にかかる気相結晶成
長プロセスを用いて作成される発光ダイオード結晶の層
構造を示している。図4において、発光ダイオード結晶
は、サファイア基板1上のGaNバッファ層2、Siド
ープn型GaN層3、InGaN活性層4、Mgドープ
p型AlGaN層5、Mgドープp型GaN層6、Si
ドープn型GaAs結晶表面層8とから成っている。M
gドープp型AlGaN層5,Mgドープp型GaN層
6の結晶成長時の結晶基板温度は1030度である。M
gドープp型AlGaN層5,Mgドープp型GaN層
6の結晶成長後、結晶基板温度を800度に下げ、Si
ドープn型GaAs結晶表面層8を形成する。結晶成長
終了後の冷却時には、従来技術の冷却プロセスを用い
る。また、本発明の第1及び第2の実施の形態例に用い
た冷却プロセスを用いてもよい。結晶を室温に冷却後、
Mgドープp型AlGaN層5、Mgドープp型GaN
層6の結晶表面層はエッチング除去される。
ウム系化合物半導体の気相成長方法においては、第3の
実施の形態例における結晶表面層がSiドープn型Ga
As層8に置き代わっている。GaAsは格子定数が窒
化ガリウム系化合物半導体よりも15%程度大きいた
め、Siドープn型GaAs層8の結晶表面層は多結晶
またはアモルファス状になる。本発明では、結晶表面層
を含む結晶成長が終了した時の温度は、従来例の特開平
5−183189号公報におけるアニール温度(400
−700℃)以上であるため、結晶表面層形成までの時
点で水素パシベーションは起こらない。結晶成長終了後
の結晶冷却時には、第3の実施の形態例と同じ原理でM
gドープp型AlGaN層5,Mgドープp型GaN層
6の水素パシベーションが防止できる。結晶を室温まで
冷却後、結晶表面層のSiドープn型GaAs層8をエ
ッチング除去すれば、所望の層構造を持ち、かつ低抵抗
p型層を持った結晶が得られる。この方法は、所望の結
晶の層構造に依存しない。また、窒化ガリウム系化合物
半導体は容易にウエットエッチングできないが、GaA
sは硫酸−過酸化水素水溶液により容易にエッチングで
きるため、結晶表面層のSiドープn型GaAs層8を
容易に選択的に除去できる。なお、第4の実施の形態例
では結晶表面層がGaAsであるが、結晶表面層はIn
P,GaP,InGaAs,InGaAsP等のV属元
素としてAsまたはPを含む化合物半導体のいずれでも
よい。
抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法は、
p−n接合を持った窒化ガリウム系化合物半導体ダイオ
ードを形成する際に、p型窒化ガリウム系化合物半導体
の成長後にn型窒化ガリウム系化合物半導体のみを形成
し、かつ成長終了時の基板結晶温度が700℃以上とし
ている。
ける低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体にかかる気
相結晶成長プロセスを用いて作成される発光ダイオード
結晶の層構造を示す。図5において、発光ダイオード結
晶は、サファイア基板9上のGaNバッファ層10、M
gドープp型GaN層11、Mgドープp型AlGaN
層12、InGaN活性層13、Siドープn型GaN
層14とから成っている。Mgドープp型GaN層1
1,Mgドープp型AlGaN層12及びSiドープn
型GaN層14の結晶成長時の結晶基板温度は1030
度である。初めにp型窒化ガリウム系半導体層であるM
gドープp型GaN層11,Mgドープp型AlGaN
層12が、最後にSiドープn型GaN層(n型窒化ガ
リウム層)14が形成され、Siドープn型GaN層1
4が結晶最表面層になる。結晶成長終了後の冷却時に
は、従来技術の冷却プロセスを用いる。本発明の第1及
び第2の実施の形態例に示した冷却プロセスを用いても
よい。
体の気相成長方法において、結晶成長終了時の温度は、
従来例の特開平5−183189号公報におけるアニー
ル温度(400−700℃)以上であるため、この時点
までには水素パシベーションは起こらない。この場合、
結晶表面はSiドープn型GaN層14になっている。
結晶成長終了後の冷却時には結晶表面から水素が拡散す
るが、負電荷に帯電したアクセプタ(Mg)と結合する
水素は正電荷に帯電している。正電荷を持った水素の拡
散は、負電荷に帯電したアクセプタがないn型半導体層
では遅くなるため、正電荷を持った水素は結晶最表面の
Siドープn型GaN層14に蓄積され、Mgドープp
型GaN層11,Mgドープp型AlGaN層12が水
素パシベーションされることはない。この場合は結晶を
室温に冷却後の結晶表面層エッチング除去が不要であ
る。この方法により、所望の層構造を持ち、かつ低抵抗
p型層を持った結晶が得られる。この低抵抗p型窒化ガ
リウム系化合物半導体の気相成長方法では、所望の結晶
の層構造に依存しない。
リウム系化合物半導体の気相成長方法によれば、冷却
後、熱劣化した結晶表面層の窒化ガリウム系化合物半導
体層をエッチング除去すれば、所望の層構造を持ち、か
つ低抵抗p型層を持った結晶が得られ、所望の結晶の層
構造に依存せず、生産性が高くなる。
ウム系化合物半導体の気相成長方法によれば、ジメチル
ヒドラジン等の熱分解により得られる活性窒素雰囲気中
で結晶を冷却するため、結晶表面の熱劣化は抑制され、
所望の結晶の層構造に依存せず、生産性が高くなる。
ウム系化合物半導体の気相成長方法によれば、正電荷を
持った水素の拡散が負電荷に帯電したアクセプタがない
n型半導体層7では遅くなるため、正電荷を持った水素
は結晶最表面のn型GaN層に蓄積され、p型層が水素
パシベーションされることがなく、結晶を室温に冷却
後、結晶表面層をエッチング除去すれば、所望の層構造
を持ち、かつ低抵抗p型層を持った結晶が得られるとと
もに、所望の結晶の層構造に依存せず、生産性が高くな
る。
ウム系化合物半導体の気相成長方法によれば、結晶成長
終了後の結晶冷却時には、p型窒化ガリウム系化合物半
導体層の水素パシベーションが防止でき、結晶を室温ま
で冷却後、結晶表面層のGaAs層をエッチング除去す
れば、所望の層構造を持ち、かつ低抵抗p型層を持った
結晶が得られるとともに所望の結晶の層構造に依存しな
い。また、GaAsは硫酸−過酸化水素水溶液により容
易にエッチングできるため、結晶表面層のGaAs層を
容易に選択的に除去できる。
ウム系化合物半導体の気相成長方法によれば、正電荷を
持った水素の拡散は、負電荷に帯電したアクセプタがな
いn型半導体層では遅くなるため正電荷を持った水素は
結晶最表面のn型GaN層に蓄積され、p型層が水素パ
シベーションされることはなく、結晶を室温に冷却後の
結晶表面層エッチング除去が不要であり、所望の層構造
を持ち、かつ低抵抗p型層を持った結晶が得られる。
ず、表面層のエッチングも不要であり、生産性が高くな
る。
成長プロセスにおける基板結晶の温度プロファイルと、
結晶成長室中のガスの種類を表す模式図である。
成長プロセスにおける基板結晶の温度プロファイルと、
結晶成長室中のガスの種類を表す模式図である。
成長プロセスを用いて作成される発光ダイオード結晶の
層構造を示す構成図である。
成長プロセスを用いて作成される発光ダイオード結晶の
層構造を示す構成図である。
成長プロセスを用いて作成される発光ダイオード結晶の
層構造を示す構成図である。
プロセスにおける結晶の温度プロファイルと、結晶成長
室中のガスの種類を表す模式図である。
される発光ダイオード結晶の層構造を示す構成図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 水素、窒素等のキャリアガス中に、III
属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の原料ガスとp型
ドーパントガスとを希釈して、加熱した基板結晶上にp
型窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程を含む気
相成長において、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む必要な多層膜
を形成した後に、前記基板結晶の温度が摂氏700度以
上の状態で、結晶表面層としてn型窒化ガリウム系化合
物半導体層を形成し、この後前記基板結晶の冷却を 行う
ことを特徴とする低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導
体の気相成長方法。 - 【請求項2】 水素、窒素等のキャリアガス中に、III
属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の原料ガスとp型
ドーパントガスとを希釈して、加熱した基板結晶上にp
型窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程を含む気
相成長において、 p型窒化ガリウム系化合物半導体層を含む必要な多層膜
を形成した後に、前記基板結晶の温度が摂氏700度以
上の状態で、V属元素としてAsのみ又はPのみ又はA
sとPの双方を含むn型III −V属化合物半導体層を形
成し、この後前記基板結晶を冷却する ことを特徴とする
低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方
法。 - 【請求項3】 水素、窒素等のキャリアガス中に、III
属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の原料ガスとp型
ドーパントガスとを希釈して、加熱した基板結晶上にp
型窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程を含む気
相成長において、 p−n接合を持った窒化ガリウム系化合物半導体ダイオ
ードを形成する際に、p型窒化ガリウム系化合物半導体
の成長後にn型窒化ガリウム系化合物半導体のみを形成
することを特徴とし、かつ成長終了時の前記基板結晶の
温度が700℃以上である ことを特徴とする低抵抗p型
窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法。
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