CN101589454B - 电子元件的塑料封装体 - Google Patents

电子元件的塑料封装体 Download PDF

Info

Publication number
CN101589454B
CN101589454B CN2007800497879A CN200780049787A CN101589454B CN 101589454 B CN101589454 B CN 101589454B CN 2007800497879 A CN2007800497879 A CN 2007800497879A CN 200780049787 A CN200780049787 A CN 200780049787A CN 101589454 B CN101589454 B CN 101589454B
Authority
CN
China
Prior art keywords
frame
plastic
lid
lead wire
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007800497879A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101589454A (zh
Inventor
M·A·齐莫尔曼
K·史密斯
J·什维尔丁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IQLP LLC
Original Assignee
Interplex QLP Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Interplex QLP Inc filed Critical Interplex QLP Inc
Publication of CN101589454A publication Critical patent/CN101589454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101589454B publication Critical patent/CN101589454B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12556—Organic component
    • Y10T428/12569—Synthetic resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611—Oxide-containing component
    • Y10T428/12618—Plural oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

一种用于图像传感器的塑料封装体，该封装体包括塑料框体，所述塑料框体围绕引线框架成型并且限定腔体，图像传感器布置于所述腔体中。提供了有保持在塑料盖子框架中的透明玻璃盖的盖子组件，所述盖子框架可与封装体的塑料框体焊接或以其它方式接合，以包封安装在腔体中的图像传感器。在引线框架的表面上形成界面层，界面层由形成在引线框架表面上的氧化亚铜基层和形成在氧化亚铜层上的氧化铜层构成。氧化铜外层有针状结构，可在封装体形成中为与在此处成型的塑料材料的粘结提供互锁机制。

Description

电子元件的塑料封装体
相关申请的交叉引用
本申请请求享有美国专利临时申请No.60/874,450在35U.S.C.§119(e)下的权益，该申请2006年12月12日提交，其公开内容在此引入作为参考。
关于联邦政府资助研究或开发的声明
N/A
背景技术
如那些用于数码照相机和其它光学或图像感应设备的图像传感器通常容纳在陶瓷封装体中。陶瓷封装体包括与玻璃盖或罩环氧接合的陶瓷框架。陶瓷封装体昂贵，并且不易适应带式(strip form)或其它多单元形式的制造，如半导体封装行业所广泛使用的。此外，使用环氧作为粘结剂带来了若干问题，如水分渗透穿过环氧接合、可能会污染半导体器件的环氧脱气、以及限制陶瓷封装体密封性能的空气渗漏。此外，还难以准确地将玻璃盖与陶瓷框架对准，使玻璃盖板与图像传感器的表面平行。难以对准是由于不能控制通常用来将玻璃盖与陶瓷框架密封的环氧珠粒的厚度。
传统的陶瓷传感器封装体见图1中的剖面正视图所示。该封装体包括双层陶瓷基底，其由外侧陶瓷基底10和内侧陶瓷基底12构成，在其上表面上布置了CCD或CMOS图像传感器14。陶瓷框架16限定图像传感器位于其中的腔体18。陶瓷框架与基底10的外围表面密闭封合，酸硼硅玻璃盖或窗子20通过可UV固化的粘合剂与框架16的上表面密封。图像传感器的触点导线连接到基底10的内表面上提供的触点22。这些触点22通过在基底10中提供的导电馈通或通孔连接到外触点垫24。馈通26通常镀金，以提高内侧和外侧接触区之间的导电性。可UV固化的粘合剂通常用来将玻璃窗与陶瓷封装体的框架接合，以防止半导体传感元件暴露于高温中，高温是固化其它类型的环氧粘合剂时所需要的，但其可能会降解或破坏半导体传感元件。要求使用可UV固化的粘合材料限制了能够用于传统陶瓷封装体中的可用环氧的范围，因为大部分环氧粘合剂在升高的温度下固化。
包括图像传感器封装体的半导体和其它电子器件或元件封装体的可靠性与封装体的“气密性”或密封性有关。密封性是对封装体保护容纳在该封装体中的半导体或其它器件免受流体和水分进入的能力的测量。半导体器件上或附近的水分或腐蚀性气体可能会导致半导体器件上痕量金属的腐蚀，并且可能会引起故障。传统的密封封装体由金属、陶瓷、或玻璃质材料制成。这些材料渗透性较低，这样水分和流体通常会被这些材料阻止，从而导致在半导体器件上产生冷凝或腐蚀性气体的污染。
除了流体或水分的渗透，流体或水分还可能通过一些介面上的“漏隙(leak)”穿透图像传感器封装体。陶瓷封装体的所述介面包括金属/陶瓷界面，还有环氧/玻璃和环氧/陶瓷介面。这些介面上的任何小开口都会使流体或水分渗透到图像传感器封装体里面。
发明内容
本发明的图像传感器封装体消除了对陶瓷部件的需求，并且采用了塑料材料，所述塑料材料优选为高温液晶聚合物(LCP)材料。该封装体不但可用于图像传感器，而且可用于其它感光或发光半导体或其它器件或元件。根据本发明的封装体还可以用来容纳非光学器件或元件。
所述图像传感器封装体包括塑料框体或框架，优选为LCP材料的，所述框体或框架围绕金属引线框架成型且限定出腔体，腔体中布置图像传感器。引线框架在腔体中有其上安装图像传感器的中央部分，以及可与传感器接触面连接的多个引线。提供了盖子组件，其具有保持在盖子框架中的透明玻璃盖，盖子框架也是由优选LCP材料的塑料制成。盖子框架可与封装体的塑料框架焊接或以其它方式接合，以包封安装在腔体中的图像传感器。引线框架通常由铜或铜合金、或具有铜涂层的铁类金属合金构成。在引线框架的表面上至少在与塑料框架接触的那些部分形成界面层。该界面层用来在引线框架与塑料材料之间提供得到极大改善的粘结力，并且在金属与塑料材料之间实现密封的接合。界面层由在引线框架表面上形成的氧化亚铜基层和在氧化亚铜层上形成的氧化铜层构成。氧化铜外层具有针状结构，可在封装体形成中为成型到其上的塑料材料的粘合提供互锁机制。
在本发明的另一方面，提供了利用金属元件和塑料元件之间的界面层或中间层，在金属元件和塑料元件之间的密闭密封件和密封方法，该密闭密封件包括第一氧化物基层和形成在第一氧化物基层上的第二氧化物层，所述第一氧化物基层用于为金属材料提供牢固的粘结力，所述第二氧化物层具有对塑料材料有牢固粘结力的针状结构。
附图说明
本发明结合附图在以下详细说明中全面描述，其中：
图1是常规结构的陶瓷封装体的剖面正视图；
图2A显示了根据本发明制造的图像传感器封装体；
图2B显示了图2A的封装体的底部；
图3显示了本发明封装体中所使用的引线框架带；
图4A是盖子组件的剖面透视图；
图4B是盖子组件的透视图；
图4C是图4A的组件的剖面正视图；
图5是超声焊接的图像传感器封装体的剖面正视图；
图6是显示铜引线框架与封装体框架材料之间界面层的显微照片；
图7是界面层的图解正视图；
图8A是说明封装体制造步骤的流程图；
图8B是说明盖子组件制造步骤的流程图；
图9是制造商在封装体中装配器件时典型使用的步骤的流程图；
图10是说明通过非密封的传统LCP封装体的染料泄漏的显微照片；
图11是本发明的密封LCP封装体在泄漏试验后的顶部和底部的照片；以及
图12是说明包装材料渗透率的图表。
具体实施方式
在优选的实施方案中，对用于图像传感器的封装体、材料和制造封装体的方法进行描述。本发明并不限于图像传感器的封装体或其它光学器件的封装体，而是可更宽泛地用于容纳其它的半导体、电气和电子器件、元件或电路。
封装体构造可以是各种形式的，以适合特定的封装要求。封装体构造可以大小和形状不同，并且可以包括许多不同形式的电引线构造。本发明并不限于任何具体的封装类型或构造。本发明将在用于半导体图像传感器芯片封装体的情境中进行描述，如用于数码照相机和其它数字影像系统和器件的。
根据本发明的图像传感器封装体包括高温热塑性塑料框体或框架，优选LCP材料，其围绕金属引线框架模制成型(molded)。图像传感器芯片安装在封装体腔体中、引线框架的中央部分上，芯片通过线焊或其它方式与引线框架的引线连接。盖子组件在传感器芯片已安装在封装体腔体中后装配到封装体框架上，该盖子组件包括保持在高温热塑性塑料、优选LCP材料的框架中的玻璃盖。盖子组件的框架超声焊接到图像传感器封装体的塑料框架上，为传感器提供密闭封合的包封体。玻璃盖子与盖子组件的塑料框架化学接合，优选通过热接合。或者，玻璃盖可以嵌入成型到盖子组件的框架上。玻璃是光学级的，能在所关注的光学光谱内透射。对于摄影传感器，玻璃可透射可见光光谱。对于其它用途如某些LED封装体，玻璃可透射紫外光。
根据本发明的图像传感器封装体的绘制示意图见图2A中所示，仰视图见图2B中所示。塑料框架或框体30限定腔体区域，其中图像传感器安装在引线框架提供的铜表面32上。在腔体周围提供的铜引线34通过成型的框体延伸到引线框架底部上的位置36，如图2B所示。
引线框架使用传统方法用铜或铜合金制造(如，蚀刻或镀)。出于成本和方便制造的原因，引线框架通常以卷的形式(in a reel)制造。引线框架经过如下所述的处理，以改善塑料材料模制成型的粘结力。该处理可以以卷或带的形式进行。
引线框架带的一部分如图3所示，其中六个引线框架单元40横跨带42的宽度布置。在一个实施方案中，六个封装框体横跨引线框架带的宽度同时成型。然后前进引线框架带，另外六个框体模制成型到横跨所述带宽度布置的引线框架阵列。类似地，引线框架带随封装框体一起增加，所述带被盘绕到连续的卷上。或者，卷可以分成要求的长度和宽度的带，以适应用户的要求。或者可进一步将成型到每个引线框架单元上的封装框体分离为或单独成型(singulate)为单个单元，然后提供给用户，用于封装传感器。
盖子组件如图4A-4C所示。该盖子组件包括高温塑料框架50，优选LCP材料。玻璃盖52优选通过热接合与塑料框架50化学接合，以在玻璃盖子和塑料框架之间提供密封。玻璃盖子优选光学级的酸硼硅玻璃，为容纳在封装体内的图像传感器提供合适的光透射率。框架50有如图所示凹进的支架区，盖子52布置在其中。盖子与支架53接合(bond)。塑料框架有周围构造54，这与围绕封装体的塑料框架周围提供的构造形成互补。盖子组件在盖子框架和封装体框架的这些配对构造处进行超声焊接，以提供超声密封。具有盖子组件与封装体框架或框体接合的密封的封装体如图5所示。
引线优选由铜的合金制成，包括约2.1％-约2.6％的铁，约0.015％-约0.15％的磷，约0.05％-约0.2％的锌，余下的为铜。然而，这些材料的其它组合也可接受。引线进一步优选由约97.5％的铜、约2.35％的铁、约0.3％的磷和约0.12％的锌制成。这类合金可从Olin Corporation得到，UNS标号为C19400。
或者，引线可以用铁类金属合金制成，如镍铁合金的Alloy 42。在将塑料框体或框架成型到引线框架之前，在引线框架的表面上镀铜。
封装框体或框架是热塑性材料，其优选高温液晶聚合物(LCP)材料。盖子组件的塑料框架也优选LCP材料。对于许多应用，封装框体由I型LCP材料构成，所述LCP材料的熔融温度相对较高，为300-350℃。该高温材料有利于经受金-锡芯片焊接(die attach)所使用的温度，该芯片焊接常用于将图像传感器芯片焊接到封装体的铜基底。对于其它应用，如无铅焊料的芯片焊接，可以使用熔融温度为约280-320℃的II型LCP材料。
LCP组合物包括填料颗粒，加入填料颗粒是为了尺寸稳定性、热膨胀系数(CTE)调节、各向异性调节、较低的渗透率、得到较小的粒径、降低粉尘污染、以及优化其密封。填料颗粒可以包括滑石、玻璃、石墨、二氧化钛、碳酸钙、云母、氮化硼、石英、和熔凝石英。颗粒可以为纳米球的形式，或片状结构，即类似平板的构造。也可以使用这类颗粒形式的共混物。在一个组合物中，所述填料颗粒是片状结构和纳米球的50％共混物形式的滑石。滑石颗粒可以直径或宽度小于1微米，或可以是约1-3微米的更大尺寸的。颗粒的片状结构与LCP分子互相作用，以在分子中提供一些“弯曲”，这有助于降低各向异性。LCP组合物中约30-50重量％的滑石是一个优选的范围，可优化材料的CTE。优选地，LCP材料的CTE应该为约6ppm/℃-25ppm/℃，这样可与引线框架的CTE相一致。纳米尺寸的填料颗粒有利于提高材料对引线框架的密闭性的密封性能。在另一个组合物中，玻璃用于各种组合的几何尺寸中，包括纤维、研磨玻璃、和片状物。
盖子组件的框架也优选采用LCP材料，所述材料含有优选约10-30重量％的填料颗粒。
LCP材料组成的实例如表1所示。
表1
Figure G2007800497879D00061
为了提高引线框架对LCP封装体框架的粘结力，并且提供更好的密闭性，在引线框架的表面上至少在塑料材料将要成型的引线框架区域中提供界面层或中间层。该界面层由两个子层构成；即，在引线框架上或其希望的部分上形成的氧化亚铜基层，和在氧化亚铜层上形成的氧化铜层。氧化铜外层有针形(acicular)、枝状(dendritic)或针状(needle)的结构，其可在形成封装体中为与在此处成型的塑料材料的粘合提供互锁机制。典型地，在整个引线框架用界面材料成型前进行涂敷。在所述框架模制成型到引线框架上后，除去成型封装框体区域之外暴露部分的中间层材料。
界面层通过化学转化方法提供，借此，引线框架的铜表面在加工条件下氧化，这使得能够形成氧化亚铜基层和氧化铜外层。在合适的条件下，氧化亚铜层和氧化铜层基本上同时生长或形成。使用氧化材料，如已通过加入如氯化钠的碱性溶液而改性的化学氧化剂，其量为能够提供大于约125°F的反应温度。向引线框架施用氧化剂后的反应时间和温度决定了两个界面层的生长。反应时间大于约十分钟。在一个实施方案中，在约212-216°F的温度下，引线框架暴露于氧化性溶液的反应时间为约二十分钟。引线框架典型地浸渍在氧化性溶液的浴中，以提供界面层。
界面层的厚度为约1-10微米。基层比氧化铜层薄，其分配比例为约1∶5，虽然该范围可以在各种工艺条件下变化。氧化物材料为高密度的，并且对氧化物材料在铜上形成的所述铜具有高的粘结强度。这种双氧化物层用来缓减界面层中的应力，并且可以承受至少400℃的温度，以避免氧化物的开裂或其它降解，否则，在封装框体成型到引线框架的过程中，或者在图像传感器或其它芯片装配到封装体的安装面上时可能使用的芯片焊接的温度，可能发生上述现象。氧化铜涂层的针状结构典型地具有不规则的图案。氧化铜还为与铜接触的下面的氧化亚铜层提供保护。通过遮蔽位于下面的层，避免了高温破坏，可以实现这类保护，所述高温出现在封装体的成型中以及在芯片焊接期间，并且所述高温可以导致铜/氧化物界面的降解。
成型到已经提供有界面层的引线框架的塑料封装框体可以实现塑料框体与引线框架之间的防潮且密闭的封合。在封装体腔体中安装了图像传感器后，盖子组件随后与封装框体的接合在封装框体与盖子组件之间也提供了防潮且密闭的封合，因此得到了密封的封装体。
从图6的显微照片中可以看见界面层60，其显示了与铜引线框架接合的LCP封装框体材料的截面。所述界面层包括在铜表面上形成的氧化亚铜层和在氧化亚铜基层上形成的氧化铜层，该界面层具有以下性能和优点：氧化亚铜与铜引线框架形成牢固接合，并能够耐受脱层剥离。氧化铜的针状形态布局可减少表面张力，促进LCP的粘结润湿，并且因为提升的表面糙度而增加LCP材料的接合表面积。氧化铜还提供阻碍污染的惰性顶面和防水耐潮的低渗透率无机材料。
界面层60见图7的示意图所示的说明，其显示了牢固粘结至铜引线框架64的氧化亚铜基层(Cu2O)62，和具有针状或枝状结构48的氧化铜层(CuO)66，氧化铜层成型到LCP封装体材料。
如上所述，所述层可通过化学转化方法提供，其可以在标准的在线浴中实施。引线框架可以典型地为支架或卷-卷形式的。
该界面层可以与铁类金属及合金一起使用，以及与以上所述的铜一起使用。这类界面层也可以用作其它金属与热塑性材料之间的界面。通过使用该界面层，金属元件可以与热塑性元件密闭封合，以用于要求金属与塑料元件之间密闭封合的多种用途。一种这类的用途如在此描述的密闭封合的电子封装体，但其可用于更宽泛要求金属和塑料材料之间密闭或近似密闭封合的多种电气、电子、机械和其它结构。
图8A显示了制造图像传感器封装体的步骤。引线框架通过步骤70中的冲压或化学蚀刻制得。界面层在步骤72中在引线框架上形成，并且至少在待成型到LCP材料的部分中形成。LCP材料在步骤74中模制成型到引线框架上，产生封装体腔体。在步骤76中，引线框架在想要的部分电镀，如在其引线中。在步骤78中，图像传感器封装体可以单独成型为单独的部件，或以带或卷的形式包装。
盖子组件的制造见图8B中所示。在步骤80中，一块玻璃可以锯成或切割成所要求的尺寸。LCP材料的环形框架在步骤82中通过注射成型制成。玻璃盖通过热结合方法连结到环形框架上，如在步骤84中的热接合。盖子还可以通过其它方法结合到盖子框架，如嵌入成型。
图9所示为客户或最终用户可以用来在图像传感器封装体中安装图像传感器器件的步骤。在步骤90中，将器件装配到封装体腔体的铜安装面。在步骤92中，将器件触点线焊到封装体的潜在触点。在步骤94中，将盖子组件接合到封装体框架上，例如通过超声焊接。如果以带的形式制造，则完成后的封装体在步骤96中单独成型。
根据本发明构造的封装体可以实现能与传统且更昂贵的陶瓷封装体类似的密闭性。在满足严格的密闭性要求方面，本发明的性能如下所述。
评价腔体封装密闭性的传统方法是进行氦泄漏试验(MIL-STD-883)。在该试验中，将密封的封装体放置在氦气加压的容器(称为“高压贮罐”)中。一些氦会通过漏隙通道之一进入腔体封装体中。从高压贮罐中取出腔体封装体后，将腔体封装体连接到氦泄漏试验机上，以检测该腔体封装体的漏泄速率。释放出的氦的量取决于“漏隙”通道的大小和腔体封装体内氦的压力。腔体封装体内氦的压力取决于氦的量和腔体封装体的内容积。密闭性水平受MIL-STD-883试验条件1014支配。以下为密闭性等级和试验方式：
(i)试验条件A：使用氦示踪气体的微泄漏：
A1：固定方法
A2：可变方法
A4：未密封封装体的开口罐泄漏
(ii)试验条件B：使用放射性示踪气体的微泄漏：
(iii)试验条件C：大泄漏和微泄漏试验方法
C1：大泄漏起泡试验
C3：大泄漏蒸汽试验
C4/C5：OLT光学泄漏检测(大泄漏和微泄漏)
(iv)试验条件D：使用染料渗透剂的大泄漏(破坏性的)
(v)试验条件E：增重测量的大泄漏
为标定为密闭封装体，腔体封装体的氦漏泄速率必须满足下表2中所示的以下标准：
表2-氦漏泄率和密闭性等级
  泄漏体积(cc)   最大泄漏速率(atm-cc/sec)
  ＜＝0.01   5×10-8
  0.01＜V＜＝0.4   1×10-7
  ＞0.4   1×10-6
氦和其它气体通过微泄漏的气流是分子级的，因为漏隙通道很细微。撞击单位表面积的分子数量与气体的压力成正比，与其分子量的平方根成反比。以下表3中为图像传感器封装体所考虑的几种分子种类(气体)的性能，因为要求保护图像传感器封装体避免这些类别的分子：
表3-气体的性能
分子种类   分子量(Gram)   直径(×10-8cm)   粘度微泊20℃   分子质量(×10-24克)
  氦   4.0   2.2   194   6.64
  氖   20.2   2.6   311   33.5
  氩   40.0   3.7   222   66.2
  氮   28.0   3.8   177   46.5
  氧   32.0   3.6   202   53.1
空气   28.7   3.7   184   47.6
  水   18.0   3.2   125100℃   29.9
  二氧化碳   44.0   4.6   148   73.0
对于为了适应MIL-STD-883D测试的图像传感器封装体，因界面处开口所导致的泄漏应该小。
对于为了通过大泄漏试验条件Cl：MIL-STD-883的图像传感器封装体，以下条件应适用：
·氦泄漏速率＜＝1×10-5atm-cc/sec，并且
·截面尺寸大于1×10-4cm的漏隙通道会导致图像传感器封装体不能通过该试验。
图10显示了涉及使用标准LCP材料塑料成型的LCP图像传感器封装体的界面问题。该材料与引线框架的粘结并非最佳，插入腔体中的染料可以通过LCP/引线框架界面泄漏。该使用传统塑料材料的封装体不能满足适用的工业标准(MIL-STD-883，试验条件D：使用染料渗透剂的大泄漏)。
为了比较，图11显示了染料泄漏试验后的本发明构造。染料渗透剂没有通过LCP/引线框架界面泄漏，使该封装体能满足MIL-STD-883标准。
图12显示用于半导体封装体的一些材料。在非密闭封装体中，使用了其渗透率能使流体和水分轻易穿透的聚合物。在密闭封装体中，使用相对流体和水分不易通透的材料。如所看到的，“非密闭”材料的渗透率高，这样流体和水分能相对容易地穿透封装体。玻璃、陶瓷、和金属有相对较低的渗透率，使其适合用于密闭封装。还显示了所测得的用于本发明图像传感器封装体的LCP配方的渗透率。LCP配方的渗透率等同玻璃的，使其最适合于“密闭”封装体。
由于根据本发明构造的封装体是密闭封合的，所述封装体可以用来容纳如LED的元件，该LED可能包括液体或凝胶填充的内部。针对这类用途，本封装体可避免凝胶泄漏，而这种情况可能会在不是充分封合的传统封装体中发生。
虽然本发明针对用于图像传感器的封装体进行了说明，本发明并不限于图像传感器封装体或光学封装体，而是可用于提供塑料封装体容纳其它半导体、电子或电气元件、器件或电路。对于不需要玻璃盖的应用，盖子组件可以整件成型，其包括盖子或罩部分，以及可与封装体框架接合的环绕框架。此外，本发明的界面层不限于用在引线框架和塑料框架之间，而是可以在除电路或器件封装体以外更广泛地用作金属和塑料之间的界面层。相应地，本发明并不受限于显示和描述的实施方案，而是涵括了所附权利要求的全部精神和范围。

Claims (33)

1.一种图像传感器封装体，其包括：
塑料框架，该塑料框架围绕金属引线框架成型，并且限定腔体；
引线框架，该引线框架具有腔体中的中央部分和多个引线；
腔体中的金属引线框架的中央部分，该部分适合在其上安装图像传感器，并与多个引线相连；
盖子组件，该盖子组件具有保持在塑料盖子框架中的透明盖子；并且
该塑料盖子框架适合为焊接到塑料框架上，以包封安装在腔体中的图像传感器。
2.权利要求1的图像传感器封装体，其中塑料框架和塑料盖子框架各自均为热塑性材料。
3.权利要求2的图像传感器封装体，其中塑料框架和塑料盖子框架各自均为液晶聚合物材料。
4.权利要求3的图像传感器封装体，其中液晶聚合物材料的熔融温度大于300℃。
5.权利要求3的图像传感器封装体，其中液晶聚合物材料的熔融温度大于200℃。
6.权利要求3的图像传感器封装体，其中液晶聚合物材料含有填料颗粒，以提供可与金属引线框架的热膨胀系数一致的热膨胀系数。
7.权利要求6的图像传感器封装体，其中液晶聚合物材料的热膨胀系数为6-25ppm/℃。
8.权利要求6的图像传感器封装体，其中填料颗粒为纳米尺寸的。
9.权利要求6的图像传感器封装体，其中填料颗粒为10-17重量％。
10.权利要求2的图像传感器封装体，其中引线框架为铜。
11.权利要求2的图像传感器封装体，其中引线框架为铜合金。
12.权利要求2的图像传感器封装体，其中引线框架为具有铜表面的铁类金属。
13.一种制造电子元件封装体的方法，其包括以下步骤：
提供金属引线框架；
在至少部分的金属引线框架表面上提供氧化物材料的界面层；
围绕具有界面层的部分的金属引线框架成型塑料框架，该塑料框架限定腔体；
金属引线框架具有腔体中的中央部分和多个引线；
在腔体中的金属引线框架的中央部分上安装电子元件，并将该元件与多个引线相连；
提供盖子组件，该盖子组件具有与塑料的盖子框架接合的透明盖子；以及
将塑料盖子框架焊接到塑料框架上，以包封电子元件。
14.适合为密闭封合的电子元件封装体，其包括：
塑料框架，该塑料框架成型到金属引线框架上，并且限定腔体；
该金属引线框架具有腔体中的中央部分和多个引线；
金属引线框架的中央部分，其适合在其上安装电子元件，并与多个引线相连；
盖子组件，该盖子组件具有保持在塑料盖子框架中的塑料的盖子；并且
该塑料盖子框架适合为焊接到塑料框架上，以包封安装在腔体中的电子元件。
15.权利要求14的封装体，其中金属引线框架包括界面层，该界面层的材料改善所述金属引线框架与塑料框架的粘结力。
16.权利要求14的封装体，其中金属引线框架由铜构成；
并且，其中界面层在至少金属引线框架与塑料框架相接触的表面上形成，该界面层由在金属引线框架的表面上形成的氧化亚铜层，和在氧化亚铜层的表面上形成的氧化铜层构成。
17.权利要求15的封装体，其中界面层具有：
在金属引线框架的表面上形成的第一层；和
在第一层的表面上形成的第二层，该第二层具有与塑料框架接合的表面。
18.权利要求15的封装体，其中金属引线框架具有铜表面；
界面层具有在金属引线框架的铜表面上形成的氧化亚铜的第一层；和
在氧化亚铜层的表面上形成的氧化铜层，该氧化铜层具有与塑料框架接合的针状结构。
19.一种引线框架，用于制造具有塑料框架的密封的电子封装体，该塑料框架成型至铜引线框架，并限定腔体，该铜引线框架包括：
氧化亚铜的第一层，该第一层至少在待成型至塑料框架上的部分的铜引线框架表面上形成；以及
氧化铜的第二层，该第二层在第一层上形成，并且具有适合为与塑料框架接合的针状结构。
20.一种盖子组件，用于适合为密封的塑料电子元件封装体，该封装体具有围绕金属引线框架成型的塑料框架，该塑料框架限定可在其中安装电子元件的腔体，该盖子组件包括：
大小和构造覆盖封装体的塑料框架腔体的盖子；以及
适合为与盖子接合、并且适合为焊接到封装体的塑料框架，以包封并密闭封合该封装体腔体的塑料盖子框架。
21.一种构造盖子组件的方法，所述盖子组件具有与塑料盖子框架接合的透明盖子，该方法包括以下步骤：
将透明盖子锯成预定尺寸；
注射成型塑料盖子；以及
通过热接合使透明盖子与塑料盖子相连。
22.一种构建盖子组件的方法，所述盖子组件具有与塑料盖子框架接合的透明盖子，该方法包括以下步骤：
将透明盖子锯成预定尺寸；以及
通过包覆成型，将塑料盖子直接注射到透明盖子上。
23.一种热接合透明盖子与塑料盖子框架的方法，该方法包括以下步骤：
在夹具中加热透明盖子；
在匹配的夹具中加热塑料盖子框架；
将透明盖子和塑料盖子配对至固定的位移，以使塑料盖子的材料接触透明盖子，并且局部熔化透明盖子；以及
原地冷却组件。
24.权利要求13的方法，其中将盖子框架焊接到塑料框架的步骤包括超声焊接盖子框架与塑料框架；并且
其中超声焊接只应用于盖子框架的周边。
25.一种制造电子元件封装体的方法，该方法包括以下步骤：
提供金属引线框架；
在至少部分的金属引线框架表面上提供氧化物材料的界面层；
围绕具有界面层的部分的金属引线框架成型热塑性框架，该热塑性框架限定腔体；
金属引线框架在腔体中具有用于安装电子元件的中央部分，并且具有适合为与电子元件连接的多个引线；
提供盖子组件，该盖子组件具有与热塑性盖子框架接合的透明盖子；以及
将盖子框架焊接到塑料框架上，以包封安装在腔体中的元件。
26.权利要求25的方法，其中液晶聚合物材料包括氢化奎宁(HQ)、对苯二甲酸、间苯二甲酸、2，6-萘二甲酸、4-羟基苯甲酸(HBA)、双酚(BP)、和羟基萘甲酸；以及
至少一种选自以下组中的填料颗粒：滑石、玻璃纤维、研磨玻璃和薄片碎玻璃。
27.权利要求26的方法，其中填料颗粒为10-50重量％。
28.权利要求27的方法，其中至少一些填料颗粒的粒径为50-350微米。
29.权利要求25的方法，其中提供界面层的步骤包括在至少部分的金属引线框架的表面上提供第一氧化物，以及在第一氧化物上提供第二氧化物。
30.权利要求29的方法，其中提供界面层的步骤包括在整个的引线框架的表面上提供界面层；
并且进一步包括在成型热塑性框架后从引线框架除去界面层暴露部分的步骤。
31.权利要求25的方法，其中金属引线框架为铜，并且其中界面层为铜氧化物材料。
32.权利要求25的方法，其中成型步骤包括注射成型热塑性框架；
其中提供盖子组件的步骤包括注射成型盖子框架，以及将透明盖子与其接合。
33.权利要求25的方法，其中焊接步骤包括超声焊接盖子框架与塑料框架。
CN2007800497879A 2006-12-12 2007-12-12 电子元件的塑料封装体 Active CN101589454B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US87445006P 2006-12-12 2006-12-12
US60/874,450 2006-12-12
PCT/US2007/025452 WO2008073485A2 (en) 2006-12-12 2007-12-12 Plastic electronic component package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101589454A CN101589454A (zh) 2009-11-25
CN101589454B true CN101589454B (zh) 2012-05-16

Family

ID=39512337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800497879A Active CN101589454B (zh) 2006-12-12 2007-12-12 电子元件的塑料封装体

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20080150064A1 (zh)
EP (1) EP2100323A4 (zh)
JP (1) JP2010512665A (zh)
CN (1) CN101589454B (zh)
WO (1) WO2008073485A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107808866A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009176894A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Panasonic Corp 光学半導体装置
US8059404B2 (en) * 2008-10-09 2011-11-15 GM Global Technology Operations LLC Power inverters
JP2010228441A (ja) * 2009-03-06 2010-10-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリマーの成形体とガラス基材とを溶着する方法、及び、これにより製造された複合体
US20110057216A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 Tong Hsing Electric Industries Ltd. Low profile optoelectronic device package
US9337360B1 (en) 2009-11-16 2016-05-10 Solar Junction Corporation Non-alloyed contacts for III-V based solar cells
US8237171B2 (en) * 2010-02-09 2012-08-07 Microsemi Corporation High voltage high package pressure semiconductor package
US8587107B2 (en) 2010-02-09 2013-11-19 Microsemi Corporation Silicon carbide semiconductor
US9214586B2 (en) 2010-04-30 2015-12-15 Solar Junction Corporation Semiconductor solar cell package
US20120028011A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Chong Pyung An Self-passivating mechanically stable hermetic thin film
US8962989B2 (en) 2011-02-03 2015-02-24 Solar Junction Corporation Flexible hermetic semiconductor solar cell package with non-hermetic option
US8481420B2 (en) 2011-03-15 2013-07-09 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with lead frame stacking module and method of manufacture thereof
US20130025745A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Texas Instruments Incorporated Mask-Less Selective Plating of Leadframes
MX2014003726A (es) 2011-09-30 2014-07-09 Saint Gobain Performance Plast Articulo de fluoropolimero procesado por fusion y metodo para procesar por fusion fluoropolimeros.
CN102610585B (zh) * 2011-12-19 2015-01-14 佛山市蓝箭电子股份有限公司 一种封装硅芯片的方法及其形成的电子元件
KR20130087249A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 이미지 센서 패키지
CN102820409A (zh) * 2012-08-13 2012-12-12 深圳市灏天光电有限公司 一种大功率led支架及大功率led封装结构
WO2014027955A1 (en) * 2012-08-16 2014-02-20 Unisteel Technology International Limited A novel method of making a novel lcp nanocomposite
US9466544B2 (en) 2013-01-30 2016-10-11 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconducitive catechol group encapsulant adhesion promoter for a packaged electronic device
EP2790213A3 (en) * 2013-04-11 2015-04-01 Chun Ho Fan Cavity package
JP2017518640A (ja) * 2014-05-23 2017-07-06 マテリオン コーポレイション エアキャビティパッケージ
DE102015108078A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Aesculap Ag Elektrochirurgisches Koagulationsinstrument
US10090420B2 (en) 2016-01-22 2018-10-02 Solar Junction Corporation Via etch method for back contact multijunction solar cells
WO2017150043A1 (ja) * 2016-03-03 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 銅張積層板の製造方法
US9680035B1 (en) 2016-05-27 2017-06-13 Solar Junction Corporation Surface mount solar cell with integrated coverglass
CN106252289B (zh) * 2016-09-29 2019-02-01 山东盛品电子技术有限公司 一种提高气密性的塑封管壳产品及制备方法
CN106298685B (zh) * 2016-09-29 2019-01-04 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 一种采用超声波焊接的电子芯片封装结构
CN110914383B (zh) * 2017-05-12 2024-03-08 离子材料第二公司 液晶聚合物外壳材料
CN107301988B (zh) * 2017-05-27 2023-06-13 格科微电子（上海）有限公司 摄像头模组及其装配方法
JP6892796B2 (ja) * 2017-07-07 2021-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
JP6923423B2 (ja) * 2017-11-21 2021-08-18 Ｔｏｗａ株式会社 搬送装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP7170498B2 (ja) * 2018-10-24 2022-11-14 株式会社三井ハイテック リードフレーム、及びリードフレームパッケージ
DE102019201228B4 (de) * 2019-01-31 2023-10-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Sensoreinrichtungen und Sensoreinrichtung
TWI721837B (zh) * 2020-03-26 2021-03-11 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
CN112002683A (zh) * 2020-08-25 2020-11-27 湖南方彦半导体有限公司 一种半导体框架

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122862A (en) * 1989-03-15 1992-06-16 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic lid for sealing semiconductor element and method of manufacturing the same
US5529959A (en) * 1992-06-23 1996-06-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
US6313525B1 (en) * 1997-07-10 2001-11-06 Sony Corporation Hollow package and method for fabricating the same and solid-state image apparatus provided therewith

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5826381B2 (ja) * 1979-04-28 1983-06-02 信越ポリマ−株式会社 電磁気シ−ルドガスケットおよびその製造方法
US4880591A (en) * 1988-04-05 1989-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing speaker vibration member
ATE186795T1 (de) * 1990-07-21 1999-12-15 Mitsui Chemicals Inc Halbleiteranordnung mit einer packung
JP2876092B2 (ja) * 1990-12-28 1999-03-31 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板におけるリードフレームの表面処理方法
US5250654A (en) * 1992-05-04 1993-10-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermotropic liquid crystalline polyester compositions
JP3270862B2 (ja) * 1992-09-02 2002-04-02 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPH0677526A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Nippondenso Co Ltd 樹脂封止形光電変換装置及びその製造方法
JPH0685221A (ja) * 1992-08-31 1994-03-25 Sony Corp 固体撮像装置
JP2853550B2 (ja) * 1994-01-25 1999-02-03 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
US5586214A (en) * 1994-12-29 1996-12-17 Energy Convertors, Inc. Immersion heating element with electric resistance heating material and polymeric layer disposed thereon
US5691689A (en) * 1995-08-11 1997-11-25 Eaton Corporation Electrical circuit protection devices comprising PTC conductive liquid crystal polymer compositions
US6011294A (en) * 1996-04-08 2000-01-04 Eastman Kodak Company Low cost CCD packaging
US6409859B1 (en) * 1998-06-30 2002-06-25 Amerasia International Technology, Inc. Method of making a laminated adhesive lid, as for an Electronic device
JP3407218B2 (ja) * 1998-12-09 2003-05-19 富士電機株式会社 半導体光センサデバイス
JP2001127229A (ja) * 1999-11-01 2001-05-11 Nec Corp リードフレーム及びそのリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
US6455774B1 (en) * 1999-12-08 2002-09-24 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package
JP2001210776A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法及びリードフレームとその製造方法
US6525405B1 (en) * 2000-03-30 2003-02-25 Alphatec Holding Company Limited Leadless semiconductor product packaging apparatus having a window lid and method for packaging
JP2001335708A (ja) * 2000-05-26 2001-12-04 Matsushita Electric Works Ltd 熱可塑性樹脂組成物、その製造方法、並びに半導体素子収納用パッケージ
JP2002094035A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 光透過用キャップ及びその製造方法
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP2002334944A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 中空構造パッケージ
JP2002363395A (ja) * 2001-05-31 2002-12-18 Toray Ind Inc 封止用樹脂組成物、成形品および電子封止部品
JP3831322B2 (ja) * 2001-12-25 2006-10-11 日本碍子株式会社 Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、ｉｉｉ族窒化物膜、ｉｉｉ族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物素子
SG157957A1 (en) * 2003-01-29 2010-01-29 Interplex Qlp Inc Package for integrated circuit die
JP3883543B2 (ja) * 2003-04-16 2007-02-21 新光電気工業株式会社 導体基材及び半導体装置
US20040245590A1 (en) * 2003-06-05 2004-12-09 Jackson Hsieh Image sensor package
US7615563B2 (en) * 2003-08-08 2009-11-10 Gonzalez Iii Jesus E Compositions useful as inhibitors of voltage-gated sodium channels
US7645635B2 (en) * 2004-08-16 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages
US7224047B2 (en) * 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
JP2006303484A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像素子収納用ケース及び製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122862A (en) * 1989-03-15 1992-06-16 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic lid for sealing semiconductor element and method of manufacturing the same
US5529959A (en) * 1992-06-23 1996-06-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
US6313525B1 (en) * 1997-07-10 2001-11-06 Sony Corporation Hollow package and method for fabricating the same and solid-state image apparatus provided therewith

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107808866A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装
CN107808866B (zh) * 2016-09-09 2022-01-28 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装

Also Published As

Publication number Publication date
US20080150064A1 (en) 2008-06-26
US20080305355A1 (en) 2008-12-11
US8039945B2 (en) 2011-10-18
WO2008073485A4 (en) 2008-12-31
WO2008073485A3 (en) 2008-11-13
EP2100323A4 (en) 2011-12-07
WO2008073485A2 (en) 2008-06-19
US20110064881A1 (en) 2011-03-17
EP2100323A2 (en) 2009-09-16
JP2010512665A (ja) 2010-04-22
CN101589454A (zh) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101589454B (zh) 电子元件的塑料封装体
AU649139B2 (en) Arrangement for encasing a functional device, and a process for the production of same
US6455354B1 (en) Method of fabricating tape attachment chip-on-board assemblies
US9565758B2 (en) Alkali silicate glass based coating and method for applying
US5324888A (en) Metal electronic package with reduced seal width
EP0421005B1 (en) Process of assembling an electronic package
CN101461070B (zh) 光半导体元件搭载用封装及使用其的光半导体装置
US4594770A (en) Method of making semiconductor casing
US20090045476A1 (en) Image sensor package and method for forming the same
KR101843402B1 (ko) 표면 장착 가능한 광전자 소자 그리고 표면 장착 가능한 광전자 소자를 제조하기 위한 방법
JP5121353B2 (ja) オーバーモールドされたｍｃｍｉｃパッケージ及びその製造方法
CN102779795A (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
TW200905925A (en) Side-view light-emitting diode package and fabrication method thereof
CN207572355U (zh) 半导体封装
JP2008300554A (ja) 半導体装置
TWI425676B (zh) 半導體封裝結構
EP0881677A1 (en) Semiconductor device and multilayered lead frame used for the same
JP2002100710A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR0168841B1 (ko) 금속전자 패키지 및 그 제조공정
JPS6119154A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05183072A (ja) 半導体装置
JP2000124401A (ja) 半導体装置
JPH025553A (ja) 半導体装置
JPH0532907B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YIDELE QLP CO.,LTD.

Free format text: FORMER OWNER: YIDELE ENGINEERED PRODUCTS CO., LTD.

Effective date: 20100122

Owner name: YIDELE ENGINEERED PRODUCTS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: YUEJIN ENCAPSULATION CO.,LTD.

Effective date: 20100122

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100122

Address after: American New York

Applicant after: Interplex QLP, Inc.

Address before: Rhode Island USA

Applicant before: Lok Lok engineering products Co.

Effective date of registration: 20100122

Address after: Rhode Island USA

Applicant after: Lok Lok engineering products Co.

Address before: Massachusetts USA

Applicant before: IQLP, LLC

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: IQLP LLC

Free format text: FORMER OWNER: INTERPLEX QLP INC.

Effective date: 20140818

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140818

Address after: Massachusetts USA

Patentee after: IQLP LLC

Address before: American New York

Patentee before: Interplex QLP, Inc.