JP2006237254A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電耐圧部140の形成工程では、まず最初に、1100℃でアンドープGaNからなる無添加半導体層141を200nmの膜厚で成長させる。続いて、850℃まで降温して、SiをドープしたGaNからなる添加半導体層142を50nmの膜厚で成長させる。なお、この無添加半導体層141と添加半導体層142の2層の半導体層によって、n形コンタクト層130の側から数えて1組目の本発明の耐電圧構造が構成される。その後、シランガスのみを止め、同温にてアンドープGaNからなる無添加半導体層143を200nmの膜厚で成長させる。最後に、シランガスを追加し、同温にてSiをドープしたGaNからなる添加半導体層144を30nmの膜厚で成長させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子の静電耐圧特性の改善に大いに有用なものである。
即ち、本発明の第1の手段は、 III族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を基板上に複数層積層して形成される半導体素子において、活性層と少なくとも一方のコンタクト層との間に、そのコンタクト層の側から、不純物が無添加の無添加半導体層、不純物が添加された添加半導体層の順で2層1組にて構成された耐電圧構造を複数組設けることである。
また、上記の不純物は、n形の不純物であってもp形の不純物であってもよく、複数の種類の不純物を同時に添加しても良い。また、n形の不純物とp形の不純物とを同時に添加しても良い。ただし、両方の形の不純物を混在させて1層の添加半導体層を形成する場合には、例えばn形コンタクト層では、p形の不純物よりもn形の不純物の方をより高い濃度で用いるものとする。
なお、上記の半導体素子は、発光ダイオードや半導体レーザなどの半導体発光素子であっても良いし、半導体受光素子であっても良い。また、上記の活性層は、MQW構造のものであっても、SQW構造のものであっても良い。
また、本発明の第4の手段は、上記の第1乃至第3の何れか1つの手段において、上記の添加半導体層を、シリコン(Si)を添加した窒化ガリウム(GaN)から構成することである。
また、本発明の第5の手段は、上記の第1乃至第4の何れか1つの手段において、上記の耐電圧構造を2組設けることである。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
即ち、本発明の第1の手段によれば、2層1組にて構成される上記の耐電圧構造が複数組半導体素子の中に形成されるので、この静電耐圧特性の向上に寄与する上記の複数組の耐電圧構造から成る部分において、少なくとも2層以上の添加半導体層が具備される。この構成によれば、高い静電圧が印加された際にキャリアが素子中の結晶構造の欠陥に集中する現象を従来よりも良好に緩和することができる。したがって、本発明の第1の手段によれば、発光強度や閾値電圧などの素子の発光性能または受光性能を少なくとも従来程度に十分確保したまま、素子の静電耐圧特性を従来よりも更に良好に得ることができる。
したがって、その様な加工基板に近い側である下方側にn形の半導体層を積層し、その反対側である上方側にp形の半導体層を積層する場合に本発明の第2の手段を用いれば、加工基板に近い側である下方側にn形の半導体層を積層し、かつ、p側のみに上記の耐電圧構造を形成する場合よりも、より効果的に上記のキャリアの集中を緩和することができる。
(理由2)この無添加半導体層を後述の800℃〜900℃程度の比較的低い結晶成長温度で成長させると、この無添加半導体層の表面に適度の荒れを形成することができる。この時、この無添加半導体層の膜厚が厚過ぎると、その表面荒れによってこの無添加半導体層の結晶品質や、その後に結晶成長させる例えば活性層などの半導体層の結晶品質を良好に確保することが困難になるため。
なお、この2組目の耐電圧構造の無添加半導体層の、800℃〜900℃程度の結晶成長温度における表面荒れや厚膜化に伴って、活性層などの半導体層の結晶品質もが劣化する現象は、原子半径が大きいために格子不整合を招き易いインジウム(In)を活性層に比較的多く用いる緑色発光または緑色受光の半導体素子においてより顕著化し易い。
また、上記のp形の不純物(アクセプター)としては、例えば、マグネシウム(Mg)や、或いはカルシウム(Ca)等の公知のp形不純物を添加することができる。
また、これらの不純物(アクセプター又はドナー)は、同時に2元素以上を添加しても良いし、同時に両形(p形とn形)を添加しても良い。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
この発光ダイオード100は、サファイア基板110の結晶成長面上に、バッファ層120、n形コンタクト層130、静電耐圧部140、n形クラッド層150、MQW活性層160、p形クラッド層170、及びp形コンタクト層180を順次結晶成長させて得られたものである。ただし、上記の静電耐圧部140は、下側から無添加半導体層141、添加半導体層142、無添加半導体層143、及び添加半導体層144の順に、各半導体層を順次結晶成長によって積層したものである。この静電耐圧部140では、無添加半導体層141と添加半導体層142とで、本発明の1組目の耐電圧構造が構成されており、更に、無添加半導体層143と添加半導体層144とで本発明の2組目の耐電圧構造が構成されている。
上記の発光ダイオード100の各半導体層は何れも、有機金属化合物気相成長法(MOVPE)による気相成長により結晶成長されたものである。ここで用いられたガスは、キャリアガス(H2 又はN2 )と、アンモニアガス(NH3 )と、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3:以下「TMG」と書く。) と、トリメチルインジウム(In(CH3)3:以下「TMI」と書く。) と、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3:以下「TMA」と書く。) と、シラン(SiH4 )と、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5 H5 )2 :以下「CP2 Mg」と書く。)などである。
ただし、これらの半導体層を結晶成長させる方法としては、上記の有機金属化合物気相成長法(MOVPE)の他にも、分子線気相成長法(MBE)、ハライド気相成長法(HVPE)等を用いることができる。
(a)フェイスダウン型のLEDを製造する場合に、外部量子効率を向上させる。
(b)ELO(半導体結晶の横方向成長)に寄与する。
(c)基板と半導体層との間に生じる応力を緩和する。
続いて、温度を510℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMA(トリメチルアルミニウム)とを用い、サファイア基板110上にAlNよりなるバッファ層120を約15nmの膜厚で成長させる。
バッファ層120成長後、TMGのみ止めて、温度を1100℃まで上昇させる。1100℃になったら、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Siを4.5×1018〔cm-3〕ドープしたGaNよりなるn形コンタクト層130を4μmの膜厚で成長させる。
(1)無添加半導体層141
次に、シランガスのみを止め、1100℃で、TMG、アンモニアガスを用いて、アンドープGaNからなる無添加半導体層141を200nmの膜厚で成長させる。
(2)添加半導体層142
続いて、TMGを止めて、温度を850℃まで降下させる。850℃になったら、TMG及びシランガスを追加して、Siを4.5×1018〔cm-3〕ドープしたGaNからなる添加半導体層142を50nmの膜厚で成長させる。
なお、この無添加半導体層141と添加半導体層142の2層の半導体層によって、n形コンタクト層130の側から数えて1組目の本発明の耐電圧構造が構成される。
その後、シランガスのみを止め、同温(850℃)にてアンドープGaNからなる無添加半導体層143を200nmの膜厚で成長させる。
(4)添加半導体層144
最後に、シランガスを追加し、同温(850℃)にてSiを4.5×1018〔cm-3〕ドープしたGaNからなる添加半導体層144を30nmの膜厚で成長させる。
なお、この無添加半導体層143と添加半導体層144の2層の半導体層によって、n形コンタクト層130の側から数えて2組目の本発明の耐電圧構造が構成される。
次に、シランガスとTMGを止めて、温度を1050℃まで上昇させる。1050℃になったら、TMGを追加し、アンドープGaNよりなる第1の窒化物半導体層を4nm成長させ、次に温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニアを用いて、アンドープIn0.13Ga0.87Nよりなる第2の窒化物半導体層を2nm成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第1+第2の順で交互に10層づつ積層させ、最後にGaNよりなる第1の窒化物半導体層を4nm成長さた超格子構造の多層膜よりなるn形クラッド層150を64nmの膜厚で成長させる。
次に、温度を800℃にして、膜厚20nmの無添加のGaNから成る障壁層と、膜厚3nmの無添加のIn0.2 Ga0.8 Nから成る井戸層とを交互に積層して構成されるMQW活性層160を成長させる。
次に、温度1050℃でTMG、TMA、アンモニア、CP2 Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを1×1020〔cm-3〕ドープしたp形Al0.2 Ga0.8 Nよりなる第3の窒化物半導体層を4nmの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニア、CP2 Mgを用いて、Mgを1×1020〔cm-3〕ドープしたIn0.03Ga0.97Nよりなる第4の窒化物半導体層を2.5nmの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第3+第4の順で交互に5層ずつ積層し、最後に第3の窒化物半導体層を4nmの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるp形クラッド層170を36.5nmの膜厚で成長させる。
続いて、1050℃でTMG、アンモニア、CP2 Mgを用いて、Mgを1×1020〔cm-3〕ドープしたp形GaNよりなるp形コンタクト層180を70nmの膜厚で成長させる。
更に、透光性のp電極191aの上に蒸着するpパッド電極191bは、膜厚約18nmのバナジウム(V)より成る第1層と、膜厚約1.5μmの金(Au)より成る第2層と、膜厚約10nmのアルミニウム(Al)より成る第3層とを順次積層することにより構成する。
一方、多層構造のn電極192は、n形コンタクト層130の一部露出された部分の上から、膜厚約18nmのバナジウム(V)より成る第1層と、膜厚約100nmのアルミニウム(Al)より成る第2層とを順次積層することにより構成する。
(a)静電圧が−1000vの時の生存率:約83%
(b)静電圧が−1200vの時の生存率:約83%
(c)静電圧が−1800vの時の生存率:約82%
(相違点)無添加半導体層141、添加半導体層142、及び無添加半導体層143の3層を積層する代わりに、結晶成長温度850℃で結晶成長された膜厚300nmのアンドープのGaNから成る半導体層を、添加半導体層144とn形コンタクト層130との間に積層した。なお、この場合も、図3に例示される従来構造と同様に、静電耐圧特性に寄与する部分における、不純物が添加された半導体層の数は、上記の添加半導体層144に対応するSiドープの半導体層の1層のみとなる。
(a)静電圧が−1000vの時の生存率:約45%
(b)静電圧が−1200vの時の生存率:約43%
(c)静電圧が−1800vの時の生存率:約42%
(相違点1)
サファイア基板210に対して実施例1で示した凹凸加工は実施せずに、結晶成長面にはサファイアa面を用いた。
発光ダイオード100の静電耐圧部140に対応する発光ダイオード200の静電耐圧部240において、n形コンタクト層130の側から数えて2組目の本発明の耐電圧構造の下層側を構成するアンドープの半導体層(無添加半導体層243)を次の結晶成長条件で積層した。
<結晶成長条件>結晶成長温度850℃にてアンドープGaNからなる半導体層(無添加半導体層243)を30nmの膜厚で成長させた。
MQW活性層260を構成する各井戸層の組成を変更した。即ち、緑色発光とするために、各井戸層をそれぞれアンドープのIn0.4 Ga0.6 Nから成る膜厚約3nmの半導体層から形成した。
そして、上記以外の点については、実施例1の発光ダイオード100と同等の製造条件で、本実施例2の発光ダイオード200を製造した。
(a)静電圧が−1000vの時の生存率:約77%
(相違点)無添加半導体層141、添加半導体層142、及び無添加半導体層243の3層を積層する代わりに、結晶成長温度850℃で結晶成長された膜厚300nmのアンドープのGaNから成る半導体層を、添加半導体層144とn形コンタクト層130との間に積層した。
(a)静電圧が−1000vの時の生存率:約4.1%
また、 III族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を基板上に複数層積層して形成されるその他の半導体デバイス(半導体素子)においても同様に、本発明の手段を適用することによって、本発明の作用・効果を得ることができる。
110 : サファイア基板
120 : バッファ層
130 : n形コンタクト層
140 : 静電耐圧部
141 : 無添加半導体層(無添加GaN)
142 : 添加半導体層(SiドープGaN)
143 : 無添加半導体層(無添加GaN)
144 : 添加半導体層(SiドープGaN)
150 : n形クラッド層(超格子構造)
160 : MQW活性層
170 : p形クラッド層(超格子構造)
180 : p形コンタクト層
191a: p電極
191b: pパッド電極
192 : n電極
210 : サファイア基板
220 : バッファ層
240 : 静電耐圧部
243 : 無添加半導体層(無添加GaN)
260 : MQW活性層
Claims (10)
- III族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を基板上に複数層積層して形成される半導体素子において、
活性層と少なくとも一方のコンタクト層との間に前記コンタクト層の側から、不純物が無添加の無添加半導体層、不純物が添加された添加半導体層の順で2層1組にて構成された耐電圧構造を複数組有する
ことを特徴とする半導体素子。 - 前記コンタクト層は、
n形のコンタクト層であり、
前記不純物は、
n形の不純物である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記無添加半導体層は、
不純物が無添加の窒化ガリウム(GaN)からなる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子。 - 前記添加半導体層は、
シリコン(Si)を添加した窒化ガリウム(GaN)からなる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体素子。 - 前記耐電圧構造を2組有する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の半導体素子。 - 前記活性層の発光ピーク波長又は受光ピーク波長は、
450nm以上480nm以下であり、
前記コンタクト層の側から数えて2組目の前記耐電圧構造を構成する前記無添加半導体層の膜厚は、
100nm以上300nm以下である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の半導体素子。 - 前記活性層の発光ピーク波長又は受光ピーク波長は、
510nm以上550nm以下であり、
前記コンタクト層の側から数えて2組目の前記耐電圧構造を構成する前記無添加半導体層の膜厚は、
10nm以上50nm以下である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の半導体素子。 - 請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記コンタクト層の側から数えて1組目の前記耐電圧構造を構成する前記無添加半導体層の結晶成長温度を1000℃以上1200℃以下にする
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記コンタクト層の側から数えて1組目の前記耐電圧構造を構成する前記添加半導体層の結晶成長温度、及び、
前記コンタクト層の側から数えて2組目以降の前記耐電圧構造を構成する前記半導体層の結晶成長温度
を何れも800℃以上900℃以下にする
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記コンタクト層の側から数えて1組目の前記耐電圧構造を構成する前記無添加半導体層の結晶成長温度を1000℃以上1200℃以下にする
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
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