JPH10195635A - 円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法 - Google Patents
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法Info
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- JPH10195635A JPH10195635A JP256797A JP256797A JPH10195635A JP H10195635 A JPH10195635 A JP H10195635A JP 256797 A JP256797 A JP 256797A JP 256797 A JP256797 A JP 256797A JP H10195635 A JPH10195635 A JP H10195635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内周面に形成する硬質カーボン膜との膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚で
形成し、さらに密着性を向上させる。 【解決手段】 円筒状部材１１の開口内に補助電極電源
３５に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極２
３を挿入するように円筒状部材を真空槽１３内に配置
し、円筒状部材１１は直流電源２５から直流負電圧を印
加し、真空槽１３内を排気後、ガス導入口１５からアル
ゴンガスを導入し、補助電極電源３５から直流負電圧を
補助電極２３に印加して円筒状部材１１の開口内の補助
電極２３の周囲にプラズマを発生させ円筒状部材１１の
内周面に硬質カーボン膜を形成する。
布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚で
形成し、さらに密着性を向上させる。 【解決手段】 円筒状部材１１の開口内に補助電極電源
３５に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極２
３を挿入するように円筒状部材を真空槽１３内に配置
し、円筒状部材１１は直流電源２５から直流負電圧を印
加し、真空槽１３内を排気後、ガス導入口１５からアル
ゴンガスを導入し、補助電極電源３５から直流負電圧を
補助電極２３に印加して円筒状部材１１の開口内の補助
電極２３の周囲にプラズマを発生させ円筒状部材１１の
内周面に硬質カーボン膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は硬質カーボン膜を円
筒状部材の内周面に形成するための形成方法に関し、と
くにブッシュやピストンリングやベアリングなどの円筒
状部材（部品）に硬質カーボン膜を被膜形成する方法に
関する。
筒状部材の内周面に形成するための形成方法に関し、と
くにブッシュやピストンリングやベアリングなどの円筒
状部材（部品）に硬質カーボン膜を被膜形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】硬質カーボン膜は黒色を有し、ダイヤモ
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。
【０００３】この硬質カーボン膜の形成方法を、図７を
用いて説明する。図７は従来技術における硬質カーボン
膜の形成方法を示す断面図である。図７に示すように、
ガス導入口１５と排気口１７とを有する真空槽１３内に
円筒状部材１１を配置する。
用いて説明する。図７は従来技術における硬質カーボン
膜の形成方法を示す断面図である。図７に示すように、
ガス導入口１５と排気口１７とを有する真空槽１３内に
円筒状部材１１を配置する。
【０００４】そして排気口１７から真空槽１３内を、図
示しない排気手段により真空排気する。その後、ガス導
入口１５から炭素を含むガスを真空槽１３内に導入し
て、設定圧力になるように調整する。
示しない排気手段により真空排気する。その後、ガス導
入口１５から炭素を含むガスを真空槽１３内に導入し
て、設定圧力になるように調整する。
【０００５】その後、アノード３１にはアノード電源２
７から直流電圧を印加し、フィラメント３３にはフィラ
メント電源２９から交流電圧を印加する。さらに円筒状
部材１１には、直流電源２５から直流電圧を印加する。
そして真空槽１３内にプラズマを発生させて、円筒状部
材１１に硬質カーボン膜を形成している。
７から直流電圧を印加し、フィラメント３３にはフィラ
メント電源２９から交流電圧を印加する。さらに円筒状
部材１１には、直流電源２５から直流電圧を印加する。
そして真空槽１３内にプラズマを発生させて、円筒状部
材１１に硬質カーボン膜を形成している。
【０００６】この図７に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法においては、円筒状部材１１に印加する直流電圧に
より発生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメ
ント３３と直流電圧を印加するアノード３１で発生する
プラズマとが発生する。
方法においては、円筒状部材１１に印加する直流電圧に
より発生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメ
ント３３と直流電圧を印加するアノード３１で発生する
プラズマとが発生する。
【０００７】そして硬質カーボン膜を形成するときの真
空槽１３内の圧力により、円筒状部材１１周囲のプラズ
マか、フィラメント３３とアノード３１近傍のプラズマ
かが主になって、硬質カーボン膜を形成している。
空槽１３内の圧力により、円筒状部材１１周囲のプラズ
マか、フィラメント３３とアノード３１近傍のプラズマ
かが主になって、硬質カーボン膜を形成している。
【０００８】さらに別の硬質カーボン膜の形成方法を図
８を用いて説明する。図８は従来技術における硬質カー
ボン膜の形成方法を示す断面図である。図８に示すよう
に、グラファイトカーボンからなるターゲット３７と、
開口を有しこの内周面に硬質カーボン膜にを形成する円
筒状部材１１とをそれぞれ対向するように、真空層１３
内に配置する。この円筒状部材１１には直流電源２５か
ら負の直流電圧を印加している。なおターゲット３７の
周囲にはターゲットカバー３７ａを設けている。
８を用いて説明する。図８は従来技術における硬質カー
ボン膜の形成方法を示す断面図である。図８に示すよう
に、グラファイトカーボンからなるターゲット３７と、
開口を有しこの内周面に硬質カーボン膜にを形成する円
筒状部材１１とをそれぞれ対向するように、真空層１３
内に配置する。この円筒状部材１１には直流電源２５か
ら負の直流電圧を印加している。なおターゲット３７の
周囲にはターゲットカバー３７ａを設けている。
【０００９】その後、図示しない排気手段によって真空
層１３内を排気口１７から真空排気する。その後、ガス
導入口１５からスパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガ
スを導入する。さらにその後、ターゲット３７にはター
ゲット電源３９から負の直流電圧を印加する。
層１３内を排気口１７から真空排気する。その後、ガス
導入口１５からスパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガ
スを導入する。さらにその後、ターゲット３７にはター
ゲット電源３９から負の直流電圧を印加する。
【００１０】すると真空層１３内にはプラズマが発生
し、プラズマ中のイオンによってグラファイトカーボン
からなるターゲット３７表面をスパッタリングする。そ
してこのターゲット３７表面からたたき出された炭素
は、円筒状部材１１に付着し、硬質カーボン膜を円筒状
部材１１の内周面に形成することができる。
し、プラズマ中のイオンによってグラファイトカーボン
からなるターゲット３７表面をスパッタリングする。そ
してこのターゲット３７表面からたたき出された炭素
は、円筒状部材１１に付着し、硬質カーボン膜を円筒状
部材１１の内周面に形成することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図７を用いて説明した
硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽１３内の
圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ以上のときは、円筒状部材１
１の周囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含む
ガスを分解して硬質カーボン膜を形成する。
硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽１３内の
圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ以上のときは、円筒状部材１
１の周囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含む
ガスを分解して硬質カーボン膜を形成する。
【００１２】このとき円筒状部材１１の外周部には硬質
カーボン膜を均一性よく形成することができるが、円筒
状部材１１の内周面に形成する硬質カーボン膜は密着性
が悪く、さらに硬度などの膜質が劣る。
カーボン膜を均一性よく形成することができるが、円筒
状部材１１の内周面に形成する硬質カーボン膜は密着性
が悪く、さらに硬度などの膜質が劣る。
【００１３】これは、円筒状部材１１には同じ電圧が印
加されており、内周面は同電位の電極どうしが対向して
いる空間となり、その内周面でのプラズマはホロー放電
と呼ばれる異常放電を発生する。このホロー放電によっ
て形成される硬質カーボン膜は、ポリマーライクな密着
性の悪い被膜であり、円筒状部材１１から剥離しやす
く、その硬度も低い。
加されており、内周面は同電位の電極どうしが対向して
いる空間となり、その内周面でのプラズマはホロー放電
と呼ばれる異常放電を発生する。このホロー放電によっ
て形成される硬質カーボン膜は、ポリマーライクな密着
性の悪い被膜であり、円筒状部材１１から剥離しやす
く、その硬度も低い。
【００１４】これにたいして真空槽１３内の圧力が３×
１０-3ｔｏｒｒより低いときは、円筒状部材１１周囲の
プラズマより、硬質カーボン膜の形成はフィラメント３
３とアノード３１近傍に発生するプラズマがおもに寄与
する。
１０-3ｔｏｒｒより低いときは、円筒状部材１１周囲の
プラズマより、硬質カーボン膜の形成はフィラメント３
３とアノード３１近傍に発生するプラズマがおもに寄与
する。
【００１５】このとき円筒状部材１１の外周部には硬質
カーボン膜を均一性よく形成することができるが、円筒
状部材１１の内周面に形成する硬質カーボン膜は円筒状
部材１１の長手方向で膜厚を均一に形成することができ
ない。
カーボン膜を均一性よく形成することができるが、円筒
状部材１１の内周面に形成する硬質カーボン膜は円筒状
部材１１の長手方向で膜厚を均一に形成することができ
ない。
【００１６】ここで、フィラメント３３とアノード３１
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、円筒状部材１１に印加する直流負電位に引っ張られ
て堆積し、円筒状部材１１に硬質カーボン膜の被膜形成
を行っている。
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、円筒状部材１１に印加する直流負電位に引っ張られ
て堆積し、円筒状部材１１に硬質カーボン膜の被膜形成
を行っている。
【００１７】前述の真空槽１３内の圧力が３×１０-3ｔ
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ
より低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形
成される。
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ
より低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形
成される。
【００１８】このためにフィラメント３３とアノード３
１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、円筒状部材１１の内周面には開口端面から開口
奥側に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くな
る。この結果、円筒状部材１１の内周面に形成する硬質
カーボン膜は、円筒状部材１１の長手方向で膜厚を均一
に形成することができない。
１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、円筒状部材１１の内周面には開口端面から開口
奥側に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くな
る。この結果、円筒状部材１１の内周面に形成する硬質
カーボン膜は、円筒状部材１１の長手方向で膜厚を均一
に形成することができない。
【００１９】さらに図８に示す硬質カーボン膜の形成方
法においても、円筒状部材１１の内周面には開口端面か
ら開口奥側に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄
くなる。この円筒状部材内周面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚分布を、図３のグラフを用いて説明する。図３
のグラフは、横軸は円筒状部材の開口端からの距離を示
し、縦軸は円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚を示す。そして曲線４１が、図８に示す形成方
法によって形成したときの硬質カーボン膜の膜厚状態を
示す。
法においても、円筒状部材１１の内周面には開口端面か
ら開口奥側に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄
くなる。この円筒状部材内周面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚分布を、図３のグラフを用いて説明する。図３
のグラフは、横軸は円筒状部材の開口端からの距離を示
し、縦軸は円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚を示す。そして曲線４１が、図８に示す形成方
法によって形成したときの硬質カーボン膜の膜厚状態を
示す。
【００２０】図３のグラフの曲線４１に示すように、円
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図８に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２５ｍｍに入った位
置では、０．２μｍと極端に硬質カーボン膜の膜厚が薄
くなっている。
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図８に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２５ｍｍに入った位
置では、０．２μｍと極端に硬質カーボン膜の膜厚が薄
くなっている。
【００２１】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、内周面に均一な膜厚で硬質カーボン膜を形
成し、そのうえ硬質カーボン膜を密着性よくしかも均一
な膜厚で形成することが可能な円筒状部材の内周面への
硬質カーボン膜の形成方法を提供することである。
を解決して、内周面に均一な膜厚で硬質カーボン膜を形
成し、そのうえ硬質カーボン膜を密着性よくしかも均一
な膜厚で形成することが可能な円筒状部材の内周面への
硬質カーボン膜の形成方法を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜の
形成方法においては、下記記載の手段を採用する。
に、本発明の円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜の
形成方法においては、下記記載の手段を採用する。
【００２３】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
【００２４】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、筒状部材の開口内に補助電極電源
に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入
するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材
は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを導
入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、筒状部材の開口内に補助電極電源
に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入
するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材
は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを導
入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２５】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２６】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、高周波電源
から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口
内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を
構成するグラファイトカーボンをスパッタリングするこ
とによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、高周波電源
から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口
内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を
構成するグラファイトカーボンをスパッタリングするこ
とによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。
【００２７】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを導
入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを導
入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２８】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は直流電源から直流負電圧に接続し、真空槽内を排気
後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２９】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電
圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極
の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラ
ファイトカーボンをスパッタリングすることによって円
筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電
圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極
の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラ
ファイトカーボンをスパッタリングすることによって円
筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
【００３０】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスと炭素を含むガスを導入し、補助電極
電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の
開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電
極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングす
ることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を
形成すことを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスと炭素を含むガスを導入し、補助電極
電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の
開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電
極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングす
ることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を
形成すことを特徴とする。
【００３１】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスとメタンガスを導入し、補助電極電源
から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口
内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を
構成するグラファイトカーボンをスパッタリングするこ
とによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスとメタンガスを導入し、補助電極電源
から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口
内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を
構成するグラファイトカーボンをスパッタリングするこ
とによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。
【００３２】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００３３】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスと炭素を含むガスを導入し、高周波電
源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスと炭素を含むガスを導入し、高周波電
源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
【００３４】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスとメタンガスを導入し、高周波電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成するグラファイトカーボンをスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿
入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部
材は接地電位に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口
からアルゴンガスとメタンガスを導入し、高周波電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成するグラファイトカーボンをスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
【００３５】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンを
スパッタリングすることによって円筒状部材の内周面に
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンを
スパッタリングすることによって円筒状部材の内周面に
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００３６】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００３７】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
メタンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
メタンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
【００３８】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを
導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを
導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００３９】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を
補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファ
イトカーボンをスパッタリングすることによって円筒状
部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を
補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファ
イトカーボンをスパッタリングすることによって円筒状
部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
【００４０】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
メタンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧に接続
し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと
メタンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
【００４１】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極
電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の
開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電
極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングす
ることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極
電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の
開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電
極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングす
ることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を
形成することを特徴とする。
【００４２】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンを
スパッタリングすることによって円筒状部材の内周面に
硬質カーボン膜を形成すことを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンを
スパッタリングすることによって円筒状部材の内周面に
硬質カーボン膜を形成すことを特徴とする。
【００４３】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００４４】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、高周波電
源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、高周波電
源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成するグラファイトカーボンをスパッタリングする
ことによって円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
【００４５】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを
導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導
入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
中間層材料をスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材の開
口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボンから
なる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内を排
気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスを
導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加し
て円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発
生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをス
パッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００４６】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガ
ス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から
直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の
補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成
する中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材
の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボン
からなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内
を排気した後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印
加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマ
を発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボン
をスパッタリングすることによって円筒状部材の内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
に円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電
源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガ
ス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から
直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の
補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成
する中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に中間層を形成し、その後、円筒状部材
の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカーボン
からなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空槽内
を排気した後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印
加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマ
を発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボン
をスパッタリングすることによって円筒状部材の内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００４７】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成する第１の中間層材料をスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、
その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガス導入
口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流負
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第
２の中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に第２の中間層を形成し、さらにその
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグラフ
ァイトカーボンからなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成する第１の中間層材料をスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、
その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガス導入
口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流負
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第
２の中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に第２の中間層を形成し、さらにその
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグラフ
ァイトカーボンからなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００４８】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスと炭素を含むガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
グラファイトカーボンをスパッタリングすることによっ
て円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスと炭素を含むガスを導入し、補助電極電源から直流
負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助
電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する
グラファイトカーボンをスパッタリングすることによっ
て円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。
【００４９】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスとメタンガスを導入し、補助電極電源から直流負電
圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極
の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラ
ファイトカーボンをスパッタリングすることによって円
筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスとメタンガスを導入し、補助電極電源から直流負電
圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極
の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラ
ファイトカーボンをスパッタリングすることによって円
筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
【００５０】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成する第１の中間層材料をスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、
その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガス導入
口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流負
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第
２の中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に第２の中間層を形成し、さらにその
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグラフ
ァイトカーボンからなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を
補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファ
イトカーボンをスパッタリングすることによって円筒状
部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した
後、ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電
源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極
を構成する第１の中間層材料をスパッタリングすること
によって円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、
その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、真空槽内を排気した後、ガス導入
口からスパッタガスを導入し、補助電極電源から直流負
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第
２の中間層材料をスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に第２の中間層を形成し、さらにその
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグラフ
ァイトカーボンからなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を
補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファ
イトカーボンをスパッタリングすることによって円筒状
部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
【００５１】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスと炭素を含むガスを導入し、高周波電源から高周波
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグ
ラファイトカーボンをスパッタリングすることによって
円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスと炭素を含むガスを導入し、高周波電源から高周波
電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電
極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグ
ラファイトカーボンをスパッタリングすることによって
円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
【００５２】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスとメタンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流負電圧
に接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴン
ガスとメタンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧
を補助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の
周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラフ
ァイトカーボンをスパッタリングすることによって円筒
状部材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００５３】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、
補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒
状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、
補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して円筒
状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
【００５４】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成すことを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成すことを特徴とする。
【００５５】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に
印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボ
ンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内周
面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に
印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボ
ンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内周
面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００５６】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、
高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状
部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、
補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリ
ングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入し、
高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円筒状
部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、
補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッタリ
ングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
【００５７】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００５８】本発明の円筒状部材の内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印
加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマ
を発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボン
をスパッタリングすることによって円筒状部材の内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ボン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内に補助電極電
源に接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
直流電源から直流負電圧を接続し、真空槽内を排気後、
ガス導入口からスパッタガスを導入し、補助電極電源か
ら直流負電圧を補助電極に印加して円筒状部材の開口内
の補助電極の周囲にプラズマを発生させ、補助電極を構
成する第１の中間層材料をスパッタリングすることによ
って円筒状部材の内周面に第１の中間層を形成し、その
後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第２の
中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒状部
材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から直流
負電圧を接続し、真空槽内を排気後、ガス導入口からス
パッタガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成する第２の中間
層材料をスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に第２の中間層を形成し、さらにその後、円筒状
部材の開口内に補助電極電源に接続しグラファイトカー
ボンからなる補助電極を挿入するように円筒状部材を真
空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位に接続し、真空
槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタンガ
スを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印
加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマ
を発生させ、補助電極を構成するグラファイトカーボン
をスパッタリングすることによって円筒状部材の内周面
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００５９】〔作用〕本発明の円筒状部材内周面への硬
質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の内周
面の開口中央部に、直流負電圧または高周波電圧に接続
する補助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そ
して内周面に硬質カーボン膜を形成する円筒状部材に
は、負の直流電圧を印加するかまたは接地電位に接続す
る。
質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の内周
面の開口中央部に、直流負電圧または高周波電圧に接続
する補助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そ
して内周面に硬質カーボン膜を形成する円筒状部材に
は、負の直流電圧を印加するかまたは接地電位に接続す
る。
【００６０】そして補助電極はグラファイトカーボンで
構成する。円筒状部材の内周面の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングする。スパッタリングによって表
面からたたき出された炭素は、円筒状部材の内周面に付
着し、硬質カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成する
ことができる。
構成する。円筒状部材の内周面の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングする。スパッタリングによって表
面からたたき出された炭素は、円筒状部材の内周面に付
着し、硬質カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成する
ことができる。
【００６１】このように本発明の円筒状部材内周面への
硬質カーボン膜の形成方法では、スパッタリング法によ
って被膜形成している。このため従来技術の図７に示す
プラスマ化学気相成長法によって硬質カーボン膜の被膜
形成するときに、問題となっていた異常放電であるホロ
ー放電は発生しない。そのため、密着性の良好な硬質カ
ーボン膜を円筒状部材の内周面に形成することができ
る。さらにプラズマ化学気相成長法においては、硬質カ
ーボン膜を形成するとき、その膜中に水素（Ｈ2 ）が取
り込まれるが、本発明のスパッタリングを適用して被膜
形成する硬質カーボン膜では、その膜中に水素は取り込
まれず、よりダイヤモンドに近い硬質カーボン膜を形成
することができる。
硬質カーボン膜の形成方法では、スパッタリング法によ
って被膜形成している。このため従来技術の図７に示す
プラスマ化学気相成長法によって硬質カーボン膜の被膜
形成するときに、問題となっていた異常放電であるホロ
ー放電は発生しない。そのため、密着性の良好な硬質カ
ーボン膜を円筒状部材の内周面に形成することができ
る。さらにプラズマ化学気相成長法においては、硬質カ
ーボン膜を形成するとき、その膜中に水素（Ｈ2 ）が取
り込まれるが、本発明のスパッタリングを適用して被膜
形成する硬質カーボン膜では、その膜中に水素は取り込
まれず、よりダイヤモンドに近い硬質カーボン膜を形成
することができる。
【００６２】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、直流負電圧また高周波電圧に接続する補助
電極を円筒状部材の内周面に配置しており、円筒状部材
の長手方向の内周面でプラズマ電位特性が均一になる。
この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布
の発生がなく、円筒状部材の開口端面と開口奥側との全
域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形成するこ
とができるという効果ももつ。
においては、直流負電圧また高周波電圧に接続する補助
電極を円筒状部材の内周面に配置しており、円筒状部材
の長手方向の内周面でプラズマ電位特性が均一になる。
この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布
の発生がなく、円筒状部材の開口端面と開口奥側との全
域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形成するこ
とができるという効果ももつ。
【００６３】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法では、アルゴンガスと炭素を含む
ガスとを真空槽に導入して被膜形成する方法も採用す
る。このように、真空槽内にアルゴンガスと炭素を含む
ガスとを導入すると、炭素を含むガスは補助電極の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
カーボン膜の形成方法では、アルゴンガスと炭素を含む
ガスとを真空槽に導入して被膜形成する方法も採用す
る。このように、真空槽内にアルゴンガスと炭素を含む
ガスとを導入すると、炭素を含むガスは補助電極の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
【００６４】そしてこの炭素イオンも硬質カーボン膜形
成に関与する。すなわち、グラファイトカーボンの補助
電極をスパッタリングしてたたき出された炭素と、炭素
を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜の被膜形
成に寄与する。このため円筒状部材の内周面に形成され
る硬質カーボン膜の膜質が向上し、さらに膜形成速度が
向上するという効果も本発明では備えている。
成に関与する。すなわち、グラファイトカーボンの補助
電極をスパッタリングしてたたき出された炭素と、炭素
を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜の被膜形
成に寄与する。このため円筒状部材の内周面に形成され
る硬質カーボン膜の膜質が向上し、さらに膜形成速度が
向上するという効果も本発明では備えている。
【００６５】さらに円筒状部材の基材と硬質カーボン膜
との密着性を向上させるために、硬質カーボン膜の下層
に中間層を設ける手段を採用するとは、補助電極を中間
層材料で構成する。そしてこの中間層も補助電極の周囲
の円筒状部材内周面に形成されるプラズマによってスパ
ッタリングされ、中間層を形成することができる。
との密着性を向上させるために、硬質カーボン膜の下層
に中間層を設ける手段を採用するとは、補助電極を中間
層材料で構成する。そしてこの中間層も補助電極の周囲
の円筒状部材内周面に形成されるプラズマによってスパ
ッタリングされ、中間層を形成することができる。
【００６６】このため補助電極を中間層材料からグラフ
ァイトカーボンに替えることによって、１つの被膜形成
装置で中間層と硬質カーボン膜とを、ほぼ連続して形成
することができるという効果も本発明では有する。さら
に円筒状部材の内周面の全域にわたって均一な膜厚で中
間層を形成することができるという効果も備えている。
このため中間層の膜厚が薄膜化することに起因する硬質
カーボン膜の剥離は発生しない。
ァイトカーボンに替えることによって、１つの被膜形成
装置で中間層と硬質カーボン膜とを、ほぼ連続して形成
することができるという効果も本発明では有する。さら
に円筒状部材の内周面の全域にわたって均一な膜厚で中
間層を形成することができるという効果も備えている。
このため中間層の膜厚が薄膜化することに起因する硬質
カーボン膜の剥離は発生しない。
【００６７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
するための最適な形態における円筒状部材の内周面への
硬質カーボン膜形成方法を説明する。
するための最適な形態における円筒状部材の内周面への
硬質カーボン膜形成方法を説明する。
【００６８】〔硬質カーボン膜の形成方法の第１の例：
図１、図４、図３〕硬質カーボン膜の形成方法を、被膜
形成装置を示す図１の断面図と、円筒状部材の断面構造
を示す図４とを用いて説明する。図１に示すように、ガ
ス導入口１５と排気口１７とを備える真空槽１３の中に
開口を有する円筒状部材１１を配置する。この円筒状部
材１１は直流電源２５から直流負電圧を印加する。
図１、図４、図３〕硬質カーボン膜の形成方法を、被膜
形成装置を示す図１の断面図と、円筒状部材の断面構造
を示す図４とを用いて説明する。図１に示すように、ガ
ス導入口１５と排気口１７とを備える真空槽１３の中に
開口を有する円筒状部材１１を配置する。この円筒状部
材１１は直流電源２５から直流負電圧を印加する。
【００６９】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、グ
ラファイトカーボンからなる補助電極２３を挿入するよ
うに配置する。この補助電極２３には、補助電極電源３
５から直流負電圧を印加する。
ラファイトカーボンからなる補助電極２３を挿入するよ
うに配置する。この補助電極２３には、補助電極電源３
５から直流負電圧を印加する。
【００７０】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【００７１】そして補助電極電源３５からマイナス６０
０Ｖの直流負電圧を補助電極２３に印加する。さらに直
流電源２５から円筒状部材１１にマイナス１００Ｖの直
流負電圧を印加する。すると円筒状部材１１の開口内で
しかも補助電極２３周囲領域にプラズマが発生して、プ
ラズマ中のイオンによりグラファイトカーボンからなる
補助電極２３表面をスパッタリングする。
０Ｖの直流負電圧を補助電極２３に印加する。さらに直
流電源２５から円筒状部材１１にマイナス１００Ｖの直
流負電圧を印加する。すると円筒状部材１１の開口内で
しかも補助電極２３周囲領域にプラズマが発生して、プ
ラズマ中のイオンによりグラファイトカーボンからなる
補助電極２３表面をスパッタリングする。
【００７２】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、グラファイトカーボンからなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
きさは１０ｍｍであり、グラファイトカーボンからなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
【００７３】そしてこの補助電極２３表面からたたき出
された炭素は、円筒状部材１１の内周面に付着し、硬質
カーボン膜１４を円筒状部材１１の内周面１１ａに形成
することができる。このスパッタリング処理を時間１時
間行い、円筒状部材１１の内周面１１ａに膜厚が１．０
μｍの厚さの硬質カーボン膜１４を形成する。
された炭素は、円筒状部材１１の内周面に付着し、硬質
カーボン膜１４を円筒状部材１１の内周面１１ａに形成
することができる。このスパッタリング処理を時間１時
間行い、円筒状部材１１の内周面１１ａに膜厚が１．０
μｍの厚さの硬質カーボン膜１４を形成する。
【００７４】このように本発明の円筒状部材１１の内周
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法において
は、円筒状部材１１の内周面１１ａの開口中央部に、直
流負電圧に接続する補助電極２３を配置して硬質カーボ
ン膜１４を形成している。そして内周面１１ａに硬質カ
ーボン膜１４を形成する円筒状部材１１には、負の直流
電圧を印加している。
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法において
は、円筒状部材１１の内周面１１ａの開口中央部に、直
流負電圧に接続する補助電極２３を配置して硬質カーボ
ン膜１４を形成している。そして内周面１１ａに硬質カ
ーボン膜１４を形成する円筒状部材１１には、負の直流
電圧を印加している。
【００７５】このように本発明の円筒状部材１１の内周
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法では、スパ
ッタリング法によって被膜形成している。このため従来
技術の図７に示すプラスマ化学気相成長法によって硬質
カーボン膜の被膜形成するときに、問題となっていた異
常放電であるホロー放電は発生しない。したがって、密
着性の良好な硬質カーボン膜１４を円筒状部材１１の内
周面１１ａに形成することができる。
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法では、スパ
ッタリング法によって被膜形成している。このため従来
技術の図７に示すプラスマ化学気相成長法によって硬質
カーボン膜の被膜形成するときに、問題となっていた異
常放電であるホロー放電は発生しない。したがって、密
着性の良好な硬質カーボン膜１４を円筒状部材１１の内
周面１１ａに形成することができる。
【００７６】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、直流負電圧に接続する補助電極２３を円筒
状部材１１の内周面１１ａに配置しており、円筒状部材
１１の長手方向の内周面１１ａでプラズマ電位特性が均
一になる。この結果、内周面１１ａに形成する硬質カー
ボン膜１４の膜厚分布の発生がなく、円筒状部材１１の
開口端面と開口奥側との全域にわたって均一な膜厚の硬
質カーボン膜を形成することができるという効果もも
つ。したがって、従来技術の図８に示す被膜形成装置に
よって硬質カーボン膜を形成するとき問題となる膜厚の
均一性は、本発明の方法によって解決することができ
る。
においては、直流負電圧に接続する補助電極２３を円筒
状部材１１の内周面１１ａに配置しており、円筒状部材
１１の長手方向の内周面１１ａでプラズマ電位特性が均
一になる。この結果、内周面１１ａに形成する硬質カー
ボン膜１４の膜厚分布の発生がなく、円筒状部材１１の
開口端面と開口奥側との全域にわたって均一な膜厚の硬
質カーボン膜を形成することができるという効果もも
つ。したがって、従来技術の図８に示す被膜形成装置に
よって硬質カーボン膜を形成するとき問題となる膜厚の
均一性は、本発明の方法によって解決することができ
る。
【００７７】この図１に示す本発明の被膜形成方法によ
って形成する硬質カーボン膜の膜厚分布を図３のグラフ
を用いて説明する。図３のグラフは、横軸は円筒状部材
の開口端からの距離を示し、縦軸は円筒状部材の内周面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚を示す。そして曲線３
９が、図１に示す本発明の硬質カーボン膜の形成方法に
よって形成したときの膜厚分布を示す。
って形成する硬質カーボン膜の膜厚分布を図３のグラフ
を用いて説明する。図３のグラフは、横軸は円筒状部材
の開口端からの距離を示し、縦軸は円筒状部材の内周面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚を示す。そして曲線３
９が、図１に示す本発明の硬質カーボン膜の形成方法に
よって形成したときの膜厚分布を示す。
【００７８】図３のグラフの曲線３９に示すように、円
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図１に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、円筒状部材１１の開
口全域にわたって均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図１に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、円筒状部材１１の開
口全域にわたって均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
【００７９】〔硬質カーボン膜の形成方法の第２の例：
図２、図４、図３〕つぎに以上の説明と異なる実施形態
における硬質カーボン膜の形成方法を、被膜形成装置を
示す図２の断面図と、円筒状部材の断面構造を示す図４
とを用いて説明する。図２に示すように、ガス導入口１
５と排気口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有す
る円筒状部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直
流電源２５から直流負電圧を印加する。
図２、図４、図３〕つぎに以上の説明と異なる実施形態
における硬質カーボン膜の形成方法を、被膜形成装置を
示す図２の断面図と、円筒状部材の断面構造を示す図４
とを用いて説明する。図２に示すように、ガス導入口１
５と排気口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有す
る円筒状部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直
流電源２５から直流負電圧を印加する。
【００８０】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、グ
ラファイトカーボンからなる補助電極２３を挿入するよ
うに配置する。この補助電極２３には、マッチング回路
１９を介して高周波電源２１から高周波電圧を印加す
る。
ラファイトカーボンからなる補助電極２３を挿入するよ
うに配置する。この補助電極２３には、マッチング回路
１９を介して高周波電源２１から高周波電圧を印加す
る。
【００８１】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【００８２】そして高周波電源２１から４００Ｗの高周
波電圧を補助電極２３に印加する。さらに直流電源２５
から円筒状部材１１にマイナス１００Ｖの直流負電圧を
印加する。すると円筒状部材１１の開口内でしかも補助
電極２３周囲領域にプラズマが発生して、プラズマ中の
イオンによりグラファイトカーボンからなる補助電極２
３表面をスパッタリングする。
波電圧を補助電極２３に印加する。さらに直流電源２５
から円筒状部材１１にマイナス１００Ｖの直流負電圧を
印加する。すると円筒状部材１１の開口内でしかも補助
電極２３周囲領域にプラズマが発生して、プラズマ中の
イオンによりグラファイトカーボンからなる補助電極２
３表面をスパッタリングする。
【００８３】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、グラファイトカーボンからなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。
きさは１０ｍｍであり、グラファイトカーボンからなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。
【００８４】円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれよ
り小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これと
は反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくなれ
ば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
り小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これと
は反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくなれ
ば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
【００８５】そしてこの補助電極２３表面からたたき出
された炭素は、円筒状部材１１の内周面に付着し、硬質
カーボン膜１４を円筒状部材１１の内周面１１ａに形成
することができる。このスパッタリング処理を時間１時
間行い、円筒状部材１１の内周面１１ａに膜厚が１．０
μｍの厚さの硬質カーボン膜１４を形成する。
された炭素は、円筒状部材１１の内周面に付着し、硬質
カーボン膜１４を円筒状部材１１の内周面１１ａに形成
することができる。このスパッタリング処理を時間１時
間行い、円筒状部材１１の内周面１１ａに膜厚が１．０
μｍの厚さの硬質カーボン膜１４を形成する。
【００８６】このように本発明の円筒状部材１１の内周
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法において
は、円筒状部材１１の内周面１１ａの開口中央部に、直
流負電圧に接続する補助電極２３を配置して硬質カーボ
ン膜１４を形成している。そして内周面１１ａに硬質カ
ーボン膜１４を形成する円筒状部材１１には、負の直流
電圧を印加している。
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法において
は、円筒状部材１１の内周面１１ａの開口中央部に、直
流負電圧に接続する補助電極２３を配置して硬質カーボ
ン膜１４を形成している。そして内周面１１ａに硬質カ
ーボン膜１４を形成する円筒状部材１１には、負の直流
電圧を印加している。
【００８７】このように本発明の円筒状部材１１の内周
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法では、スパ
ッタリング法によって被膜形成している。このため従来
技術の図７に示すプラスマ化学気相成長法によって硬質
カーボン膜の被膜形成するときに、問題となっていた異
常放電であるホロー放電は発生しない。したがって、密
着性の良好な硬質カーボン膜１４を円筒状部材１１の内
周面１１ａに形成することができる。
面１１ａへの硬質カーボン膜１４の形成方法では、スパ
ッタリング法によって被膜形成している。このため従来
技術の図７に示すプラスマ化学気相成長法によって硬質
カーボン膜の被膜形成するときに、問題となっていた異
常放電であるホロー放電は発生しない。したがって、密
着性の良好な硬質カーボン膜１４を円筒状部材１１の内
周面１１ａに形成することができる。
【００８８】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、高周波電圧に接続する補助電極２３を円筒
状部材１１の内周面１１ａに配置しており、円筒状部材
１１の長手方向の内周面１１ａでプラズマ電位特性が均
一になる。この結果、内周面１１ａに形成する硬質カー
ボン膜１４の膜厚分布の発生がなく、円筒状部材１１の
開口端面と開口奥側との全域にわたって均一な膜厚の硬
質カーボン膜を形成することができるという効果もも
つ。したがって、従来技術の図８に示す被膜形成装置に
よって硬質カーボン膜を形成するとき問題となる膜厚の
均一性は、本発明の被膜形成方法によって解決すること
ができる。
においては、高周波電圧に接続する補助電極２３を円筒
状部材１１の内周面１１ａに配置しており、円筒状部材
１１の長手方向の内周面１１ａでプラズマ電位特性が均
一になる。この結果、内周面１１ａに形成する硬質カー
ボン膜１４の膜厚分布の発生がなく、円筒状部材１１の
開口端面と開口奥側との全域にわたって均一な膜厚の硬
質カーボン膜を形成することができるという効果もも
つ。したがって、従来技術の図８に示す被膜形成装置に
よって硬質カーボン膜を形成するとき問題となる膜厚の
均一性は、本発明の被膜形成方法によって解決すること
ができる。
【００８９】この図２に示す本発明の被膜形成方法によ
って形成する硬質カーボン膜の膜厚分布を図３のグラフ
を用いて説明する。図３のグラフは、横軸は円筒状部材
の開口端からの距離を示し、縦軸は円筒状部材の内周面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚を示す。そして曲線３
９が、図２に示す本発明の硬質カーボン膜の形成方法に
よって形成したときの膜厚分布を示す。
って形成する硬質カーボン膜の膜厚分布を図３のグラフ
を用いて説明する。図３のグラフは、横軸は円筒状部材
の開口端からの距離を示し、縦軸は円筒状部材の内周面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚を示す。そして曲線３
９が、図２に示す本発明の硬質カーボン膜の形成方法に
よって形成したときの膜厚分布を示す。
【００９０】図３のグラフの曲線３９に示すように、円
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図２に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、円筒状部材１１の開
口全域にわたって均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
筒状部材開口端に１．０μｍの膜厚の硬質カーボン膜を
形成したとき、図２に示す方法によって形成した硬質カ
ーボン膜は、開口端から開口奥側に２０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、円筒状部材１１の開
口全域にわたって均一な膜厚で硬質カーボン膜を形成す
ることができる。
【００９１】〔単層の中間層の形成方法の第１の例：図
１、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。図１
は本発明の実施形態における被膜形成方法における中間
層の形成方法を示す断面図である。図５は本発明の実施
形態における円筒状部材を示す断面図である。以下の説
明では、単層の中間層としてチタン−シリコン合金を形
成する例で説明する。
１、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。図１
は本発明の実施形態における被膜形成方法における中間
層の形成方法を示す断面図である。図５は本発明の実施
形態における円筒状部材を示す断面図である。以下の説
明では、単層の中間層としてチタン−シリコン合金を形
成する例で説明する。
【００９２】図１に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
【００９３】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、中
間層１２として形成するチタン−シリコン合金材料から
なる補助電極２３を挿入するように配置する。この補助
電極２３には直流負電圧を印加するための補助電極電源
３５を接続する。さらにこのチタン−シリコン合金材料
からなる補助電極２３のシリコンの比率は、３０ｗｔ％
から７０ｗｔ％としている。
間層１２として形成するチタン−シリコン合金材料から
なる補助電極２３を挿入するように配置する。この補助
電極２３には直流負電圧を印加するための補助電極電源
３５を接続する。さらにこのチタン−シリコン合金材料
からなる補助電極２３のシリコンの比率は、３０ｗｔ％
から７０ｗｔ％としている。
【００９４】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【００９５】さらに補助電極電源３５からマイナス６０
０Ｖの直流電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒
状部材１１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプ
ラズマが発生して、プラズマ中のイオンによってチタン
−シリコン合金材料からなる補助電極２３表面をスパッ
タリングする。
０Ｖの直流電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒
状部材１１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプ
ラズマが発生して、プラズマ中のイオンによってチタン
−シリコン合金材料からなる補助電極２３表面をスパッ
タリングする。
【００９６】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
【００９７】そしてこの補助電極２３の表面からたたき
出された中間層材料は、円筒状部材１１の内周面１１ａ
に付着し、チタン−シリコン合金材料からなる中間層を
円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができ
る。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２を形成する。
出された中間層材料は、円筒状部材１１の内周面１１ａ
に付着し、チタン−シリコン合金材料からなる中間層を
円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができ
る。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２を形成する。
【００９８】このように本発明の実施形態における中間
層の形成方法においては、円筒状部材１１の開口内に中
間層材料からなる補助電極２３を配置して補助電極２３
と円筒状部材１１内周面との間にプラズマ発生させ、円
筒状部材１１の内周面１１ａに中間層１２を形成してい
る。円筒状部材１１の開口内に中間層材料からなる補助
電極２３を配置して形成するプラズマは、円筒状部材１
１の長手方向で均一であるため円筒状部材１１の内周面
１１ａに均一な膜厚で中間層１２を形成することができ
る。
層の形成方法においては、円筒状部材１１の開口内に中
間層材料からなる補助電極２３を配置して補助電極２３
と円筒状部材１１内周面との間にプラズマ発生させ、円
筒状部材１１の内周面１１ａに中間層１２を形成してい
る。円筒状部材１１の開口内に中間層材料からなる補助
電極２３を配置して形成するプラズマは、円筒状部材１
１の長手方向で均一であるため円筒状部材１１の内周面
１１ａに均一な膜厚で中間層１２を形成することができ
る。
【００９９】このように本発明の被膜形成方法において
は、補助電極２３をチタン−シリコン合金からグラファ
イトカーボンに替えることによって、チタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２と、硬質カーボン膜１４とを
ほぼ連続して形成することができる。なお硬質カーボン
膜１４の形成方法は、さきに説明した実施形態による被
膜形成方法を採用すればよい。
は、補助電極２３をチタン−シリコン合金からグラファ
イトカーボンに替えることによって、チタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２と、硬質カーボン膜１４とを
ほぼ連続して形成することができる。なお硬質カーボン
膜１４の形成方法は、さきに説明した実施形態による被
膜形成方法を採用すればよい。
【０１００】〔単層の中間層の形成方法の第２の例：図
２、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。図２
は本発明の実施形態における被膜形成方法における中間
層の形成方法を示す断面図である。図５は本発明の実施
形態における円筒状部材を示す断面図である。以下の説
明では、単層の中間層としてチタン−シリコン合金を形
成する例で説明する。
２、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。図２
は本発明の実施形態における被膜形成方法における中間
層の形成方法を示す断面図である。図５は本発明の実施
形態における円筒状部材を示す断面図である。以下の説
明では、単層の中間層としてチタン−シリコン合金を形
成する例で説明する。
【０１０１】図２に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
【０１０２】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、中
間層１２として形成するチタン−シリコン合金材料から
なる補助電極２３を挿入するように配置する。この補助
電極２３には、マッチング回路１９を介して高周波電源
２１から高周波電圧を印加する。さらにこのチタン−シ
リコン合金材料からなる補助電極２３のシリコンの比率
は、３０ｗｔ％から７０ｗｔ％としている。
間層１２として形成するチタン−シリコン合金材料から
なる補助電極２３を挿入するように配置する。この補助
電極２３には、マッチング回路１９を介して高周波電源
２１から高周波電圧を印加する。さらにこのチタン−シ
リコン合金材料からなる補助電極２３のシリコンの比率
は、３０ｗｔ％から７０ｗｔ％としている。
【０１０３】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【０１０４】さらに高周波電源２１から４００Ｗの高周
波電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒状部材１
１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプラズマが
発生して、プラズマ中のイオンによってチタン−シリコ
ン合金材料からなる補助電極２３表面をスパッタリング
する。
波電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒状部材１
１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプラズマが
発生して、プラズマ中のイオンによってチタン−シリコ
ン合金材料からなる補助電極２３表面をスパッタリング
する。
【０１０５】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
【０１０６】そしてこの補助電極２３の表面からたたき
出された中間層材料は、円筒状部材１１の内周面１１ａ
に付着し、チタン−シリコン合金材料からなる中間層を
円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができ
る。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２を形成する。
出された中間層材料は、円筒状部材１１の内周面１１ａ
に付着し、チタン−シリコン合金材料からなる中間層を
円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができ
る。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２を形成する。
【０１０７】このように本発明の実施形態における中間
層の形成方法においては、円筒状部材１１の開口内に中
間層材料からなる補助電極２３を配置して補助電極２３
と円筒状部材１１内周面との間にプラズマ発生させ、円
筒状部材１１の内周面１１ａに中間層１２を形成してい
る。円筒状部材１１の開口内に中間層材料からなる補助
電極２３を配置して形成するプラズマは、円筒状部材１
１の長手方向で均一であるため円筒状部材１１の内周面
１１ａに均一な膜厚で中間層１２を形成することができ
る。
層の形成方法においては、円筒状部材１１の開口内に中
間層材料からなる補助電極２３を配置して補助電極２３
と円筒状部材１１内周面との間にプラズマ発生させ、円
筒状部材１１の内周面１１ａに中間層１２を形成してい
る。円筒状部材１１の開口内に中間層材料からなる補助
電極２３を配置して形成するプラズマは、円筒状部材１
１の長手方向で均一であるため円筒状部材１１の内周面
１１ａに均一な膜厚で中間層１２を形成することができ
る。
【０１０８】このように本発明の被膜形成方法において
は、補助電極２３をチタン−シリコン合金からグラファ
イトカーボンに替えることによって、チタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２と、硬質カーボン膜１４とを
ほぼ連続して形成することができる。なお硬質カーボン
膜１４の形成方法は、さきに説明した実施形態による被
膜形成方法を採用すればよい。
は、補助電極２３をチタン−シリコン合金からグラファ
イトカーボンに替えることによって、チタン−シリコン
合金膜からなる中間層１２と、硬質カーボン膜１４とを
ほぼ連続して形成することができる。なお硬質カーボン
膜１４の形成方法は、さきに説明した実施形態による被
膜形成方法を採用すればよい。
【０１０９】〔２層の中間層の形成方法の第１の例：図
１、図６〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。ここ
で説明する実施形態では、中間層を２層膜で形成する例
である。図１は本発明の実施形態における被膜形成方法
における中間層の形成方法を示す断面図である。図６は
本発明の実施形態における円筒状部材を示す断面図であ
る。以下の説明では、２層の中間層としてチタンからな
る第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層
１２ｂを形成する例で説明する。
１、図６〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。ここ
で説明する実施形態では、中間層を２層膜で形成する例
である。図１は本発明の実施形態における被膜形成方法
における中間層の形成方法を示す断面図である。図６は
本発明の実施形態における円筒状部材を示す断面図であ
る。以下の説明では、２層の中間層としてチタンからな
る第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層
１２ｂを形成する例で説明する。
【０１１０】図１に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
【０１１１】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、第
１の中間層１２ａとして形成するチタン材料からなる補
助電極２３を挿入するように配置する。この補助電極２
３には、直流負電圧を印加するための補助電極電源３５
を接続する。
１の中間層１２ａとして形成するチタン材料からなる補
助電極２３を挿入するように配置する。この補助電極２
３には、直流負電圧を印加するための補助電極電源３５
を接続する。
【０１１２】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【０１１３】さらに補助電極電源３５からマイナス６０
０Ｖの直流電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒
状部材１１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプ
ラズマが発生して、プラズマ中のイオンによってチタン
材料からなる補助電極２３表面をスパッタリングする。
０Ｖの直流電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒
状部材１１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプ
ラズマが発生して、プラズマ中のイオンによってチタン
材料からなる補助電極２３表面をスパッタリングする。
【０１１４】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極２３の
直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極２３
の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよい。
円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれより小さくなれ
ば補助電極２３の直径を小さくし、これとは反対に円筒
状部材１１の開口内径の寸法が大きくなれば補助電極２
３の直径をこれより大きくすればよい。
きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極２３の
直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極２３
の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよい。
円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれより小さくなれ
ば補助電極２３の直径を小さくし、これとは反対に円筒
状部材１１の開口内径の寸法が大きくなれば補助電極２
３の直径をこれより大きくすればよい。
【０１１５】そしてこの補助電極２３の表面からたたき
出された第１の中間層１２ａ材料は円筒状部材１１の内
周面１１ａに付着し、チタンからなる第１の中間層１２
ａを円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することがで
きる。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状
部材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン膜からな
る第１の中間層１２ａを形成する。
出された第１の中間層１２ａ材料は円筒状部材１１の内
周面１１ａに付着し、チタンからなる第１の中間層１２
ａを円筒状部材１１の内周面１１ａに形成することがで
きる。このスパッタリング処理を３０分間行い、円筒状
部材１１の内周面に０．５μｍの厚さのチタン膜からな
る第１の中間層１２ａを形成する。
【０１１６】第２の中間層１２ｂの形成方法は、以上の
説明とほとんど同じ被膜形成方法を採用すればよい。だ
だ補助電極２３をシリコンで構成し、シリコン膜からな
る第２の中間層１２を第１の中間層１２ａの上面に形成
する。
説明とほとんど同じ被膜形成方法を採用すればよい。だ
だ補助電極２３をシリコンで構成し、シリコン膜からな
る第２の中間層１２を第１の中間層１２ａの上面に形成
する。
【０１１７】このように本発明の第１の中間層１２ａと
第２の中間層１２ｂの形成方法においては、円筒状部材
１１の開口内に中間層材料からなる補助電極２３を配置
して補助電極２３と円筒状部材１１内周面とのあいだに
プラズマ発生させ、円筒状部材１１の内周面１１ａに２
層の中間層を形成している。円筒状部材１１の開口内に
中間層材料からなる補助電極２３を配置して形成するプ
ラズマは、円筒状部材１１の長手方向で均一であるため
円筒状部材１１の内周面１１ａに均一な膜厚で第１の中
間層１２ａと第２の中間層１２ｂを形成することができ
る。
第２の中間層１２ｂの形成方法においては、円筒状部材
１１の開口内に中間層材料からなる補助電極２３を配置
して補助電極２３と円筒状部材１１内周面とのあいだに
プラズマ発生させ、円筒状部材１１の内周面１１ａに２
層の中間層を形成している。円筒状部材１１の開口内に
中間層材料からなる補助電極２３を配置して形成するプ
ラズマは、円筒状部材１１の長手方向で均一であるため
円筒状部材１１の内周面１１ａに均一な膜厚で第１の中
間層１２ａと第２の中間層１２ｂを形成することができ
る。
【０１１８】このように本発明の被膜形成方法において
は、補助電極２３をチタンからシリコン、さらにグラフ
ァイトカーボンと替えることによって、チタンからなる
第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層１
２ｂと、硬質カーボン膜１４とをほぼ連続して形成する
ことができる。なお硬質カーボン膜１４の形成方法は、
さきに説明した実施形態による被膜形成方法を採用すれ
ばよい。
は、補助電極２３をチタンからシリコン、さらにグラフ
ァイトカーボンと替えることによって、チタンからなる
第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層１
２ｂと、硬質カーボン膜１４とをほぼ連続して形成する
ことができる。なお硬質カーボン膜１４の形成方法は、
さきに説明した実施形態による被膜形成方法を採用すれ
ばよい。
【０１１９】〔２層の中間層の形成方法の第２の例：図
２、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。ここ
で説明する実施形態では、中間層を２層膜で形成する例
である。図２は本発明の実施形態における被膜形成方法
における中間層の形成方法を示す断面図である。図６は
本発明の実施形態における円筒状部材を示す断面図であ
る。以下の説明では、２層の中間層としてチタンからな
る第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層
１２ｂを形成する例で説明する。
２、図５〕つぎに硬質カーボン膜１４の円筒状部材１１
にたいする密着性を向上させるために、硬質カーボン膜
１４の下層に設ける中間層の形成方法を説明する。ここ
で説明する実施形態では、中間層を２層膜で形成する例
である。図２は本発明の実施形態における被膜形成方法
における中間層の形成方法を示す断面図である。図６は
本発明の実施形態における円筒状部材を示す断面図であ
る。以下の説明では、２層の中間層としてチタンからな
る第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層
１２ｂを形成する例で説明する。
【０１２０】図２に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
口１７とを備える真空槽１３の中に開口を有する円筒状
部材１１を配置する。この円筒状部材１１は直流電源２
５から直流負電圧を印加する。
【０１２１】そしてこの円筒状部材１１の開口内に、第
１の中間層１２ｂとして形成するチタン材料からなる補
助電極２３を挿入するように配置する。この補助電極２
３には、マッチング回路１９を介して高周波電源２１か
ら高周波電圧を印加する。
１の中間層１２ｂとして形成するチタン材料からなる補
助電極２３を挿入するように配置する。この補助電極２
３には、マッチング回路１９を介して高周波電源２１か
ら高周波電圧を印加する。
【０１２２】そして図示しない排気手段によって、真空
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
槽１３内を３×１０-3ｔｏｒｒ以下の真空度になるまで
真空排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガ
スとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空
度を１×１０-2ｔｏｒｒになるように制御する。
【０１２３】さらに高周波電源２１から４００Ｗの高周
波電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒状部材１
１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプラズマが
発生して、プラズマ中のイオンによってチタン材料から
なる補助電極２３表面をスパッタリングする。
波電圧を補助電極２３に印加する。すると円筒状部材１
１の開口内でしかも補助電極２３周囲領域にプラズマが
発生して、プラズマ中のイオンによってチタン材料から
なる補助電極２３表面をスパッタリングする。
【０１２４】なおここで円筒状部材１１の開口内径の大
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
きさは１０ｍｍであり、チタン−シリコン合金からなる
補助電極２３の直径は２ｍｍのものを使用している。な
お補助電極２３の断面形状は円形だけでなく、多角形状
としてもよい。円筒状部材１１の開口内径の寸法がこれ
より小さくなれば補助電極２３の直径を小さくし、これ
とは反対に円筒状部材１１の開口内径の寸法が大きくな
れば補助電極２３の直径をこれより大きくすればよい。
【０１２５】そしてこの補助電極２３の表面からたたき
出された第１の中間層１２ａ材料は円筒状部材１１の内
周面１１ａに付着し、チタンからなる中間層１２ａを円
筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができる。
このスパッタリング処理を時間３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面１１ａに０．５μｍの厚さのチタン膜か
らなる第１の中間層１２ａを形成する。
出された第１の中間層１２ａ材料は円筒状部材１１の内
周面１１ａに付着し、チタンからなる中間層１２ａを円
筒状部材１１の内周面１１ａに形成することができる。
このスパッタリング処理を時間３０分間行い、円筒状部
材１１の内周面１１ａに０．５μｍの厚さのチタン膜か
らなる第１の中間層１２ａを形成する。
【０１２６】第２の中間層１２ｂの形成方法は、以上の
説明とほとんど同じ被膜形成方法を採用すればよい。だ
だ補助電極２３をシリコンで構成し、シリコン膜からな
る第２の中間層１２を第１の中間層１２ａの上面に形成
する。
説明とほとんど同じ被膜形成方法を採用すればよい。だ
だ補助電極２３をシリコンで構成し、シリコン膜からな
る第２の中間層１２を第１の中間層１２ａの上面に形成
する。
【０１２７】このように本発明の第１の中間層１２ａと
第２の中間層１２ｂの形成方法においては、円筒状部材
１１の開口内に中間層材料からなる補助電極２３を配置
して補助電極２３と円筒状部材１１内周面とのあいだに
プラズマ発生させ、円筒状部材１１の内周面１１ａに２
層の中間層を形成している。円筒状部材１１の開口内に
中間層材料からなる補助電極２３を配置して形成するプ
ラズマは、円筒状部材１１の長手方向で均一であるため
円筒状部材１１の内周面１１ａに均一な膜厚で第１の中
間層１２ａと第２の中間層１２ｂを形成することができ
る。
第２の中間層１２ｂの形成方法においては、円筒状部材
１１の開口内に中間層材料からなる補助電極２３を配置
して補助電極２３と円筒状部材１１内周面とのあいだに
プラズマ発生させ、円筒状部材１１の内周面１１ａに２
層の中間層を形成している。円筒状部材１１の開口内に
中間層材料からなる補助電極２３を配置して形成するプ
ラズマは、円筒状部材１１の長手方向で均一であるため
円筒状部材１１の内周面１１ａに均一な膜厚で第１の中
間層１２ａと第２の中間層１２ｂを形成することができ
る。
【０１２８】このように本発明の被膜形成方法において
は、補助電極２３をチタンからシリコン、さらにグラフ
ァイトカーボンと替えることによって、チタンからなる
第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層１
２ｂと、硬質カーボン膜１４とをほぼ連続して形成する
ことができる。なお硬質カーボン膜１４の形成方法は、
さきに説明した実施形態による被膜形成方法を採用すれ
ばよい。
は、補助電極２３をチタンからシリコン、さらにグラフ
ァイトカーボンと替えることによって、チタンからなる
第１の中間層１２ａとシリコンからなる第２の中間層１
２ｂと、硬質カーボン膜１４とをほぼ連続して形成する
ことができる。なお硬質カーボン膜１４の形成方法は、
さきに説明した実施形態による被膜形成方法を採用すれ
ばよい。
【０１２９】以上説明した本発明の実施の形態における
単層の中間層１２の形成方法おいては、中間層１２とし
てチタン−シリコン合金膜で形成する形態で説明した
が、カーボン−シリコン合金や、クロム−シリコン合金
や、タングステン−シリコン合金や、モリブデン−シリ
コン合金や、タンタル−シリコン合金や、アルミニウム
−シリコン合金や、あるいはチタン−ゲルマニウム合金
や、クロム−ゲルマニウム合金も、中間層１２材料とし
て適用することができる。
単層の中間層１２の形成方法おいては、中間層１２とし
てチタン−シリコン合金膜で形成する形態で説明した
が、カーボン−シリコン合金や、クロム−シリコン合金
や、タングステン−シリコン合金や、モリブデン−シリ
コン合金や、タンタル−シリコン合金や、アルミニウム
−シリコン合金や、あるいはチタン−ゲルマニウム合金
や、クロム−ゲルマニウム合金も、中間層１２材料とし
て適用することができる。
【０１３０】以上説明した本発明の実施の形態における
２層の中間層の形成方法おいては、第１の中間層１２ａ
としてチタン膜を形成し、第２の中間層１２ｂとしてシ
リコン膜で形成する形態で説明した。しかしながら第１
の中間層１２ａとしてはチタン以外に、クロムも使用可
能であり、第２の中間層１２ｂとしてはシリコン以外
に、ゲルマニウムも使用可能である。さらに第１の中間
層１２ａとしてはチタン化合物またはクロム化合物も適
用可能であり、第２の中間層１２ｂとしてはシリコン化
合物またはゲルマニウム化合物も適用可能である。
２層の中間層の形成方法おいては、第１の中間層１２ａ
としてチタン膜を形成し、第２の中間層１２ｂとしてシ
リコン膜で形成する形態で説明した。しかしながら第１
の中間層１２ａとしてはチタン以外に、クロムも使用可
能であり、第２の中間層１２ｂとしてはシリコン以外
に、ゲルマニウムも使用可能である。さらに第１の中間
層１２ａとしてはチタン化合物またはクロム化合物も適
用可能であり、第２の中間層１２ｂとしてはシリコン化
合物またはゲルマニウム化合物も適用可能である。
【０１３１】以上説明した本発明の実施形態における硬
質カーボン膜の形成方法おいては、スパッタリングガス
としてアルゴンを使用する例で説明した。しかしなが
ら、スパッタリングガスとして、アルゴンガスとメタン
などの炭素を含むガスとを真空槽１３内に導入して硬質
カーボン膜１４を形成する方法も採用してもよい。この
ように、真空槽１３内にアルゴンガスと炭素を含むガス
とを導入すると、炭素を含むガスは補助電極２３の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
質カーボン膜の形成方法おいては、スパッタリングガス
としてアルゴンを使用する例で説明した。しかしなが
ら、スパッタリングガスとして、アルゴンガスとメタン
などの炭素を含むガスとを真空槽１３内に導入して硬質
カーボン膜１４を形成する方法も採用してもよい。この
ように、真空槽１３内にアルゴンガスと炭素を含むガス
とを導入すると、炭素を含むガスは補助電極２３の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
【０１３２】そしてこの炭素イオンも硬質カーボン膜１
４の形成に関与する。すなわちグラファイトカーボンの
補助電極２３をスパッタリングしてたたき出された炭素
と、炭素を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜
１４の被膜形成に寄与させることができる。このため円
筒状部材１１の内周面１１ａに形成される硬質カーボン
膜１４の膜質が向上し、さらに膜形成速度が向上すると
いう効果も本発明では備えている。炭素を含むガスとし
てメタンガス以外に、ベンゼンガスやエチレンガスも使
用することができる。
４の形成に関与する。すなわちグラファイトカーボンの
補助電極２３をスパッタリングしてたたき出された炭素
と、炭素を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜
１４の被膜形成に寄与させることができる。このため円
筒状部材１１の内周面１１ａに形成される硬質カーボン
膜１４の膜質が向上し、さらに膜形成速度が向上すると
いう効果も本発明では備えている。炭素を含むガスとし
てメタンガス以外に、ベンゼンガスやエチレンガスも使
用することができる。
【０１３３】以上説明した本発明の実施形態における硬
質カーボン膜の形成方法おいては、円筒状部材１１に直
流電源２５から直流負電圧を印加して被膜形成する例で
説明したが、円筒状部材１１には接地電位を接続して
も、硬質カーボン膜１４は形成することができる。
質カーボン膜の形成方法おいては、円筒状部材１１に直
流電源２５から直流負電圧を印加して被膜形成する例で
説明したが、円筒状部材１１には接地電位を接続して
も、硬質カーボン膜１４は形成することができる。
【０１３４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜の形成方法で
は、円筒状部材の内周面の開口中央部に、直流負電圧ま
たは高周波電圧に接続する補助電極を配置して硬質カー
ボン膜を形成する。そして内周面に硬質カーボン膜を形
成する円筒状部材には、負の直流電圧を印加するかまた
は接地電位に接続する。
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜の形成方法で
は、円筒状部材の内周面の開口中央部に、直流負電圧ま
たは高周波電圧に接続する補助電極を配置して硬質カー
ボン膜を形成する。そして内周面に硬質カーボン膜を形
成する円筒状部材には、負の直流電圧を印加するかまた
は接地電位に接続する。
【０１３５】そして補助電極はグラファイトカーボンで
構成する。円筒状部材の内周面の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングする。スパッタリングによって表
面からたたき出された炭素は、円筒状部材の内周面に付
着し、硬質カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成する
ことができる。
構成する。円筒状部材の内周面の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングする。スパッタリングによって表
面からたたき出された炭素は、円筒状部材の内周面に付
着し、硬質カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成する
ことができる。
【０１３６】このように本発明の円筒状部材内周面への
硬質カーボン膜の形成方法では、スパッタリング法を適
用して被膜形成している。このため従来技術の図７に示
すプラスマ化学気相成長法によって硬質カーボン膜の被
膜形成するときに、問題となっていた常放電であるホロ
ー放電は発生しない。そのために、密着性の良好な硬質
カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成することができ
る。さらにプラズマ化学気相成長法においては、硬質カ
ーボン膜を形成するとき、その膜中に水素（Ｈ2 ）が取
り込まれるが、本発明のスパッタリングを適用して被膜
形成する硬質カーボン膜では、その膜中に水素は取り込
まれず、よりダイヤモンドに近い硬質カーボン膜を形成
することができる。
硬質カーボン膜の形成方法では、スパッタリング法を適
用して被膜形成している。このため従来技術の図７に示
すプラスマ化学気相成長法によって硬質カーボン膜の被
膜形成するときに、問題となっていた常放電であるホロ
ー放電は発生しない。そのために、密着性の良好な硬質
カーボン膜を円筒状部材の内周面に形成することができ
る。さらにプラズマ化学気相成長法においては、硬質カ
ーボン膜を形成するとき、その膜中に水素（Ｈ2 ）が取
り込まれるが、本発明のスパッタリングを適用して被膜
形成する硬質カーボン膜では、その膜中に水素は取り込
まれず、よりダイヤモンドに近い硬質カーボン膜を形成
することができる。
【０１３７】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、直流負電圧また高周波電圧に接続する補助
電極を円筒状部材の内周面に配置しており、円筒状部材
の長手方向の内周面でプラズマ電位特性が均一になる。
この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布
の発生がなく、円筒状部材の開口端面と開口奥側との全
域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形成するこ
とができるという効果ももつ。
においては、直流負電圧また高周波電圧に接続する補助
電極を円筒状部材の内周面に配置しており、円筒状部材
の長手方向の内周面でプラズマ電位特性が均一になる。
この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布
の発生がなく、円筒状部材の開口端面と開口奥側との全
域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形成するこ
とができるという効果ももつ。
【０１３８】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法では、アルゴンガスと炭素を含む
ガスとを真空槽に導入して被膜形成する方法も採用す
る。このように、真空槽内にアルゴンガスと炭素を含む
ガスとを導入すると、炭素を含むガスは補助電極の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
カーボン膜の形成方法では、アルゴンガスと炭素を含む
ガスとを真空槽に導入して被膜形成する方法も採用す
る。このように、真空槽内にアルゴンガスと炭素を含む
ガスとを導入すると、炭素を含むガスは補助電極の周囲
に発生するプラズマによって炭素イオンとなる。
【０１３９】そしてこの炭素イオンも硬質カーボン膜形
成に関与する。すなわち、グラファイトカーボンの補助
電極をスパッタリングしてたたき出された炭素と、炭素
を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜の被膜形
成に寄与する。このため円筒状部材の内周面に形成され
る硬質カーボン膜の膜質が向上し、さらに膜形成速度が
向上するという効果も本発明では備えている。
成に関与する。すなわち、グラファイトカーボンの補助
電極をスパッタリングしてたたき出された炭素と、炭素
を含むガスの炭素イオンとが、硬質カーボン膜の被膜形
成に寄与する。このため円筒状部材の内周面に形成され
る硬質カーボン膜の膜質が向上し、さらに膜形成速度が
向上するという効果も本発明では備えている。
【０１４０】さらに円筒状部材の基材と硬質カーボン膜
との密着性を向上させるために、硬質カーボン膜の下層
に中間層を設ける手段を採用するとは、補助電極を中間
層材料で構成する。そしてこの中間層も補助電極の周囲
の円筒状部材内周面に形成されるプラズマによってスパ
ッタリングされ、中間層を形成することができる。
との密着性を向上させるために、硬質カーボン膜の下層
に中間層を設ける手段を採用するとは、補助電極を中間
層材料で構成する。そしてこの中間層も補助電極の周囲
の円筒状部材内周面に形成されるプラズマによってスパ
ッタリングされ、中間層を形成することができる。
【０１４１】このため補助電極を中間層材料からグラフ
ァイトカーボンに替えることによって、１つの被膜形成
装置で中間層と硬質カーボン膜とを、ほぼ連続して形成
することができるという効果も本発明では有する。さら
に円筒状部材の内周面の全域にわたって均一な膜厚で中
間層を形成することができるという効果も備えている。
このため中間層の膜厚が薄膜化することに起因する硬質
カーボン膜の剥離は発生しない。
ァイトカーボンに替えることによって、１つの被膜形成
装置で中間層と硬質カーボン膜とを、ほぼ連続して形成
することができるという効果も本発明では有する。さら
に円筒状部材の内周面の全域にわたって均一な膜厚で中
間層を形成することができるという効果も備えている。
このため中間層の膜厚が薄膜化することに起因する硬質
カーボン膜の剥離は発生しない。
【図１】本発明の実施形態における円筒状部材の内周面
への硬質カーボン形成方法を示す断面図である。
への硬質カーボン形成方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態における円筒状部材の内周面
への硬質カーボン形成方法を示す断面図である。
への硬質カーボン形成方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態と従来技術により形成した硬
質カーボン膜の膜厚と開口端からの距離との関係を示す
グラフである。
質カーボン膜の膜厚と開口端からの距離との関係を示す
グラフである。
【図４】本発明の実施形態における円筒状部材の内周面
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態における円筒状部材の内周面
への中間層と硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図で
ある。
への中間層と硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図で
ある。
【図６】本発明の実施形態における円筒状部材の内周面
への中間層と硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図で
ある。
への中間層と硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図で
ある。
【図７】従来技術における円筒状部材の内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図８】従来技術における円筒状部材の内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
１１ 円筒状部材 １２ 中間層 １３ 真空槽 １４ 硬質カーボン膜 １５ ガス導入口 １７ 排気口 ２１ 高周波電源 ２３ 補助電極 ２５ 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社所沢事業所内 (72)発明者 関根 敏一 東京都田無市本町６丁目１番12号 シチズ ン時計株式会社田無製造所内
Claims (36)
- 【請求項１】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項４】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項５】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項６】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項７】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項８】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項９】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１０】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
接地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１１】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
接地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１２】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は
接地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１３】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１４】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１５】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１６】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１７】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１８】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源
から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項１９】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２０】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２１】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２２】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２３】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２４】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源か
ら直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する中間層材料をスパッタリング
することによって円筒状部材の内周面に中間層を形成
し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続しグ
ラファイトカーボンからなる補助電極を挿入するように
円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接地電位
に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２５】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２６】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２７】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２８】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項２９】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３０】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直
流電源から直流負電圧に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３１】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパ
ッタリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内
周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３２】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補
助電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイ
トカーボンをスパッタリングすることによって円筒状部
材の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３３】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカ
ーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の
内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円
筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３４】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスを導入
し、高周波電源から高周波電圧を補助電極に印加して円
筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生さ
せ、補助電極を構成するグラファイトカーボンをスパッ
タリングすることによって円筒状部材の内周面に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする円筒状部材の内周
面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３５】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素
を含むガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助
電極に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイト
カーボンをスパッタリングすることによって円筒状部材
の内周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。 - 【請求項３６】 円筒状部材の開口内に補助電極電源に
接続し第１の中間層材料からなる補助電極を挿入するよ
うに円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流
電源から直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第１の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第１の中
間層を形成し、 その後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接続し第
２の中間層材料からなる補助電極を挿入するように円筒
状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は直流電源から
直流負電圧を接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からスパッタガスを導入
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
させ、補助電極を構成する第２の中間層材料をスパッタ
リングすることによって円筒状部材の内周面に第２の中
間層を形成し、 さらにその後、円筒状部材の開口内に補助電極電源に接
続しグラファイトカーボンからなる補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、円筒状部材は接
地電位に接続し、 真空槽内を排気後、ガス導入口からアルゴンガスとメタ
ンガスを導入し、高周波電源から高周波電圧を補助電極
に印加して円筒状部材の開口内の補助電極の周囲にプラ
ズマを発生させ、補助電極を構成するグラファイトカー
ボンをスパッタリングすることによって円筒状部材の内
周面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする円筒
状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP256797A JPH10195635A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP256797A JPH10195635A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195635A true JPH10195635A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=11532956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP256797A Pending JPH10195635A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 円筒状部材の内周面への硬質カーボン膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10195635A (ja) |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP256797A patent/JPH10195635A/ja active Pending
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